監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，包括：在預期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測；收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息；將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留??；將空間特征分析處理器通過制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進行返工處理。通過應用本發(fā)明，可以有效預防光刻大顆缺陷的影響，為良率提升提供保障。
【專利說明】監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路工藝的發(fā)展，硅片生產(chǎn)要進行的工藝步驟越來越復雜，更先進的工藝也逐步被引進生產(chǎn)線，比如后段工藝的金屬阻擋刻蝕工藝。但是，這也帶來了一些不可避免的缺陷問題，比如光刻工藝中的大顆粒缺陷，在干刻工藝后，由于大顆粒缺陷處的不規(guī)則的光阻被干刻工藝的等離子體轟擊，使得不規(guī)則的光阻非常容易保留電荷從而產(chǎn)生電弧放電，導致造成大面積的缺陷影響，如圖1至圖3所示。
[0003]具體地說，對于圖1所示的光刻工藝，光刻膠10形成了圖案。此時，如圖2所示，大顆粒缺陷20處的不規(guī)則的光阻被干刻工藝的等離子體轟擊。從而在圖3所示的刻蝕后的溝槽中存在電荷30，從而產(chǎn)生電弧放電，導致造成大面積的缺陷影響。
[0004]目前，針對此類問題，由于大顆粒缺陷數(shù)量非常低，在干刻工藝中無法觸發(fā)制造執(zhí)行系統(tǒng)使產(chǎn)品晶圓批次在某個工藝步驟保持不變(不允許其再進行后續(xù)工藝)，只能通過在干刻工藝后監(jiān)控并作返工處理降低缺陷影響，但是很多缺陷無法去除，造成了良率的損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其提前將光刻工藝后的大顆粒缺陷檢測并及時在制造執(zhí)彳丁系統(tǒng)中把娃片留住，并通過在光刻工藝步驟返工，避免其在后續(xù)工藝中造成更大影響。
[0006]為了實現(xiàn)上述技術目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，包括:在預期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測；收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息；將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留?。粚⒖臻g特征分析處理器通過制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進行返工處理。
[0007]優(yōu)選地，可以采用掃描機對晶圓進行缺陷掃描。
[0008]優(yōu)選地，在將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留住的步驟中，掃描機將缺陷掃描數(shù)據(jù)傳遞給空間特征分析處理器，空間特征分析處理器與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，如果空間特征分析處理器根據(jù)掃描機傳遞的缺陷掃描數(shù)據(jù)自動篩選出大顆粒缺陷，并且將篩選結果傳到制造執(zhí)打系統(tǒng)。
[0009]優(yōu)選地，制造執(zhí)行系統(tǒng)采用特定信息提醒操作人員。[0010]優(yōu)選地，特定信號可包括語音提醒信息或者燈光提醒信或者文字信息。
[0011]優(yōu)選地，特征信息包括缺陷的周長、面積、長度和寬度。
[0012]通過應用本發(fā)明，可以有效預防光刻大顆缺陷的影響，為良率提升提供保障。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
[0014]圖1示意性地示出了將被討論的光刻工藝。
[0015]圖2示意性地示出了現(xiàn)有技術中存在的顆粒缺陷。
[0016]圖3示意性地示出了現(xiàn)有技術中存在的顆粒缺陷導致造成的缺陷。
[0017]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法的流程圖。
[0018]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
【具體實施方式】
[0019]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。
[0020]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法的流程圖。
[0021]如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法包括:
[0022]第一步驟SI，用于在預期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測；具體地，例如可以采用掃描機對晶圓進行缺陷掃描；
[0023]第二步驟S2，用于收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息，比如缺陷的周長、面積、長度、寬度等等；
[0024]第三步驟S3，用于將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時可以直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留??；具體地，例如，掃描機將缺陷掃描數(shù)據(jù)傳遞給空間特征分析處理器，空間特征分析處理器與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，如果空間特征分析處理器根據(jù)掃描機傳遞的缺陷掃描數(shù)據(jù)自動篩選出大顆粒缺陷，并且將此信息傳到制造執(zhí)行系統(tǒng)；而且，制造執(zhí)行系統(tǒng)通過事先的設定，比如針對大顆拉缺陷數(shù)量如果超過I顆，產(chǎn)品晶圓就不準下放，并應用特定信息提醒操作人員。特定信號可包括語音提醒信息或者燈光提醒信息或者文字信息等。
[0025]第四步驟S4，可以在線實時監(jiān)控大顆拉缺陷，并將空間特征分析處理器通過制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進行返工處理，以便去除在后續(xù)工藝能夠造成更大影響的大顆粒缺陷，避免缺陷的更大影響。
[0026]例如，可以選擇55納米邏輯產(chǎn)品應用此方法，可以通過空間特征分析有效監(jiān)控大尺寸缺陷，并通過工藝返工處理及時去除，避免對后續(xù)工藝造成更大的缺陷影響，為良率提升提供保障。
[0027]通過應用本發(fā)明，可以有效預防光刻大顆缺陷的影響，為良率提升提供保障。
[0028]例如，所述大顆粒缺陷指的是單側尺寸比光刻工藝的關鍵尺寸大2倍的不期望的顆粒殘留。在更有利的應用，本發(fā)明尤其有利于應用于所述大顆粒缺陷指的是單側尺寸比光刻工藝的關鍵尺寸大5-10倍的不期望的顆粒殘留。
[0029]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等。
[0030]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術內(nèi)容對本發(fā)明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于包括: 在預期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測； 收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息； 將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留??； 將空間特征分析處理器通過制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進行返工處理。
2.根據(jù)權利要求1所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，采用掃描機對晶圓進行缺陷掃描。
3.根據(jù)權利要求2所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，在將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留住的步驟中，掃描機將缺陷掃描數(shù)據(jù)傳遞給空間特征分析處理器，空間特征分析處理器與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，如果空間特征分析處理器根據(jù)掃描機傳遞的缺陷掃描數(shù)據(jù)自動篩選出大顆粒缺陷，并且將篩選結果傳到制造執(zhí)行系統(tǒng)。
4.根據(jù)權利要求3所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，制造執(zhí)行系統(tǒng)采用特定信息提醒操作人員。
5.根據(jù)權利要求4所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，特定信號可包括語音提醒信息或者燈光提醒信或者文字信息。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，特征信息包括缺陷的周長、面積、長度和寬度。
【文檔編號】H01L21/66GK103996636SQ201410253190
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年6月9日 優(yōu)先權日:2014年6月9日
【發(fā)明者】范榮偉, 王洲男, 陳宏璘, 龍吟, 顧曉芳 申請人:上海華力微電子有限公司