光電探測(cè)元件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可接收800~900nm波長(zhǎng)，且含有可實(shí)現(xiàn)小型化及批量生產(chǎn)的帶通過濾層的光電探測(cè)元件及其制作方法，其特征為包括由第1傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料組成的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、與上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成pn結(jié)并由與第1傳導(dǎo)類型相反的第2傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料形成的第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及為反射小于800nm大于900nm的波長(zhǎng)在上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層沉積Ti02/Si02介質(zhì)膜而形成的帶通過濾層。
【專利說明】光電探測(cè)元件及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及可接收特定范圍的波長(zhǎng)，且含有可實(shí)現(xiàn)小型化及批量生產(chǎn)的帶通過濾 層的光電探測(cè)元件及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 光電探測(cè)元件是指可檢測(cè)到光信號(hào)后將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的元件。這種光電探測(cè)元 件一般具有光電轉(zhuǎn)換層結(jié)構(gòu)，可在兩個(gè)電極之間將光能轉(zhuǎn)換為電能。
[0003] 上述光電探測(cè)元件廣泛應(yīng)用于車用傳感器、家庭用傳感器、各種數(shù)碼相機(jī)中使用 的圖像傳感器（image sensor)和太陽能電池 （Photovoltaic cell)等領(lǐng)域。另外，近年來 正在開發(fā)對(duì)入射光波長(zhǎng)具有優(yōu)秀的選擇性受光能力且擁有更高的光電流對(duì)暗電流比例的 光電探測(cè)元件。
[0004] 另一方面，為了利用光電探測(cè)元件探測(cè)特定波長(zhǎng)，采用了將帶通過濾層膜涂敷在 作為window使用的基片上的方法，使package中相當(dāng)于window部分的glass、Qurartz 或有機(jī)玻璃基板只探測(cè)到特定波長(zhǎng)，但這樣會(huì)難以實(shí)現(xiàn)package的小型化且不利于批量生 產(chǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是解決上述問題，提供可接收特定范圍的波長(zhǎng)且含有可實(shí)現(xiàn)小型化 及批量生產(chǎn)的帶通過濾層的光電探測(cè)元件及其制作方法。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種光電探測(cè)元件，包括以下部分并以其為特點(diǎn)： 由第1傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料形成的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
[0007] 與上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成pn結(jié)，由與上述第1傳導(dǎo)類型相反的第2傳導(dǎo) 類型的半導(dǎo)體材料形成的第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
[0008] 為反射除特定范圍波長(zhǎng)以外的波長(zhǎng)，在上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上沉積Ti02/ Si02介質(zhì)膜形成的帶通過濾層。
[0009] 另外，在上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與上述帶通過濾層之間最好具備可防止特定范 圍波長(zhǎng)被反射的抗反射層，上述抗反射層可由SiN或Si02形成。
[0010] 并且，本發(fā)明提供一種光電探測(cè)元件的制作方法，包含以下階段并以其為特點(diǎn)： 由第1傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料形成的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，在上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層將由與第1傳導(dǎo)類型相反的第2傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料形成的第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形 成pn結(jié)的階段。
[0011] 為反射除特定范圍波長(zhǎng)以外的波長(zhǎng)，在上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層沉積Ti02/Si02 介質(zhì)膜形成帶通過濾層的階段。
[0012] 另外，最好具備在上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與上述帶通過濾層之間形成可防止特 定范圍波長(zhǎng)被反射的抗反射層的階段，上述抗反射層建議由SiN或Si02形成。
[0013] 發(fā)明效果 本發(fā)明的光電探測(cè)元件對(duì)特定范圍波長(zhǎng)具有非常高的光譜靈敏度，而對(duì)其他的光譜靈 敏度為0. 1 A/W以下，不僅可探測(cè)特定范圍的波長(zhǎng)帶，且因帶通過濾層在第2導(dǎo)電型半導(dǎo) 體層或抗反射層沉積而成，具有可實(shí)現(xiàn)小型化及批量生產(chǎn)的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中光電探測(cè)元件的簡(jiǎn)略示意圖。
