具有減小耦合的引線接合壁的半導體封裝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及具有減小耦合的引線接合壁的半導體封裝。呈現(xiàn)了包括了引線接合壁(50)以減小耦合的封裝(20)的系統(tǒng)及方法。所述封裝包括襯底(74)、在所述襯底上的第一電路(22)。所述第一電路包括第一電氣器件(100，102，104)、第二電氣器件(100，102，104)以及互連了所述第一電氣器件和所述第二電氣器件的第一引線接合陣列(112)。所述封裝包括在所述襯底上與所述第一電路相鄰的第二電路(24)，所述第二電路包括互聯(lián)了所述第三電氣器件(106，108，110)和所述第四電氣器件(106，108，110)的第二引線接合陣列(114)。所述封裝包括包括了在所述第一電路和所述第二電路之間的所述襯底上的多個引線接合(122)的引線接合壁。所述引線接合壁被配置成在所述第一電路和第二電路中的至少一個的操作期間減小所述第一電路和所述第二電路之間的電磁耦合。
【專利說明】具有減小耦合的弓I線接合壁的半導體封裝

【技術領域】
[0001]本公開通常涉及器件封裝，更具體地說，涉及包含了減小相鄰器件之間的耦合的引線接合壁的器件封裝。

【背景技術】
[0002]無線通信系統(tǒng)通常采用功率放大器以用于增大信號的功率。在無線通信系統(tǒng)中，功率放大器通常是傳輸鏈(輸出級)中的最后放大器。高增益、高線性、穩(wěn)定性和高水平功率附加效率(即，在輸出功率和輸入功率至DC電源之間的差的比)是理想放大器的特性。
[0003]通常，當功率放大器傳輸峰值輸出功率的時候，功率放大器以最大功率效率操作。然而，由于輸出功率減小，功率效率趨于惡化。近日，由于架構的高功率附加效率，Doherty功率放大器架構已經(jīng)不僅是基站而且是移動端子的關注焦點。
[0004]Doherty功率放大器通常包括兩個或多個放大器，諸如載波放大器和峰值放大器。這些放大器與通過偏移傳輸線連接的它們的輸出并聯(lián)連接，其中該偏移傳輸線執(zhí)行了阻抗轉換。由于載波放大器飽和，峰值放大器傳送電流，從而減小了在載波放大器的輸出處可見的阻抗。因此，由于“負載牽引”的效果，當載波放大器飽和的時候，載波放大器給負載傳送更多的電流。由于載波放大器保持接近飽和，所以Doherty功率放大器能夠傳輸峰值輸出功率，使得系統(tǒng)的總效率仍然保持相對高。
[0005]Doherty架構的高效率使得該架構可期望用于當前和下一代無線系統(tǒng)。然而，架構在半導體封裝設計方面呈現(xiàn)出挑戰(zhàn)。當前的Doherty功率放大器半導體封裝設計要求使用離散器件和集成電路，其可能涉及包括了載波放大器的一個器件和包括了峰值放大器的獨立器件。這些離散器件與封裝保持距離以便限制在載波和峰值放大器之間發(fā)生的串擾問題。
[0006]半導體封裝架構中串擾的一個來源是在信號線的陣列之間，被稱為引線接合陣列，其可被連接在構成載波和峰值放大器中的每個的各種電氣器件之間。即，Doherty功率放大器的性能可以受到Doherty功率放大器的相應的組件的相鄰引線接合陣列之間的耦合(即，能量通過共享的磁場或電場從一個電路組件轉移到另一個)的不利影響。耦合可以是兩種類型，電氣(通常被稱為電容性耦合)和磁性(與電感性耦合同義地使用)。當變化的磁場存在于彼此靠近的載流平行導體之間的時候，電感耦合或磁耦合出現(xiàn)，從而引發(fā)穿過接收導體的電壓。
