顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基板；包括柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線的信號線，該柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線共同限定像素區(qū)域的外邊界；連接到信號線的晶體管；第一電極，跨過像素區(qū)域延伸并形成在信號線和晶體管上且連接到晶體管，該第一電極具有僅與信號線和晶體管重疊的第一部分以及包括第一電極中未包括在第一部分中的全部的第二部分；像素限定層，僅形成在第一電極的第一部分上；基本形成在整個第二部分上但不形成在第一部分上的有機(jī)發(fā)光層；以及形成在像素限定層和有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。
【專利說明】
顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施方式總地涉及顯示裝置以及它們的制造。更具體地說，本發(fā)明的實施方式涉及具有增大的發(fā)光面積的顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置是顯示圖像的裝置，最近，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器由于用在現(xiàn)代顯示裝置中的潛在吸引力而備受關(guān)注。
[0003]不同于液晶顯示裝置，由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特性且不需要單獨的光源，因此與液晶顯示裝置相比，可以減小顯示器的厚度和重量。此外，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有如低功耗、高亮度和高響應(yīng)速度的特點。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括形成在不與信號線重疊的像素區(qū)域內(nèi)的有機(jī)發(fā)光層。隨著有機(jī)發(fā)光層的面積增大，顯示裝置的發(fā)光面積增加，由此增大亮度。但是，當(dāng)有機(jī)發(fā)光層被形成為與信號線重疊以便增大發(fā)光面積時，有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光效率降低。
[0005]在【背景技術(shù)】部分中公開的上述信息僅用于增強對本發(fā)明背景的理解，因此它可以包含不形成這個國家中本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已經(jīng)獲悉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明致力于提供一種顯示裝置及用于該顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有在增加顯示裝置的發(fā)光面積的同時防止發(fā)光效率退化的優(yōu)點。
[0007]本發(fā)明的示例性實施方式提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括:基板；包括柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線的信號線，所述柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線共同限定像素區(qū)域的外邊界；連接到信號線的晶體管；第一電極，跨過像素區(qū)域延伸，形成在信號線和晶體管上，并且連接到晶體管，第一電極具有僅覆蓋信號線和晶體管的第一部分以及包括第一電極中未包括在第一部分內(nèi)的全部的第二部分；僅形成在第一電極的第一部分上的像素限定層；形成在基本上整個第二部分上但不形成在第一部分上的有機(jī)發(fā)光層；以及形成在像素限定層和有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。
[0008]有機(jī)發(fā)光層可以不形成在像素限定層上。
[0009]顯示裝置還可以包括第一電容器電極和第二電容器電極，第一電容器電極和第二電容器電極形成在基板上且彼此重疊，第一絕緣層在第一電容器電極和第二電容器電極之間，其中有機(jī)發(fā)光層可以與第一電容器電極和第二電容器電極重疊，并且像素限定層可以不與第一電容器電極和第二電容器電極重疊。
[0010]晶體管可以包括半導(dǎo)體層、形成在半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層、和形成在柵極絕緣層上的柵極電極，其中，柵極電極可以包括第一層和位于第一層上的第二層，第一電容器電極可以形成在與晶體管的半導(dǎo)體層相同的層上，第二電容器電極可以形成在與晶體管的柵極電極的第一層相同的層上，且第一絕緣層可以是柵極絕緣層。
[0011]柵極電極的第一層可以包括透明導(dǎo)體，柵極電極的第二層可以包括低電阻導(dǎo)體。
[0012]顯示裝置還可以包括第一電容器電極和第二電容器電極，第一電容器電極和第二電容器電極形成在基板上并且彼此重疊，且第一絕緣層在第一電容器電極和第二電容器電極之間，其中，有機(jī)發(fā)光層可以不與第一電容器電極和第二電容器電極重疊，且像素限定層可以與第一電容器電極和第二電容器電極重疊。
[0013]晶體管可以包括半導(dǎo)體層、形成在半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層、和形成在柵極絕緣層上的柵極電極，其中，第一電容器電極可以形成在與晶體管的半導(dǎo)體層相同的層上，第二電容器電極可以形成在與晶體管的柵極電極相同的層上，且第一絕緣層可以是柵極絕緣層。
[0014]顯示裝置還可以包括第三電容器電極，該第三電容器電極與第一電容器電極和第二電容器電極重疊，其中，第一電容器電極和第二電容器電極可以彼此重疊，且第一絕緣層在第一電容器電極和第二電容器電極之間，從而形成第一存儲電容器，并且第二電容器電極和第三電容器電極可以彼此重疊，且第二絕緣層位于第二電容器電極和第三電容器電極之間，從而形成第二存儲電容器。
[0015]本發(fā)明的另一示例性實施方式提供一種制造顯示裝置的方法，該方法包括:在基板上形成信號線，該信號線包括柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線，柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線共同限定像素區(qū)域的外邊界；在基板上形成晶體管，該晶體管連接到信號線；形成第一電極，第一電極跨過像素區(qū)域延伸，第一電極連接到晶體管并且設(shè)置在信號線和晶體管上，第一電極還具有第一部分和第二部分，第一部分僅覆蓋信號線和晶體管，第二部分包括第一電極中未包括在第一部分中的全部；僅在第一電極的第一部分上形成像素限定層；形成設(shè)置在基本上整個第二部分上但不在第一部分上的有機(jī)發(fā)光層；以及在像素限定層和有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
[0016]有機(jī)發(fā)光層可以不形成在像素限定層上。
[0017]顯示裝置的制造方法還可以包括在基板上形成第一電容器電極和第二電容器電極，第一電容器電極和第二電容器電極彼此重疊并且第一絕緣層在第一電容器電極和第二電容器電極之間，其中有機(jī)發(fā)光層可以與第一電容器電極和第二電容器電極重疊，并且像素限定層可以不與第一電容器電極和第二電容器電極重疊。
[0018]晶體管的形成可以包括在基板上形成半導(dǎo)體層、在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層、以及在柵極絕緣層上形成柵極電極，其中柵極電極可以包括第一層和位于第一層上的第二層，第一電容器電極可以形成在與晶體管的半導(dǎo)體層相同的層上，第二電容器電極可以形成在與晶體管的柵極電極的第一層相同的層上。
[0019]顯示裝置的制造方法還可以包括在基板上形成第一電容器電極和第二電容器電極，第一電容器電極和第二電容器電極彼此重疊，且第一絕緣層在第一電容器電極和第二電容器電極之間，其中有機(jī)發(fā)光層可以不與第一電容器電極和第二電容器電極重疊，且像素限定層可以與第一電容器電極和第二電容器電極重疊。
[0020]晶體管的形成可以包括在基板上形成半導(dǎo)體層、在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層、以及在柵極絕緣層上形成柵極電極，其中第一電容器電極可以形成在與晶體管的半導(dǎo)體層相同的層上，第二電容器電極可以形成在與晶體管的柵極電極相同的層上。
[0021]顯示裝置的制造方法還可以包括形成第三電容器電極，該第三電容器電極與第一電容器電極和第二電容器電極重疊，其中第一電容器電極和第二電容器電極可以彼此重疊，且第一絕緣層在第一電容器電極和第二電容器電極之間，從而形成第一存儲電容器，并且第二電容器電極和第三電容器電極可以彼此重疊，且第二絕緣層在第二電容器電極和第三電容器電極之間，從而形成第二存儲電容器。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，有可能在增加顯示裝置的發(fā)光面積的同時防止發(fā)光效率的降低。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置的一個像素的等效電路圖；
[0024]圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置的布局圖；
[0025]圖3是沿著線II1-1II截取的圖2的顯示裝置的截面圖；
[0026]圖4是沿著線IV-1V截取的圖2的顯示裝置的截面圖；
[0027]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的截面圖，該圖是沿著圖2所代表的顯示裝置的線II1-1II截取的；
