一種薄膜晶體管及其修復(fù)方法、goa電路及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其修復(fù)方法、GOA電路及顯示裝置，用以解決薄膜晶體管的源極與其他導(dǎo)電功能層短路后無法修補(bǔ)的問題，和/或薄膜晶體管的漏極與其他導(dǎo)電功能層短路后無法修補(bǔ)的問題。所述薄膜晶體管包括：呈梳狀的源極和呈梳狀的漏極，所述源極和漏極分別包括多個梳齒部和連接各梳齒部的梳柄部；還包括：位于所述源極和漏極的下方或上方與所述源極和漏極相絕緣的柵極；所述源極的梳齒部與漏極的梳齒部間隔排列；所述源極的梳柄部與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域；所述漏極的梳柄部與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域。
【專利說明】-種薄膜晶體管及其修復(fù)方法、GOA電路及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管及其修復(fù)方法、G0A電路及顯 示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】的開關(guān)元件對高畫質(zhì)顯示裝置起著重要的作用。例如開關(guān)元件薄 膜晶體管（Thin Film Transistor，TFT)的導(dǎo)電性能直接影響TFT的開啟程度，影響液晶分 子的偏轉(zhuǎn)程度，從而影響圖像的顯示畫面。
[0003] 目前主要是對TFT的充電電流提出更高的要求。一般地，通過增加 TFT溝道的寬 長比以增加 TFT的充電電流。例如尤其是針對制作在陣列基板上非顯示區(qū)域的柵極驅(qū)動電 路（G0A電路），對其電路中的TFT的充電電流要求更高，并且制作在陣列基板的非顯示區(qū)域 的中的TFT，其TFT的尺寸要求相比較在像素中的設(shè)計(jì)會低一些，因此，設(shè)計(jì)出了面積較大 充電電流較高的TFT。
[0004] 在TFT的制作過程中，不可避免地存在靜電擊穿（ESD)現(xiàn)象或灰塵掉落在TFT中 的某些電極結(jié)構(gòu)上。導(dǎo)致TFT內(nèi)部結(jié)構(gòu)短路，發(fā)生短路后的TFT-般會經(jīng)過維修恢復(fù)正常 功能，而在修復(fù)過程中，不可避免地會對TFT結(jié)構(gòu)造成影響或損壞，例如當(dāng)修復(fù)源極與柵極 之間的短路過程中，采用激光或其他切斷方式進(jìn)行修復(fù)時，容易導(dǎo)致柵極的結(jié)構(gòu)損壞。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)提供的TFT結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，無法通過維修使其正常工作，該異常的TFT無法 正常工作，因而會對顯示裝置的圖像顯示造成一定影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其修復(fù)方法、G0A電路及顯示裝置，用以解決 現(xiàn)有TFT在出現(xiàn)不良現(xiàn)象后無法維修正常的問題。
[0007] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管，包括：呈梳狀的源極和呈梳狀 的漏極，所述源極和漏極分別包括多個梳齒部和連接各梳齒部的梳柄部；
[0008] 還包括：位于所述源極和漏極的下方或上方與所述源極和漏極相絕緣的柵極；
[0009] 所述源極的梳齒部與漏極的梳齒部間隔排列；
[0010] 所述源極的梳柄部與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域；所述漏極的梳柄部 與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域。
[0011] 較佳地，所述源極的梳柄部和漏極的梳柄部為沿與所述梳齒部垂直的第一方向延 伸的帶狀結(jié)構(gòu)。
[0012] 較佳地，所述柵極為沿所述第一方向延伸的帶狀電極。
[0013] 較佳地，還包括位于所述源極和漏極下方沿所述第一方向延伸的呈帶狀的有源 層，所述有源層在垂直方向的投影位于所述柵極在垂直方向的投影內(nèi)。
[0014] 較佳地，所述呈帶狀的有源層的兩個側(cè)邊分別延伸至所述源極的梳齒部的末端和 漏極的梳齒部的末端。