[0007]遺憾的是，在封裝中維持放大器之間的空間距離限制了半導體封裝的小型化的可能性。限制小型化是不理想的，其中低成本、低重量以及小體積是各種應用的重要封裝屬性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]本公開通過舉例的方式說明，實施例等等并沒有被附圖所限制，在附圖中相同的參考符號表示相同的元素。附圖中的元素說明是為了簡便以及清晰，并且不一定按比例繪制。附圖連同詳細說明書被并入并構成說明書的一部分，并且用于進一步說明例子、實施例等等，并根據(jù)本公開解釋各種原理和優(yōu)點，其中:
[0009]圖1是Doherty功率放大器半導體封裝的框圖。
[0010]圖2A是Doherty功率放大器半導體封裝的載波和峰值放大器電路的俯視示意圖。
[0011]圖2B是圖2A的Doherty功率放大器半導體封裝的立體圖。
[0012]圖3A和3B是描繪了替代引線接合壁配置的封裝的截面圖。
[0013]圖4A和4B示出了圖2A的封裝，其中引線接合壁被連接到多個附加器件。
[0014]圖5A和5B是示出示例器件的測試結果的曲線圖，其中該示例器件包括分離了載波放大器和峰值放大器的弓I線接合壁。

【具體實施方式】
[0015]以下詳細描述在本質上是示例性的，并不旨在限制本發(fā)明或本申請以及其使用。此外，不旨在被先前【技術領域】、背景、或以下詳細描述中的任何明示或暗示的理論所限制。
[0016]為了簡便和清楚地說明，【專利附圖】

【附圖說明】了構造的一般方式，并且可省略眾所周知的特征和技術的描述和細節(jié)以避免不必要地模糊本發(fā)明。此外，附圖中的元件不一定按比例繪制。例如，附圖中的一些元件或區(qū)域的尺寸相對于其它元件或區(qū)域可被夸大以幫助提高對本發(fā)明實施例的理解。
[0017]說明書和權利要求中的術語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等等，如果有的話，是用于區(qū)分類似元件，而不一定用于描述特定順序或時間順序。應了解術語的這種用法在適當?shù)那闆r下是可以互換的，以便在此描述的實施例例如能夠在除了本發(fā)明中所描述的那些說明的順序進行操作。此外，術語“包括”、“包含”、“具有”及其任何變體都旨在涵蓋非排他性，以便包括一列元件的過程、方法、制品、或裝置不一定限定于那些元件，而可能包括其它沒有明確列出的或是這個過程、方法、制品、或裝置固有的元件。如在此使用的，術語“耦合”被定義為直接或間接連接的電氣或非電氣方式。如在此使用的，術語“實質的”和“實質地”意味著足以以一種實用的方式完成所陳述的目的，并且小缺陷，如果有的話，對所陳述的目的不是非常重要。
[0018]本公開通常涉及器件封裝，更具體地說，涉及合并了減小在封裝中形成的相鄰器件之間的耦合的弓I線接合壁的器件封裝。
[0019]在一個實現(xiàn)中，封裝包括Doherty放大器陣容。在本設計中，在Doherty放大器的兩個放大器(即，載波放大器和峰值放大器)之間的干擾和/或串擾被減小，使得Doherty功率放大器的載波和峰值放大器可在單個封裝，在此被稱為雙路徑半導體封裝中用更高的效率被實施。在各個其它實現(xiàn)中，將了解，本系統(tǒng)可在各個封裝中被使用，其中該封裝包括彼此隔離的多個組件或電路。
[0020]本方法可被用于改進在基站功率放大器、蜂窩電話、藍牙器件以及依賴于半導體封裝的其它器件中的Doherty功率放大器半導體封裝的可用性，其中低成本、低重量和小容量是理想的。在此描述的實施例減小了在Doherty功率放大器中的引線接合陣列之間的電感耦合。然而，將變得明顯的是，下面描述的用于減小電感耦合的技術可在各種半導體器件設計中被實現(xiàn)。