[0028]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的截面圖，該圖是沿著圖2所代表的顯示裝置的線IV-1V截取的；
[0029]圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的顯示裝置的布局圖；
[0030]圖8是沿著線VII1-VIII截取的圖7的顯示裝置的截面圖；
[0031]圖9是沿著線IX-1X截取的圖7的顯示裝置的截面圖；
[0032]圖10是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的截面圖，該圖是沿著圖7所代表的顯示裝置的線VII1-VIII截取的；
[0033]圖11是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的截面圖，該圖是沿著圖7所代表的顯示裝置的線IX-1X截取的；
[0034]圖12至圖31是依次示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的用于制造顯示裝置的方法的截面圖，其中圖12、圖14、圖16、圖18、圖20、圖22、圖24、圖26、圖28和圖30相應(yīng)于圖2中沿線II1-1II的工藝截面圖，圖13、圖15、圖17、圖19、圖21、圖23、圖25、圖27、圖29和圖31相應(yīng)于圖2中沿線IV-1V的工藝截面圖；
[0035]圖32至圖39是依次示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的用于制造顯示裝置的方法的截面圖，其中圖32、圖34、圖36和圖38相應(yīng)于圖7中沿線VII1-VIII的工藝截面圖，圖33、圖35、圖37和圖39相應(yīng)于圖7中沿線IX-1X的工藝截面圖。
【具體實施方式】
[0036]下面將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，圖中示出本發(fā)明的示例性實施方式。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的，所描述的實施方式可以以各種不同方式來修改，所有修改不會背離本發(fā)明的精神或范圍。
[0037]在附圖中，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度為了清晰而被夸大。相同的附圖標(biāo)記在整個說明書中指代相同的元件。將理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為“在”另一元件“上”時，它可以直接在另一元件上或也可以存在中間元件。相反，當(dāng)一個元件被稱為“直接在”另一元件“上”時，則不存在中間元件。
[0038]下面，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置。
[0039]首先，將參照圖1描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的信號線和像素之間的連接關(guān)系。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置的一個像素的等效電路圖。
[0040]參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置包括多條信號線121、171和172以及與其連接的像素PX。在此，像素PX指的是用于顯示圖像的最小單位，且顯示裝置根據(jù)多個像素PX顯示圖像。
[0041]信號線121、171和172包括傳輸柵極信號(或掃描信號)的柵極線121、傳輸數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171和傳輸驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線172。柵極線121基本上在行方向上延伸并且基本上彼此平行，數(shù)據(jù)線171基本上在列方向上延伸并且基本上彼此平行。驅(qū)動電壓線172基本上在列方向上延伸，但是可以替代地在行方向上延伸，或可以形成為網(wǎng)狀或其他形狀。
[0042]一個像素PX包括開關(guān)晶體管Qs、驅(qū)動晶體管Qd、存儲電容器Cst和有機(jī)發(fā)光元件LD0
[0043]開關(guān)晶體管Qs具有控制端、輸入端和輸出端?？刂贫诉B接到柵極線121，輸入端連接到數(shù)據(jù)線171，輸出端連接到驅(qū)動晶體管Qd。響應(yīng)于從柵極線121接收的掃描信號，開關(guān)晶體管Qs將從數(shù)據(jù)線171接收的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)津?qū)動晶體管Qd。
[0044]驅(qū)動晶體管Qd也具有控制端、輸入端和輸出端，其中控制端連接到開關(guān)晶體管Qs的輸出端，輸入端連接到驅(qū)動電壓線172，輸出端連接到有機(jī)發(fā)光元件LD。驅(qū)動晶體管Qd傳輸輸出電流Ild，該輸出電流Ild的大小根據(jù)驅(qū)動晶體管Qd的控制端和輸出端之間施加的電壓而變化。
[0045]存儲電容器Cst連接在驅(qū)動晶體管Qd的控制端和輸入端之間。存儲電容器Cst充以施加到驅(qū)動晶體管Qd的控制端的數(shù)據(jù)信號，并且甚至在開關(guān)晶體管Qs截止之后也保持所充的數(shù)據(jù)信號。
[0046]有機(jī)發(fā)光元件LD，例如，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)包括連接到驅(qū)動晶體管Qd的輸出端的陽極和連接到公共電壓Vss的陰極。有機(jī)發(fā)光元件LD通過根據(jù)驅(qū)動晶體管Qd的輸出電流Iui改變強度而發(fā)光，由此顯示圖像。有機(jī)發(fā)光元件LD可以包括有機(jī)材料，其唯一地表示如紅、綠和藍(lán)的三原色中的任何一種或者一種或多種原色，然后有機(jī)發(fā)光二極管顯示器根據(jù)所表示的各種顏色的空間和來顯示理想的圖像。此外，有機(jī)發(fā)光元件LD可以發(fā)出由諸如三原色的原色的和構(gòu)成的白色，并且在這種情況下，在每個像素中形成顯示如上述三原色的原色中的任意一種的濾色器。此外，每個像素可以包括顯示其中一種原色的像素以及顯示白色的像素，在這種情況下，濾色器可以僅形成在顯示白色的像素中。
[0047]開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動晶體管Qd能夠是η溝道場效應(yīng)晶體管(FET)，其至少一個可以備選地是P溝道場效應(yīng)晶體管。此外，晶體管Qs和Qd、存儲電容器Cst和有機(jī)發(fā)光元件LD的連接關(guān)系可以變化。
[0048]將參照圖2至圖4描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的布局圖，圖3是沿著線II1-1II截取的圖2的顯示裝置的截面圖，圖4是沿著線IV-1V截取的圖2的顯示裝置的截面圖。
[0049]緩沖層120形成在基板100上。
[0050]基板100可以是由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的絕緣基板，或者可以是由不銹鋼等制成的金屬性基板。
[0051]緩沖層120可以形成為單層的硅氮化物(SiNx)，或可以形成為其中硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(S12)層疊的雙層結(jié)構(gòu)。緩沖層120用于平坦化表面，同時防止諸如雜質(zhì)或濕氣的不期望組分從其透過。
[0052]由多晶娃制成的第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b、以及第一電容器電極138形成在緩沖層120上。
[0053]第一半導(dǎo)體135a包括第一溝道區(qū)域1355a以及形成在第一溝道區(qū)域1355a的兩側(cè)的第一源極區(qū)域1356a和第一漏極區(qū)域1357a。
[0054]第二半導(dǎo)體135b包括第二溝道區(qū)域1355b以及形成在第二溝道區(qū)域1355b的兩側(cè)的第二源極區(qū)域1356b和第二漏極區(qū)域1357b。
[0055]第一半導(dǎo)體135a的第一溝道區(qū)域1355a和第二半導(dǎo)體135b的第二溝道區(qū)域1355b由其中未摻雜雜質(zhì)的多晶娃(即，本征半導(dǎo)體)形成。第一半導(dǎo)體135a的第一源極區(qū)域1356a和第一漏極區(qū)域1357a以及第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b和第二漏極區(qū)域1357b分別由其中摻雜導(dǎo)電雜質(zhì)的多晶硅(即，雜質(zhì)半導(dǎo)體)形成。
[0056]第一電容器電極138從第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b延伸。于是,第一電容器電極138形成在與第二源極區(qū)域1356b相同的層上，并因此由其中摻雜導(dǎo)電雜質(zhì)的多晶硅(即，雜質(zhì)半導(dǎo)體)形成。
[0057]在第一半導(dǎo)體135a的第一源極區(qū)域1356a和第一漏極區(qū)域1357a以及第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b和第二漏極區(qū)域1357b中以及在第一電容器電極138中摻雜的雜質(zhì)可以是P型雜質(zhì)和η型雜質(zhì)中的任一種。
[0058]柵極絕緣層140形成在第一半導(dǎo)體I35a和第二半導(dǎo)體135b上以及第一電容器電極138上。
[0059]柵極絕緣層140可以是包括正硅酸乙酯(TEOS)、硅氮化物和硅氧化物中的至少一種的單層或者多層。
