用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備的制作方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備，包括：第一室，其具有第一等離子體產(chǎn)生源和用于將氣體供應(yīng)引入所述第一室的第一氣體供應(yīng)部；第二室，其具有第二等離子體產(chǎn)生源和用于將氣體供應(yīng)引入所述第二室的第二氣體供應(yīng)部，所述第二氣體供應(yīng)部與所述第一氣體供應(yīng)部能相互獨(dú)立地控制；置于所述第二室中的工件支承件；以及多個(gè)氣流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上時(shí)鄰近所述工件的氣流通路，其中所述氣流通路限定元件包括用于保護(hù)晶片邊緣和/或在晶片邊緣周圍向外的區(qū)域的至少一個(gè)晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件以及與所述晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件間隔開(kāi)以限定所述氣流通路的至少一個(gè)輔助元件。
【專利說(shuō)明】用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002] 等離子體蝕刻被廣泛地使用于半導(dǎo)體裝置的制造中。這些裝置的低成本制造需要 等離子體蝕刻系統(tǒng)迅速地移除所需要的層，同時(shí)在被處理的晶片之間和內(nèi)部保持由用戶規(guī) 定的均一性（例如蝕刻率和選擇性）。頻繁地，因?yàn)樵谠S多情況中均一性在處理執(zhí)行過(guò)程中 隨著蝕刻率上升而降低，因此在平均蝕刻率和均一性之間要達(dá)成一個(gè)妥協(xié)。
[0003] 硅晶片中的高速率各向異性等離子體蝕刻的特征典型地通過(guò)專利號(hào)為 [US5501893]的"博士處理（Bosch process)"或者專利號(hào)為[US 8133349]的循環(huán)沉積/蝕 刻處理來(lái)獲得。沉積和蝕刻步驟循環(huán)地在等離子體蝕刻工具中執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)未被掩模保護(hù)的 硅的相對(duì)高去除速率。這種類型的處理具有廣泛的商業(yè)應(yīng)用并且被用于制造 MEMS(微電子 機(jī)械系統(tǒng)）、陀螺儀、加速計(jì)、傳感器、硅通孔（TSV)甚至晶片劃片或減薄。由于成本因素，在 所有實(shí)例中，期望盡可能快地制造部件并且這最終導(dǎo)致大量努力在開(kāi)發(fā)可以允許硅的高蝕 刻率的硬件和處理上。
[0004] 然而，應(yīng)該理解的是，處理的均一性也是一個(gè)非常重要的考慮。在許多應(yīng)用中，一 些部件（晶圓）在晶片上形成圖案并且從所有部分上移除的材料的量應(yīng)該相似。理想地去 除材料的量應(yīng)相同，但是實(shí)際上達(dá)到相同的條件非常難以實(shí)現(xiàn)。如果將要維持最大的產(chǎn)量， 應(yīng)以同樣的方式處理晶片的中心部分和邊緣。還期望，蝕刻率在整個(gè)晶片上相似或者相同。 如果情況不是這樣，一些部分將會(huì)早于其它部分完成并且在一些示例中這可以證明這對(duì)經(jīng) 過(guò)過(guò)度蝕刻的部分有害。將使事情更加復(fù)雜化的是，等離子體均一性還可以影響蝕刻到被 掩蔽的硅晶片中的特征的角度。通常，在晶片的邊緣，一些離子以小于垂直入射角的方式碰 擊晶片表面，這導(dǎo)致在被蝕刻的各項(xiàng)異性特征中的微小"傾斜"。US 5683548描述了一種ICP 反應(yīng)器，其中氣體和射頻的獨(dú)立控制射頻可應(yīng)用到一系列的同心通道。通過(guò)使用同心通道 (通常在一個(gè)平面），一些程度上可以減小通道附近的徑向等離子體非均一性。然而，接近 晶片表面處的非均一性仍然存在。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明，至少在一些實(shí)施例中，解決了以上提及的問(wèn)題。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備，包括：
