半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠減少用于去除半導(dǎo)體晶片的環(huán)狀增強(qiáng)部時(shí)的工數(shù)，并能減少裂紋或碎片掉落。該半導(dǎo)體裝置的制造方法將半導(dǎo)體晶片切割成多個(gè)半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體晶片在背面的中央部具有厚度比外周部要薄的凹部，且在外周部具有環(huán)狀增強(qiáng)部，在凹部中具有形成多個(gè)半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體元件區(qū)域、以及由半導(dǎo)體元件區(qū)域以外的凹部構(gòu)成的剩余區(qū)域，該制造方法包括：用粘接帶將半導(dǎo)體晶片的背面安裝到切割架上的安裝工序；將安裝在切割架上的半導(dǎo)體晶片的背面載放到具有比其凹部要小的凸部的工作臺(tái)上，并從半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)惹袛喟雽?dǎo)體元件形成區(qū)域來(lái)將多個(gè)半導(dǎo)體裝置一個(gè)個(gè)切割出來(lái)的切斷工序；使粘接帶的粘接力下降的粘接力下降工序；將環(huán)狀增強(qiáng)部從粘接帶剝離的剝離工序；以及去除環(huán)狀增強(qiáng)部和剩余區(qū)域的去除工序。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及使用背面具有圓形凹部的半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)要求具有高性能以及低成本，因此，半導(dǎo)體晶片變得越來(lái)越薄。例如半導(dǎo)體晶片的厚度需要薄至50μπι?100 μ m左右，或是更薄的厚度。
[0003]半導(dǎo)體晶片的薄化是在半導(dǎo)體晶片的正面上形成了元件結(jié)構(gòu)之后，對(duì)半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行研磨直至達(dá)到規(guī)定的厚度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
然而，薄化后的半導(dǎo)體晶片的機(jī)械強(qiáng)度會(huì)下降，因此，容易產(chǎn)生斷裂或裂紋，難以對(duì)其進(jìn)行搬運(yùn)等處理。
[0004]由此，在半導(dǎo)體晶片的正面形成了元件結(jié)構(gòu)之后，通過(guò)從半導(dǎo)體晶片的背面對(duì)位于半導(dǎo)體晶片中央部的元件結(jié)構(gòu)部進(jìn)行研磨，并使半導(dǎo)體晶片的外周部保留規(guī)定的寬度來(lái)構(gòu)成增強(qiáng)部，能夠提高半導(dǎo)體晶片的機(jī)械強(qiáng)度，減少半導(dǎo)體晶片的斷裂或裂紋。
[0005]然后，在去除了半導(dǎo)體晶片的增強(qiáng)部之后，以各個(gè)元件結(jié)構(gòu)為單位對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割，切斷后得到一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體裝置。
圖18中示出了中央部被薄化而外周部成為增強(qiáng)部的半導(dǎo)體晶片。圖18(a)是半導(dǎo)體晶片的俯視圖，圖18(b)是圖18(a)的A-A’剖視圖。
[0006]由圖18(b)可知，在半導(dǎo)體晶片1背面的外周部形成有晶片的厚度較厚的環(huán)狀增強(qiáng)部2，在半導(dǎo)體晶片1背面的中央部形成有晶片的厚度較薄的背面凹部3。
由圖18(a)可知，背面凹部3中存在形成有半導(dǎo)體裝置4的元件形成區(qū)域6，元件形成區(qū)域6中形成有芯片分割線7，用于切斷元件形成區(qū)域6而得到一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體裝置4。背面凹部3中除元件形成區(qū)域6以外的區(qū)域?yàn)槭Ｓ鄥^(qū)域5。
