固態(tài)攝像裝置、電子設備以及固態(tài)攝像裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種固態(tài)攝像裝置、電子設備、以及固態(tài)攝像裝置的制造方法。該固態(tài)攝像裝置包括：光電轉(zhuǎn)換器，形成在基板上；布線部分，形成在光電轉(zhuǎn)換器上方并由多層布線構成；以及絕緣部分，布線部分的多層布線嵌入絕緣部分中，絕緣部分的折射率大于硅氧化物的折射率。
【專利說明】固態(tài)攝像裝置、電子設備以及固態(tài)攝像裝置的制造方法
[0001]本申請是2010年I月29日提交的發(fā)明名稱為“固態(tài)攝像裝置、電子設備以及固態(tài)攝像裝置的制造方法”的發(fā)明專利申請N0.201010106325.X的分案申請。
【技術領域】
[0002]本發(fā)明涉及固態(tài)攝像裝置、電子設備和固態(tài)攝像裝置的制造方法。具體地，本發(fā)明涉及使光通過布線層進入光電轉(zhuǎn)換器的固態(tài)攝像裝置、電子設備和固態(tài)攝像裝置的制造方法。
【背景技術】
[0003]以CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器為代表的半導體圖像傳感器被要求減小像素尺寸并增大相同圖像區(qū)域中的像素數(shù)量。例如，日本專利申請公開N0.2008-109153公開了固態(tài)圖像傳感器，其中光波導設置在光電轉(zhuǎn)換器上方，該光電轉(zhuǎn)換器形成在半導體基板上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]然而，在現(xiàn)有技術中，為了形成光波導，在即將形成光波導的凹入部分的內(nèi)壁上沉積薄膜，該薄膜由折射率大于其周圍材料的材料形成，接著凹入部分被具有高填充性能的材料填充。這樣，對于形成在光電轉(zhuǎn)換器上方的光波導，存在如下問題:從填充到凹入部分中的材料的填充性能角度來看，需要兩種材料來形成光波導。
[0005]考慮到上述情況，期望提供一種技術，其能穿過布線層有效地傳輸光信號到光電轉(zhuǎn)換器，使得能夠獲得足夠量的信號。
[0006]根據(jù)本發(fā)明實施例，提供了一種固態(tài)攝像裝置，其包括:光電轉(zhuǎn)換器，形成在基板上；布線部分，形成在光電轉(zhuǎn)換器上方并由多層布線構成；以及絕緣部分，布線部分的多層布線嵌入絕緣部分中。絕緣部分的折射率大于硅氧化物。此外，提供了一種電子設備，其使用了該固態(tài)攝像裝置。
[0007]在該實施例中，由于其中布線部分的布線形成在光電轉(zhuǎn)換器上方的絕緣部分由折射率大于硅氧化物的材料形成，通過在凹入部分中嵌入材料來形成光波導的工藝不是必須的。此外，與硅氧化物形成絕緣部分的情況相比，能夠減少傳輸?shù)墓獾氖睆?beamwaist diameter),由此能夠局部地收集光能量,其能夠?qū)⒐鈧鬏數(shù)焦怆娹D(zhuǎn)換器。
[0008]此外，根據(jù)本發(fā)明另一實施例，提供了 一種固態(tài)攝像裝置，其包括:光電轉(zhuǎn)換器，形成在基板上；布線部分，形成在所述光電轉(zhuǎn)換器上方并由多層布線構成；硅氧化物，所述布線部分的所述多層布線嵌入所述硅氧化物中；以及絕緣部分，在所述光電轉(zhuǎn)換器上方從所述布線部分上方的位置到最下層布線的位置嵌入所述硅氧化物中。所述絕緣部分的折射率大于所述硅氧化物。此外，提供了 一種電子設備，其使用了該固態(tài)攝像裝置。
[0009]在該實施例中，在光電轉(zhuǎn)換器上方從布線部分上方的位置到最下層布線的位置嵌入的絕緣部分起光波導的作用。由于光波導由折射率大于硅氧化物的折射率的一種材料形成，所以不需要由多種材料形成光波導。