[0007] 第一室，其具有第一等離子體產(chǎn)生源和用于將氣體供應(yīng)引入所述第一室的第一氣 體供應(yīng)部；
[0008] 第二室，其具有第二等離子體產(chǎn)生源和用于將氣體供應(yīng)引入所述第二室的第二氣 體供應(yīng)部，所述第二氣體供應(yīng)部與所述第一氣體供應(yīng)部能相互獨(dú)立地控制；
[0009] 置于所述第二室中的工件支承件；以及
[0010] 多個(gè)氣流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上時(shí)鄰近所 述工件的氣流通路，其中所述氣流通路限定元件包括用于保護(hù)晶片邊緣和/或在晶片邊緣 周圍向外的區(qū)域的至少一個(gè)晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件以及與所述晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件間 隔開(kāi)以限定所述氣流通路的至少一個(gè)輔助元件。
[0011] 晶片邊緣區(qū)域保護(hù)裝置元件可為環(huán)形晶片邊緣保護(hù)裝置。
[0012] 輔助元件可包括一個(gè)或多個(gè)擋板。至少一個(gè)輔助元件可為環(huán)形擋板。
[0013] 輔助元件可置于晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件的內(nèi)部部分的上方。
[0014] 輔助元件可置于晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件的外部部分的上方。
[0015] 輔助元件可向第二室的壁徑向向內(nèi)延伸。
[0016] 輔助元件可從第二室的壁向下延伸。
[0017] 所述輔助元件與所述晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件間隔開(kāi)以限定在2_至80_之間，優(yōu) 選在5mm至50mm之間，最優(yōu)選在15mm至25mm之間的間隙。
[0018] 當(dāng)所述工件被置于所述工件支承件上時(shí)，所述氣流通路可從所述工件徑向向外延 伸。
[0019] 所述工件在被置于所述工件支承件上時(shí)可由一載體支撐，所述晶片邊緣區(qū)域保護(hù) 元件保護(hù)所述載體。所述載體可為帶和框架類型的，所述晶片邊緣保護(hù)元件可保護(hù)所述帶 和/或所述框架。
[0020] 所述第一等離子體產(chǎn)生源可包括用于將能量耦合到所述第一室中以維持在第一 室中感應(yīng)的等離子體的元件；所述第二等離子體產(chǎn)生源可包括用于將能量耦合到所述第二 室中以維持在第二室中感應(yīng)的等離子體的元件，其中第一等離子體產(chǎn)生源的所述元件與第 二等離子體產(chǎn)生源的所述元件間隔開(kāi)以便使在第二室中感應(yīng)的等離子體與在第一室中感 應(yīng)的等離子體去耦。設(shè)備可被配置為使得沒(méi)有或僅有少量的來(lái)自用于將能量耦合到第一室 中的元件的能量被耦合到第二等離子體中?？蛇x擇地，或者額外地，設(shè)備可被配置為使得沒(méi) 有或僅有少量的來(lái)自用于將能量耦合到第二室中的元件的能量被耦合到第一等離子體中。 這樣，等離子可以解耦（decouple)。用于將能量耦合到第一室和第二室中的元件可為射頻 線圈。第一室可與所述第二室在具有相關(guān)聯(lián)的水平面的界面處相接觸，并且所述第一等離 子體產(chǎn)生源的所述元件和所述第二等離子體產(chǎn)生源的所述元件中的至少一個(gè)可與所述水 平面分隔開(kāi)。
[0021] 技術(shù)人員將會(huì)領(lǐng)會(huì)到輔助元件是除第二室的壁之外的元件，盡管它可從所述壁伸 出。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備，包括：
