有機(jī)發(fā)光二極管基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管基板及其制作方法、顯示裝置，通過使子像素所在位置處的空穴傳輸層由N層子空穴傳輸層構(gòu)成，其中，第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層包括N層子空穴傳輸層，第N個(gè)子像素所在位置處所包括的子空穴傳輸層覆蓋所在位置處的空穴傳輸層厚度比所述第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層厚度高的子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，以形成共用子空穴傳輸層；所述N層子空穴傳輸層中，除位于最高層的子空穴傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作以外，其他子空穴傳輸層采用共用掩膜蒸鍍工藝制作。從而可提高有機(jī)發(fā)光二極管基板的制作效率，降低有機(jī)發(fā)光二極管的制作成本。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體可以涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管基板及其制作方 法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，終端消費(fèi)類電子顯示產(chǎn)品越來越注重視覺體驗(yàn)，對(duì)顯示屏分辨率的要求 逐年提高，這在中小尺寸顯示領(lǐng)域尤為突出。
[0003] 為了使顯示屏在分辨率上達(dá)到高密度的效果，現(xiàn)有技術(shù)中通過對(duì)制作工藝的改良 和創(chuàng)新，以實(shí)現(xiàn)顯示屏分辨率的提高。
[0004] 現(xiàn)有的OLED (Organic Light-Emitting Diod,有機(jī)發(fā)光二極管）基板制作過程， 如圖1所示，通常是在玻璃基板上，采用FMM(Fine Metal Mask,精細(xì)金屬掩膜）的蒸鍍工 藝，分別制作對(duì)應(yīng)于不同子像素位置處的HTL(Hole Transport Layer,空穴傳輸層）11(其 中，字母RHTL表示紅色子像素所在位置處的空穴傳輸層11，字母G HTL表示綠色子像素所 在位置處的空穴傳輸層11，字母B HTL表示藍(lán)色子像素所在位置處的空穴傳輸層11，圖1 中，數(shù)字12用于標(biāo)識(shí)空穴注入層，數(shù)字13用于標(biāo)識(shí)玻璃基板），從而使0LED顯示產(chǎn)品具有 較高的分辨率。
[0005] 但是，精細(xì)金屬掩膜的蒸鍍工藝存在材料利用率低、生產(chǎn)效率低等問題，而且，精 細(xì)金屬掩膜的成本較高，且需要頻繁的清洗，浪費(fèi)了大量的財(cái)力和物力。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管基板及其制作方法、顯示裝置，可提高有機(jī)發(fā)光 二極管基板的制作效率，降低有機(jī)發(fā)光二極管的制作成本。
[0007] 本發(fā)明提供方案如下：
[0008] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管基板，包括多個(gè)像素單元，所述像素單 元中包括N個(gè)子像素，所述N為大于等于1的正整數(shù)，每個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層 具有不同的厚度；
[0009] 所述空穴傳輸層由N層子空穴傳輸層構(gòu)成，其中，第N個(gè)子像素所在位置處的空穴 傳輸層包括N層子空穴傳輸層，第N個(gè)子像素所在位置處所包括的子空穴傳輸層覆蓋所在 位置處的空穴傳輸層厚度比所述第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層厚度高的子像素 在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，以形成共用子空穴傳輸層；
[0010] 所述N層子空穴傳輸層中，除位于最高層的子空穴傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍 工藝制作以外，其他子空穴傳輸層采用共用掩膜蒸鍍工藝制作。
[0011] 優(yōu)選的，所述N層子空穴傳輸層的材質(zhì)相同。
[0012] 優(yōu)選的，所述像素單元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中第一子像 素所在位置處的空穴傳輸層厚度最低，第二子像素和第三子像素所在位置處的空穴傳輸層 厚度依次增大；
[0013] 第一子像素所在位置處的空穴傳輸層包括第一子空穴傳輸層，所述第一子空穴傳 輸層覆蓋第一子像素、第二子像素和第三子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第 一子空穴傳輸層的厚度等于第一子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度；
[0014] 第二子像素所在位置處的空穴傳輸層包括第一子空穴傳輸層以及位于所述第一 子空穴傳輸層之上的第二子空穴傳輸層，所述第二子空穴傳輸層覆蓋第二子像素以及第三 子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第二子空穴傳輸層的厚度等于第二子像素所 在位置處的空穴傳輸層的厚度與所述第一子空穴傳輸層的厚度之間的差值；
[0015] 第三子像素所在位置處的空穴傳輸層包括第一子空穴傳輸層、第二子空穴傳輸層 以及位于所述第二子空穴傳輸層之上的第三子空穴傳輸層，所述第三子空穴傳輸層覆蓋第 三子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第三子空穴傳輸層的厚度等于第三子像素 所在位置處空穴傳輸層的厚度與第一、第二子空穴傳輸層疊加厚度之間的差值；
[0016] 所述第一子空穴傳輸層和第二子空穴傳輸層采用共用掩膜蒸鍍工藝制作，所述第 三子空穴傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作。
[0017] 優(yōu)選的，所述有機(jī)發(fā)光二極管基板還包括：
[0018] 位于玻璃基板與空穴傳輸層之間的空穴注入層；
[0019] 位于空穴傳輸層之上的發(fā)光層；
[0020] 位于發(fā)光層之上的電子傳輸層。
[0021] 優(yōu)選的，所述有機(jī)發(fā)光二極管基板還包括：
[0022] 位于玻璃基板與空穴注入層之間的陽極層；
[0023] 位于電子傳輸層之上的陰極層；
[0024] 位于陰極層之上的平坦層。
[0025] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管基板制作方法，用于制作上述本發(fā)明 實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板，所述方法包括：
[0026] 在有機(jī)發(fā)光二極管基板已有圖層之上，采用共用掩膜蒸鍍工藝，依次制作除位于 最高層的子空穴傳輸層以外的其他子空穴傳輸層，其中，第N個(gè)子像素位置處所包括的子 空穴傳輸層覆蓋所在位置處的空穴傳輸層厚度比所述第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳 輸層厚度高的子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，以形成共用子空穴傳輸層；