[0021]圖1示出了 Doherty功率放大器半導體封裝20的框圖。Doherty功率放大器半導體封裝20包括并聯(lián)連接的載波放大器電路22和峰值放大器電路24。輸入信號26被輸入分離器28分成兩個信號。所得到的輸入信號中的一個被傳遞給載波放大器電路22的輸入32,另一個輸入信號被傳遞給峰值放大器電路24的輸入36。輸出信號從載波放大器電路22的輸出40被傳遞。同樣，輸出信號從峰值放大器電路24的輸出44被傳遞。這兩個輸出信號通過功率組合器(PWR CMB) 46被組合以產(chǎn)生組合的輸出信號48。本領域所屬技術人員將認識到Doherty功率放大器半導體封裝通常包括為了說明的簡單起見未在此示出的附加電氣器件和電路。
[0022]在一個實施例中,載波放大器電路22被配置成對于Doherty功率放大器半導體封裝20的整個輸出功率范圍為接通。峰值放大器電路24被配置成僅當載波放大器電路22飽和的時候為開啟。進行操作以將來自載波放大器電路22的輸出信號與來自峰值放大器電路24的輸出信號進行組合的功率合成器46可以是四分之一波長的阻抗轉換器。四分之一波長的阻抗轉換器可以將90度的滯后添加到來自載波放大器電路22的輸出信號。峰值放大器電路24的相位通常被設計成90度滯后載波放大器電路22，使得當輸出信號在功率合成器46的輸出處被組合以形成組合的輸出信號48的時候，兩個輸出信號同相相加。
[0023]在圖1所示的例子中，載波放大器電路22和峰值放大器電路24中的每個可以包括多個有源和無源電氣兀件。例如，載波放大器電路22可以包括稱合于輸入32的電容器。電容器可以耦合于晶體管，該晶體管將適當?shù)姆糯髴糜谠谳斎?2接收到的輸入信號。該晶體管的輸出可以被連接到第二電容器。電容器可以操作以調節(jié)在輸入32接收到的輸入信號并被晶體管放大。類似地，峰值放大器24可以包括稱合于輸入36的電容器。電容器可以耦合于晶體管，該晶體管將適當?shù)姆糯髴糜谠谳斎?6接收到的輸入信號。該晶體管的輸出可以被連接到第二電容器。電容器可以操作以調節(jié)在輸入36接收到的輸入信號并被晶體管放大。本領域所屬技術人員將認識到載波放大器電路22和峰值放大器電路24可以包括為了說明的簡單起見未在此示出的其它電氣器件。
[0024]在Doherty放大器封裝20中，構成了載波放大器22和峰值放大器24中的每個的單獨的電氣器件可使用多個平行導線，被稱為引線接合，互相連接。在實際應用中，載波放大器電路22的一個或多個信號路徑(例如，在輸入、輸出、電容器和晶體管之間)可使用引線接合被建立。同樣，峰值放大器電路24的一個或多個信號路徑(例如,在輸入、輸出、電容器和晶體管之間)可以使用引線接合被建立。
[0025]在Doherty功率放大器封裝中，因為它們被封裝到單一外殼中，這些各種引線接合陣列可被放置的彼此非常靠近。互連了每個放大器的組件的各種的引線接合的信號路徑之間的小距離可以導致相鄰弓I線接合陣列之間的相對較高水平的電感耦合。這種電感耦合可以限制封裝中Doherty放大器的功率能力。
[0026]因此，在本Doherty放大器封裝中，引線接合壁50形成于兩個放大器22和24之間以提供每個放大器(例如，載波放大器22和峰值放大器24)的引線接合陣列之間的電隔離。引線接合壁50，如下面進一步描述的，根據(jù)形成于構成了載波和峰值放大器的電路之間的封裝中的多個引線接合連接被構造。根據(jù)封裝20的實現(xiàn)，引線接合壁50可在各種襯底上建立或直接在封裝20的引線框上建立。連同封裝20的其它組件，引線接合壁50可以用密封劑超模壓或者可以是氣腔封裝的一部分。在各個實現(xiàn)中，引線接合壁50可以被直接連接到接地或接地端子，其進而可以被連接到接地電壓，或者被連接到各種集成無源器件(IPD)或其它有源器件和電路。通常，引線接合壁50作為屏蔽或圍欄進行操作以中斷和防止Doherty放大器的載波放大器電路和峰值放大器電路之間的電感耦合。