[0023] 第一室，所述第一室包括具有將能量耦合到第一室中以維持在第一室中感應(yīng)的等 離子體的元件的第一等離子體產(chǎn)生源，以及用于將氣體供應(yīng)引入所述第一室的第一氣體供 應(yīng)部；
[0024] 第二室，所述第二室包括具有將能量耦合到第一室中以維持在第二室中感應(yīng)的等 離子體的元件的第二等離子體產(chǎn)生源，以及將氣體供應(yīng)引入所述第二室的第二氣體供應(yīng) 部，所述第二氣體供應(yīng)部與第一氣體供應(yīng)部能相互獨(dú)立地控制；以及
[0025] 置于第二室中的工件支承件；
[0026] 其中第一等離子體產(chǎn)生源的所述元件與第二等離子體產(chǎn)生源的所述元件分隔開(kāi) 以便使在第一室中感應(yīng)的等離子體與在第二室中感應(yīng)的等離子體去耦。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備，包括：
[0028] 具有壁的室；
[0029] 置于室中的工件支承件；
[0030] 至少一個(gè)等離子體產(chǎn)生源；以及
[0031] 多個(gè)氣流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上時(shí)鄰近所 述工件的氣流通路，其中所述氣流通路限定元件包括用于保護(hù)晶片邊緣和/或在晶片邊緣 周圍向外的區(qū)域的至少一個(gè)晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件以及與所述晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件間 隔開(kāi)以限定所述氣流通路的至少一個(gè)輔助元件。
[0032] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種用于清潔設(shè)備的室的方法，包括以下步驟：
[0033] 提供根據(jù)本發(fā)明的第一和第二方面的用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備；
[0034] 在第一和/或第二室中產(chǎn)生清潔等離子體；并且
[0035] 使用等離子選擇性地清潔設(shè)備的特定區(qū)域。
[0036] 同時(shí)，上述描述的發(fā)明延伸到在上陳列的任何特征的發(fā)明組合，或者在后的描述， 附圖或者權(quán)利要求中。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的具體實(shí)施例將會(huì)通過(guò)附圖參考進(jìn)行描述，其中：
[0038] 圖1示出了本發(fā)明設(shè)備的第一實(shí)施例；
[0039] 圖2示出了本發(fā)明設(shè)備的第二實(shí)施例；
[0040] 圖3示出了圖1設(shè)備的（a)第二室和（b)第一室的等離子體清潔；
[0041] 圖4示出了正?；奈g刻率與用于單射頻射頻源配置和雙射頻射頻源配置的徑 向晶片位置的函數(shù)；
[0042] 圖5示出了正?；奈g刻率與用于具有氣體進(jìn)口的單射頻射頻源配置和具有分 離的氣體進(jìn)口的雙射頻射頻源配置的徑向晶片位置的函數(shù)；
[0043] 圖6不出了具有和不具有在200mm空白娃晶片的邊緣處的氣體電導(dǎo)限制通路的蝕 刻均一性。

【具體實(shí)施方式】
[0044] 感應(yīng)耦合等離子體（ICP)等離子體蝕刻工具經(jīng)常使用被置于陶瓷鐘形罐周圍的 射頻射頻天線以產(chǎn)生稠密的等離子體。中央氣體進(jìn)口使得氣體在鐘形罐中被分解，并且等 離子體的非均一性通過(guò)使用"擴(kuò)散室"（一種置于在等離子體源與晶片滾筒組件之間的大直 徑室）而減小。擴(kuò)散室允許等離子體膨脹至超出晶片的邊緣。氣筒從所述室泵出通過(guò)閘閥 到達(dá)系統(tǒng)的底部。滾筒組件通常具有輔助晶片的排熱的靜電卡盤以及射頻輔助蝕刻/沉積 處理的射頻偏壓。盡管發(fā)明不僅僅局限于ICP等離子體蝕刻工具，但為了示例的目的，現(xiàn)描 述本發(fā)明與這種蝕刻工具的關(guān)系。