[0007]作為去除半導(dǎo)體晶片外周所形成的環(huán)狀增強(qiáng)部的方法，可以用紫外線固化型粘接帶將背面具有圓形凹部的半導(dǎo)體晶片與切割架粘貼在一起，并放置到卡盤(pán)臺(tái)上，在切斷了半導(dǎo)體晶片外周的環(huán)狀增強(qiáng)部之后，使粘貼在環(huán)狀增強(qiáng)部上的那部分粘接帶的粘接力減弱，并在粘接帶與環(huán)狀增強(qiáng)部的邊界處插入鉤爪來(lái)去除環(huán)狀增強(qiáng)部。(例如專利文獻(xiàn)1)
還可以用紫外線固化型粘接帶將背面具有凹部的半導(dǎo)體晶片與切割架粘貼在一起，并放置到與背面凹部相嵌合的卡盤(pán)臺(tái)上，沿著晶片上的分區(qū)線進(jìn)行切割，從而將晶片上的器件區(qū)域切斷，環(huán)狀增強(qiáng)部維持環(huán)狀狀態(tài)，使粘貼在環(huán)狀增強(qiáng)部上的那部分粘接帶的粘接力減弱，從而去除環(huán)狀增強(qiáng)部。(例如專利文獻(xiàn)2)
還可以用紫外線固化型粘接帶將背面具有凹部的半導(dǎo)體晶片與切割架粘貼在一起，然后進(jìn)行切割，使晶片上的器件區(qū)域一個(gè)個(gè)分割開(kāi)來(lái)，而環(huán)狀增強(qiáng)部則處于未被分割的狀態(tài)，通過(guò)使環(huán)狀增強(qiáng)部的粘接帶的粘接力減弱，并將切割架放置到與背面凹部相嵌合的工作臺(tái)上，使工作臺(tái)上下移動(dòng)來(lái)從粘接帶去除環(huán)狀增強(qiáng)部。(例如專利文獻(xiàn)3)
現(xiàn)有專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開(kāi)2011-61137號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利特開(kāi)2010-62375號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本專利特開(kāi)2011-210858號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0009]然而，在預(yù)先切斷并去除半導(dǎo)體晶片外周的環(huán)狀增強(qiáng)部的情況下，需要耗費(fèi)一定的工數(shù)來(lái)切斷環(huán)狀增強(qiáng)部。
另外，在去除環(huán)狀增強(qiáng)部的工序中，當(dāng)通過(guò)在半導(dǎo)體晶片與粘接帶的邊界處插入鉤爪等來(lái)去除時(shí)，鉤爪有可能與半導(dǎo)體晶片外周的環(huán)狀增強(qiáng)部的側(cè)面相接觸，此時(shí)，環(huán)狀增強(qiáng)部將與元件區(qū)域相接觸，從而有可能產(chǎn)生裂紋。而且，在拿起環(huán)狀增強(qiáng)部時(shí)，產(chǎn)生了裂紋的位置有可能掉落碎片。
[0010]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠減少用于去除半導(dǎo)體晶片外周的環(huán)狀增強(qiáng)部的工數(shù)，并能減少裂紋或裂紋所產(chǎn)生的碎片掉落。
解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案
[0011]一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，將半導(dǎo)體晶片分割成多個(gè)半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體晶片在背面的中央部具有厚度比外周部要薄的凹部，且在外周部具有環(huán)狀增強(qiáng)部，在凹部中具有形成多個(gè)半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體元件區(qū)域、以及由半導(dǎo)體元件區(qū)域以外的凹部構(gòu)成的剩余區(qū)域，該制造方法包括:用粘接帶將所述半導(dǎo)體晶片的背面安裝到切割架上的安裝工序；將安裝在所述切割架上的所述半導(dǎo)體晶片的背面載放到具有比所述凹部要小的凸部的工作臺(tái)上，并從所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)惹袛嗨霭雽?dǎo)體元件形成區(qū)域，從而將所述多個(gè)半導(dǎo)體裝置一個(gè)個(gè)切割出來(lái)的切斷工序；使粘接帶的粘接力下降的粘接力下降工序；將環(huán)狀增強(qiáng)部從粘接帶剝離的剝離工序；以及去除剩余區(qū)域的去除工序。
