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      一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法

      文檔序號:7052061閱讀:213來源:國知局
      一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法,涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】,本發(fā)明通過在所述基板的第一面上設(shè)置所述芯片,其中所述芯片距離所述基板具有第一距離;限高塊,所述限高塊設(shè)置于所述基板的第一面上,其中所述限高塊距離基板具有第二距離,其中,所述第一距離小于第二距離;所述塑封結(jié)構(gòu)中填充的樹脂的高度與限高塊相同。本發(fā)明通過使用不同高度的限高塊即可制作不同封裝高度的封裝結(jié)構(gòu),具有無須制造不同的高精度模具,成本低的技術(shù)效果。
      【專利說明】一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法。

      【背景技術(shù)】
      [0002]在半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】中,常用的倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及方法通常是將芯片倒裝焊接在基板上,然后進行涂膠填充,然后在通過模具進行塑封,進而將整個芯片上方用樹脂包封后,在基板的背面進行凸點制造,即可完成整個封裝過程。
      [0003]但是,本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過研究發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中存在如下不足:
      [0004]這種塑封結(jié)構(gòu)和方法雖然簡單且易于量產(chǎn),但是需要制作高精度的模具,且對于不同封裝高度,需要制造不同的模具,由于模具制作成本高昂,導(dǎo)致這個制作成本高昂。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明實施例提供一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)和制造方法中需要制作高精度模具,且需要根據(jù)不同的封裝高度制造不同模具的技術(shù)問題,具有無須制造不同高度模具、制造成本低的技術(shù)效果。
      [0006]本申請通過本申請的一實施例提供如下技術(shù)方案:
      [0007]—種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)包括:芯片;基板,所述基板的第一面上設(shè)置所述芯片,其中所述芯片距離所述基板具有第一距離;限高塊,所述限高塊設(shè)置于所述基板的第一面上,其中所述限高塊距離基板具有第二距離,其中,所述第一距離小于第二距離;所述塑封結(jié)構(gòu)中填充的樹脂的高度與限高塊相同。
      [0008]進一步的,所述結(jié)構(gòu)還包括:凸點,所述凸點設(shè)置于所述基板的第二面,且所述第一面和第二面為相反的面。
      [0009]進一步的,所述結(jié)構(gòu)還包括:底涂材料,所述底涂材料設(shè)置于所述基板與所述芯片之間。
      [0010]進一步的,所述塑封板為聚四氟乙烯板,或者表面涂有聚四氟乙烯的金屬板。
      [0011]進一步的,所述塑封樹脂為底涂材料或者為同時能夠完成底涂和塑封的MUF樹脂。
      [0012]本申請通過本申請的一實施例還提供另一技術(shù)方案:
      [0013]一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)的制造方法,所述方法包括:將所述芯片倒裝焊接到所述基板的第一面;在所述芯片的凸點處填充底涂材料;在所述基板的第一面貼所述限高塊;在所述基板的第一面上填充樹脂,將塑封板壓在樹脂的表面,并排掉樹脂中的氣泡,固化;去除所述塑封板。
      [0014]進一步的,所述方法還包括:采用流動性好的液體樹脂在低溫填充的方式填充樹月旨,然后固化。
      [0015]進一步的,在所述基板的第一面貼所述限高塊之后,還包括:采用高溫下流動性好的樹脂進行樹脂的填充灌封,然后固化。
      [0016]進一步的,所述方法還包括:所述芯片和所述限高塊通過貼片的方式粘貼在所述基板的第一面。
      [0017]進一步的,所述方法還包括:在所述基板的第二面植球。
      [0018]本發(fā)明實施例的有益效果如下:
      [0019]本發(fā)明一實施例提供的一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法,通過在所述基板的第一面上設(shè)置所述芯片,其中所述芯片距離所述基板具有第一距離;限高塊,所述限高塊設(shè)置于所述基板的第一面上,其中所述限高塊距離基板具有第二距離,其中,所述第一距離小于第二距離;形成的封裝結(jié)構(gòu)中填充樹脂的高度與限高塊相同。本發(fā)明通過使用不同高度的限高塊即可制作不同封裝高度的封裝結(jié)構(gòu),具有無須制造不同的高精度模具,成本低的技術(shù)效果。