[0045] 在基于射頻射頻的文章中，在附圖中描述的ICP等離子體蝕刻工具的發(fā)明特征 為：a)兩個(gè)同心射頻射頻源，主要源被置于鐘形罐的上部并且所述鐘形罐的直徑小于主室 的直徑；b)兩個(gè)氣體進(jìn)口，一個(gè)對(duì)應(yīng)主要源，并且具有環(huán)形布置的另一個(gè)對(duì)應(yīng)主室的上部； 以及c)在晶片邊緣處的電導(dǎo)限制通路，用于減少在晶片邊緣處的氣體流通。
[0046] 通過(guò)一個(gè)或多個(gè)這些因素的正確的控制，可以提升蝕刻率同時(shí)均一性可保持在可 接受的水平。圖1中可以看到這些特征。
[0047] 本發(fā)明的第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)是改進(jìn)的等離子體清潔處理能力。等離子體清潔處理可以 用于清除室壁上的沉積材料。這是一個(gè)非常重要的因素，這個(gè)因素必須要被控制以維持晶 片-晶片隨著時(shí)間的均一性。本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是：因?yàn)榭梢元?dú)立操作兩個(gè)等離子體源，所 以操作者可以針對(duì)室的特定區(qū)域?qū)嵤┣鍧嵎桨福ǜ袘?yīng)耦合等離子體僅用于清潔主反應(yīng)室/ 高密度等離子體僅用于清潔鐘形罐）。本發(fā)明通過(guò)對(duì)等離子源的結(jié)合使用，使得自由移動(dòng)等 離子體成為了可能。更高效的清潔工作將帶來(lái)生產(chǎn)效益。
[0048] 圖1示出了本發(fā)明設(shè)備的第一種配置，總體上示于10處。初級(jí)氣體進(jìn)口 12進(jìn)入 初級(jí)室14(直徑為7-12厘米的介質(zhì)柱），初級(jí)室14具有相關(guān)聯(lián)的初級(jí)電離源16。標(biāo)稱 13. 56MHz的射頻天線作為感應(yīng)稱合等離子體源。這可以在直流線圈20的輔助下，修正等離 子體約束。在直流線圈20與初級(jí)室14的壁之間可以設(shè)置法拉第屏蔽21，以減少電容耦合 現(xiàn)象的發(fā)生。來(lái)自初級(jí)源的等離子體進(jìn)入主室22,在主室22中，晶片24被置于晶片支承件 26上，該支承件26可為一靜電卡盤。在標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)應(yīng)用中，晶片的尺寸可達(dá)到300毫米， 但本發(fā)明有能力處理尺寸更大的晶片。晶片24的邊緣由晶片邊緣保護(hù)（WEP)裝置28保護(hù) 著，以避免在抗性邊緣珠粒已被移除的晶片邊緣處硅的過(guò)分損耗。主（次級(jí)）室22具有次 級(jí)電離源30,次級(jí)電離源30具有圍繞著主室22放置的次級(jí)射頻線圈32,以便提供靠近室 壁22a的次級(jí)等離子體。射頻線圈32還可以在頻率為13. 56MHz或更低的頻率如l-2MHz 下運(yùn)轉(zhuǎn)。在次級(jí)射頻線圈32和主室22的壁之間設(shè)置法拉第屏蔽是可能的。該法拉第屏蔽 可作為設(shè)置在初級(jí)室14附近的法拉第屏蔽21的附加?；蛘?，鄰近主室22設(shè)置的法拉第屏 蔽可以被法拉第屏蔽21取代，或者可不出現(xiàn)法拉第屏蔽。環(huán)形氣體分配系統(tǒng)34結(jié)合在主 室22中，以便提供次級(jí)等離子體的獨(dú)立氣源。晶片邊緣處引入了電導(dǎo)限制通路。氣體以徑 向的形式流過(guò)WEP28的上方與環(huán)形隔板36的下方，通過(guò)閘閥進(jìn)入泵38。該間隙的典型但非 限制性高度為5-50毫米。電導(dǎo)限制通路可以延長(zhǎng)活性氣體種類在晶片邊緣處的停留時(shí)間， 并因此提高處理均一性。