[0060]柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158形成在柵極絕緣層140上。
[0061]柵極線121在水平方向上伸長以傳輸柵極信號，第一柵極電極154a從柵極線121朝向第一半導(dǎo)體135a突出。
[0062]柵極線121、第一柵極電極154a和第二柵極電極154b包括由透明導(dǎo)體制成的下層154ap和154bp以及由不透明導(dǎo)體制成的上層154aq和154bq，該不透明導(dǎo)體包括低電阻導(dǎo)體,諸如鶴、鑰、招或其合金。
[0063]第二電容器電極158與第二柵極電極154b連接并重疊第一電容器電極138。第二電容器電極158形成在與柵極線121、第一柵極電極154a和第二柵極電極154b的下層154ap和154bp相同的層上。于是，第二電容器電極158由透明導(dǎo)體制成。
[0064]第一電容器電極138和第二電容器電極158通過利用柵極絕緣層140作為介電材料而形成第一存儲電容器80。如上所述，第一電容器電極138形成為半導(dǎo)體層，第二電容器電極158形成為透明導(dǎo)體。于是，第一存儲電容器80具有透明層，結(jié)果，有可能防止由于第一存儲電容器80的形成而導(dǎo)致的顯示裝置的開口率的降低。
[0065]第一層間絕緣層160形成在柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158上。第一層間絕緣層160由正娃酸乙酯(TEOS)、娃氮化物、娃氧化物等形成，正如柵極絕緣層140那樣。
[0066]暴露第一半導(dǎo)體135a的第一源極區(qū)域1356a的第一源極接觸孔166a、暴露第一半導(dǎo)體135a的第一漏極區(qū)域1357a的第一漏極接觸孔167a、暴露第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b的第二源極接觸孔166b、以及暴露第二半導(dǎo)體135b的第二漏極區(qū)域1357b的第二漏極接觸孔167b均貫穿第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140形成。在第一層間絕緣層160中，還具有貫穿其形成的第一接觸孔81，第一接觸孔81暴露第二柵極電極154b。
[0067]包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b形成在第一層間絕緣層160上。
[0068]數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號，并在與柵極線121交叉的方向上延伸。
[0069]驅(qū)動電壓線172傳輸預(yù)定電壓并延伸成大致平行于數(shù)據(jù)線171。
[0070]第一源極電極176a從數(shù)據(jù)線171朝向第一半導(dǎo)體135a突出，第二源極電極176b從驅(qū)動電壓線172朝向第二半導(dǎo)體135b突出。
[0071]第一源極電極176a穿過第一源極接觸孔166a與第一源極區(qū)域1356a連接，第二源極電極176b穿過第二源極接觸孔166b與第二源極區(qū)域1356b連接。
[0072]第一漏極電極177a面對第一源極電極176a,第一漏極電極177a穿過第一漏極接觸孔167a與第一漏極區(qū)域1357a連接。類似地，第二漏極電極177b面對第二源極電極176b，并且第二漏極電極177b穿過第二漏極接觸孔167b與第二漏極區(qū)域1357b連接。
[0073]第一漏極電極177a沿著柵極線(即，大致平行于柵極線)延伸，并穿過第一接觸孔81與第二柵極電極154b電連接。
[0074]第二層間絕緣層180形成在數(shù)據(jù)線171 (包括第一源極電極176a)、驅(qū)動電壓線172 (包括第二源極電極176b)、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b上。
[0075]第二層間絕緣層180可以由與第一層間絕緣層160相同的材料形成，并且可以具有形成在其中且暴露第二漏極電極177b的第二接觸孔82。
[0076]第一電極191形成在第二層間絕緣層180上。第一電極191可以是陽極。
[0077]第一電極191穿過第二接觸孔82與第二漏極電極177b連接。
[0078]第一電極191遍及由兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172等圍繞的一個像素區(qū)域形成。此外，第一電極191的邊緣可以重疊所述兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172。
[0079]像素限定層195形成在第一電極191上。像素限定層195形成在重疊柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b等的區(qū)域內(nèi)，并形成為不透明層。像素限定層195在圖2中被示為陰影區(qū)域。
[0080]根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置除了覆蓋柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a以及第二源極電極176b和第二漏極電極177b的不透明層之外，還可以包括額外的不透明層。在這種情況下，像素限定層195可以重疊所述額外的不透明層。
[0081]像素限定層195可以包括樹脂，如聚丙烯酸酯或聚酰亞胺、基于硅石的無機(jī)材料坐寸O
[0082]有機(jī)發(fā)光層370形成在第一電極191的沒有被像素限定層195覆蓋的部分上。
[0083]如此，有機(jī)發(fā)光層370形成在沒有與像素限定層195重疊的區(qū)域內(nèi)，并且有機(jī)發(fā)光層370未定位在像素限定層195上。于是，在像素區(qū)域內(nèi)，有機(jī)發(fā)光層370不重疊均被不透明層覆蓋的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b
坐寸ο
[0084]有機(jī)發(fā)光層370包括發(fā)光層，并且還可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一個或多個。
[0085]在有機(jī)發(fā)光層370包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中每一個的情況下，空穴注入層(HIL)定位在作為陽極的第一電極191上，空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層可以依次層疊在其上。
[0086]有機(jī)發(fā)光層370例如可以發(fā)射紅、綠、藍(lán)三原色中任一顏色的光。
[0087]第二電極270形成在像素限定層195和有機(jī)發(fā)光層370上。
[0088]第二電極270是有機(jī)發(fā)光兀件的陰極。于是,第一電極191、有機(jī)發(fā)光層370和第二電極270 —起形成有機(jī)發(fā)光元件LD。
[0089]第二電極270形成為反射層、透明層或透反層。
[0090]反射層和透反層由鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)和鋁(Al)中的一種或多種金屬或者它們的任意合金制成。反射層和透反層是根據(jù)它們的材料的厚度確定，并且透反層可以通過具有200nm或更小厚度的金屬層形成。透明層由諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或者鋅氧化物(ZnO)制成。
[0091]如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置包括遍及像素區(qū)域形成的第一電極191、形成在像素區(qū)域的與不透明信號布線重疊的區(qū)域內(nèi)的像素限定層195、形成在不與像素限定層195重疊的區(qū)域內(nèi)的有機(jī)發(fā)光層370以及形成在有機(jī)發(fā)光層370和像素限定層195上的第二電極270。于是，如圖3和圖4所示，有機(jī)發(fā)光層370在不與不透明布線層重疊的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2、第三區(qū)域R3和第四區(qū)域R4中發(fā)射光，從而顯示圖像。在這個實施方式中，有機(jī)發(fā)光層370甚至形成在現(xiàn)有顯示裝置中傳統(tǒng)上不存在發(fā)光層的區(qū)域內(nèi)，如在柵極線121與第一源極電極176a和第一漏極電極177a之間的區(qū)域以及在驅(qū)動電壓線172與第一漏極電極177a之間的區(qū)域。于是，顯示裝置的發(fā)光面積相對于傳統(tǒng)顯示裝置而言增加。像素限定層195僅形成在不透明信號布線上方，結(jié)果，顯示裝置的開口率增大。甚者，顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層370形成在由像素限定層195圍繞的區(qū)域內(nèi)，并且不形成在像素限定層195上方，因此在不透明信號布線上方不存在或大部分不存在有機(jī)發(fā)光層370。結(jié)果，通過防止有機(jī)發(fā)光層370甚至在不顯示圖像的區(qū)域內(nèi)不必要地發(fā)射光，可以防止發(fā)光效率退化，同時增加顯示裝置的發(fā)光面積。
[0092]接著，參照圖5和圖6以及圖2描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的截面圖，它是沿著線II1-1II截取的圖2的顯示裝置的備選截面圖，圖6是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的截面圖，它是沿著線IV-1V截取的圖2的顯示裝置的另一備選截面圖。
[0093]參照圖5和6以及圖2，根據(jù)這個示例性實施方式的顯示裝置類似于根據(jù)參照圖2至圖4描述的示例性實施方式的顯示裝置。省略了對相同構(gòu)成元件的詳細(xì)描述。