[0015] 圖2為具有pin結(jié)結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)元件的簡(jiǎn)略示意圖。
[0016] 圖3為具有抗反射層的光電探測(cè)元件的示意圖。
[0017] 圖4為在n+傳導(dǎo)類型的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上形成η-傳導(dǎo)類型的本征半導(dǎo)體 層的狀態(tài)示意圖。
[0018] 圖5為在第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成氧化層的狀態(tài)示意圖。
[0019] 圖6為在本征半導(dǎo)體層的局部形成的第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的狀態(tài)示意圖。
[0020] 圖7為形成環(huán)形溝道截?cái)喹h(huán)的狀態(tài)示意圖。
[0021] 圖8為形成抗反射層的狀態(tài)示意圖。
[0022] 圖9為抗反射層的局部被蝕刻的狀態(tài)示意圖。
[0023] 圖10為在抗反射層中被局部去掉的部分形成金屬電極的狀態(tài)示意圖。
[0024] 圖11為形成帶通過濾層的狀態(tài)示意圖。
[0025] 圖12為帶通過濾層的局部被去掉的狀態(tài)示意圖。
[0026] 圖13為在η++傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層底面形成金屬電極的狀態(tài)示意圖。
[0027] 圖14為本發(fā)明的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度特性的曲線圖。
[0028] 圖15為由厚度為2137 nm的帶通過濾層形成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線 圖。
[0029] 圖16為由厚度為2811 nm的帶通過濾層形成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線 圖。
[0030] 圖17為由厚度為4302 A的帶通過濾層形成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線 圖。
[0031] 圖18為由厚度為4 um的帶通過濾層形成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線圖。
[0032] 上述圖中，110 :第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；120 :本征半導(dǎo)體層；130 :氧化層；140 :第 2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；150 :n++傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層；160 :溝道截?cái)喹h(huán)；170 :抗反射層；180 : 金屬電極；190 :帶通過濾層。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 下面將結(jié)合實(shí)施實(shí)例對(duì)本發(fā)明的光電探測(cè)元件及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)說明，而本 發(fā)明的權(quán)力范圍并不限于下述實(shí)施實(shí)例。
[0034] 圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中光電探測(cè)元件的簡(jiǎn)略示意圖，圖2為具有pin結(jié)結(jié)構(gòu) 的光電探測(cè)元件的簡(jiǎn)略示意圖，圖3為具有抗反射層的光電探測(cè)元件的示意圖。
[0035] 本發(fā)明的光電探測(cè)元件大致由如圖1所示的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（110)，第2導(dǎo) 電型半導(dǎo)體層（140)及帶通過濾層（190)形成。
[0036] 上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（110)與上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)可形成pn 結(jié)。
[0037] 上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（110)具有第1傳導(dǎo)類型，上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 (140)具有第2傳導(dǎo)類型。上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（110)與上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 (140)的組成只要能形成pn結(jié)即可，對(duì)其傳導(dǎo)類型并無特別限定。
[0038] 如可使上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（110)由n+傳導(dǎo)類型形成，上述第2導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層由P+傳導(dǎo)類型組成。
[0039] 進(jìn)而，為了提高應(yīng)答速度與轉(zhuǎn)換效率也可使上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（110)與上 述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)形成pin結(jié)(如圖2)。在上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（110) 與上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)之間設(shè)有具有η-型傳導(dǎo)度等的本征半導(dǎo)體層（120) (intrinsic layer) (120)〇