[0010]此外，提供了一種固態(tài)攝像裝置的制造方法。該固態(tài)攝像裝置的制造方法，包括:在基板上形成光電轉(zhuǎn)換器；在基板上形成驅(qū)動元件，在驅(qū)動元件上形成絕緣膜，以及平坦化形成的表面；通過以下步驟形成具有波導部分的布線層:在絕緣膜上形成嵌入層間絕緣膜中的布線，在層間絕緣膜的光電轉(zhuǎn)換器上方的部分中設置凹入部分，通過在凹入部分中嵌入折射率大于層間絕緣膜的材料來形成波導部分；以及重復執(zhí)行具有波導部分的布線層的形成，從而通過形成多層布線和連接多個波導部分來形成光波導。
[0011]在上述實施例中，作為光波導的一部分的波導部分在每次形成一個布線層時形成。通過重復執(zhí)行具有波導部分的布線層的形成，形成了光波導。因此，光波導能由一種材料形成。
[0012]這里，絕緣部分由選自由氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿和氧化鉭組成的組的材料制成。
[0013]根據(jù)本發(fā)明，具有比硅氧化物更優(yōu)良的光收集性能的絕緣部分能由一種材料形成在光電轉(zhuǎn)換器上方。
[0014]根據(jù)下文對如附圖所示的本發(fā)明最佳實施例的詳細描述，本發(fā)明的以上和其他目的、特征和優(yōu)點將變得更加明顯易懂。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為示出根據(jù)第一實施例的固態(tài)攝像裝置的示意截面圖；
[0016]圖2A和2B為示出穿過固態(tài)攝像裝置的光的束腰(beam waist)的比較實例的圖；
[0017]圖3為示出第一實施例中固態(tài)攝像裝置對應于RGB顏色的靈敏度的比較實例的圖；
[0018]圖4為示出根據(jù)第二實施例的固態(tài)攝像裝置的示意性截面圖；
[0019]圖5為示出第二實施例中固態(tài)攝像裝置對RGB顏色的靈敏度的比較實例的圖；
[0020]圖6A至6C為示出根據(jù)第二實施例的固態(tài)攝像裝置的制造方法的示意性截面圖(部分I);
[0021]圖7A至7C為示出根據(jù)第二實施例的固態(tài)攝像制造的制造方法的示意性截面圖(部分2)；
[0022]圖8為示出作為根據(jù)實施例的電子設備實例的攝像裝置的結(jié)構實例方框圖。【具體實施方式】
[0023]下文，將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。實施例將以下列順序來描述。
[0024]1、第一實施例(結(jié)構、束腰、靈敏度比較)
[0025]2、第二實施例(結(jié)構、靈敏度比較)
[0026]3、固態(tài)攝像裝置的制造方法(根據(jù)第二實施例的固態(tài)攝像裝置的制造方法實例)
[0027]4、電子設備(攝像裝置的實例)
[0028]〈1、第一實施例〉
[0029](結(jié)構)
[0030]圖1為示出根據(jù)第一實施例的固態(tài)攝像裝置的示意截面圖。固態(tài)攝像裝置I包括光電轉(zhuǎn)換器10和晶體管Tr。光電轉(zhuǎn)換器10形成在由諸如娃的半導體形成的基板2中。晶體管Tr形成在基板2上。此外，固態(tài)攝像裝置I包括布線部分40、鈍化膜50、濾色器60和微透鏡(micro lens)70。布線部分40隔著抗反射膜21形成在晶體管Tr上。鈍化膜50形成在布線部分40上。微透鏡70形成為對應于每個顏色的濾色器60。
[0031]形成于基板2中的光電轉(zhuǎn)換器10是對應于每個像素形成的光接收區(qū)域并將穿過微透鏡70和濾色器60的入射光轉(zhuǎn)換為電信號。基板2上的晶體管Tr可以是不同的晶體管，諸如，讀取光電轉(zhuǎn)換器10中獲得的電荷的讀取晶體管、放大光電轉(zhuǎn)換器10的輸出的放大晶體管、選擇光電轉(zhuǎn)換器10的選擇晶體管以及釋放電荷的重置晶體管。