[0094]緩沖層120形成在基板100上，由多晶硅制成的第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b、以及第一電容器電極138形成在緩沖層120上。
[0095]第一半導(dǎo)體135a包括第一溝道區(qū)域1355a以及形成在第一溝道區(qū)域1355a的兩側(cè)的第一源極區(qū)域1356a和第一漏極區(qū)域1357a。
[0096]第二半導(dǎo)體135b包括第二溝道區(qū)域1355b以及形成在第二溝道區(qū)域1355b的兩側(cè)的第二源極區(qū)域1356b和第二漏極區(qū)域1357b。
[0097]第一電容器電極138從第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b延伸。
[0098]柵極絕緣層140形成在第一半導(dǎo)體I35a和第二半導(dǎo)體I35b以及第一電容器電極138 上。
[0099]柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158形成在柵極絕緣層140上。
[0100]柵極線121在水平方向上伸長以傳輸柵極信號，第一柵極電極154a從柵極線121朝向第一半導(dǎo)體135a突出。
[0101]柵極線121、第一柵極電極154a和第二柵極電極154b可以由包括鎢、鑰、鋁或其合金的不透明導(dǎo)體制成。
[0102]第二電容器電極158與第二柵極電極154b連接并重疊第一電容器電極138。第二電容器電極158形成在與柵極線121、第一柵極電極154a和第二柵極電極154b相同的層上。
[0103]第一層間絕緣層160形成在柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158上。
[0104]暴露第一半導(dǎo)體135a的第一源極區(qū)域1356a的第一源極接觸孔166a、暴露第一半導(dǎo)體135a的第一漏極區(qū)域1357a的第一漏極接觸孔167a、暴露第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b的第二源極接觸孔166b、以及暴露第二半導(dǎo)體135b的第二漏極區(qū)域1357b的第二漏極接觸孔167b形成在第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140中。暴露第二柵極電極154b的第一接觸孔81形成在第一層間絕緣層160中。
[0105]包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b形成在第一層間絕緣層160上。
[0106]第一源極電極176a穿過第一源極接觸孔166a與第一源極區(qū)域1356a連接,第二源極電極176b穿過第二源極接觸孔166b與第二源極區(qū)域1356b連接。
[0107]第一漏極電極177a面對第一源極電極176a,且第一漏極電極177a穿過第一漏極接觸孔167a與第一漏極區(qū)域1357a連接。類似地，第二漏極電極177b面對第二源極電極176b，并且第二漏極電極177b穿過第二漏極接觸孔167b與第二漏極區(qū)域1357b連接。
[0108]第一漏極電極177a大致平行于柵極線延伸，并且穿過第一接觸孔81與第二柵極電極154b電連接。
[0109]第一電容器電極138和第二電容器電極158通過使用柵極絕緣層140作為介電材料而形成第一存儲電容器80。
[0110]在包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171上形成包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、第一漏極電極177a和第二漏極電極177b、以及第三層間絕緣層180a。
[0111]第三層間絕緣層180a由與第一層間絕緣層160相同的材料制成。
[0112]濾色器230形成在第三層間絕緣層180a上。濾色器230可以顯示如紅、綠和藍(lán)的原色中的其中一種。
[0113]濾色器230可以不形成在與晶體管Qs和Qd重疊的區(qū)域內(nèi)，并可以遍及一個像素區(qū)域形成。濾色器230可以不形成在多個像素區(qū)域當(dāng)中的至少一些像素區(qū)域中，并且未形成濾色器230的像素區(qū)域可以顯示白色。
[0114]第四層間絕緣層180b形成在第三層間絕緣層180a和濾色器230上。
[0115]第三層間絕緣層180a和第四層間絕緣層180b具有暴露第二漏極電極177b的第二接觸孔82。
[0116]第一電極191形成在第四層間絕緣層180b上。第一電極191可以是陽極。
[0117]第一電極191穿過第二接觸孔82與第二漏極電極177b連接。
[0118]第一電極191遍及被兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172等圍繞的一個像素區(qū)域形成。此外，第一電極191的邊緣可以重疊所述兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電極線172。
[0119]像素限定層195形成在第一電極191上。像素限定層195被形成為重疊形成為一個或多個不透明層的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b等。
[0120]除了柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、以及第二源極電極176b和第二漏極電極177b之外，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置可以還包括額外的不透明層，在這種情況下，像素限定層195可以形成在與所述額外的不透明層重疊的區(qū)域中。
[0121]有機(jī)發(fā)光層370形成在第一電極191的沒有被像素限定層195覆蓋的部分上。有機(jī)發(fā)光層370不重疊像素限定層195。于是，有機(jī)發(fā)光層370也不重疊在像素區(qū)域內(nèi)形成為不透明層(或多個不透明層)的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b等的任一個。
[0122]有機(jī)發(fā)光層370可以顯示白色。此外，在有機(jī)發(fā)光層370中，可以沉積發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光材料，以便發(fā)光材料顯不白色的復(fù)合光。
[0123]第二電極270形成在像素限定層195和有機(jī)發(fā)光層370上。
[0124]第二電極270是有機(jī)發(fā)光兀件的陰極。于是,第一電極191、有機(jī)發(fā)光層370和第二電極270形成有機(jī)發(fā)光元件LD。
[0125]如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置包括遍及像素區(qū)域形成的第一電極191、形成為與像素區(qū)域的不透明信號線重疊的像素限定層195、形成為不與像素限定層195重疊的有機(jī)發(fā)光層370、以及形成在有機(jī)發(fā)光層370上的第二電極270。于是，如圖5和圖6所示，有機(jī)發(fā)光層370在不與不透明布線層重疊的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2、第三區(qū)域R3和第四區(qū)域R4中發(fā)射光，以顯示圖像。如此，有機(jī)發(fā)光層370甚至形成在傳統(tǒng)上不存在發(fā)光層的區(qū)域內(nèi)，如在柵極線121與第一源極電極176a和第一漏極電極177a之間的區(qū)域和/或在驅(qū)動電壓線172與第一漏極電極177a之間的區(qū)域。于是，增加了顯示裝置的發(fā)光面積。像素限定層195僅形成在不透明的信號布線上，結(jié)果，顯示裝置的開口率提高。甚者，顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層370形成在由像素限定層195圍繞的區(qū)域內(nèi)，并且不形成在像素限定層195上方，由此不存在或大部分不存在于不透明的信號布線上方。結(jié)果，通過防止有機(jī)發(fā)光層370甚至在不顯示圖像的區(qū)域內(nèi)不必要地發(fā)射光，有可能防止發(fā)光效率的降低，同時還增加了顯示裝置的發(fā)光面積。
[0126]根據(jù)參照圖2至圖4描述的示例性實施方式的顯示裝置的很多特征的全部可以應(yīng)用于根據(jù)該示例性實施方式的顯示裝置中。
[0127]接著，將參照圖7至圖9描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置。圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的顯示裝置的布局圖，圖8是沿著線VII1-VIII截取的圖7的顯示裝置的截面圖，圖9是沿著線IX-1X截取的圖7的顯示裝置的截面圖。
[0128]參照圖7至圖9，這個示例性實施方式的顯示裝置類似于根據(jù)參照圖2至圖4描述的示例性實施方式的顯示裝置。于是，省略了對相同構(gòu)成元件的詳細(xì)描述。
[0129]緩沖層120形成在基板100上，由多晶硅制成的第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b、以及第一電容器電極138形成在緩沖層120上。
[0130]第一半導(dǎo)體135a包括第一溝道區(qū)域1355a、以及形成在第一溝道區(qū)域1355a的兩側(cè)的第一源極區(qū)域1356a和第一漏極區(qū)域1357a。
[0131]第二半導(dǎo)體135b包括第二溝道區(qū)域1355b、以及形成在第二溝道區(qū)域1355b的兩側(cè)的第二源極區(qū)域1356b和第二漏極區(qū)域1357b。