發(fā)明效果
[0012]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠減少用于去除半導(dǎo)體晶片的環(huán)狀增強(qiáng)部時(shí)的工數(shù)，并能減少裂紋或碎片掉落。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的流程圖。
圖2是表示本發(fā)明實(shí)施方式的切割架安裝工序的剖視圖。
圖3是表示本發(fā)明實(shí)施方式中安裝在切割架上的半導(dǎo)體晶片的俯視圖與B-B’剖視圖。 圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式的切斷工序的剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明實(shí)施方式的切斷工序后的半導(dǎo)體晶片的俯視圖。
圖6是表示本發(fā)明實(shí)施方式的粘接力下降工序的剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明實(shí)施方式的剝離工序的剖視圖。
圖8是表示本發(fā)明實(shí)施方式的環(huán)狀剝離治具的立體圖。
圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式的環(huán)狀剝離治具的俯視圖和C-C’剖視圖。
圖10是表示本發(fā)明實(shí)施方式的去除工序的剖視圖。 圖11是表示本發(fā)明實(shí)施方式的去除治具的立體圖。
圖12是表示本發(fā)明實(shí)施方式的擴(kuò)張工序的剖視圖。
圖13是表示本發(fā)明實(shí)施方式的擴(kuò)張工序的剖視圖。
圖14是表示本發(fā)明實(shí)施方式的擴(kuò)張工序的剖視圖。
圖15是表示本發(fā)明實(shí)施方式的擴(kuò)張工序的剖視圖。
圖16是表示本發(fā)明實(shí)施方式的擴(kuò)張工序后的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖17是表示本發(fā)明實(shí)施方式的剝離工序和去除工序的變形例的剖視圖。
圖18是表示半導(dǎo)體晶片的俯視圖和A-A’剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的理想實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
(實(shí)施方式)
圖18中示出了中央部被薄化而外周部成為環(huán)狀增強(qiáng)部2的半導(dǎo)體晶片I。圖18(a)是半導(dǎo)體晶片I的俯視圖，圖18(b)是圖18(a)的A-A’剖視圖。
[0015]由圖18(b)可知，在半導(dǎo)體晶片I背面的外周部形成有晶片的厚度較厚的環(huán)狀增強(qiáng)部2，在半導(dǎo)體晶片I背面的中央部形成有晶片的厚度較薄的背面凹部3。
由圖18(a)可知，背面凹部3中存在形成有半導(dǎo)體裝置4的元件形成區(qū)域6，元件形成區(qū)域6中形成有芯片分割線7，用于切斷元件形成區(qū)域6而得到一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體裝置4。另夕卜，背面凹部3中除元件形成區(qū)域6以外的區(qū)域?yàn)槭Ｓ鄥^(qū)域5。
[0016]環(huán)狀增強(qiáng)部2的厚度例如為100?725μπι，背面凹部3的厚度例如為50?400 μ m0
背面凹部3通過(guò)從半導(dǎo)體晶片I的背面進(jìn)行研磨至規(guī)定的厚度而形成，環(huán)狀增強(qiáng)部2則與半導(dǎo)體晶片I的外周保留例如1.0?5.0mm左右的寬度不被研磨。