[0027]圖2A是Doherty功率放大器的半導體封裝20的載波放大器電路22和峰值放大器電路24的俯視示意圖。圖2B是2A的Doherty功率放大器半導體封裝20的立體圖。雖然根據(jù)Doherty放大器的組件來解釋本例子，但是應了解，本系統(tǒng)和方法可以被用于給在襯底上形成的任何電路提供電隔離，其中Doherty放大器的組件僅僅是一個例子。根據(jù)本公開，引線接合壁可被用于提供在特定封裝中適當配置的任何組件之間的電隔離。例如，參照圖2A和圖2B，載波放大器22可以被包括了多個互連的電氣器件的任何電路所替換，并且峰值放大器24可以類似地被替換。
[0028]在封裝20中，載波放大器22包括輸入端子32和輸出端子40，它們在Doherty配置中可以分別構成了載波放大器22的柵極端子和漏極端子。類似地，峰值放大器24包括輸入端子36和輸出端子44，它們在Doherty配置中可以分別構成了峰值放大器24的柵極端子和漏極端子。
[0029]載波放大器22包括多個電氣器件，諸如被制作和/或隨后被安裝到共同(即，單一)載波的表面，諸如封裝接地平面74的電容器100和104以及晶體管102 (具有柵極盤103和漏極盤105)。電容器100和104可以例如是被安裝在接地平面74上的金屬-氧化物-半導體(MOS)電容器。類似地，峰值放大器24包括多個電氣裝置，諸如被制作和/或隨后被安裝到共同(即，單一)載波的表面，諸如封裝接地平面74的電容器106和110以及晶體管108 (具有柵極盤109和漏極盤111)。電容器106和111可以例如是被安裝在接地平面74上的金屬-氧化物-半導體(MOS)電容器。
[0030]如圖2A和圖2B所示，載波放大器22的組件(包括電容器100和104、晶體管102以及端子32和40)通過形成了引線接合陣列的多個引線接合112被連接。峰值放大器24的組件(包括電容器106和110、晶體管108、端子36和44)類似地通過自身形成了引線接合陣列的多個引線接合114被連接。在各個實現(xiàn)中，任何數(shù)目的引線接合可以被用于互連載波放大器22和峰值放大器24的各個組件，或者互連可以在接地平面74的表面上形成的任何其它組件。
[0031]在所描繪的封裝20中，載波和峰值放大器電路22和24的對稱布局可以導致載波放大器電路22的對應組件與峰值放大器電路24的對應組件相鄰。因此，每個放大器的各個組件的布置(包括，特別是，攜帶高頻信號的每個放大器的引線接合112和114)彼此相鄰并且在幾何上彼此平行。載波放大器22和峰值放大器24的引線接合陣列的這些特性可以導致器件之間的耦合，這可以降低整個器件的性能。
[0032]為了最小化載波放大器22和峰值放大器24之間的耦合，封裝20包括分離了載波放大器22和峰值放大器24的引線接合壁50。引線接合壁包括端子116和118，在一個實現(xiàn)中，它們分別被連接到接地。多個連接盤120在接地平面74的表面上形成。在一個實現(xiàn)中，每個連接盤120被連接到接地電壓，例如，通過將連接盤120連接到封裝20的接地平面(例如，接地平面74)，或者連接到然后可以被連接到接地電壓的多個接地端子。然后，多個引線接合122在連接盤120和端子116和118之間形成。連接盤120的位置和幾何結構使得構成了引線接合壁50的各個引線接合122能夠通過適當?shù)拈g距距離隔開，這取決于封裝20的實現(xiàn)。在一個實現(xiàn)中，間距距離在5和6毫米(mm)之間。