[0132]第一電容器電極138從第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b延伸。
[0133]柵極絕緣層140形成在第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b、以及第一電容器電極138 上。
[0134]柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158形成在柵極絕緣層140上。
[0135]柵極線121在水平方向上伸長以傳輸柵極信號，第一柵極電極154a從柵極線121向第一半導(dǎo)體135a突出。
[0136]柵極線121、第一柵極電極154a和第二柵極電極154b可以由包括鎢、鑰、鋁或其合金的不透明導(dǎo)體制成。
[0137]第二電容器電極158與第二柵極電極154b連接并重疊第一電容器電極138。第二電容器電極158形成在與柵極線121、第一柵極電極154a和第二柵極電極154b相同的層上。
[0138]第一層間絕緣層160形成在第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158上。
[0139]暴露第一半導(dǎo)體135a的第一源極區(qū)域1356a的第一源極接觸孔166a、暴露第一半導(dǎo)體135a的第一漏極區(qū)域1357a的第一漏極接觸孔167a、暴露第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b的第二源極接觸孔166b和暴露第二半導(dǎo)體135b的第二漏極區(qū)域1357b的第二漏極接觸孔167b形成在第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140中。暴露第二柵極電極154b的第一接觸孔81形成在第一層間絕緣層160中。
[0140]包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、第一漏極電極177a和第二漏極電極177b、以及第三電容器電極178形成在第一層間絕緣層160上。
[0141]第一源極電極176a穿過第一源極接觸孔166a與第一源極區(qū)域1356a連接，第二源極電極176b穿過第二源極接觸孔166b與第二源極區(qū)域1356b連接。
[0142]第一漏極電極177a面對第一源極電極176a,且第一漏極電極177a穿過第一漏極接觸孔167a與第一漏極區(qū)域1357a連接。類似地，第二漏極電極177b面對第二源極電極176b，且第二漏極電極177b穿過第二漏極接觸孔167b與第二漏極區(qū)域1357b連接。
[0143]第一漏極電極177a沿著柵極線或基本上平行于柵極線延伸，并穿過第一接觸孔81與第二柵極電極154b電連接。
[0144]第三電容器電極178從驅(qū)動電壓線172突出并重疊第二電容器電極158。
[0145]第一電容器電極138和第二電容器電極158通過利用柵極絕緣層140作為介電材料而形成第一存儲電容器80，第二電容器電極158和第三電容器電極178通過利用第一層間絕緣層160作為介電材料而形成第二存儲電容器8。參照圖5以及圖2，根據(jù)本示例性實施方式的顯示裝置的第一電容器電極138和第二電容器電極158的截面面積比根據(jù)圖2所示的示例性實施方式的顯示裝置的第一電容器電極138和第二電容器電極158的截面面積小。然而，在根據(jù)本示例性實施方式的顯示裝置的情況下，除了第一存儲電容器80外，還包括第二存儲電容器8，結(jié)果，在存儲電容器Cst的存儲電容沒有減小的同時，存儲電容器Cst的面積可以減小。于是，有可能防止由于存儲電容器Cst的形成所導(dǎo)致的顯示裝置的開口率的降低。
[0146]第二層間絕緣層180形成在包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b上。
[0147]第二層間絕緣層180可以由與第一層間絕緣層160相同的材料形成，并具有暴露第二漏極電極177b的第二接觸孔82。
[0148]第一電極191形成在第二層間絕緣層180上。第一電極191可以是陽極。
[0149]第一電極191穿過第二接觸孔82與第二漏極電極177b連接。
[0150]第一電極191遍及由兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172等圍繞的一個像素區(qū)域形成。此外，第一電極191的邊緣可以重疊所述兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172。
[0151]像素限定層195形成在第一電極191上。像素限定層195形成為與形成為不透明層的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b、電容器電極138、158和178等重疊。
[0152]根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置除了柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、以及第二源極電極176b和第二漏極電極177b之外，還可以包括額外的不透明層。在這種情況下，像素限定層195可以與所述額外的不透明層重疊。
[0153]有機(jī)發(fā)光層370僅形成在第一電極191的沒有被像素限定層195覆蓋的部分上。如此，有機(jī)發(fā)光層370沒有定位在像素限定層195上。于是，有機(jī)發(fā)光層370不與在像素區(qū)域內(nèi)形成為不透明層的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b、電容器電極138、158和178等的任意重疊。
[0154]有機(jī)發(fā)光層370可以發(fā)射諸如紅色、綠色和藍(lán)色的三原色中的任一種顏色的光。
[0155]第二電極270形成在像素限定層195和有機(jī)發(fā)光層370上。
[0156]第二電極270是有機(jī)發(fā)光兀件的陰極。于是,第一電極191、有機(jī)發(fā)光層370和第二電極270形成有機(jī)發(fā)光元件LD。
[0157]如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置包括遍及像素區(qū)域形成的第一電極191、與像素區(qū)域的不透明信號線重疊的像素限定層195、不與像素限定層195重疊的有機(jī)發(fā)光層370、以及形成在有機(jī)發(fā)光層370上的第二電極270。于是，如圖6和圖7所示，有機(jī)發(fā)光層370在不與任何不透明布線層重疊的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2、第三區(qū)域R3、第四區(qū)域R4和第五區(qū)域R5中發(fā)射光，從而顯示圖像。如此，有機(jī)發(fā)光層370甚至形成在傳統(tǒng)顯示裝置中不是顯示區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，如在柵極線121與第一源極電極176a和第一漏極電極177a之間的區(qū)域以及在驅(qū)動電壓線172與第一漏極電極177a之間的區(qū)域。結(jié)果，顯示裝置的發(fā)光面積增大。像素限定層195僅覆蓋像素區(qū)域的不透明信號布線，結(jié)果，顯示裝置的開口率增大。于是，有機(jī)發(fā)光層370形成在由像素限定層195圍繞的區(qū)域內(nèi)，并從而不與像素限定層195重疊，并因此有機(jī)發(fā)光層370形成在傳統(tǒng)上為非開口區(qū)域的區(qū)域內(nèi)。結(jié)果，通過防止有機(jī)發(fā)光層370甚至在不顯示圖像的區(qū)域內(nèi)不必要地發(fā)射光，有可能防止發(fā)光效率的退化，同時增加顯示裝置的發(fā)光面積。
[0158]在上文中，根據(jù)參照圖2至圖4描述的示例性實施方式和參照圖2、圖5和圖6描述的示例性實施方式的顯示裝置的很多特征的全部可以應(yīng)用于根據(jù)該示例性實施方式的顯示裝置中。
[0159]接著，將參照圖10和圖11以及圖7描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置。圖10是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的截面圖，它是沿著線VII1-VIII截取的圖7的顯示裝置的備選截面圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的截面圖，它是沿著線IX-1X截取的圖7的顯示裝置的備選截面圖。
[0160]參照圖7、圖10和圖11，根據(jù)該示例性實施方式的顯示裝置類似于根據(jù)參照圖2至圖4描述的示例性實施方式的顯示裝置以及根據(jù)參照圖7至圖9描述的示例性實施方式的顯示裝置。省略了對相同構(gòu)成元件的詳細(xì)描述。
[0161]緩沖層120形成在基板100上，且由多晶硅制成的第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b、以及第一電容器電極138形成在緩沖層120上。
[0162]第一半導(dǎo)體135a包括第一溝道區(qū)域1355a以及形成在第一溝道區(qū)域1355a的兩側(cè)的第一源極區(qū)域1356a和第一漏極區(qū)域1357a。
[0163]第二半導(dǎo)體135b包括第二溝道區(qū)域1355b以及形成在第二溝道區(qū)域1355b的兩側(cè)的第二源極區(qū)域1356b和第二漏極區(qū)域1357b。
[0164]第一電容器電極138從第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b延伸。
[0165]柵極絕緣層140形成在第一半導(dǎo)體I35a和第二半導(dǎo)體I35b以及第一電容器電極138 上。