[0017]圖1中示出本發(fā)明的流程圖。通過(guò)對(duì)背面進(jìn)行研磨而形成了背面凹部3和環(huán)狀增強(qiáng)部2的圖18所示的半導(dǎo)體晶片I在切割架安裝工序101中，如后面的圖2所示那樣，通過(guò)粘接帶13安裝到切割架14上。安裝在切割架14上的半導(dǎo)體晶片I在切斷工序102中，如后面圖4所示那樣，沿著將半導(dǎo)體裝置4 一個(gè)個(gè)切割出來(lái)的芯片分割線7切斷半導(dǎo)體芯片I的元件形成區(qū)域6，從而將元件形成區(qū)域6切割成一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體裝置4。粘接帶粘接力下降工序103中，如后面的圖6所示那樣，使切斷后的半導(dǎo)體晶片I整個(gè)背面上的粘接帶13的粘接力下降，在剝離工序104中，如后面的圖7所示那樣，將半導(dǎo)體晶片I的環(huán)狀增強(qiáng)部2從粘接帶13剝離。此外，在去除工序105中，如后面的圖10所示那樣，去除環(huán)狀增強(qiáng)部2和剩余區(qū)域5。被分割成一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體裝置4在擴(kuò)張工序106中，如后面的圖12那樣相鄰半導(dǎo)體裝置4之間的間隔被增大。
[0018]圖2中示出本發(fā)明的切割架安裝工序102的剖視圖。
如圖2(a)所示，在具有上室43和下室44的真空腔40內(nèi)，使粘接帶13的粘貼面即半導(dǎo)體晶片I的背面凹部3朝上，將其放置到只有設(shè)置在橡膠片42上的半導(dǎo)體晶片I的外周部與之相接觸的锪孔工作臺(tái)41 (日語(yǔ):座繰7 f — ^ )上。在所放置的半導(dǎo)體晶片I的上部設(shè)置粘貼了粘接帶13的切割架14，將上室43和下室33—同抽真空45。此時(shí)，通過(guò)使用锪孔工作臺(tái)41，從而無(wú)需與半導(dǎo)體晶片I的元件形成區(qū)域6相接觸就能進(jìn)行保持，從而能夠防止半導(dǎo)體晶片I的正面受損。
[0019]接下來(lái)，如圖2 (b)所示，將下室44向大氣開(kāi)放46，將橡膠片42壓向上室43 —側(cè)，使得粘接帶13和半導(dǎo)體晶片I的環(huán)狀增強(qiáng)部2緊貼在一起。
接下來(lái)，如圖2(c)所示，將上室43向大氣開(kāi)放46，使得粘接帶13和半導(dǎo)體晶片I的背面凹部3緊貼在一起。利用上室43和下室44的壓差，將粘接帶13粘貼在半導(dǎo)體晶片I的背面。
[0020]圖3中示出了本發(fā)明的切割架安裝工序101中，半導(dǎo)體晶片I通過(guò)粘接帶13而安裝在切割架14上的狀態(tài)。圖3(a)是俯視圖，圖3(b)是B-B’剖視圖。
[0021]粘接帶13沿著背面凹部3進(jìn)行粘貼，因此，能夠抑制后面圖4的切斷工序中使用的切削水進(jìn)入半導(dǎo)體晶片I與粘接帶13之間而導(dǎo)致粘接帶13剝離的情況，進(jìn)而能夠抑制因粘接帶13剝離導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片I的固定變得不穩(wěn)定而產(chǎn)生的裂紋。此時(shí)，粘接帶13優(yōu)選其粘接力能夠在后續(xù)工序中降低的涂布有紫外線固化型粘接劑的粘接帶。
[0022]圖4中示出本發(fā)明的切斷工序102的剖視圖。于切割架安裝工序101中安裝到切割架14上的半導(dǎo)體晶片I被載放到凸型工作臺(tái)11上，且通過(guò)真空吸附來(lái)固定，該凸型工作臺(tái)11具有能與半導(dǎo)體晶片背面的背面凹部3相嵌合的凸形的多孔卡盤(pán)(未圖示)。
[0023]載放在凸型工作臺(tái)11上的半導(dǎo)體晶片I被切割刀20沿著芯片分割線7切斷。此時(shí)，半導(dǎo)體晶片I的厚度較薄的背面凹部3被切斷，環(huán)狀增強(qiáng)部2與剩余區(qū)域5變成相連的狀態(tài)。
[0024]通過(guò)使環(huán)狀增強(qiáng)部2與剩余區(qū)域5連在一起，能夠在去除工序105中以較少的工數(shù)去除環(huán)狀增強(qiáng)部2與剩余區(qū)域5。另外，也可以用激光來(lái)進(jìn)行切斷。