[0040] 上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)上具備通過沉積Ti02/Si02介質(zhì)膜而形成的帶通 過濾層（190)。上述帶通過濾層（190)是為了反射特定范圍波長(zhǎng)以外的波長(zhǎng)，在上述第2 導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)交替沉積Ti02與Si02介質(zhì)膜而形成。
[0041] 具體而言，如在汽車自動(dòng)光傳感器等情況下，上述特定范圍波長(zhǎng)則相當(dāng)于40(Γ700 1。為了在上述帶通過濾層（190)反射400?700 11111范圍以外的波長(zhǎng)，其厚度需為4302八。
[0042] 此外，用于R. G. Β彩色傳感器、BLU White balance adjustment、驗(yàn)鈔機(jī)等時(shí)，上 述特定范圍波長(zhǎng)可由550?780 nm、470 nnT625 nm、400 ηπΓ500 nm中的任一組成。如果要在 上述帶通過濾層（190)反射55(T780 nm范圍以外的波長(zhǎng)，其厚度最好為2978 nm;要反射 47(T625 nm以外的波長(zhǎng)，其厚度最好為2137 nm ;要反射40(T500 nm范圍以外的波長(zhǎng)，其厚 度最好為2811 nm。
[0043] 另外，上述特定范圍波長(zhǎng)也可由80(T900 nm組成，而要使上述帶通過濾層（190) 反射80(T900 nm范圍以外的波長(zhǎng)，其厚度最好為4 Mm。
[0044] 而且，如圖3上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)與上述帶通過濾層（190)之間最好 設(shè)有可防止上述特定范圍波長(zhǎng)被反射的抗反射層（170)。上述抗反射層（170)是為了防止 入射到上述帶通過濾層（190)的特定范圍波長(zhǎng)的光被反射，其可由SiN或Si02形成。
[0045] 另一方面，如上述抗反射層（170)由SiN層形成，而防止80(T900 nm范圍的波長(zhǎng) 被反射時(shí)，幾乎不會(huì)反射到si以垂直入射的光。在這里采用PECVD或LPCVD將 相對(duì)入射光波長(zhǎng)的1/4波長(zhǎng)層沉積形成SiN層厚度，95(Tl 150 Α較為理想，1050 Α為最佳 值。
[0046] 接下來將對(duì)本發(fā)明的光電探測(cè)元件的制作方法進(jìn)行說明。
[0047] 如上所述，本發(fā)明的光電探測(cè)元件由pn結(jié)形成階段、帶通過濾層形成階段等組 成。
[0048] 上述形成pn結(jié)階段是使第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成pn結(jié) 的階段。上述pn結(jié)包括pin結(jié)。對(duì)上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 的傳導(dǎo)類型并沒有特別限定，只要是能形成pn結(jié)或pin結(jié)即可。
[0049] 例如，上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層可由n+傳導(dǎo)類型形成，上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 可由P+傳導(dǎo)類型形成。這樣，在上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間 可形成具有η-傳導(dǎo)類型等的本征半導(dǎo)體層（intrinsic layer)。要在具有n+傳導(dǎo)類型的 上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上形成具有η-傳導(dǎo)類型的本征半導(dǎo)體層，可利用Epixaxial工 程，在η型高阻基片上擴(kuò)散n+等方法。
[0050] 下面結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】如何采用在η傳導(dǎo)類型高阻基片上擴(kuò)散n+的方法形成pin結(jié) 結(jié)構(gòu)。
[0051] 圖4為在n+傳導(dǎo)類型的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上形成η-傳導(dǎo)類型的本征半導(dǎo)體 層的狀態(tài)示意圖。
[0052] 首先在η-傳導(dǎo)類型的高阻基片上擴(kuò)散磷（phosphorus)等η+源，形成了如圖4 所示的η+傳導(dǎo)類型的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（110)。而η-傳導(dǎo)類型的高阻基片則相當(dāng)于本 征半導(dǎo)體層（120)。
[0053] 圖5為在第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成氧化層（130)的狀態(tài)示意圖。 然后在η-傳導(dǎo)類型的本征半導(dǎo)體層（120)上形成氧化層（130)。要僅在上述本征半 導(dǎo)體層（120)的活性區(qū)域形成ρη結(jié)，可在活性區(qū)域以外的部分形成Si02等氧化層（130) 防止P型源擴(kuò)散到此區(qū)域。此時(shí)，為了防止P型源擴(kuò)散到活性區(qū)域以外的部分，上述氧化層 (130)的厚度最好為6000 A以上。
[0054] 圖6為在本征半導(dǎo)體層的局部形成的第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的狀態(tài)示意圖。