[0166]柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158形成在柵極絕緣層140上。
[0167]柵極線121在水平方向上伸長以傳輸柵極信號，第一柵極電極154a從柵極線121向第一半導(dǎo)體135a突出。
[0168]柵極線121、第一柵極電極154a和第二柵極電極154b可以由包括鎢、鑰、鋁或其合金的不透明導(dǎo)體制成。
[0169]第二電容器電極158與第二柵極電極154b連接以與第一電容器電極138重疊。第二電容器電極158形成在與柵極線121、第一柵極電極154a和第二柵極電極154b相同的層上。
[0170]第一層間絕緣層160形成在柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158上。
[0171]暴露第一半導(dǎo)體135a的第一源極區(qū)域1356a的第一源極接觸孔166a、暴露第一半導(dǎo)體135a的第一漏極區(qū)域1357a的第一漏極接觸孔167a、暴露第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b的第二源極接觸孔166b以及暴露第二半導(dǎo)體135b的第二漏極區(qū)域1357b的第二漏極接觸孔167b形成在第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140中。暴露第二柵極電極154b的第一接觸孔81形成在第一層間絕緣層160中。
[0172]包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、第一漏極電極177a和第二漏極電極177b、以及第三電容器電極178形成在第一層間絕緣層160上。
[0173]第一源極電極176a穿過第一源極接觸孔166a與第一源極區(qū)域1356a連接，第二源極電極176b穿過第二源極接觸孔166b與第二源極區(qū)域1356b連接。
[0174]第一漏極電極177a面對第一源極電極176a,且第一漏極電極177a穿過第一漏極接觸孔167a與第一漏極區(qū)域1357a連接。類似地，第二漏極電極177b面對第二源極電極176b，且第二漏極電極177b穿過第二漏極接觸孔167b與第二漏極區(qū)域1357b連接。
[0175]第一漏極電極177a大致平行于柵極線延伸，并且穿過第一接觸孔81與第二柵極電極154b電連接。
[0176]第三電容器電極178從驅(qū)動電壓線172突出，并與第二電容器電極158重疊。
[0177]第一電容器電極138和第二電容器電極158通過使用柵極絕緣層140作為介電材料形成第一存儲電容器80，第二電容器電極158和第三電容器電極178通過利用第一層間絕緣層160作為介電材料形成第二存儲電容器8。參照圖7以及圖2，根據(jù)該示例性實施方式的顯示裝置的第一電容器電極138和第二電容器電極158的截面面積小于根據(jù)圖2中所示的示例性實施方式的顯示裝置的第一電容器電極138和第二電容器電極158的截面面積。然而，在根據(jù)該示例性實施方式的顯示裝置的情況下，除了第一存儲電容器80之外，還包括第二存儲電容器8，結(jié)果，在存儲電容器Cst的存儲電容沒有減小的同時，可以減小存儲電容器Cst的面積。于是，可以防止由于存儲電容器Cst的形成所導(dǎo)致的顯示裝置的開口率的降低。
[0178]第三層間絕緣層180a形成在包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b上。
[0179]第三層間絕緣層180a可以由與第一層間絕緣層160相同的材料制成。
[0180]濾色器230形成在第三層間絕緣層180a上。濾色器230可以顯示如紅色、綠色和藍(lán)色的三原色中的其中一種原色。
[0181]濾色器230可以不形成在與晶體管Qs和Qd重疊的區(qū)域內(nèi)，并可以遍及一個像素區(qū)域形成。濾色器230可以不形成在多個像素區(qū)域當(dāng)中的至少一些像素區(qū)域中，并且沒有形成濾色器230的像素區(qū)域可以顯示白色。
[0182]在第三層間絕緣層180a和濾色器230上，形成第四層間絕緣層180b。
[0183]第三層間絕緣層180a和第四層間絕緣層180b具有暴露第二漏極電極177b的第二接觸孔82。
[0184]第一電極191形成在第四層間絕緣層180b上。第一電極191可以是陽極。
[0185]第一電極191穿過第二接觸孔82與第二漏極電極177b連接。
[0186]第一電極191遍及由兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172等圍繞的一個像素區(qū)域形成。此外，第一電極191的邊緣可以與所述兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172重疊。
[0187]像素限定層195形成在第一電極191上。像素限定層195與形成為不透明層的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b、電容器電極138、158和178等重疊。
[0188]根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置除了柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、以及第二源極電極176b和第二漏極電極177b之外，還可以包括額外的不透明層，在這種情況下，像素限定層195還可以與該額外的不透明層重疊。
[0189]有機(jī)發(fā)光層370形成在第一電極191上但不與像素限定層195重疊。于是，有機(jī)發(fā)光層370被形成為不與在像素區(qū)域中形成為不透明層的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b、電容器電極138、158和178等重疊。
[0190]有機(jī)發(fā)光層370可以顯示白色。此外，在有機(jī)發(fā)光層370中，可以層疊發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光材料，并由此可以顯示復(fù)合的白光。
[0191]第二電極270形成在像素限定層195和有機(jī)發(fā)光層370上。
[0192]第二電極270是有機(jī)發(fā)光兀件的陰極。于是,第一電極191、有機(jī)發(fā)光層370和第二電極270形成有機(jī)發(fā)光元件LD。
[0193]如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置包括遍及像素區(qū)域形成的第一電極191、形成為與像素區(qū)域的不透明信號線重疊的像素限定層195、形成為不與像素限定層195重疊的有機(jī)發(fā)光層370、以及形成在有機(jī)發(fā)光層370上的第二電極270。于是，如圖10和圖11所示，有機(jī)發(fā)光層370在不與不透明布線層重疊的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2、第四區(qū)域R4和第五區(qū)域R5中發(fā)射光，從而顯示圖像。如此，有機(jī)發(fā)光層370甚至形成在傳統(tǒng)上不用于顯示圖像的區(qū)域內(nèi)，結(jié)果，可以增加顯示裝置的發(fā)光面積。像素限定層195僅形成在不透明信號布線上方，結(jié)果，增加了顯示裝置的開口率。甚者，顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層370形成在由像素限定層195圍繞的區(qū)域中但沒有形成在像素限定層195上方，并因此在不透明的信號布線上方不存在或大部分不存在有機(jī)發(fā)光層370。結(jié)果，通過防止有機(jī)發(fā)光層370甚至在不顯示圖像的區(qū)域內(nèi)不必要地發(fā)射光，有可能防止發(fā)光效率降低并同時增加顯示裝置的發(fā)光面積。
[0194]上面，根據(jù)參照圖2至圖4描述的示例性實施方式、參照圖2、圖5和圖6描述的示例性實施方式、參照圖7至圖9描述的示例性實施方式以及參照圖7、圖10和圖11描述的示例性實施方式的顯示裝置的特征的任意組合可以應(yīng)用到根據(jù)本示例性實施方式的顯示裝置中。
[0195]接著，還將參照圖12至圖31以及圖2至圖4描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置的制造方法。圖12至圖31是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置的制造方法的工藝截面圖，其中圖12、圖14、圖16、圖18、圖20、圖22、圖24、圖26、圖28和圖30相應(yīng)于圖2中沿線II1-1II的工藝截面圖，圖13、圖15、圖17、圖19、圖21、圖23、圖25、圖27、圖29和圖31相應(yīng)于圖2中沿線IV-1V的工藝截面圖。
[0196]參照圖12和圖13，緩沖層120形成在基板100上，第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b以及第一電容器電極138形成在緩沖層120上。另外，柵極絕緣層140形成在第一半導(dǎo)體135a、第二半導(dǎo)體135b和第一電容器電極138上。
[0197]參照圖14和圖15，由透明導(dǎo)體制成的第一層50a沉積在柵極絕緣層140上，由低電阻導(dǎo)體制成的第二層50b沉積在第一層50a上。光敏膜沉積在第二層50b上，然后被曝光并印刷，以形成具有不同厚度的第一光敏膜圖案400a和第二光敏膜圖案400b，如圖16和圖17所示。第一光敏膜圖案400a的厚度大于第二光敏膜圖案400b的厚度。第一光敏膜圖案400a形成在將要形成第一柵極電極154a和第二柵極電極154b的位置處，第二光敏膜圖案400b形成在將要形成第二電容器電極158的位置處。
[0198]參照圖18和圖19，通過利用第一光敏膜圖案400a和第二光敏膜圖案400b作為蝕刻掩膜，第二層50b和第一層50a被依次蝕刻，然后形成包括下層154ap和上層154aq的第一柵極電極154a以及包括下層154bp和上層154bq的第二柵極電極154b,并且形成第一導(dǎo)體圖案58p和第二導(dǎo)體圖案58q。