[0025]圖5中示出本發(fā)明的切斷工序102之后的半導(dǎo)體晶片I。切斷工序102之后的半導(dǎo)體晶片I被分成兩部分，其中一部分是在切斷工序102中將元件形成區(qū)域6 —個(gè)個(gè)分割開(kāi)來(lái)而得到的半導(dǎo)體裝置4，另一部分是環(huán)狀增強(qiáng)部2及剩余區(qū)域5。
[0026]圖6中示出粘接力下降工序103的剖視圖。利用紫外燈21從半導(dǎo)體晶片I的背面向涂布有紫外線固化型粘接劑的粘接帶13照射紫外線，從而使半導(dǎo)體晶片I與粘接帶13相接的面的粘接力下降。
[0027]通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體晶片I的整個(gè)面照射紫外線來(lái)使其粘接力下降，能夠容易地去除半導(dǎo)體晶片I的環(huán)狀增強(qiáng)部2和剩余區(qū)域5，并且在去除了環(huán)狀增強(qiáng)部2與剩余區(qū)域5之后拾取被分割成一個(gè)個(gè)的半導(dǎo)體裝置4時(shí)，無(wú)需再次進(jìn)行紫外線照射，從而能夠減少工序。
[0028]圖7中示出剝離工序104的剖視圖。圖7 (a)中示出了經(jīng)切斷工序102切斷并利用粘接帶13粘貼在切割架14上的半導(dǎo)體晶片I的載放固定狀態(tài)的剖視圖，圖7(b)中示出了用環(huán)狀剝離治具31將半導(dǎo)體晶片I的環(huán)狀增強(qiáng)部2從粘接帶13剝離后的狀態(tài)的剖視圖。
[0029]如圖7(a)所示，通過(guò)粘接帶13粘貼在切割架14上的半導(dǎo)體晶片I被載放在保持工作臺(tái)12上，該保持工作臺(tái)12可以是與半導(dǎo)體晶片I的背面凹部3相嵌合，也可以是具有能夠載放半導(dǎo)體晶片的元件形成區(qū)域6的大小，切割架14由切割架夾具15進(jìn)行固定。
[0030]另外，保持工作臺(tái)12具有多孔卡盤(pán)(未圖示)，通過(guò)吸附來(lái)固定半導(dǎo)體晶片I的背面凹部3。
然后，如圖7(b)所示，使半導(dǎo)體晶片I的中心與環(huán)狀剝離治具31的中心一致，并使直徑比半導(dǎo)體晶片I的外徑要大但比切割架14的內(nèi)徑要小的環(huán)狀剝離夾具31從半導(dǎo)體晶片I的正面?zhèn)乳_(kāi)始下降，從而將粘接帶13向下壓。通過(guò)使環(huán)狀剝離治具31下降來(lái)將粘接帶13向下壓，從而將半導(dǎo)體晶片I的環(huán)狀增強(qiáng)部2從粘接帶13剝離。
[0031]保持工作臺(tái)12與切割架14水平放置時(shí)，沿垂直于保持工作臺(tái)12的方向使環(huán)狀剝離治具31下降來(lái)將粘接帶13向下壓。
[0032]此時(shí),載放在保持工作臺(tái)12上的剩余區(qū)域5不會(huì)從粘接帶13剝離,處于和粘接帶13相接的狀態(tài)。
從而，即使環(huán)狀增強(qiáng)部2從粘接帶13剝離，與環(huán)狀增強(qiáng)部2相連的剩余區(qū)域5也不會(huì)從粘接帶13剝離，因此，剩余區(qū)域5不會(huì)接觸到元件形成區(qū)域6，能夠防止裂紋產(chǎn)生。
[0033]圖8中示出環(huán)狀剝離治具31的形狀。圖8(a)是在圓形的環(huán)狀板52上呈環(huán)狀地安裝有多個(gè)銷51的環(huán)狀剝離治具31。通過(guò)使環(huán)狀排列的多個(gè)銷51從粘接帶13的上面開(kāi)始下降，來(lái)將環(huán)狀增強(qiáng)部2從粘接帶13剝離。通過(guò)等間隔地設(shè)置銷51，能夠使環(huán)狀增強(qiáng)部2無(wú)傾斜地剝離。另外，銷51的間隔越窄，數(shù)量越多，將粘接帶13向下壓的力就越分散，從而能夠使環(huán)狀增強(qiáng)部2受到的應(yīng)力得到緩和。通過(guò)緩和應(yīng)力，能夠防止半導(dǎo)體晶片I的剩余區(qū)域5與元件形成區(qū)域6發(fā)生破損。
[0034]為了防止將粘接帶13向下壓的力集中在銷的角度而導(dǎo)致粘接帶13破損，銷51的形狀優(yōu)選為圓柱狀。