[0033]總的來說，引線接合122形式了接地引線接合的壁或絲網(wǎng)，接地引線接合進行操作以將載波放大器22與峰值放大器24電隔離。引線接合122可由一種適當?shù)膶Ь€金屬形成，其中該金屬與引線接合112和/或114的金屬相同或不同。示例材料包括金、銅、鋁或銀。在一個實現(xiàn)中，引線接合壁50及其引線接合122作為無源器件進行操作，其中該無源器件被配置成吸收，并由此阻止或抑制由載波放大器22和峰值放大器24生成的電場互相影響。根據(jù)實現(xiàn)，引線接合122的配置可以被調整或調諧以服務特定需求，諸如，以阻止特定頻率范圍或特定帶寬。這些調整可能涉及改變構成了引線接合壁50的單個引線接合122的長度和各個引線接合互相重疊的程度。一旦形成，則一種密封劑(未示出)可在封裝20上沉積以給引線接合以及封裝20的其它組件提供物理保護。
[0034]在各個實現(xiàn)中，引線接合壁50包括沿著彼此隔離的兩個電路或組件之間的路線形成的多個引線接合。當引線接合壁50沿著一條直線行進的時候，構成了引線接合壁50的引線接合122分別大致彼此平行而形成。如圖2B所示，引線接合壁50可以沿著垂直于在載波放大器22和峰值放大器24之間繪制的一條線的路線或路徑行進。通常，引線接合壁50沿著接地平面74的位于載波放大器22和峰值放大器24之間的區(qū)域行進。在引線接合壁50內，個別引線接合122可以在單行中形成，或者如在圖2A中描繪的多行中形成。圖2A示出了包括三行引線接合122的引線接合壁50。此外，如圖2B所示，構成了引線接合壁50的引線接合122可以被連接到引線接合壁50的每個連接盤120，或者在一些情況下，可以跳過連接盤120。
[0035]當引線接合壁由多行引線接合組成的時候，一種用于構造引線接合壁的方法是對于每個連接盤，假定來自一行引線接合壁的至少一個引線接合被連接到連接盤，以及來自另一行的至少一個引線接合未被連接到連接盤。當從側面看的時候，這種方法可以假定構成了引線接合壁的引線接合形成了絲網(wǎng)，它的開口比如果每行引線接合被相同地連接的開口小。
[0036]除了沿著一條直線行進，弓I線接合壁可以沿著非直線路徑形成。在一些情況下，被隔離的電路的布局和/或幾何形狀可要求非直線路線。在其它實現(xiàn)中，引線接合壁可基本上圍繞特定電路形成。這可以使封裝中的電路不僅與封裝中的其它電路隔離，而且與封裝外部的輻射源隔離。
[0037]為了說明引線接合壁50的一些不同配置，圖3A和3B是描繪了替代引線接合壁配置的封裝的截面圖。截面圖可能，例如，沿著圖2A中所示的線3-3取得，但圖示了不同于圖2A中所示的引線接合壁配置。在圖3A中，引線接合壁300是由互連了連接盤304和端子116以及118的多個引線接合302形成的。一種保護性密封劑306在引線接合302上形成。在圖3B中，引線接合壁310是由在接地平面或連接盤結構上并且互連了端子116和118的多個引線接合312形成的。一種保護性密封劑316在引線接合312上形成。與圖3A的相t匕，圖3B中所示的配置包括更大數(shù)目的引線接合，因此，當從側面看的時候，圖3B的引線接合壁具有更大的密度，從而降低了弓I線接合壁50中的開口的平均尺寸。
[0038]通常，引線接合壁50的配置被選擇以吸收，并從而阻止電磁在特定頻率范圍內的傳輸。在很多情況下，被阻止的頻率是在封裝中形成的器件的操作頻率。對于給定實現(xiàn)，多個候選引線接合壁配置可以被模擬，其中各個候選包括變化數(shù)目的引線接合、變化長度的引線接合、變化數(shù)目的引線接合行以及不同數(shù)量的重疊引線接合以確定它們對特定輸入信號的響應。用于執(zhí)行這種模擬的一個例子工具包括HFSS，它是一種對天線設計有用的工具。然后，按照所需的電路性能，可以選擇特定引線接合壁設計。
[0039]在圖2A和圖2B中，引線接合壁50可以被接地或浮動和通常作為封裝20的無源組件進行操作。在本質上，當被接地的時候，引線接合壁50作為被配置成吸收載波放大器22或峰值放大器24的電磁輻射的調諧天線進行操作以防止那些輻射影響到其它電路。