[0032]抗反射膜21形成在晶體管Tr上，由多層結(jié)構中的多條布線41構成的布線部分40隔著絕緣部分30形成于抗反射膜上。布線部分40的布線41被嵌入絕緣部分30中并隔著層之間的絕緣部分30形成多層結(jié)構。在布線部分40中，布線41沒有設置在光電轉(zhuǎn)換器10上方，所以穿過微透鏡70和濾色器60的入射光傳輸穿過絕緣部分30并到達光電轉(zhuǎn)換器10。
[0033]在布線部分40上方，用于每個預定區(qū)域的R(紅色)、G(綠色)和B(藍色)的濾色器60以預定的布置順序形成。此外，微透鏡70形成以對應于每個濾色器。在此實施例中，一個光接收區(qū)域的開口被設定為1.4 μ m2。
[0034]在此實施例的固態(tài)攝像裝置I中，由于布線部分40的布線41被嵌入絕緣部分30中，所以絕緣部分30使用折射率大于硅氧化物的材料。
[0035]這里，除了對應于其中設置有布線部分40的層的部分之外，其中嵌入布線41的絕緣部分30還包括對應于布線41之間的夾層的部分。也就是說，在此實施例中，構成布線部分40的多個布線41的整體嵌入到絕緣部分30中。
[0036]折射率大于硅氧化物且被用作絕緣部分30的材料的實例包括氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿和氧化鉭。
[0037]這里，氮化硅在可見光范圍內(nèi)具有約2.0至2.2的折射率，并能夠容易地在常規(guī)半導體制造設備中形成。此外，氮氧化硅在可見光范圍內(nèi)具有約1.7至1.8的折射率，并能夠容易地在常規(guī)半導體制造設備中形成。此外，氧化鉿具有約2.0的折射率并且具有比氮化硅小的光吸收。另外，氧化鉭在可見光范圍內(nèi)具有約2.0的折射率并且具有比氮化硅小的光吸收。
[0038](束腰)
[0039]圖2Α和2Β為示出穿過固態(tài)攝像裝置的光的束腰的比較實例的圖。圖2Α示出硅氧化物被用作其中嵌入布線的絕緣部分的情況(在現(xiàn)有技術中的實例)。圖2Β示出氮化硅被用作其中嵌入布線的絕緣部分的情況(本實施例)。在圖2Α和2Β中，附圖的垂直方向?qū)诮^緣部分的深度方向，附圖的橫向方向?qū)诮^緣部分的寬度方向。
[0040]如附圖所示，在氮化硅用作絕緣部分的情況下(圖2Β)傳輸?shù)墓獾氖睆叫∮诠柩趸镉米鹘^緣部分的情況(圖2Α)。因此，在本實施例中氮化硅用作絕緣部分的情況下(圖2Β)，所收集的光能夠被有效地傳輸?shù)皆O置在絕緣部分下方的光電轉(zhuǎn)換器。此外，在使用氮化硅的本實施例的情況中焦深(focal depth)大于使用硅氧化物的現(xiàn)有技術的情況。
[0041](靈敏度比較)
[0042]圖3為示出第一實施例中固態(tài)攝像裝置對應于RGB顏色的靈敏度的比較實例的圖。圖3示出了氮化硅用作絕緣部分的情況(本實施例)下RGB顏色的靈敏度相對于硅氧化物用作絕緣部分的情況(現(xiàn)有技術的實例)下RGB顏色的靈敏度的相對值，其中將現(xiàn)有技術中的靈敏度設定為100。
[0043]在氮化硅用作絕緣部分的本實施例中，與硅氧化物用作絕緣部分的現(xiàn)有技術中的實例相比較，B(藍色)像素、G(綠色)像素和R(紅色)像素的靈敏度分別增長了約12%、15%和18%。這是因為，如圖2A和2B所示，與硅氧化物用作絕緣部分的情況相比較，在氮化硅用作絕緣部分的情況下束腰變得更細且焦深變得更大，對于RGB的每個顏色(波長)，在絕緣部分中的光傳輸效率增大，這使得靈敏度提高。
[0044]<2.第二實施例>
[0045](結(jié)構)
[0046]圖4為示出根據(jù)第二實施例的固態(tài)攝像裝置的示意截面圖。固態(tài)攝像裝置I包括光電轉(zhuǎn)換器10和晶體管Tr。光電轉(zhuǎn)換器10形成在由諸如娃的半導體形成的基板2中。晶體管Tr形成在基板2上。此外，固態(tài)攝像裝置I包括布線部分40、鈍化膜50、濾色器60和微透鏡70。布線部分40隔著抗反射膜21形成在晶體管Tr上。鈍化膜50形成在布線部分40上。微透鏡70形成以對應于濾色器60的每個顏色。