[0015] 較佳地，所述有源層延的兩個側(cè)邊分別距離源極的梳柄部和距離漏極的梳柄部相 等。
[0016] 較佳地，所述間隔排列的源極的梳齒部和漏極的梳齒部平行設(shè)置，各相鄰兩個所 述梳齒部之間的距離相等。
[0017] 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種上述任一方式的薄膜晶體管的修復(fù)方法，當(dāng)所述薄膜晶 體管中的源極中的一個或多個梳齒部與柵極短路時，通過切割工藝至少將與柵極短路的源 極的梳齒部與所述源極的梳柄部斷開；所述切割工藝的切割區(qū)域位于所述梳柄部與所述梳 齒部的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域；和/或
[0018] 當(dāng)所述薄膜晶體管中的漏極中的一個或多個梳齒部與柵極短路時，通過切割工藝 至少將與柵極短路的漏極的梳齒部與所述漏極的梳柄部斷開；所述切割工藝的切割區(qū)域位 于所述漏極的梳柄部與所述漏極的梳齒部的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與所述柵極在垂直方向 的投影無交疊區(qū)域。
[0019] 較佳地，當(dāng)所述薄膜晶體管中的源極中的一個或多個梳齒部與柵極短路時，還包 括：通過切割工藝將所述與柵極短路的源極的梳齒部相鄰的漏極的梳齒部與該漏極的梳柄 部斷開，所述切割工藝的切割區(qū)域位于所述梳柄部與所述梳齒部的連接區(qū)域，該連接區(qū)域 與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域；
[0020] 當(dāng)所述薄膜晶體管中的漏極中的一個或多個梳齒部與柵極短路時，還包括：通過 切割工藝將所述與柵極短路的漏極的梳齒部相鄰的源極的梳齒部與該源極的梳柄部斷開， 所述切割工藝的切割區(qū)域位于所述梳柄部與所述梳齒部的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與所述柵 極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域。
[0021] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種G0A電路，包括上述薄膜晶體管。
[0022] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述G0A電路。
[0023] 本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管，包括：呈梳狀結(jié)構(gòu)的源極和呈梳狀結(jié)構(gòu)的漏極， 所述源極和漏極分別包括多個梳齒部和連接各梳齒部的梳柄部；還包括：位于所述源極和 漏極的下方或上方與所述源極和漏極相絕緣的柵極；所述源極的梳齒部與漏極的梳齒部間 隔排列；所述源極的梳柄部和漏極的梳柄部與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域。由 于所述源極的梳柄部和漏極的梳柄部與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域，切斷與柵 極短路的梳齒部與其他梳齒部時，不會將柵極的結(jié)構(gòu)損壞，維修后的TFT仍然可以正常工 作，對顯示裝置的圖像顯示不會造成影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的俯視示意圖之一；
[0025] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的俯視示意圖之二；
[0026] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的僅包括柵極和有源層的TFT部分結(jié)構(gòu)俯視示意圖；
[0027] 圖4為僅包括有源層、源極和漏極的TFT部分結(jié)構(gòu)俯視示意圖；
[0028] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有短路不良的薄膜晶體管俯視示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其修復(fù)方法、G0A電路及顯示裝置，用以解決 現(xiàn)有TFT在出現(xiàn)不良現(xiàn)象后無法維修正常的問題。