[0040]在一些實現(xiàn)中，引線接合壁50可以被連接到一個或多個無源或有源器件以進一步控制和/或優(yōu)化引線接合壁50的響應。附加器件可以在封裝20中形成，或者也可以在封裝20外部形成。為了說明，圖4A和4B示出了封裝20，其中引線接合壁50被連接到多個附加器件。如圖4A所示，引線接合壁50被連接到IPD400。IPD400可以包括在封裝20中形成的電阻器、電容器和電感器的組合。通常，ITO400的電容和/或電感將被選擇，使得當被連接到引線接合壁50的時候，引線接合壁50結合IPD400的阻抗被調諧以阻止信號頻率的所需范圍。該阻抗匹配起到最小化載波放大器22和峰值放大器24之間的耦合的作用，從而改進了封裝20的效率。通過合并IPD400調諧引線接合壁50的性能，可以在特定頻率范圍上實現(xiàn)耦合的減小。圖4B圖示了包括2個IPD402和404的替代實施例，其中IPD402和404彼此平行行進。IPD402和404耦合于引線接合壁50。在各個實現(xiàn)中，任何數(shù)目的IPD可以結合引線接合壁50被提供以提供封裝20的組件的電隔離。
[0041]在其它實現(xiàn)中，引線接合壁50也可以被連接到一個或多個有源器件，其中這些有源器件可以被配置成根據(jù)載波放大器22和峰值放大器24 (或封裝20的其它電路)或其它系統(tǒng)組件的操作屬性來修改引線接合壁50的阻抗。在這種情況下，根據(jù)封裝20的電路的特定操作頻率，有源器件可以是可調諧的例如以滿足特定頻率和/或帶寬要求。
[0042]除了提供上述的電隔離的好處，本引線接合壁實現(xiàn)也是另有好處的，因為它可以使用用于制作封裝20的剩余部分的類似制作技術被構造。例如，在一些實現(xiàn)中，引線接合壁的引線接合可以使用用于互連載波放大器22和峰值放大器24的組件的相同導線接合技術被制作。這與可能要求封裝20的結構的徹底的重新設計的一些其它隔離技術形成對比。例如，如果固體金屬壁被部署在載波放大器22和峰值放大器24之間以試圖提供電隔離，則全新的制作技術(以及潛在的機械)將被開發(fā)并用于在現(xiàn)有封裝設計中安裝這樣的結構。事實上，在很多情況下，封裝將必須完全被重新設計以合并這樣的組件。
[0043]在模擬中，本引線接合壁結構的實施例已證明了對于傳統(tǒng)封裝的性能的改進。在包括了根據(jù)圖3B中描述的被配置并以大約2GHz進行操作的引線接合壁的Doherty結構的一個模擬中，接地的引線接合壁減小了大約3dB的檢測耦合，并且?guī)в屑蒳ro的引線接合壁減小了大約17dB的檢測耦合。為了進行比較，當固體金屬壁被放置在Doherty放大器的組件之間的時候，在模擬中僅觀察到5dB的減小。
[0044]圖5A和5B是示出示例器件的模擬結果的曲線圖，其中該示例器件包括根據(jù)圖3B中描繪的并在單一封裝中分離了載波放大器和峰值放大器的引線接合壁，其中引線接合壁被連接到適當配置的IPD。曲線圖描繪了在封裝中的節(jié)點(縱軸，dB)對頻率(橫軸，GHz)之間的耦合量。圖5A描繪了在圖2A的元件105和44之間測量的測試結果。圖5B描繪了在圖2A的元件40和44之間測量的測試結果。
[0045]在圖5A中，線502示出了傳統(tǒng)器件(包括無引線接合壁)的結果以及線504示出了圖2B的器件(包括引線接合壁50)的結果。如圖5A所示，在Doherty放大器的操作頻率(大約2GHz)周圍有急劇減小的耦合。在圖5B中，線506示出了傳統(tǒng)器件(包括無引線接合壁)的結果以及線508示出了圖2B的器件(包括引線接合壁50)的結果。如圖5A所示，在Doherty放大器的操作頻率(大約2GHz)周圍有急劇減小的耦合。由引線接合壁提供的耦合的這個減小使放大器更高效地進行操作。