      [0020]進一步的,通過不同限高塊的使用,具有適用小批量生產(chǎn),也適用大規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)效果。
      [0021]進一步的,限高塊直接貼在所述基板上,具有無需額外的制作工藝和設(shè)備,工藝簡單的技術(shù)效果。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0022]圖1為本發(fā)明一實施例中提供的一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0023]圖2為本發(fā)明一實施例中提供的一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖;
      [0024]圖3-8為本發(fā)明一實施例中提供的一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。

      【具體實施方式】
      [0025]本發(fā)明一實施例提供的一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法,通過在所述基板的第一面上設(shè)置所述芯片,其中所述芯片距離所述基板具有第一距離;限高塊,所述限高塊設(shè)置于所述基板的第一面上,其中所述限高塊距離基板具有第二距離,其中,所述第一距離小于第二距離;形成的封裝結(jié)構(gòu)中填充樹脂的高度與限高塊相同。本發(fā)明通過使用不同高度的限高塊即可制作不同封裝高度的封裝結(jié)構(gòu),具有無須制造不同的高精度模具,成本低的技術(shù)效果。
      [0026]為使本申請一實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒旧暾堉械膶嵤├?,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
      [0027]【實施例一】
      [0028]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更詳細了解本發(fā)明,以下結(jié)合附圖對本發(fā)明進行詳細描述。
      [0029]如圖1所述,圖1為本發(fā)明一實施例中一種帶有散熱結(jié)構(gòu)的倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu),其中,所述結(jié)構(gòu)包括:
      [0030]芯片I ;
      [0031]基板2,所述基板2的第一面21上設(shè)置有所述芯片1,其中所述芯片I距離所述基板具有第一距離a ;
      [0032]限高塊3,所述限高塊3設(shè)置于所述基板2的第一面21上,其中所述限高塊3距離基板2具有第二距離b,其中,所述第一距離a小于第二距離b ;
      [0033]形成的塑封結(jié)構(gòu)中填充的樹脂4的高度與限高塊3相同。
      [0034]進一步的,所述結(jié)構(gòu)還包括:
      [0035]凸點5,所述凸點5設(shè)置于所述基板2的第二面22,且所述第一面21和第二面22為相反的面。
      [0036]進一步的,所述結(jié)構(gòu)還包括:
      [0037]底涂材料6,所述底涂材料6設(shè)置于所述基板2與所述芯片I之間。具體來說,對于本申請來說,底涂材料6可以選用設(shè)置于所述基板2和所述芯片I之間,也可以選用不設(shè)置的方式。
      [0038]進一步的,限高塊3可以采用不同的高度,通過限高塊3不同高度的設(shè)計,可以限制最后樹脂填充的高度,進而實現(xiàn)塑封結(jié)構(gòu)不同的封裝高度,進而達到無需制作不同高度的高精度模具,達到節(jié)省成本,同時也滿足小批量樣品的制作,也滿足大批量樣品的制造。進一步的,限高塊3可以是金屬、塑料、硅等物質(zhì)。進一步的,限高塊3可以是圓形、方形等結(jié)構(gòu)。進一步的,限高塊3可以通過粘貼,也可以通過鍵合到基板上。
      [0039]【實施例二】
      [0040]如圖2-8所示,本發(fā)明實施例還提供一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)的制造方法,所述方法包括:
      [0041]步驟110:將所述芯片I倒裝焊接到所述基板2的第一面21 ;
      [0042]步驟120:在所述芯片I的凸點處填充底涂材料6 ;
      [0043]步驟130:在所述基板2的第一面21貼所述限高塊3 ;
      [0044]步驟140:在基板2的第一面21上填充樹脂4,將所述塑封板8壓在樹脂4的表面,并排掉樹脂中的氣泡,固化;
      [0045]步驟150:去除所述塑封板8。
      [0046]進一步的,所述方法還包括:采用流動性好的液體樹脂在低溫填充的方式填充樹月旨,然后固化。
      [0047]其中,該方法采用低溫填充的方式,其樹脂采用流動性好的液體樹脂,比如底填膠underfill,然后固化。