[0055] 對(duì)要注入P型源的上述氧化層（130)的中間部分進(jìn)行蝕刻，向蝕刻部分注入并擴(kuò) 散P型源，如圖6所示在上述本征半導(dǎo)體層（120)的局部形成具有p+傳導(dǎo)類型的第2導(dǎo) 電型半導(dǎo)體層（140)。
[0056] 注入上述p型源可使用Implant注入硼、形成PBF (Poly Boron Film)薄膜層后進(jìn) 行熱處理等方法，但從便于調(diào)整結(jié)深的角度出發(fā)建議使用Implant方法。最好在擴(kuò)散溫度 為1000 ° C以上，結(jié)深為1. 5 μπι以下的條件進(jìn)行。且擴(kuò)散時(shí)氧化層（130)會(huì)成長(zhǎng)。
[0057] 圖7為形成環(huán)形溝道截?cái)喹h(huán)（160)的狀態(tài)示意圖。
[0058] -方面最好在上述本征半導(dǎo)體層（120)活性區(qū)域的側(cè)面形成η++傳導(dǎo)類型的環(huán) 形溝道截?cái)喹h(huán)（160)。首先對(duì)相應(yīng)上述本征半導(dǎo)體層（120)活性區(qū)域的側(cè)面進(jìn)行蝕刻，然 后將磷（phosphorus)等作為η++源注入并使其擴(kuò)算，從而形成η++傳導(dǎo)類型的環(huán)形溝道 截?cái)喹h(huán)（160)。且擴(kuò)散時(shí)氧化層（130)會(huì)成長(zhǎng)。另外，為最小化上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 (110)底面的歐姆（ohmic)阻抗，建議將磷（phosphorus)等作為η++源注入，形成高濃度 η++傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層（150)。
[0059] 圖8為形成抗反射層的狀態(tài)示意圖，圖9為抗反射層局部被蝕刻的狀態(tài)示意圖。
[0060] 并且在形成上述帶通過濾層（圖11的190)前，建議按照如圖8所示在Ρ+傳導(dǎo) 類型的上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)上形成抗反射層（170)。上述抗反射層（170)的目 的是防止反射通過上述帶通過濾層（190)入射的特定范圍波長(zhǎng)，從而提高應(yīng)答速度與轉(zhuǎn)換 效率。
[0061] 建議上述抗反射層（170)采用SiN層或Si02層。上述抗反射層（170)可通 過米用 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)或 LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)在第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)上沉積SiN層或Si02層而形 成。
[0062] 另一方面，為了形成ρη結(jié)電極，如圖9所示用濕法蝕刻等方法去除在上述第2導(dǎo) 電型半導(dǎo)體層（140)上形成的上述抗反射層（170)的一部分（172)。此時(shí)，為防止在晶 圓（wafer)狀態(tài)中進(jìn)行晶粒劃片時(shí)發(fā)生氧化破片（oxide chipping),同時(shí)去除上述氧化層 (130)的邊部（132)。
[0063] 圖10為在抗反射層中被局部去掉的部分形成金屬電極的狀態(tài)示意圖。
[0064] 如圖10在上述抗反射層（170)中被局部去掉的部分沉積金屬形成金屬電極 (180)。與此同時(shí)，要僅接收特定范圍的波長(zhǎng)，防止對(duì)其他波長(zhǎng)進(jìn)行反映，最好在上述溝道截 斷環(huán)（160)區(qū)域也以環(huán)（ring)型沉積金屬（185)。上述金屬可采用A1等。
[0065] 圖11為形成帶通過濾層的狀態(tài)示意圖，圖12為帶通過濾層的局部被去除的狀態(tài) 示意圖，圖13為在n++傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層底面形成金屬電極的狀態(tài)示意圖。
[0066] 接下來，上述帶通過濾層的形成階段是為了有效反射上述特定范圍波長(zhǎng)以外的波 長(zhǎng)，對(duì)上述特定范圍波長(zhǎng)進(jìn)行有效反應(yīng)，如圖11所示沉積Ti02/Si02介質(zhì)膜形成帶通過濾 層（190)的階段。
[0067] 如果沒有形成上述抗反射層（170)，則會(huì)在上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層（140)形成 上述帶通過濾層（190)，如果形成了上述抗反射層（170)則會(huì)在上述抗反射層（170)上形 成。
[0068] 沉積上述帶通過濾層（190)的方法包含進(jìn)行E-beam沉積后使用Ion beam提高密 度、進(jìn)行E-beam沉積后使用等離子體提高密度等方法。
[0069] 另外，如圖12所示去除上述帶通過濾層（190)中的上述金屬電極（180)上形成 的部分（192)。另外,去除上述帶通過濾層（190)中的環(huán)（ring)形金屬（185)上形成的部 分（195)。此時(shí)，可利用 ICP (Inductively coupled plasma)等去除。
[0070] 如圖13所示，在上述n++傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體層（150)底面形成金屬電極（200)。 可使用金屬Au等。
[0071] 另一方面，通過這樣的方法僅改變上述帶通過濾層的厚度就能夠以各種形態(tài)制作 光電探測(cè)元件，并可通過光譜靈敏度測(cè)量裝置測(cè)量光譜靈敏度。
[0072] 圖14為由厚度為2978 nm的帶通過濾層組成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線 圖，如圖14所示，可判定55(T780 nm波長(zhǎng)表現(xiàn)出高光譜靈敏度，而其他波長(zhǎng)表現(xiàn)出低光譜 靈敏度。
[0073] 圖15為由厚度為2137 nm的帶通過濾層形成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線 圖，如圖15所示，可判定47(T625 nm波長(zhǎng)表現(xiàn)出高光譜靈敏度，而其他波長(zhǎng)表現(xiàn)出低光譜 靈敏度。
