有機發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
【專利摘要】提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備包括：薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、位于有源層和柵電極之間的第一絕緣層以及位于柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層；焊盤電極，包括與源電極和漏電極位于同一層上的第一焊盤層和位于第一焊盤層上的第二焊盤層；第三絕緣層，覆蓋源電極和漏電極以及焊盤電極的端部；像素電極，包括位于第三絕緣層中的開口中的半透射導(dǎo)電層；保護層，位于像素電極和第一絕緣層之間；第四絕緣層，在與形成在第三絕緣層中的開口相對應(yīng)的位置中具有開口，第四絕緣層覆蓋焊盤電極的端部；發(fā)射層，位于像素電極上；以及相對電極，位于發(fā)射層上。
【專利說明】有機發(fā)光顯設(shè)備
[0001] 本申請要求于2013年5月30日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0062114號 韓國專利申請和于2014年5月13日在韓國專利產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0057451號韓國 專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，上述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明的實施例涉及一種有機發(fā)光顯示設(shè)備和一種制造該有機發(fā)光顯示設(shè)備的 方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 有機發(fā)光二級管（0LED)顯示設(shè)備通常包括空穴注入電極、電子注入電極和形成 在空穴注入電極和電子注入電極之間的有機發(fā)光層。0LED顯示設(shè)備是當(dāng)從空穴注入電極注 入的空穴和從電子注入電極注入的電子在有機發(fā)光層中復(fù)合至其后逐漸消失的激發(fā)態(tài)來 發(fā)光。
[0004] 與其他類型的顯示裝置相比，由于其諸如功耗相對低、亮度相對高以及響應(yīng)速度 相對快的高質(zhì)量特性，0LED顯示設(shè)備作為下一代顯示器而備受關(guān)注。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實施例提供了一種具有優(yōu)異的顯示質(zhì)量的有機發(fā)光顯示設(shè)備和一種制 造該有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備包 括：薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、位于有源層和柵電極之間的第一絕 緣層以及位于柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層；焊盤電極，包括與源電極和漏 電極位于同一層上的第一焊盤層和位于第一焊盤層上的第二焊盤層；第三絕緣層，覆蓋源 電極和漏電極以及焊盤電極的端部；像素電極，包括位于第三絕緣層中的開口中的半透射 導(dǎo)電層；保護層，位于像素電極和第一絕緣層之間；第四絕緣層，在與形成在第三絕緣層中 的開口相對應(yīng)的位置中具有開口，第四絕緣層覆蓋焊盤電極的端部；發(fā)射層，位于像素電極 上；以及相對電極，位于發(fā)射層上。
[0007] 保護層可以包括與第二焊盤層的材料相同的材料。
[0008] 第二焊盤層可以包括透明導(dǎo)電氧化物。
[0009] 透明導(dǎo)電氧化物可以包括從由氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧 化銦（Ιη 203)、氧化銦鎵（IG0)和氧化鋁鋅（ΑΖ0)組成的組中選擇的一種或更多種。
[0010] 保護層的厚度可以在

【權(quán)利要求】
1. 一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備包括： 薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、位于有源層和柵電極之間的第一絕 緣層以及位于柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層； 焊盤電極，包括第一焊盤層和位于第一焊盤層上的第二焊盤層，第一焊盤層與源電極 和漏電極在同一層上； 第三絕緣層，覆蓋源電極和漏電極以及焊盤電極的端部； 像素電極，包括位于第三絕緣層中的開口中的半透射導(dǎo)電層； 保護層，位于像素電極和第一絕緣層之間； 第四絕緣層，在與形成在第三絕緣層中的開口相對應(yīng)的位置中具有開口，第四絕緣層 覆蓋焊盤電極的端部； 發(fā)射層，位于像素電極上；以及 相對電極，位于發(fā)射層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，保護層包括與第二焊盤層的材料相 同的材料。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二焊盤層包括透明導(dǎo)電氧化物。
4. 如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，透明導(dǎo)電氧化物包括從由氧化銦錫、 氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵和氧化鋁鋅組成的組中選擇的一種或更多種。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，保護層的厚度在200 A至800 A的 范圍內(nèi)。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，源電極和柵電極具有電子遷移率不 同的多個異質(zhì)導(dǎo)電層的堆疊結(jié)構(gòu)。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，源電極和漏電極包括包含鑰的層和 包含鋁的層。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，源電極和漏電極包括第一金屬層和 位于第一金屬層上的第二金屬層。
9. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備還包括：電容器，包 括第一電極和第二電極，第一電極與有源層在同一層上，第二電極與柵電極在同一層上。
10. 如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，電容器的第一電極包括利用離子雜 質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料。
11. 如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，電容器的第二電極包括透明導(dǎo)電氧 化物。
12. 如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，電容器還包括第三電極，第三電極 與源電極和漏電極在同一層上。
13. 如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備還包括：像素電極 接觸單元，通過形成在第三絕緣層中的接觸孔電結(jié)合在像素電極與源電極和漏電極中的一 個之間， 其中，像素電極接觸單元包括： 第一接觸層，包括與源電極和漏電極的材料相同的材料； 第二接觸層，包括與第二焊盤層的材料相同的材料；以及 第三接觸層，位于第一絕緣層和第二絕緣層中并包括與電容器的第二電極的材料相同 的材料， 其中，第一接觸層通過形成在第二絕緣層中的接觸孔電結(jié)合到第三接觸層。
14. 如權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，像素電極接觸單元還包括位于第 一絕緣層和第三絕緣層之間并包括與柵電極的材料相同的材料的第四接觸層。
15. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機發(fā)光顯示設(shè)備還包括：電容器， 包括第一電極和第二電極，第一電極與柵電極在同一層上，第二電極與源電極和漏電極在 同一層上。
16. 如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光顯不設(shè)備，其中，電容器的第一電極包括與柵電極 的材料相同的材料。
17. 如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，電容器的第二電極包括與源電極 和漏電極的材料相同的材料。
18. 如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二絕緣層設(shè)置在第一電極和第 二電極之間，第二電極設(shè)置在形成在第二絕緣層中的溝槽中。
19. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第一焊盤層包括與源電極和漏電極 的材料相同的材料。
20. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，半透射導(dǎo)電層包括銀或銀合金。
21. 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第一透明導(dǎo)電氧化物層進一步堆 疊在像素電極和保護層之間。
22. 如權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二透明導(dǎo)電氧化物層進一步堆 疊在像素電極的上部上。
23. 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，第二絕緣層中的開口、第三絕緣層 中的開口和第四絕緣層中的開口彼此疊置， 其中，第三絕緣層中的開口的寬度比形成在第四絕緣層中的開口的寬度大，并且比形 成在第二絕緣層中的開口的寬度小。
24. 如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，像素電極的端部在形成在第三絕 緣層中的開口的頂端上。
【文檔編號】H01L51/52GK104218064SQ201410238986
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】柳春基, 樸鮮, 李律圭 申請人:三星顯示有限公司