[0030] 以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案詳細(xì)說明。
[0031] 參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管TFT的俯視示意圖，TFT至少包括：
[0032] 位于襯底基板上呈梳狀的源極2和呈梳狀的漏極3 ;
[0033] 源極2包括多個梳齒部21和連接各梳齒部21的梳柄部22 ;
[0034] 漏極3包括多個梳齒部31和連接各梳齒部31的梳柄部32 ;
[0035] 還包括：位于源極2和漏極3的下方或上方與源極2和漏極3相絕緣的柵極4 ;源 極2的梳齒部21與漏極3的梳齒部31間隔排列；源極2的梳柄部22與柵極4在垂直方向 的投影無交疊區(qū)域；漏極3的梳柄部32與柵極4在垂直方向的投影無交疊區(qū)域。
[0036] 需要說明的是，源極2的梳柄部22與柵極4在垂直方向的投影指在同一水平面內(nèi) 的投影。漏極3的梳柄部32與柵極4在垂直方向的投影指在同一水平面內(nèi)的投影。
[0037] 由于本發(fā)明所述源極和漏極為具有一定圖形結(jié)構(gòu)的膜層，所述垂直方向?yàn)榇怪庇?所述源極和漏極的方向，當(dāng)所述源極和漏極形成于襯底上時，所述垂直方向也可以理解為 垂直于襯底的方向，該襯底為表面平整的襯底。
[0038] 上述TFT的結(jié)構(gòu)類型不限，可以為底柵型或頂柵型。當(dāng)TFT為底柵型，則柵極位于 源極和漏極的下方，當(dāng)TFT為頂柵型，則柵極位于源極和漏極的上方。圖1所示的TFT結(jié)構(gòu) 為底柵型。
[0039] 上述源極的梳齒部和漏極的梳齒部間隔排列僅用于說明二者之間相互穿插排列， 并不限制源極的梳齒部和漏極的梳齒部之間的相對距離以及是否平行等特征。
[0040] 所述梳齒部一般地可以理解為條狀結(jié)構(gòu)。
[0041] 優(yōu)選地，所述間隔排列的源極的梳齒部和漏極的梳齒部平行設(shè)置，各相鄰兩個所 述梳齒部之間的距離相等，即任意一個源極的梳齒部和與其相鄰的漏極的梳齒部之間的距 離相等。
[0042] 本發(fā)明上述實(shí)施例提供的薄膜晶體管，源極2和漏極3呈梳狀結(jié)構(gòu)，源極2的梳齒 部21與漏極3的梳齒部31間隔排列，當(dāng)TFT通電時，相鄰的梳齒部21和梳齒部31之間形 成溝道，η個梳齒部21和η個梳齒部31之間形成的源極和漏極的溝道數(shù)為η+1，η為大于0 的正整數(shù)。相比較現(xiàn)有技術(shù)源極和漏極為直線型或源極為U型的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，溝道的寬度和 長度的比值增加，TFT的導(dǎo)電特性更高，TFT的充電電流較大。
[0043] 另外，源極2的梳柄部22和漏極3的梳柄部32與棚極4在垂直方向的投影無受置 區(qū)域，也就是說，源極2和漏極3的梳柄部22和梳柄部32在垂直方向（也可以理解為垂直 于柵極所在平面的方向）的投影位于柵極4在垂直方向的投影外。從工藝制作角度考慮， 源極2和漏極3的梳柄部22和梳柄部32與柵極4不交疊。當(dāng)TFT存在不良現(xiàn)象至少需要 將漏極3的某一梳齒部31與梳柄部32斷開時，在漏極3的梳柄部32與梳齒部31的連接 區(qū)域斷開，即將梳齒部31靠近梳柄部32的末端與梳柄部32斷開，梳齒部31靠近梳柄部32 的末端或梳柄部32靠近梳齒部31的一端與柵極4不交疊，切割的過程中不會對柵極造成 損傷。同理，當(dāng)TFT存在不良現(xiàn)象至少需要將源極2的某一梳齒部21與梳柄部22斷開時， 在源極2的梳柄部22與梳齒部21的連接區(qū)域斷開，即將梳齒部21靠近梳柄部22的末端 與梳柄部22斷開，梳齒部21靠近梳柄部22的末端或梳柄部22靠近梳齒部21的一端與柵 極4不交疊，切割的過程中不會對柵極造成損傷。
[0044] 由此可見，本發(fā)明上述實(shí)施例由于所述源極的梳柄部和漏極的梳柄部與所述柵極 在垂直方向的投影無交疊區(qū)域，切斷與柵極短路的梳齒部與其他梳齒部時，不會破壞柵極 的結(jié)構(gòu)，維修后的TFT仍然可以正常工作，對顯示裝置的圖像顯示不會造成影響。