[0047]形成在基板2中的光電轉(zhuǎn)換器10是光接收區(qū)域并將穿過微透鏡70和濾色器60的入射光轉(zhuǎn)換為電信號，該光接收區(qū)域形成為對應于每個像素。形成在基板2上的晶體管Tr可以是不同的晶體管，諸如，讀取光電轉(zhuǎn)換器10中獲得的電荷的讀取晶體管、放大光電轉(zhuǎn)換器10的輸出的放大晶體管、選擇光電轉(zhuǎn)換器10的選擇晶體管以及釋放電荷的重置晶體管。
[0048]抗反射膜21形成在晶體管Tr上，由多層結(jié)構中的多條布線41構成的布線部分40形成在抗反射膜21上。布線部分40的布線41被嵌入由硅氧化物形成的布線絕緣部分42中并隔著層之間的布線絕緣部分42形成多層結(jié)構。在光電轉(zhuǎn)換器10上方的布線絕緣部分42中的區(qū)域的一部分中，提供了折射率大于硅氧化物的絕緣部分30。
[0049]從布線部分40的上區(qū)域的位置到最低層中的布線41的位置，絕緣部分30嵌入布線絕緣部分42中。利用此結(jié)構，絕緣部分30起光波導作用。也就是說，穿過微透鏡70和濾色器60的入射光沿著絕緣部分30傳輸并達到光電轉(zhuǎn)換器10。
[0050]折射率大于硅氧化物且被用作絕緣部分30的材料的實例包括氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿和氧化鉭。這些材料的特性與第一實施例中的相同。
[0051]如上所述，通過使用硅氧化物作為設置在布線41之間和層之間的布線絕緣部分42，與使用氮化硅的情況相比，布線41之間的寄生電容能減少。除此之外，由折射率大于硅氧化物膜的材料形成的絕緣部分30嵌入光傳輸路徑中。因此，如圖2B示出的比較實例，與使用硅氧化物的情況相比，束腰直徑減小，焦深增大，從而提高光電轉(zhuǎn)換器10的光收集效率。
[0052](靈敏度比較)
[0053]圖5為示出第二實施例中固態(tài)攝像裝置的RGB顏色的靈敏度的比較實例的圖。圖5示出了氮化硅用作絕緣部分的情況(本實施例)下RGB顏色的靈敏度關于硅氧化物用作絕緣部分的情況(現(xiàn)有技術中的實例)下RGB顏色的靈敏度的相對值，該現(xiàn)有技術中的靈敏度被設定為100。此外，在此實例中，提供了分別在布線的橫向方向和向上方向上的200nmX200nm的娃氧化物。
[0054]在氮化硅用作絕緣部分的實施例中，與硅氧化物用作絕緣部分的現(xiàn)有技術中的實例相比較，B(藍色)像素、G(綠色)像素和R(紅色)像素的靈敏度分別增長了約12%、14%和18%。此結(jié)果顯示了能夠獲得與第一實施例中固態(tài)攝像裝置的靈敏度相似的靈敏度。
[0055]〈3.固態(tài)攝像裝置的制造方法〉
[0056]圖6A至6C和7A至7C為順序示出根據(jù)實施例的固態(tài)攝像裝置的制造方法的示意截面圖。在圖6A至6C和7A至7C所示的固態(tài)攝像裝置的制造方法中，根據(jù)第二實施例的固態(tài)攝像裝置的結(jié)構被用作實例。
[0057]首先，如圖6A所示，在由硅或類似物制成的基板2的表面上，通過執(zhí)行P型離子注入來形成元件隔離部分20，該元件隔離部分20隔離對應于每個顏色的光電轉(zhuǎn)換器10。通過執(zhí)行N型和P型雜質(zhì)的離子注入，在元件隔離部分20之間形成對應于每個顏色的光電轉(zhuǎn)換器10。
[0058]在形成光電轉(zhuǎn)換器10之后，用于像素驅(qū)動等的晶體管Tr形成在基板2上，抗反射膜21形成在晶體管Tr的整個表面上。此外，嵌入布線絕緣部分42中的布線41形成在抗反射膜21上。在此情況下，在其中布線41嵌入布線絕緣部分42中的結(jié)構被稱為布線層。為了形成布線層，可以使用下面的方法:用作布線絕緣部分42的硅氧化物膜形成在整個表面上，對應于布線41的部分通過光刻被去除，布線材料嵌入被去除的部分中。同樣，可以使用下面的方法:布線41被預先圖案化，布線41被埋入用作布線絕緣部分42的硅氧化物中以使得表面平坦。