[0049] 把WEP保持在高溫下，以減少由于連續(xù)積聚循環(huán)而積聚起來(lái)的物質(zhì)，這種做法是 可取的。優(yōu)選地，通過(guò)在裝載晶片前在室22中創(chuàng)造等離子體來(lái)加熱整個(gè)內(nèi)部來(lái)進(jìn)行加熱。 在主要處理過(guò)程中，等離子體會(huì)確保保護(hù)系統(tǒng)的溫度繼續(xù)維持在85°C到150°C之間。該WEP 系統(tǒng)的內(nèi)部直徑比晶片的直徑大，以便確保整個(gè)晶片暴露在等離子中，但晶片直徑外部的 材料卻得到保護(hù)。這種材料可能包括帶和/或由帶支撐的晶片框架，或可選擇的載體。圖 2中展示了這么一種配置。圖2示出了本發(fā)明設(shè)備的第二種配置，總體示于40處。圖2中 所示的眾多元件與圖1中所示的元件相同，使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示這些共同的元件。
[0050] 在圖2中，晶片24承載在帶42與框架44裝置上。晶片邊緣電導(dǎo)限制隔板46附 接在晶片位置上方，其中內(nèi)部直徑與晶片24的內(nèi)部直徑相近。晶片24 (或在晶片24附近 的晶片支承件26上的部分）之間的間隙應(yīng)該要足夠小，使得蝕刻氣體在被泵送在晶片支承 件側(cè)面周圍前主要與晶片24相互作用。圖2中，保護(hù)帶42與框架44的WEP28與隔板46 之間的間隙由箭頭標(biāo)識(shí)。必須在該混合與降低了的電導(dǎo)之間找到平衡，使得蝕刻產(chǎn)品能被 泵離晶片。作為參考，最?yuàn)A間隙尺寸通常在15到25毫米之間，但其他限制因素可使間隙尺 寸在5-50毫米之間。隔板適用于眾多蝕刻材料和處理氣體，其中使用遠(yuǎn)程等離子體源，包 括但不限于：硅、砷化鎵、聚合材料、鋁以及氟、氯和氧基化學(xué)制劑。
[0051] 如果要隨時(shí)保持處理重復(fù)性，則根據(jù)蝕刻周期和晶片數(shù)量清潔處理室是至關(guān)重要 的。等離子清潔處理可用于清除積聚在室壁上的物質(zhì)，并反過(guò)來(lái)延長(zhǎng)對(duì)室進(jìn)行通風(fēng)以進(jìn)行 保養(yǎng)性清潔的時(shí)間間隔。本發(fā)明提供了具有兩個(gè)能夠獨(dú)立操作的等離子體源的設(shè)備，使得 能夠?qū)嵤┽槍?duì)室的特定區(qū)域的特定清潔方案（感應(yīng)耦合等離子體僅用于清潔主室/高密度 等離子體僅用于清潔鐘形罐（初級(jí)室））。圖3示出了利用本發(fā)明設(shè)備對(duì)a)初級(jí)室14進(jìn) 行等離子清潔和b)對(duì)初級(jí)室22進(jìn)行等離子清潔。圖3所展示的設(shè)備與圖1所展示的設(shè)備 10在基本上相同，并且使用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同的元件。圖3展示的設(shè)備進(jìn)一步包含 了次級(jí)法拉第屏蔽54,該屏蔽設(shè)置于次級(jí)射頻線圈32與主室22的壁之間。在圖3中，a) 等離子體50產(chǎn)生在初級(jí)室14中，并且在圖3中，b)等離子體52產(chǎn)生在主室22中。本發(fā) 明通過(guò)對(duì)等離子源的結(jié)合使用，也使得自由移動(dòng)等離子體成為了可能。更高效的清潔工作 將帶來(lái)生產(chǎn)效益。
[0052] 通過(guò)利用兩個(gè)獨(dú)立源--一個(gè)初級(jí)源，位于其中將會(huì)進(jìn)行活性氣體的主要分解的 小的陶瓷/絕緣容器內(nèi)的室之上--以及，次級(jí)輔助源，位于初級(jí)源與晶片之間，更接近晶 片，輔助源將補(bǔ)償接近晶片邊緣的徑向非均一性。當(dāng)使用單個(gè)源時(shí)，在處理室中心的等離子 體密度將會(huì)比在室邊緣的等離子體密度要高。當(dāng)使用小直徑管子作為第一室時(shí)這尤其明 顯。當(dāng)施加在天線上的射頻功率增加時(shí)，非均一性也會(huì)隨之提高。在圖4中，我們可以看到 由于使用了次級(jí)射頻源，不僅200毫米晶片的均一性得到改善，而且得到了更高的更正常 化蝕刻率。在兩組數(shù)據(jù)中，初級(jí)源的射頻功率維持在3KW，而在次級(jí)源中則使用了 1.5KW，以 便測(cè)量混合源。氣體僅供給到初級(jí)源。
