高吸收率太陽能薄膜的制作方法
【專利摘要】一種高吸收率太陽能薄膜，包括薄膜襯底和高吸收率太陽能薄膜的多層膜(100)，所述的高吸收率太陽能薄膜包括四種膜層:AlN膜層、Si膜層、HfO2膜層和SiO2膜層共34層。實驗表明，本發(fā)明高吸收率太陽能薄膜在正入射條件下實現(xiàn)了可見光波段吸收率大于94％，紅外波段的發(fā)射率小于10％，該薄膜在太陽能電池系統(tǒng)中具有重要的實用前景。
【專利說明】高吸收率太陽能薄膜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及太陽能，特別是一種高吸收率太陽能薄膜。

【背景技術(shù)】
[0002] 太陽能作為清潔能源已經(jīng)從軍事領(lǐng)域、航天領(lǐng)域進(jìn)入工業(yè)、商業(yè)、農(nóng)業(yè)、通信、家 用電器以及公用設(shè)施等領(lǐng)域。根據(jù)所用的材料，太陽能電池可分為：硅太陽能電池、多 元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、納米晶太陽能電池、有 機(jī)太陽能電池、塑料太陽能電池。通常情況下，太陽能電池包括導(dǎo)電層、緩沖層、吸收層、 導(dǎo)電層及減反射層等組成。硅基太陽能包括單晶（參見CN103227238A，CN20355965A， CN202977492U，CN103107233A，CN103000718A)、多晶（參見 CN103383970A，CN202977431A) 及非晶（參見CN202651133U，CN203026541U，CN102983204A)材料，多元化合物薄膜包含碲 化鎘（參見 CN201503863U，CN103681932A)，Cu2ZnSnS4(CN103715282A),銅銦錫層（參見 CN203503667U，CN103531663A)，CZTSSe (參見 CN103403851A)等，提高吸收層的吸收效率則 可以提商太陽能電池的效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題提供一種高吸收率太陽能薄膜，該太陽能薄膜可見光波 段吸收率大于94%，紅外波段的發(fā)射率小于10%。
[0004] 本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的：
[0005] -種高吸收率太陽能薄膜，其特點在于包括薄膜襯底和高吸收率太陽能薄膜的多 層膜，所述的高吸收率太陽能薄膜的多層膜包括四種膜層：A1N膜層、Si膜層、Hf0 2膜層和 Si02膜層共34層，在所述的薄膜襯底上依次的膜系結(jié)構(gòu)為：
[0006]

【權(quán)利要求】
1. 一種高吸收率太陽能薄膜，其特征在于包括薄膜襯底（200)和高吸收率太陽能薄膜 的多層膜（100)，所述的高吸收率太陽能薄膜的多層膜（100)包括四種膜層：A1N膜層（3)、 Si膜層（2)、Hf02膜層（3)和Si02膜層（4)共34層，在所述的薄膜襯底（200)上依次的膜 系結(jié)構(gòu)為：
【文檔編號】H01L31/028GK104051553SQ201410268647
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月17日
【發(fā)明者】齊紅基, 王虎, 王斌, 王胭脂, 易葵 申請人:中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所