[0199]接著，第二光敏膜圖案400b通過灰化等去除，并且第一光敏膜圖案400a的高度減小，形成第三光敏膜圖案400c，如圖20和圖21所示。
[0200]接著，第二導(dǎo)體圖案58q和第三光敏膜圖案400c被去除，結(jié)果，如圖22和圖23所示，形成包括下層154ap和上層154aq的第一柵極電極154a和包括下層154bp和上層154bq的第二柵極電極154b以及由透明導(dǎo)體制成的第二電容器電極158。然后，通過利用第一柵極電極154a和第二柵極電極154b作為掩膜,導(dǎo)電雜質(zhì)被摻雜在第一半導(dǎo)體135a和第二半導(dǎo)體135b的不與第一柵極電極154a和第二柵極電極154b重疊的部分內(nèi)，以形成第一半導(dǎo)體135a的第一源極區(qū)域1356a和第一漏極區(qū)域1357a以及第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b和第二漏極區(qū)域1357b。
[0201]如此，按照根據(jù)本示例性實施方式的顯示裝置的制造方法，通過一個曝光工藝形成包括下層154ap和上層154aq的第一柵極電極154a以及包括下層154bp和上層154bq的第二柵極電極154b以及由透明導(dǎo)體制成的第二電容器電極158。結(jié)果，有可能防止在形成第二電容器電極158期間制造成本的增加。
[0202]如圖24和圖25所不,第一層間絕緣層160形成在柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158上。在這種情況下,暴露第一半導(dǎo)體135a的第一源極區(qū)域1356a的第一源極接觸孔166a、暴露第一半導(dǎo)體135a的第一漏極區(qū)域1357a的第一漏極接觸孔167a、暴露第二半導(dǎo)體135b的第二源極區(qū)域1356b的第二源極接觸孔166b以及暴露第二半導(dǎo)體135b的第二漏極區(qū)域1357b的第二漏極接觸孔167b形成在第一層間絕緣層160和柵極絕緣層140中，暴露第二柵極電極154b的第一接觸孔81形成在第一層間絕緣層160中。
[0203]包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b形成在第一層間絕緣層160上。
[0204]第二層間絕緣層180形成在包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b上。在這種情況下，暴露第二漏極電極177b的第二接觸孔82形成在第二層間絕緣層180中。
[0205]雖然未示出，但是按照根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的制造方法，第三層間絕緣層180a形成在包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b上；濾色器230形成在第三層間絕緣層180a上；且第四層間絕緣層180b可以形成在第三層間絕緣層180a和濾色器230上。在這種情況下，暴露第二漏極電極177b的第二接觸孔82形成在第三層間絕緣層180a和第四層間絕緣層180b中。
[0206]如圖26和圖27所示，第一電極191形成在第二層間絕緣層180上。第一電極191遍及由兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172等圍繞的一個像素區(qū)域形成。此夕卜，第一電極191的邊緣可以與所述兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、和驅(qū)動電壓線172重疊。
[0207]參照圖28和圖29，像素限定層195形成在第一電極上。
[0208]像素限定層195形成為與被形成為不透明層的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b等重疊。
[0209]按照根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的制造方法，除了柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a以及第二源極電極176b和第二漏極電極177b之外，可以進(jìn)一步形成額外的不透明層，在這種情況下，像素限定層195可以形成以與該額外的不透明層重疊。
[0210]更詳細(xì)地，有機(jī)發(fā)光層370不重疊像素限定層195。從而，有機(jī)發(fā)光層370覆蓋除了柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、第二源極電極176b和第二漏極電極177b等之外(即，除了不透明層之外)的整個像素區(qū)域，如圖30和圖31所示。
[0211]接著，如圖3和圖4所示，第二電極270形成在像素限定層195和有機(jī)發(fā)光層370上。
[0212]如此，按照根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的顯示裝置的制造方法，第一電極191遍及像素區(qū)域形成，像素限定層195與像素區(qū)域的不透明信號布線重疊，有機(jī)發(fā)光層370形成為不與像素限定層195重疊，第二電極270形成在有機(jī)發(fā)光層370上。于是，如圖3和圖4所示，有機(jī)發(fā)光層370在不與不透明布線層重疊的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2、第三區(qū)域R3和第四區(qū)域R4中發(fā)光，從而顯示圖像。如此，有機(jī)發(fā)光層370覆蓋在傳統(tǒng)顯示裝置中通常未被覆蓋的區(qū)域，如在柵極線121與第一源極電極176a和第一漏極電極177a之間的區(qū)域、以及在驅(qū)動電壓線172與第一漏極電極177a之間的區(qū)域，結(jié)果，顯示裝置的發(fā)光面積增加。像素限定層195僅形成在與像素區(qū)域的不透明信號布線重疊的區(qū)域內(nèi)，而不形成在像素區(qū)域中的開口區(qū)域內(nèi)，結(jié)果，可以提高顯示裝置的開口率。顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層370形成在由像素限定層195圍繞的區(qū)域內(nèi)，并且未形成在像素限定層195上方。此外，即使顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層370發(fā)射光，部分有機(jī)發(fā)光層370也形成在非開口區(qū)域中。結(jié)果，通過防止有機(jī)發(fā)光層370甚至在不顯示圖像的區(qū)域內(nèi)不必要地發(fā)射光，有可能在增加顯示裝置的發(fā)光面積的同時防止發(fā)光效率的退化。
[0213]接著，將參照圖32至圖39以及圖7和圖9描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的制造方法。圖32至圖39是依次示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的制造方法的截面圖，其中圖32、圖34、圖36和圖38相應(yīng)于圖7中沿線VII1-VIII的工藝截面圖，圖33、圖35、圖37和圖39相應(yīng)于圖7中沿線IX-1X的工藝截面圖。
[0214]參照圖32和圖33，緩沖層120形成在基板100上，第一半導(dǎo)體135a、第二半導(dǎo)體135b和第一電容器電極138形成在緩沖層120上。另外，柵極絕緣層140形成在第一半導(dǎo)體135a、第二半導(dǎo)體135b和第一電容器電極138上。
[0215]每個均由不透明導(dǎo)體制成的第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158形成在柵極絕緣層140上。
[0216]第一層間絕緣層160形成在柵極線121、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b和第二電容器電極158上，包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、第一漏極電極177a和第二漏極電極177b、以及第三電容器電極178形成在第一層間絕緣層160上。第三電容器電極178從驅(qū)動電壓線172突出，并與第二電容器電極158重疊。
[0217]第二層間絕緣層180形成在包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b上。
[0218]雖然未示出，但是按照根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的制造方法，第三層間絕緣層180a可以形成在包括第一源極電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括第二源極電極176b的驅(qū)動電壓線172、以及第一漏極電極177a和第二漏極電極177b上，濾色器230形成在第三層間絕緣層180a上，第四層間絕緣層180b可以形成在第三層間絕緣層180a和濾色器230上。
[0219]如圖34和圖35所示，第一電極191形成在第二層間絕緣層180上。第一電極191遍及由兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172等圍繞的一個像素區(qū)域形成。此夕卜，第一電極191的邊緣可以與所述兩條相鄰的柵極線121、數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172重疊。
[0220]參照圖36和圖37，像素限定層195形成在第一電極上。