圖8(b)是在圓形的環(huán)狀板52上呈環(huán)狀安裝的多個(gè)銷51上進(jìn)一步安裝圓形的環(huán)狀板52，使得使粘接帶13下降的那一個(gè)面的形狀為圓形環(huán)狀的環(huán)狀剝離治具31。通過(guò)使與粘接帶13相接的面為圓形環(huán)狀，能夠使環(huán)狀剝離治具31下降時(shí)將粘接帶13向下壓的力分散，從而能夠緩和環(huán)狀增強(qiáng)部2受到的應(yīng)力。
[0035]圖8 (C)所示的環(huán)狀剝離治具31呈圓筒形，使粘接帶13 —面下降的那一個(gè)面為與圖8(b)相同的圓形環(huán)狀。因此，能夠分散使環(huán)狀剝離治具31下降時(shí)將粘接帶13向下壓的力，從而能夠使環(huán)狀增強(qiáng)部2受到的應(yīng)力得到緩和。
[0036]通過(guò)圖8 (b)、圖8 (C)那樣將粘接帶13向下壓的力分散，能夠緩和環(huán)狀增強(qiáng)部2所受到的應(yīng)力，能夠使環(huán)狀增強(qiáng)部2無(wú)傾斜地剝離，從而能夠防止半導(dǎo)體晶片I的元件形成區(qū)域6與剩余區(qū)域5因接觸而破損，因此，對(duì)于環(huán)狀剝離治具31的形狀，其使粘接帶13下降的那一個(gè)面優(yōu)選為圖8(b)、圖8(c)所示的圓形環(huán)狀。
[0037]環(huán)狀剝離治具31的材質(zhì)優(yōu)選為金屬或樹(shù)脂。另外，在圖8(b)、圖8(c)的情況下，與粘接帶13相接的面只要是與半導(dǎo)體晶片I的外形相同或相近的形狀即可。
[0038]圖9中示出圖8(c)的環(huán)狀剝離治具31的端部的形狀。圖9 (a)中示出環(huán)狀剝離治具31的外形，圖9(b)?(d)中示出C-C’剖視圖。
與粘接帶13相接的那一個(gè)面可以是圖9(b)所示的角狀，也可以是圖9(c)所示的對(duì)角部進(jìn)行倒角后的形狀，還可以是圖9(d)所示的將角部加工成R形的形狀。如圖9(c)、圖9(d)所示，通過(guò)采用倒角后的形狀或加工成R形的形狀，能夠防止環(huán)狀剝離治具31下降來(lái)將粘接帶13向下壓時(shí)粘接帶13發(fā)生損壞。
[0039]將圖9(b)?(d)所示的端部的形狀用于圖8(a)、圖8(b)所示的與粘接帶13相接的那個(gè)面的銷51、以及圓形的環(huán)狀板52的形狀，也可以得到相同的效果。
[0040]圖10中示出去除工序105的剖視圖，圖11中示出去除治具32的立體圖。如圖11所示，去除治具32呈圓筒形，具有吸附部33。為了吸住半導(dǎo)體晶片I的環(huán)狀增強(qiáng)部2，吸附部33的外徑優(yōu)選為與環(huán)狀增強(qiáng)部2的外徑相等或在環(huán)狀增強(qiáng)部2的外徑以下。吸附部33的內(nèi)徑優(yōu)選為大于元件形成區(qū)域6。
[0041]如圖10(a)所示，從環(huán)狀增強(qiáng)部2剝離了粘接帶13之后，在使環(huán)狀剝離治具31下降的狀態(tài)下，使去除治具32下降，并利用去除治具32的吸附部33來(lái)吸住環(huán)狀增強(qiáng)部2。此時(shí)，保持工作臺(tái)12上，元件形成區(qū)域6的背面被保持工作臺(tái)12吸住。
[0042]如圖10(b)所示，通過(guò)使去除治具32上升，半導(dǎo)體晶片I的剩余區(qū)域5被抬起而去除。環(huán)狀增強(qiáng)部2被環(huán)狀剝離治具31從粘接帶13剝離，剩余區(qū)域5則如圖6所示那樣用紫外燈21對(duì)其照射紫外線而使粘接帶13的粘接力下降，因此，能夠容易地去除環(huán)狀增強(qiáng)部2和剩余區(qū)域5。
[0043]另外，由于去除治具32通過(guò)吸附部33吸住來(lái)去除環(huán)狀增強(qiáng)部2和剩余區(qū)域5，因此，能夠使半導(dǎo)體晶片I的剩余區(qū)域5和元件形成區(qū)域6不發(fā)生接觸即被去除。
[0044]通過(guò)在不與元件形成區(qū)域6接觸的情況下去除剩余區(qū)域5，能夠抑制剩余區(qū)域5與元件區(qū)域6因接觸而產(chǎn)生裂紋、碎片掉落、以及微粒掉落。