[0053] 圖5展示了為次級(jí)射頻源裝配獨(dú)立環(huán)形氣體供給的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)初級(jí)源與次級(jí)源間的 的氣體供給比率為2:1時(shí)，氣體僅僅流向初級(jí)源，可以看到300毫米晶片的正常蝕刻率。提 高對(duì)主室的氣體進(jìn)給量改善了等離子的均一性，從而改善蝕刻均一性。
[0054] 在圖6中，我們可以看到在晶片邊緣采用電導(dǎo)限制通路（隔板/WEP通道）的優(yōu)點(diǎn)。 通過(guò)減少在晶片周邊的活性組分的消耗和減少離子的數(shù)目，均一性可以得到提高。這提高 了晶片的均一性，因此通過(guò)調(diào)整其他可能降低均一性的處理參數(shù)來(lái)得到給定均一性的更高 的蝕刻率。
[0055] 本發(fā)明可以應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片，載體上的晶片或框架里的晶片。主要調(diào)整是對(duì)WEP 和隔板進(jìn)行定位來(lái)確保電導(dǎo)限制通路得到控制，從而提高邊緣均一性。在應(yīng)用框架中晶片 的時(shí)候，WEP會(huì)覆蓋框架和大部分暴露的帶，但不會(huì)覆蓋晶片邊緣。
[0056] 上述特定實(shí)施例的眾多變量都在本發(fā)明的可接受范圍內(nèi)。例如，可以使用其他方 式來(lái)減少散失的電耦合，例如分段線圈，而不是通過(guò)利用法拉第屏蔽。如US6495963所提到 的一樣，這種線圈可以裝進(jìn)室內(nèi)。可以用磁等離子約束方法取代直流線圈。而磁等離子約 束沒(méi)有在其他實(shí)施例中被用到。射頻源的頻率不需要全部相同，任何適合的頻率組合都可 以使用。可以使用的頻率范圍在1-13. 56MHz之間。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備，包括： 第一室，其具有第一等離子體產(chǎn)生源和用于將氣體供應(yīng)引入所述第一室的第一氣體供 應(yīng)部； 第二室，其具有第二等離子體產(chǎn)生源和用于將氣體供應(yīng)引入所述第二室的第二氣體供 應(yīng)部，所述第二氣體供應(yīng)部與所述第一氣體供應(yīng)部能相互獨(dú)立地控制； 置于所述第二室中的工件支承件；以及 多個(gè)氣流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上時(shí)鄰近所述工 件的氣流通路，其中所述氣流通路限定元件包括用于保護(hù)晶片邊緣和/或在晶片邊緣周圍 向外的區(qū)域的至少一個(gè)晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件以及與所述晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件間隔開(kāi) 以限定所述氣流通路的至少一個(gè)輔助元件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述晶片區(qū)域邊緣區(qū)域保護(hù)裝置元件為環(huán)形晶 片邊緣保護(hù)裝置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)輔助元件包括一個(gè)或多個(gè)擋 板。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，所述至少一個(gè)輔助元件為環(huán)形擋板。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述輔助元件置于所述晶片邊緣區(qū)域 保護(hù)元件的內(nèi)部部分的上方。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述輔助元件置于所述晶片邊緣區(qū)域 保護(hù)兀件的外部部分的上方。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述輔助元件向所述第二室的壁徑 向向內(nèi)延伸。