[0059]在這兩種方法中，布線層形成之后，光敏材料(抗蝕劑)R被施加到布線絕緣部分42上，執(zhí)行光刻，由此在對應于光電轉(zhuǎn)換器10的位置形成開口。
[0060]接著，如圖6B所示，通過使用被開口的光敏材料R作為掩模來蝕刻布線絕緣部分42。結(jié)果，對應于光敏材料R的開口部分的布線絕緣部分42被蝕刻。此后，光敏材料R被去除。
[0061]然后，如圖6C所示，絕緣部分30嵌入布線絕緣部分42的蝕刻部分中。絕緣部分30使用折射率大于硅氧化物的材料,也就是說,使用氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿和氧化鉭中的任一種。
[0062]此后，嵌入布線層的絕緣部分30用作光波導的一部分。在絕緣部分30被嵌入之后，通過例如CMP(化學機械拋光)來平坦化表面。在圖6A至6C所示的工藝中，作為布線41和布線絕緣部分42的形成、布線絕緣部分的蝕刻、絕緣部分的嵌入以及平坦操作的結(jié)果，形成了設置有波導的一個布線層。
[0063]結(jié)果，重復多次執(zhí)行形成設置有波導的一個布線層。也就是說，如圖7A所示，布線絕緣部分42形成在具有波導的一個布線層上，形成布線部分41和凹入部分。凹入部分通過蝕刻來形成。接著，如圖7B所示，絕緣部分30被嵌入凹入部分中從而通過CMP或類似方法使得表面平坦。
[0064]通過以層疊的方式重復執(zhí)行形成具有波導的布線層，形成如圖7C所示的多個層中設置有布線41的布線部分40。在布線部分40上形成與絕緣部分30相同的材料。利用此結(jié)構，從布線部分40的上表面位置到布線部分40的最下層中的布線位置，絕緣部分30連續(xù)形成在布線絕緣部分42中且絕緣部分30被嵌入到布線絕緣部分42中，由此起到光波導的作用。
[0065]此后，鈍化膜50 (見圖4)形成在絕緣部分30上，濾色器60 (見圖4)形成以對應于每個光電轉(zhuǎn)換器10，以及形成微透鏡70(見圖4)。結(jié)果，完成了如圖4所示的根據(jù)第二實施例的固態(tài)攝像裝置I。
[0066]根據(jù)上文所述的制造方法，設置在光電轉(zhuǎn)換器10上方的絕緣部分30形成為光波導。即使在設置有布線部分40的布線41的大量層的情況下，光波導結(jié)構能通過層疊具有波導的布線層來形成，在該光波導結(jié)構中一種材料被用作絕緣部分30。
[0067]應當注意的是，在形成具有波導的布線層時，如果用作光波導的部分的絕緣部分30形成為具有梯形橫截面(其中下底短于上底)，并且使絕緣部分30的長度與上層和下層相適應，由絕緣部分30形成的光波導能形成向下漸縮的形狀。
[0068]<4.電子設備>
[0069]圖8是示出根據(jù)上述實施例作為電子設備的實例的攝像裝置的結(jié)構實例的方框圖。如圖8所示，攝像裝置90包括光學系統(tǒng)，該光學系統(tǒng)具有透鏡組91、固態(tài)攝像裝置92、DSP電路93、幀存儲器94、顯示裝置95、記錄裝置96、操作系統(tǒng)97和電源系統(tǒng)98，其中DSP電路93是照相機信號處理電路。在這些部件中，DSP電路93、幀存儲器94、顯示裝置95、記錄裝置96、操作系統(tǒng)97和電源系統(tǒng)98通過總線99而相互連接。
[0070]透鏡組91從對象處收集入射光(圖像光)并在固態(tài)攝像裝置92的成像表面上形成圖像。固態(tài)攝像裝置92將入射光的光量轉(zhuǎn)換為電信號用于每個像素并且輸出該信號作為像素信號，其中通過透鏡組91該入射光在成像表面上成像。根據(jù)上述實施例的固態(tài)攝像裝置的結(jié)構被用作固態(tài)攝像裝置92。