[0045] 在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步地，參見圖1，源極2的梳柄部22和漏極3的梳柄 部32為沿與梳齒部21或梳齒部31垂直的第一方向延伸的帶狀結(jié)構(gòu)。即梳齒部21或梳齒 部31的延伸方向相同，梳柄部22和梳柄部32的延伸方向相同，且梳齒部21或梳齒部31 的延伸方向與梳柄部22和梳柄部32的延伸方向相垂直。
[0046] 每兩個相鄰的梳齒部21與梳柄部22之間構(gòu)成一個類似"U"型的結(jié)構(gòu)；每兩個相 鄰的梳齒部31與梳柄部32之間構(gòu)成一個類似"U"型的結(jié)構(gòu)。
[0047] 本發(fā)明實(shí)施方式中上述和下述所述的帶狀結(jié)構(gòu)為具有設(shè)定寬度沿某一方向延伸 的結(jié)構(gòu)，該帶狀結(jié)構(gòu)的厚度非常小，因此屬于面狀結(jié)構(gòu)。
[0048] 進(jìn)一步地，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，柵極4為沿第一方向延伸的帶狀電極，即柵極 4與梳柄部22和梳柄部32的延伸方向相同。由于柵極4與梳柄部22和梳柄部32無交疊， 又因?yàn)闁艠O4是一個面狀結(jié)構(gòu)，因此，柵極4的寬度不超過梳柄部22和梳柄部32之間的垂 直距離，一般地，柵極4的寬度略小于梳柄部22和梳柄部32之間的垂直距離，只要保證切 割梳齒部21或梳齒部31時不損傷柵極4的前提下，柵極4盡可能地靠近梳柄部22和梳柄 部32。
[0049] 參見圖2,上述薄膜晶體管TFT還包括：位于源極2和漏極3下方沿所述第一方向 延伸的呈帶狀的有源層5，有源層5在垂直方向的投影位于柵極4在垂直方向的投影內(nèi)。
[0050] 為了更清楚地說明圖2所示的有源層5的位置，參見圖3為僅包括柵極4和有源 層5的TFT部分結(jié)構(gòu)俯視示意圖，有源層5在垂直方向的投影位于柵極4在垂直方向的投 影內(nèi)。
[0051] 參見圖4,為僅包括有源層5、源極2和漏極3的TFT部分結(jié)構(gòu)俯視示意圖；呈帶狀 的有源層5延伸方向的兩個側(cè)邊分別延伸至源極2的梳齒部21遠(yuǎn)離梳柄部22的末端和漏 極3的梳齒部31遠(yuǎn)離梳柄部32的末端，梳齒部21和梳齒部31的長度略大于呈帶狀的有 源層5的寬度W。梳齒部21和梳齒部31與有源層5的交疊面積達(dá)到最大，溝道的寬度達(dá)到 最大，當(dāng)溝道的長度（即相鄰兩個梳齒部21和梳齒部31之間的垂直距離）一定時，溝道的 寬和長的比值達(dá)到最大，相比較現(xiàn)有技術(shù)提供的薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶 體管的充電速度進(jìn)一步提高。
[0052] 參見圖5,為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有短路不良的薄膜晶體管俯視示意圖，圖5中 的黑點(diǎn)和五角星表示源極2和柵極4之間存在短路的位置。黑點(diǎn)代表塵埃顆粒（Partical) 造成的源極2和柵極4之間短路，五角星表示靜電擊穿（ESD)造成的源極2和柵極4之間 短路。本申請中所述的短路現(xiàn)象，不限于上述因塵埃顆粒導(dǎo)致和由靜電擊穿導(dǎo)致兩種情況， 還可以是其他的任何原因引起的短路現(xiàn)象。
[0053] 如圖5中，示出了切斷了發(fā)生短路的源極2中的梳齒部21最鄰近的兩個梳齒部 31。
[0054] 很顯然，切割區(qū)域與柵極4不交疊，切割梳齒部21對柵極4不造成任何影響，對有 源層5也不造成任何影響。不會破壞柵極的結(jié)構(gòu)，維修后的TFT仍然可以正常工作，對顯示 裝置的圖像顯示不會造成影響。
[0055] 較佳地，本發(fā)明上述實(shí)施例中，源極2中的各梳齒部21的長度相等，漏極3中的各 梳齒部31的長度相等。
[0056] 進(jìn)一步地，源極2中的各梳齒部21的長度與漏極3中的各梳齒部31的長度相等。
[0057] 較佳地，本發(fā)明上述實(shí)施例中，有源層5延伸方向的兩個側(cè)邊分別距離源極的梳 柄部22和漏極的梳柄部32的距離相等。
[0058] 本發(fā)明上述實(shí)施例提供的薄膜晶體管TFT適用于任何要求較大充電電流的TFT， 所述TFT相比較常規(guī)一個溝道的TFT，其面積較大，因此，優(yōu)選適用于非顯示區(qū)域的外圍區(qū) 域的電路中，例如更優(yōu)選地適用于G0A電路中。設(shè)置有本發(fā)明所述TFT的G0A電路，柵極掃 描信號的傳輸速度會更快，有利于提高顯示裝置的響應(yīng)速度。