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述輔助元件從所述第二室的壁向下 延伸。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述輔助元件與所述晶片邊緣區(qū)域 保護(hù)兀件間隔開(kāi)以限定在2mm至80mm之間，優(yōu)選在5mm至50mm之間，最優(yōu)選在15mm至25mm 之間的間隙。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述工件被置于所述工件支承件 上時(shí)，所述氣流通路從所述工件徑向向外延伸。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述工件在被置于所述工件支承件 上時(shí)由一載體支撐，所述晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件保護(hù)所述載體。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述載體為帶和框架類型的，所述晶片邊緣保 護(hù)元件保護(hù)所述帶和/或所述框架。
13. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述第一等離子體產(chǎn)生源包括用于 將能量耦合到所述第一室中以維持在第一室中感應(yīng)的等離子體的元件；所述第二等離子體 產(chǎn)生源包括用于將能量耦合到所述第二室中以維持在第二室中感應(yīng)的等離子體的元件，其 中第一等離子體產(chǎn)生源的所述元件與第二等離子體產(chǎn)生源的所述元件間隔開(kāi)以便使在第 二室中感應(yīng)的等離子體與在第一室中感應(yīng)的等離子體去耦。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述第一室與所述第二室在具有相關(guān)聯(lián)的水 平面的界面處相接觸，并且所述第一等離子體產(chǎn)生源的所述元件和所述第二等離子體產(chǎn)生 源的所述元件中的至少一個(gè)與所述水平面分隔開(kāi)。
15. -種用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備，包括： 第一室，所述第一室包括具有將能量耦合到第一室中以維持在第一室中感應(yīng)的等離 子體的元件的第一等離子體產(chǎn)生源，以及用于將氣體供應(yīng)引入所述第一室的第一氣體供應(yīng) 部； 第二室，所述第二室包括具有將能量耦合到第一室中以維持在第二室中感應(yīng)的等離子 體的元件的第二等離子體產(chǎn)生源，以及將氣體供應(yīng)引入所述第二室的第二氣體供應(yīng)部，所 述第二氣體供應(yīng)部與第一氣體供應(yīng)部能相互獨(dú)立地控制；以及 置于第二室中的工件支承件； 其中第一等離子體產(chǎn)生源的所述元件與第二等離子體產(chǎn)生源的所述元件分隔開(kāi)以便 使在第一室中感應(yīng)的等離子體與在第二室中感應(yīng)的等離子體去耦。
16. -種用于處理半導(dǎo)體工件的設(shè)備，包括： 具有壁的室； 置于室中的工件支承件； 至少一個(gè)等離子體產(chǎn)生源；以及 多個(gè)氣流通路限定元件，用于限定在所述工件放置在所述工件支承件上時(shí)鄰近所述工 件的氣流通路，其中所述氣流通路限定元件包括用于保護(hù)晶片邊緣和/或在晶片邊緣周圍 向外的區(qū)域的至少一個(gè)晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件以及與所述晶片邊緣區(qū)域保護(hù)元件間隔開(kāi) 以限定所述氣流通路的至少一個(gè)輔助元件。
【文檔編號(hào)】H01L21/306GK104217943SQ201410234927
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月29日
【發(fā)明者】奧立佛·安塞爾, 布萊恩·基爾南, 托比·杰佛里, 馬克西姆·瓦瓦拉 申請(qǐng)人:Spts科技有限公司