[0074] 圖16為由厚度為2811 nm的帶通過濾層形成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線 圖，如圖16所示，可判定40(T500 nm波長(zhǎng)表現(xiàn)出高光譜靈敏度，而其他波長(zhǎng)表現(xiàn)出低光譜 靈敏度。
[0075] 圖17為由厚度為4302 A的帶通過濾層形成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線 圖，如圖17所示，可判定40(T700 nm波長(zhǎng)表現(xiàn)出高光譜靈敏度，而其他波長(zhǎng)表現(xiàn)出低光譜 靈敏度。
[0076] 圖18為由厚度為4 um的帶通過濾層形成的光電探測(cè)元件的光譜靈敏度曲線圖， 如圖18所示，可判定80(T900 nm波長(zhǎng)表現(xiàn)出高光譜靈敏度，而其他波長(zhǎng)表現(xiàn)出低光譜靈 敏度。
【權(quán)利要求】
1. 一種光電探測(cè)元件，其特征在于包括由第1傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料形成的第1導(dǎo)電 型半導(dǎo)體層， 與上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成pn結(jié)，由與上述第1傳導(dǎo)類型相反的第2傳導(dǎo)類型 的半導(dǎo)體材料形成的第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層， 為反射除特定范圍波長(zhǎng)以外的波長(zhǎng)，在上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上沉積Ti02/Si02介 質(zhì)膜形成的帶通過濾層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與上述 帶通過濾層之間具備防止特定范圍波長(zhǎng)被反射的抗反射層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2項(xiàng)所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述抗反射層由SiN或Si02 形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為55(Γ780 nm，上述帶通過濾層厚度為2978 nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為47(Γ625 nm，上述帶通過濾層厚度為2137 nm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為40(Γ500 nm，上述帶通過濾層厚度為2811 nm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為40(Γ700 nm，上述帶通過濾層厚度為4302 A。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為80(Γ900 nm，上述帶通過濾層厚度為4 Mm。
9. 一種光電探測(cè)元件的制作方法，其特征為在于包括由第1傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料形 成的第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與在上述第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與由與第1傳導(dǎo)類型相反的第2 傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料形成的第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層形成pn結(jié)的階段，為反射除特定范圍 波長(zhǎng)以外的波長(zhǎng)，在上述第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上沉積Ti02/Si02介質(zhì)膜形成的帶通過濾層 的階段。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電探測(cè)元件的制作方法，其特征在于具備：在上述第2 導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與上述帶通過濾層之間形成防止特定范圍波長(zhǎng)被反射的抗反射層的階段。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的光電探測(cè)元件的制作方法，其特征在于上述抗反射層由 SiN或Si02形成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為55(Γ780 nm，上述帶通過濾層厚度為2978 nm。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為47(Γ625 nm，上述帶通過濾層厚度為2137 nm。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為40(Γ500 nm，上述帶通過濾層厚度為2811 nm。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為40(Γ700 nm，上述帶通過濾層厚度為4302 A。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電探測(cè)元件，其特征在于上述特定范圍波長(zhǎng)為80(Γ900 nm，上述帶通過濾層厚度為4 Mm。
【文檔編號(hào)】H01L31/0216GK104051554SQ201410295138
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月10日
【發(fā)明者】高成旻, 姜庚岷, 趙世珍, 崔峰敏 申請(qǐng)人:傲迪特半導(dǎo)體(南京)有限公司