[0059] 本發(fā)明維修圖5所示的薄膜晶體管時，至少需要將發(fā)生短路的源極2中的梳齒部 21靠近梳柄部22的一端與梳柄部22斷開，如圖5中梳齒部21靠近梳柄部22的一端的橫 線"一"表示梳齒部21的切割區(qū)域。切割區(qū)域如圖5中閉合的虛線圍設(shè)的區(qū)域。為了防止 源極2中的梳齒部21切斷后，與該梳齒部21相鄰的漏極的梳齒部31與柵線導(dǎo)通，可以將 該梳齒部21相鄰的漏極的梳齒部31切斷，比如切斷梳齒部21最鄰近的兩個梳齒部31，或 者還可以切斷次鄰近的兩個梳齒部31，具體實(shí)施過程中，是否切斷梳齒部31以及切斷的個 數(shù)視需求而定，這里不做限制。
[0060] 以下具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的所述薄膜晶體管的修復(fù)方法，結(jié)合圖5,當(dāng)薄膜 晶體管中的源極2中的一個或多個梳齒部21與柵極4短路時，通過切割工藝至少將與柵極 4短路的源極2的梳齒部21與源極2的梳柄部22斷開；切割工藝的切割區(qū)域位于梳柄部 22與梳齒部21的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與柵極4在垂直方向的投影無交疊區(qū)域；和/或
[0061] 當(dāng)所述薄膜晶體管中的漏極3中的一個或多個梳齒部31與柵極4短路時，通過切 割工藝至少將與柵極4短路的漏極3的梳齒部31與漏極3的梳柄部32斷開；所述切割工 藝的切割區(qū)域位于漏極3的梳柄部32與漏極3的梳齒部31的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與柵 極4在垂直方向的投影無交疊區(qū)域。
[0062] 進(jìn)一步地，參見圖5,當(dāng)所述薄膜晶體管中的源極2中的一個或多個梳齒部21與柵 極4短路時，還包括：通過切割工藝將所述與柵極4短路的源極2的梳齒部21相鄰的漏極 3的梳齒部31與該漏極3的梳柄部32斷開，所述切割工藝的切割區(qū)域位于所述梳柄部32 與所述梳齒部31的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與所述柵極4在垂直方向的投影無交疊區(qū)域；
[0063] 當(dāng)所述薄膜晶體管中的漏極3中的一個或多個梳齒部31與柵極4短路時，還包 括：通過切割工藝將與柵極4短路的漏極3的梳齒部31相鄰的源極2的梳齒部21與該源 極2的梳柄部22斷開，所述切割工藝的切割區(qū)域位于梳柄部22與梳齒部21的連接區(qū)域， 該連接區(qū)域與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域。
[0064] 本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管，具有如下有益效果：
[0065] 其面積較大充電電流較高的TFT，源極和/或漏極的局部結(jié)構(gòu)與其他功能膜層之 間短路后便于維修。
[0066] 因此，其適用領(lǐng)域不限，例如可以應(yīng)用于顯示領(lǐng)域或其他半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體適用于 液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】或有機(jī)發(fā)光顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，例如可以適用于G0A電路。也就是 說，本發(fā)明所述TFT適用于G0A電路只作為例舉，本申請實(shí)施方式中所提供的TFT還可應(yīng)用 于其他類型的存在所述技術(shù)問題的電路或器件中。
[0067] 優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種GOA電路，包括本發(fā)明上述任一實(shí)施方式提供 的薄膜晶體管。
[0068] 優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明上述任一實(shí)施方式提供的 薄膜晶體管或者包括所述G0A電路。
[0069] 所述顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、液晶筆記本、有機(jī)發(fā)光顯示器件、柔 性顯示器件等電子產(chǎn)品。