[0045]圖12中示出擴(kuò)張工序106的剖視圖。圖12中，在去除工序105中去除了環(huán)狀增強(qiáng)區(qū)域2和剩余區(qū)域5之后，解除保持工作臺(tái)12的真空吸附，在將環(huán)狀剝離治具31壓向粘接帶13的狀態(tài)下，將保持工作臺(tái)12上升例如5?30mm左右，從而使切斷工序102中被分割成一個(gè)個(gè)的元件形成區(qū)域6的半導(dǎo)體裝置4之間的間隔得到擴(kuò)張。
[0046]通過(guò)將半導(dǎo)體裝置4之間的間隔擴(kuò)張到一定程度，能夠在從粘接帶13取下半導(dǎo)體裝置4時(shí)，抑制其半導(dǎo)體裝置4的接觸，從而防止半導(dǎo)體裝置4產(chǎn)生裂紋。
[0047]圖13和圖14中示出了使用鎖緊圈的擴(kuò)張工序106的剖視圖。如圖13所示，在擴(kuò)張半導(dǎo)體裝置4之間的間隔時(shí)，可以在將環(huán)狀剝離治具31壓向粘接帶13的狀態(tài)下，用鎖緊圈(grip ring)22a、22b鎖緊粘接帶13。鎖緊圈22a與保持工作臺(tái)12 —起上升，然后嵌入固定在粘接帶13上面的鎖緊圈22b。此時(shí)，如圖14所示，鎖緊圈22b也可以從粘接帶13的上面降下來(lái)。通過(guò)使用鎖緊圈來(lái)擴(kuò)張半導(dǎo)體裝置4之間的間隔，能夠保持半導(dǎo)體裝置4之間的間隔得到擴(kuò)張的狀態(tài)。
[0048]另外，可以不使用圖12?圖14所示的環(huán)狀剝離治具31，而是如圖15所示的擴(kuò)張工序106的剖視圖那樣使保持工作臺(tái)12上升5?50mm，來(lái)擴(kuò)張半導(dǎo)體裝置4的間隔。通過(guò)將半導(dǎo)體裝置4之間的間隔擴(kuò)張到一定程度，能夠在從粘接帶13取下半導(dǎo)體裝置4時(shí)，抑制其半導(dǎo)體裝置4的接觸，從而能防止半導(dǎo)體裝置4產(chǎn)生裂紋。此時(shí)，也可以與圖13、圖14一樣使用鎖緊圈22a、22b。
[0049]圖16中示出了將鎖緊圈22a、22b外周的粘接帶13切出并與切割架14分離后的狀態(tài)。通過(guò)與切割架14分離，能夠利用鎖緊圈22a、22b來(lái)保持將半導(dǎo)體裝置4的間隔擴(kuò)張的狀態(tài)。
[0050]利用真空鉗或吸附筒夾等吸附治具34，將相鄰間隔得到擴(kuò)張后的半導(dǎo)體裝置4從粘接帶13上取下。從粘接帶13取下后的半導(dǎo)體裝置4被收納在芯片支架或貼片裝置的卷軸上，被移送到裸片焊接裝置等芯片接合裝置上進(jìn)行規(guī)定的處理。
(實(shí)施方式的變形例)
圖17是表示本發(fā)明實(shí)施方式的變形例的剖視圖。圖17(a)中示出在剝離工序104之前將去除夾具32吸附在環(huán)狀增強(qiáng)部2上的狀態(tài)，圖17(b)示出在去除夾具32吸附在環(huán)狀增強(qiáng)部2上的狀態(tài)下用環(huán)狀剝離治具32將粘接帶13從環(huán)狀增強(qiáng)部2剝離的狀態(tài)。
[0051]本發(fā)明的實(shí)施方式是在剝離工序104中，將環(huán)狀剝離治具31從半導(dǎo)體芯片I的上面壓向粘接帶13，在環(huán)狀增強(qiáng)部2與粘接帶13剝離后，在去除工序105中將具有吸附部33的去除治具32吸附在環(huán)狀增強(qiáng)部2上，但如圖17(a)所示在剝離工序104之前將去除治具32吸附到環(huán)狀增強(qiáng)部2上之后，如圖17(b)所示地將環(huán)狀剝離治具31從半導(dǎo)體晶片I的上面壓向粘接帶13來(lái)將環(huán)狀增強(qiáng)部2與粘接帶13剝離也能得到相同的效果。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0052]I半導(dǎo)體晶片 2環(huán)狀增強(qiáng)部
3背面凹部 4半導(dǎo)體裝置 5剩余區(qū)域 6元件形成區(qū)域 7芯片分割線 11凸型工作臺(tái) 12保持工作臺(tái) 13粘接帶 14切割架 15切割架夾具 20切割刀 21紫外燈 22a、22b鎖緊圈 31環(huán)狀剝離治具 32去除治具 33吸附部 34吸附治具 40真空腔 41锪孔工作臺(tái) 42橡膠片 43 上室 44下室 45抽真空 46向大氣開(kāi)放 51銷 52環(huán)狀板 101切割架安裝工序 102切斷工序