[0071]顯示裝置95由諸如液晶顯示裝置和有機EL(電致發(fā)光)顯示裝置的平板型顯示裝置形成并且顯示由固態(tài)攝像裝置92獲得的移動圖像或靜態(tài)圖像。記錄裝置96將由固態(tài)攝像裝置92獲得的移動圖像或靜態(tài)圖像記錄到諸如非易失性存儲器、錄像帶和DVD(數(shù)字通用盤)的記錄介質(zhì)上。
[0072]操作系統(tǒng)97在使用者的控制下給出操作命令用于攝像裝置的不同功能。電源系統(tǒng)98適當?shù)貙⒉煌娫醋鳛椴僮髟刺峁┙oDSP電路93、幀存儲器94、顯示裝置95、記錄裝置96和操作系統(tǒng)97。
[0073]如上所述的攝像裝置90被應用于移動裝置(諸如，攝像機、數(shù)字靜態(tài)照相機和照相便攜式電話)的相機模塊。通過使用根據(jù)上述實施例的固態(tài)攝像裝置作為固態(tài)攝像裝置92，能夠提供具有優(yōu)良靈敏度的攝像裝置。
[0074]本申請包含涉及2009年I月29日向日本專利局提交的日本專利申請JP2009-017469中公開的主題，將其全部內(nèi)容引用結(jié)合于此。
[0075]本領域的一般技術人員可以理解根據(jù)在權利要求或其等價特征的范圍內(nèi)的設計要求和其他因素，可以發(fā)生各種修改、組合、部分組合和替換。
【權利要求】
1.一種固態(tài)攝像裝置，包括: 光電轉(zhuǎn)換器，形成在基板上； 布線部分，形成在所述光電轉(zhuǎn)換器上方并由多層布線構成； 硅氧化物，所述布線部分的所述多層布線嵌入所述硅氧化物中；以及絕緣部分，在所述光電轉(zhuǎn)換器的上方，從所述布線部分上方的位置到最下層布線的位置嵌入所述硅氧化物中，所述絕緣部分的折射率大于所述硅氧化物的折射率。
2.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)攝像裝置，其中所述絕緣部分由選自由氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿和氧化鉭組成的組的材料制成。
3.—種電子設備,包括: 固態(tài)攝像裝置，輸出相應于所接收的光量的電信號；以及 信號處理裝置，處理從所述固態(tài)攝像裝置輸出的所述電信號， 其中所述固態(tài)攝像裝置包括: 光電轉(zhuǎn)換器，形成在基板上； 布線部分，形成在所述光電轉(zhuǎn)換器上方并由多層布線構成； 硅氧化物，所述布線部分的所述多層布線嵌入所述硅氧化物中；以及絕緣部分，在所述光電轉(zhuǎn)換器上方，從所述布線部分上方的位置到最下層布線的位置嵌入所述硅氧化物中，所述絕緣部分的折射率大于所述硅氧化物的折射率。
4.一種固態(tài)攝像裝置的制造方法，包括: 在基板上形成光電轉(zhuǎn)換器； 在所述基板上形成驅(qū)動元件，在所述驅(qū)動元件上形成絕緣膜，以及平坦化形成的表面； 通過以下步驟形成具有波導部分的布線層:在所述絕緣膜上形成嵌入層間絕緣膜中的布線，形成設置在所述層間絕緣膜的所述光電轉(zhuǎn)換器上方的部分中的凹入部分，以及形成通過在所述凹入部分中嵌入折射率大于硅氧化物的折射率的材料而形成的所述波導部分；以及 重復執(zhí)行所述具有波導部分的布線層的形成，從而通過形成所述多層布線和連接多個波導部分來形成光波導。
5.根據(jù)權利要求4所述的固態(tài)攝像裝置的制造方法，其中嵌入所述凹入部分的所述材料選自由氮化硅、氮氧化硅、氧化鉿和氧化鉭組成的組。
【文檔編號】H01L27/146GK103985726SQ201410260947
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2010年1月29日 優(yōu)先權日:2009年1月29日
【發(fā)明者】菊地晃司 申請人:索尼公司