[0070] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：呈梳狀的源極和呈梳狀的漏極，所述源極和漏 極分別包括多個梳齒部和連接各梳齒部的梳柄部； 還包括：位于所述源極和漏極的下方或上方與所述源極和漏極相絕緣的柵極； 所述源極的梳齒部與漏極的梳齒部間隔排列； 所述源極的梳柄部與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域；所述漏極的梳柄部與所 述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的梳柄部和漏極的梳柄 部為沿與所述梳齒部垂直的第一方向延伸的帶狀結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極為沿所述第一方向延伸 的帶狀電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括位于所述源極和漏極下方 沿所述第一方向延伸的呈帶狀的有源層，所述有源層在垂直方向的投影位于所述柵極在垂 直方向的投影內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述呈帶狀的有源層的兩個側(cè)邊 分別延伸至所述源極的梳齒部的末端和漏極的梳齒部的末端。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層延的兩個側(cè)邊分別距 離源極的梳柄部和距離漏極的梳柄部相等。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述間隔排列的源極的梳齒部和 漏極的梳齒部平行設(shè)置，各相鄰兩個所述梳齒部之間的距離相等。
8. -種權(quán)利要求1-7任一所述的薄膜晶體管的修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述薄膜晶 體管中的源極中的一個或多個梳齒部與柵極短路時，通過切割工藝至少將與柵極短路的源 極的梳齒部與所述源極的梳柄部斷開；所述切割工藝的切割區(qū)域位于所述梳柄部與所述梳 齒部的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域；和/或 當(dāng)所述薄膜晶體管中的漏極中的一個或多個梳齒部與柵極短路時，通過切割工藝至少 將與柵極短路的漏極的梳齒部與所述漏極的梳柄部斷開；所述切割工藝的切割區(qū)域位于所 述漏極的梳柄部與所述漏極的梳齒部的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與所述柵極在垂直方向的投 影無交疊區(qū)域。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的修復(fù)方法，其特征在于，當(dāng)所述薄膜晶體管中的源極中的一 個或多個梳齒部與柵極短路時，還包括：通過切割工藝將所述與柵極短路的源極的梳齒部 相鄰的漏極的梳齒部與該漏極的梳柄部斷開，所述切割工藝的切割區(qū)域位于所述梳柄部與 所述梳齒部的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與所述柵極在垂直方向的投影無交疊區(qū)域； 當(dāng)所述薄膜晶體管中的漏極中的一個或多個梳齒部與柵極短路時，還包括：通過切割 工藝將所述與柵極短路的漏極的梳齒部相鄰的源極的梳齒部與該源極的梳柄部斷開，所述 切割工藝的切割區(qū)域位于所述梳柄部與所述梳齒部的連接區(qū)域，該連接區(qū)域與所述柵極在 垂直方向的投影無交疊區(qū)域。
10. -種GOA電路，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一所述的薄膜晶體管。
11. 一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求10所述的GOA電路。
【文檔編號】H01L29/786GK104091830SQ201410280893
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月20日
【發(fā)明者】毛國琪, 陳曦, 蘇盛宇, 周冉一 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司