[0046]在一個實現(xiàn)中，本公開提供了封裝，所述封裝包括襯底、和在所述襯底上的第一電路。所述第一電路包括第一電氣器件、第二電氣器件以及互連了所述第一電氣器件和所述第二電氣器件的第一引線接合陣列。所述封裝包括在所述襯底上與所述第一電路相鄰的第二電路。所述第二電路包括第三電氣器件、第四電氣器件以及互連了所述第三電氣器件和所述第四電氣器件的第二引線接合陣列。所述封裝包括引線接合壁，所述引線接合壁包括在所述第一電路和所述第二電路之間的所述襯底上的多個引線接合。所述引線接合壁被配置成在所述第一電路和第二電路中的至少一個的操作期間減小所述第一電路和所述第二電路之間的電磁耦合。
[0047]在另一個實現(xiàn)中，本公開提供了 Doherty放大器封裝。所述Doherty放大器封裝包括襯底、在所述襯底上的載波放大器、在所述襯底上與所述載波放大器相鄰的峰值放大器以及在所述襯底上的多個引線接合。所述多個引線接合互連并沿著所述襯底的位于所述峰值放大器和所述載波放大器的至少一部分之間的區(qū)域行進。所述多個引線接合形成了引線接合壁，所述引線接合壁被配置成在所述載波放大器和所述峰值放大器中的至少一個的操作期間減小所述載波放大器和所述峰值放大器之間的電磁耦合。
[0048]在另一個實現(xiàn)中，本公開提供了一種方法。所述方法包括將載波放大器附接在襯底上、將峰值放大器與所述載波放大器相鄰地附接在所述襯底上以及沿著所述襯底的位于所述載波放大器和所述峰值放大器的至少一部分之間的區(qū)域在所述襯底上形成多個互連的引線接合。所述多個引線接合形成了引線接合壁，所述引線接合壁被配置成在所述載波放大器和所述峰值放大器中的至少一個的操作期間減小所述載波放大器和所述峰值放大器之間的電磁耦合。
[0049]雖然本公開描述了具體例子、實施例等等，但是如權利要求所陳述的，在不脫離本公開的范圍的情況下，可以進行各種修改以及變化。例如，雖然在此描述的示例性方法、器件和系統(tǒng)結合上述提到的器件的配置，本領域所屬技術人員將很容易認識到示例性方法、器件和系統(tǒng)可被用于其它方法、器件和系統(tǒng)并且根據(jù)需要可被配置成對應于這樣的其它示例性方法、器件和系統(tǒng)。此外，雖然至少一個實施例在上述詳細說明書中被呈現(xiàn)，但是會存在很多變體。因此，說明書以及附圖被認為是說明性而不是限制性的，并且所有這樣的修改意在包括在本公開的范圍內。關于具體實施例，在此描述的任何好處、優(yōu)點或解決方案都不旨在被解釋為任何或所有權利要求的關鍵的、必需的、或必要的特征或元素。
【權利要求】
1.一種封裝，包括: 襯底； 在所述襯底上的第一電路，所述第一電路包括第一電氣器件、第二電氣器件以及互連了所述第一電氣器件和所述第二電氣器件的第一引線接合陣列； 在所述襯底上與所述第一電路相鄰的第二電路，所述第二電路包括第三電氣器件、第四電氣器件以及互連了所述第三電氣器件和所述第四電氣器件的第二引線接合陣列；以及 包括在所述第一電路和所述第二電路之間的所述襯底上的多個引線接合的引線接合壁，所述引線接合壁被配置成在所述第一電路和所述第二電路中的至少一個的操作期間減小所述第一電路和所述第二電路之間的電磁耦合。
2.根據(jù)權利要求1所述的封裝，其中所述多個引線接合互連并沿著所述襯底的處于所述第二電路和所述第一電路的至少一部分之間的區(qū)域行進。
3.根據(jù)權利要求2所述的封裝，包括在所述襯底上的多個連接盤，并且其中所述引線接合壁的所述引線結合電互連所述連接盤。
4.根據(jù)權利要求1所述的封裝，其中所述第一電路是Doherty放大器的載波放大器。