103粘接帶粘接力下降工序104剝離工序105去除工序106擴(kuò)張工序
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，將包括以下結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片加以分割: 使所述半導(dǎo)體晶片背面的中央部的厚度比外周端部薄而形成的凹部； 形成在所述凹部外周的環(huán)狀增強(qiáng)部； 在所述凹部中用分割線劃分形成的多個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域；以及 由除所述多個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域以外的所述凹部構(gòu)成的剩余區(qū)域， 所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下工序: 用粘接帶在所述半導(dǎo)體晶片的背面安裝切割架的安裝工序； 將安裝在所述切割架上的所述半導(dǎo)體晶片的背面載放到具有比所述凹部要小的凸部的工作臺(tái)上，并沿著所述分割線從所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)葘⑺龆鄠€(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域切斷，從而將所述多個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域一個(gè)個(gè)分割開(kāi)來(lái)的切斷工序； 從所述半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)仁顾稣辰訋У恼辰恿ο陆档恼辰恿ο陆倒ば颍? 將所述半導(dǎo)體晶片的背面載放到比所述凹部要小但比所述多個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域要大的保持工作臺(tái)上，將所述環(huán)狀增強(qiáng)部從所述粘接帶剝離的剝離工序；以及去除所述環(huán)狀增強(qiáng)部及所述剩余區(qū)域的去除工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 還包括在實(shí)施了所述去除工序后，擴(kuò)張所述粘接帶從而將在所述切斷工序中被分割成一個(gè)個(gè)的所述半導(dǎo)體元件區(qū)域之間的間隙擴(kuò)大的擴(kuò)張工序。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述剝離工序中，在所述半導(dǎo)體晶片與所述切割架之間，使環(huán)狀剝離治具從所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)乳_(kāi)始下降，將所述粘接帶向下壓，從而將所述環(huán)狀增強(qiáng)部從所述粘接帶剝離。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述剝離工序中使用的所述環(huán)狀剝離治具的與所述粘接帶相接的面為圓形環(huán)狀。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述去除工序中，在使所述環(huán)狀剝離治具下降的狀態(tài)下，從所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)任剿霏h(huán)狀增強(qiáng)部來(lái)將其去除。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述粘接力下降工序中，對(duì)所述半導(dǎo)體晶片的背面照射紫外線。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104253018SQ201410261080
【公開(kāi)日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月25日
【發(fā)明者】田中陽(yáng)子 申請(qǐng)人:富士電機(jī)株式會(huì)社