[0221]像素限定層195形成為與被形成為不透明層的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第二電容器電極158、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、以及第二源極電極176b和第二漏極電極177b重疊。
[0222]按照根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的制造方法，除了柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、以及第二源極電極176b和第二漏極電極177b之外，還可以形成額外的不透明層，在這種情況下，像素限定層195也可以形成在該額外的不透明層上方。
[0223]參照圖38和圖39，有機(jī)發(fā)光層370形成在第一電極191的未被像素限定層195覆蓋的部分上。顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層370形成在由像素限定層195圍繞的區(qū)域內(nèi)且不形成在像素限定層195上方。于是，有機(jī)發(fā)光層370覆蓋除了被形成為不透明層的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172、第一柵極電極154a、第二柵極電極154b、第二電容器電極158、第一源極電極176a和第一漏極電極177a、以及第二源極電極176b和第二漏極電極177b等之外的整個像素區(qū)域。
[0224]接著，如圖8和圖9所示，第二電極270形成在像素限定層195和有機(jī)發(fā)光層370上。
[0225]如此，按照根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施方式的顯示裝置的制造方法，第一電極191遍及像素區(qū)域形成，像素限定層195形成在像素區(qū)域的不透明信號布線上方的區(qū)域內(nèi)，有機(jī)發(fā)光層370形成為不與像素限定層195重疊，第二電極270形成在有機(jī)發(fā)光層370上方。于是，如圖8和圖9所示，有機(jī)發(fā)光層370在不與不透明布線層重疊的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2、第四區(qū)域R4和第五區(qū)域R5中發(fā)射光，從而顯示圖像。如此，有機(jī)發(fā)光層370甚至形成在傳統(tǒng)顯示裝置中不是顯示區(qū)域的區(qū)域中，結(jié)果，顯示裝置的發(fā)光面積增加。像素限定層195僅形成在像素區(qū)域的不透明信號布線上方，而不形成在像素區(qū)域的開口區(qū)域中，結(jié)果，顯示裝置的開口率提高。此外，即使顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層370發(fā)射光，有機(jī)發(fā)光層370也形成在由像素限定層195圍繞的區(qū)域內(nèi)，而不形成在像素限定層195上方并且不形成在不顯示圖像的非開口區(qū)域內(nèi)，因而有機(jī)發(fā)光層370僅形成在開口區(qū)域中。結(jié)果，通過防止有機(jī)發(fā)光層370甚至在不顯示圖像的區(qū)域內(nèi)不必要地發(fā)射光，有可能在增加顯示裝置的發(fā)光面積的同時防止發(fā)光效率的降低。
[0226]盡管已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為可行的示例性實施方式對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是應(yīng)理解，本發(fā)明不局限于所公開的實施方式，而是相反地，本發(fā)明意在覆蓋在權(quán)利要求的范圍內(nèi)包括的各種修改和等效布置。在此描述的每個實施方式的各種特征可以以任何組合彼此混合和匹配，以形成在此未示出但是將被本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解的實施方式和布置。
[0227]〈附圖標(biāo)記描述〉
[0228]80、8:電容器 81、82:接觸孔
[0229]100:基板120:緩沖層
[0230]121:柵極線135a:第一半導(dǎo)體
[0231]135b:第二半導(dǎo)體 138 --第一電容器電極
[0232]140:柵極絕緣層 154a:第一柵極電極
[0233]154b:第二柵極電極 158:第二電容器電極
[0234]160:第一層間絕緣層 166a、166b:源極接觸孔
[0235]167a、167b:漏極接觸孔171:數(shù)據(jù)線
[0236]172:驅(qū)動電壓線 176a、176b:源極電極
[0237]177a、177b:漏極電極178:第三電容器電極
[0238]180:第二層間絕緣層 191:第一電極
[0239]195:像素限定層 270:第二電極
[0240]370:發(fā)光層1355a、1355b:溝道區(qū)域
[0241]1356a、1356b:源極區(qū)域 1357a、1357b:漏極區(qū)域
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 基板； 信號線，設(shè)置在所述基板上，所述信號線包括柵極線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線，所述信號線共同限定像素區(qū)域的外邊界； 晶體管，連接到所述信號線； 第一電極，跨過所述像素區(qū)域延伸，所述第一電極設(shè)置在所述信號線和所述晶體管上，并連接到所述晶體管，所述第一電極具有僅與所述信號線和所述晶體管重疊的第一部分以及包括所述第一電極中未包括在所述第一部分中的全部的第二部分； 像素限定層，僅設(shè)置在所述第一電極的所述第一部分上； 有機(jī)發(fā)光層，設(shè)置在基本上整個第二部分上，但不在第一部分上；以及 第二電極，設(shè)置在所述像素限定層和所述有機(jī)發(fā)光層上。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中: 所述有機(jī)發(fā)光層未設(shè)置在所述像素限定層上。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括: 第一電容器電極和第二電容器電極，設(shè)置在所述基板上并且彼此重疊，且第一絕緣層在所述第一電容器電極和所述第二電容器電極之間； 其中，所述有機(jī)發(fā)光層與所述第一電容器電極和所述第二電容器電極重疊；且 所述像素限定層不與所述第一電容器電極和所述第二電容器電極重疊。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述晶體管包括: 半導(dǎo)體層； 柵極絕緣層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上；以及 柵極電極，設(shè)置在所述柵極絕緣層上， 其中所述柵極電極包括第一層和位于所述第一層上的第二層， 所述第一電容器電極形成在與所述晶體管的所述半導(dǎo)體層相同的層上， 所述第二電容器電極形成在與所述晶體管的所述柵極電極的所述第一層相同的層上，以及 所述第一絕緣層是所述柵極絕緣層。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中: 所述柵極電極的所述第一層包括透明導(dǎo)體，以及 所述柵極電極的所述第二層包括低電阻導(dǎo)體。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中: 所述有機(jī)發(fā)光層未設(shè)置在所述像素限定層上。
7.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中: 所述有機(jī)發(fā)光層未設(shè)置在所述像素限定層上。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括: 第一電容器電極和第二電容器電極，形成在所述基板上且彼此重疊，且第一絕緣層在所述第一電容器電極和所述第二電容器電極之間， 其中，所述有機(jī)發(fā)光層不與所述第一電容器電極和所述第二電容器電極重疊； 所述像素限定層與所述第一電容器電極和所述第二電容器電極重疊。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中所述晶體管包括: 半導(dǎo)體層； 設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層；以及 設(shè)置在所述柵極絕緣層上的柵極電極， 其中，所述第一電容器電極形成在與所述晶體管的所述半導(dǎo)體層相同的層上， 所述第二電容器電極形成在與所述晶體管的所述柵極電極相同的層上；且 所述第一絕緣層是所述柵極絕緣層。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，還包括: 與所述第一電容器電極和所述第二電容器電極重疊的第三電容器電極， 其中，所述第一電容器電極和所述第二電容器電極彼此重疊，且第一絕緣層在所述第一電容器電極和所述第二電容器電極之間，從而形成第一存儲電容器；且 所述第二電容器電極和所述第三電容器電極彼此重疊，且第二絕緣層在所述第二電容器電極和所述第三電容器電極之間，從而形成第二存儲電容器。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中: 所述有機(jī)發(fā)光層未設(shè)置在所述像素限定層上。
12.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中: 所述有機(jī)發(fā)光層未設(shè)置在所述像素限定層上。
【文檔編號】H01L51/50GK104241325SQ201410270366
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月17日
【發(fā)明者】樸正根, 安基完, 尹柱善 申請人:三星顯示有限公司