5.根據(jù)權利要求4所述的封裝，其中所述第二電路是所述Doherty放大器的峰值放大器。
6.根據(jù)權利要求1所述的封裝，其中所述引線接合壁被連接到接地電壓端子。
7.根據(jù)權利要求1所述的封裝，其中所述引線接合壁被連接到集成無源器件。
8.根據(jù)權利要求7所述的封裝，其中當所述集成無源器件被連接到所述引線接合壁的時候，所述集成無源器件的電容和電感中的至少一個被選擇以在頻率范圍內減小所述第一電路和所述第二電路之間的電磁耦合。
9.根據(jù)權利要求1所述的封裝，其中所述第一電氣器件、第二電氣器件、第三電氣器件以及第四電氣器件中的至少一個包括電容器和晶體管中的至少一個。
10.一種Doherty放大器封裝,包括: 襯底； 在所述襯底上的載波放大器； 在所述襯底上與所述載波放大器相鄰的峰值放大器；以及 在所述襯底上的多個引線接合，所述多個引線接合互連并沿著所述襯底的位于所述峰值放大器和所述載波放大器的至少一部分之間的區(qū)域行進，所述多個引線接合形成了引線接合壁，所述引線接合壁被配置成在所述載波放大器和所述峰值放大器中的至少一個的操作期間減小所述載波放大器和所述峰值放大器之間的電磁耦合。
11.根據(jù)權利要求10所述的Doherty放大器封裝，包括在所述襯底上的多個連接盤，并且其中所述多個引線接合電互連所述連接盤。
12.根據(jù)權利要求11所述的Doherty放大器封裝,其中所述多個連接盤被連接到接地電壓。
13.根據(jù)權利要求10所述的Doherty放大器封裝,其中所述多個引線接合被連接到接地電壓端子。
14.根據(jù)權利要求10所述的Doherty放大器封裝,其中所述多個引線接合被連接到集成無源器件。
15.根據(jù)權利要求14所述的Doherty放大器封裝，其中當所述集成無源器件被連接到所述多個引線接合的時候并且在所述載波放大器和所述峰值放大器中的至少一個的操作期間，所述集成無源器件選擇電容和電感中的至少一個以減小所述載波放大器和所述峰值放大器之間的電磁耦合。
16.根據(jù)權利要求10所述的Doherty放大器封裝,其中: 所述載波放大器包括第一引線接合陣列，所述第一引線接合陣列互連了所述載波放大器的第一電氣器件和所述載波放大器的第二電氣器件；以及 所述峰值放大器包括第二引線接合陣列，所述第二引線接合陣列互連了所述載波放大器的第三電氣器件和所述載波放大器的第四電氣器件。
17.一種方法，包括: 將載波放大器附接在襯底上； 將峰值放大器與所述載波放大器相鄰地附接在所述襯底上；以及 沿著所述襯底的位于所述峰值放大器和所述載波放大器的至少一部分之間的區(qū)域在所述襯底上形成多個互連的引線接合，所述多個引線接合形成了引線接合壁，所述引線接合壁被配置成在所述載波放大器和所述峰值放大器中的至少一個的操作期間減小所述載波放大器和所述峰值放大器之間的電磁耦合。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，包括在所述襯底上形成多個連接盤，其中所述多個引線接合電互連所述連接盤。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，包括將所述多個連接盤連接到接地電壓端子。
20.根據(jù)權利要求17所述的方法，包括: 將集成無源器件安裝到所述襯底；以及 將所述多個引線接合連接到所述集成無源器件。
【文檔編號】H01L23/495GK104253095SQ201410302261
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年6月27日 優(yōu)先權日:2013年6月27日
【發(fā)明者】郭雄明, 瑪格麗特·希馬諾夫斯基, 保羅·哈特 申請人:飛思卡爾半導體公司