      [0048]進一步的,填充樹脂還可以采用高溫填充的方式,比如在步驟130中的高溫環(huán)境下進行,此時樹脂采用高溫下流動性好的樹脂進行樹脂的填充灌封,然后固化。
      [0049]進一步的,所述方法還包括:
      [0050]所述芯片I和所述限高塊3通過貼片的方式粘貼在所述基板2的第一面21。
      [0051]進一步的,所述方法還包括:
      [0052]步驟160:在所述基板2的第二面22植球,形成凸點6。
      [0053]進一步的,所述塑封板7為聚四氟乙烯板,或者表面涂有聚四氟乙烯的金屬板。
      [0054]進一步的,所述樹脂4為底涂材料或者為同時能夠完成底涂和塑封的MUF樹脂。
      [0055]本發(fā)明所提供的一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法具有如下技術(shù)效果:
      [0056]本發(fā)明一實施例提供的一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)及制造方法,通過在所述基板的第一面上設(shè)置所述芯片,其中所述芯片距離所述基板具有第一距離;限高塊,所述限高塊設(shè)置于所述基板的第一面上,其中所述限高塊距離基板具有第二距離,其中,所述第一距離小于第二距離;形成的封裝結(jié)構(gòu)中填充樹脂的高度與限高塊相同。本發(fā)明通過使用不同高度的限高塊即可制作不同封裝高度的封裝結(jié)構(gòu),具有無須制造不同的高精度模具,成本低的技術(shù)效果。
      [0057]進一步的,通過不同限高塊的使用,具有適用小批量生產(chǎn),也適用大規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)效果。
      [0058]進一步的,限高塊直接貼在所述基板上,具有無需額外的制作工藝和設(shè)備,工藝簡單的技術(shù)效果。
      [0059]顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu),其特征在于,所述結(jié)構(gòu)包括:
      -H-* I I 心片; 基板,所述基板的第一面上設(shè)置所述芯片,其中所述芯片距離所述基板具有第一距離; 限高塊,所述限高塊設(shè)置于所述基板的第一面上,其中所述限高塊距離基板具有第二距離,其中,所述第一距離小于第二距離; 所述塑封結(jié)構(gòu)中填充的樹脂的高度與限高塊相同。
      2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述結(jié)構(gòu)還包括: 凸點,所述凸點設(shè)置于所述基板的第二面,且所述第一面和第二面為相反的面。
      3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述結(jié)構(gòu)還包括: 底涂材料,所述底涂材料設(shè)置于所述基板與所述芯片之間。
      4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述塑封板為聚四氟乙烯板,或者表面涂有聚四氟乙烯的金屬板。
      5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其特征在于,所述塑封樹脂為底涂材料或者為同時能夠完成底涂和塑封的MUF樹脂。
      6.一種倒裝芯片塑封結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述方法包括: 將所述芯片倒裝焊接到所述基板的第一面; 在所述芯片的凸點處填充底涂材料; 在所述基板的第一面貼所述限高塊; 在所述基板的第一面上填充樹脂,將塑封板壓在樹脂的表面,并排掉樹脂中的氣泡,固化; 去除所述塑封板。
      7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法還包括: 采用流動性好的液體樹脂在低溫填充的方式填充樹脂,然后固化。
      8.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,在所述基板的第一面貼所述限高塊之后,還包括: 采用高溫下流動性好的樹脂進行樹脂的填充灌封,然后固化。
      9.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法還包括: 所述芯片和所述限高塊通過貼片的方式粘貼在所述基板的第一面。
      10.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法還包括: 在所述基板的第二面植球,形成凸點。
      【文檔編號】H01L33/00GK104241499SQ201410292980
      【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
      【發(fā)明者】于中堯, 郭學(xué)平 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所, 華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
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