[0027] 在已有的子空穴傳輸層之上，采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作位于最高層的子空 穴傳輸層。
[0028] 優(yōu)選的，所述采用共用掩膜蒸鍍工藝，依次制作除位于最高層的子空穴傳輸層以 外的其他子空穴傳輸層包括：
[0029] 采用公用掩膜蒸鍍工藝制作第一子空穴傳輸層，所述第一子空穴傳輸層覆蓋第一 子像素、第二子像素和第三子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第一子空穴傳輸 層的厚度等于第一子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度，所述第二子像素所在位置處的 空穴傳輸層的厚度高于所述第一子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度，所述第三子像素 所在位置處的空穴傳輸層的厚度高于所述第二子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度；
[0030] 采用公用掩膜蒸鍍工藝制作位于所述第一子空穴傳輸層之上的第二子空穴傳輸 層，所述第二子空穴傳輸層覆蓋第二子像素以及第三子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū) 域，所述第二子空穴傳輸層的厚度等于第二子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度與所述 第一子空穴傳輸層的厚度之間的差值。
[0031] 優(yōu)選的，所述在已有的子空穴傳輸層之上，采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作位于 最高層的子空穴傳輸層包括 ：
[0032] 采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作第三子空穴傳輸層，所述第三子空穴傳輸層覆蓋 第三子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第三子空穴傳輸層的厚度等于第三子像 素所在位置處空穴傳輸層的厚度與第一、第二子空穴傳輸層疊加厚度之間的差值。
[0033] 優(yōu)選的，所述第一子空穴傳輸層、第二子空穴傳輸層以及第三子空穴傳輸層的材 質(zhì)相同。
[0034] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示制作具體可以包括上述本發(fā)明實(shí)施 例提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板。
[0035] 從以上所述可以看出，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板及其制作方法、顯示裝 置，通過使子像素所在位置處的空穴傳輸層由N層子空穴傳輸層構(gòu)成，其中，第N個(gè)子像素 所在位置處的空穴傳輸層包括N層子空穴傳輸層，第N個(gè)子像素所在位置處所包括的子空 穴傳輸層覆蓋所在位置處的空穴傳輸層厚度比所述第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸 層厚度高的子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，以形成共用子空穴傳輸層；所述N層 子空穴傳輸層中，除位于最高層的子空穴傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作以外，其 他子空穴傳輸層采用共用掩膜蒸鍍工藝制作。從而可提高有機(jī)發(fā)光二極管基板的制作效 率，降低有機(jī)發(fā)光二極管的制作成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0036] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0038] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管制作方法流程示意圖；
[0039] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0040] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0041] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖四。
【具體實(shí)施方式】
[0042] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例 的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā) 明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0043] 除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有 一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請(qǐng)說明書以及權(quán)利要求書中使用的"第 一"、"第二"以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的 組成部分。同樣，"一個(gè)"或者"一"等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)。 "連接"或者"相連"等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的 連接，不管是直接的還是間接的。"上"、"下"、"左"、"右"等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被 描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。
[0044] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)基板，該基板中具體可以包括 多個(gè)像素單元，并且每個(gè)像素單元中可以包括N個(gè)子像素，例如3個(gè)或4個(gè)，即該N為大于 等于1的正整數(shù)。
[0045] 本發(fā)明實(shí)施例所提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板中，每個(gè)子像素所在位置處的空穴傳 輸層（HTL:Hole Transport Layer)具有不同的厚度，從而利用微腔效應(yīng)，可使不同子像素 所在位置處的有機(jī)發(fā)光二極管基板呈現(xiàn)不同的顏色。
[0046] 如附圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例所涉及的空穴傳輸層由N層子空穴傳輸層21構(gòu)成， 其中，第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層具體可以包括N層子空穴傳輸層21，第N個(gè) 子像素所在位置處所包括的子空穴傳輸層21覆蓋所在位置處的空穴傳輸層厚度比所述第 N-1個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層厚度高的子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域， 以形成共用子空穴傳輸層21。
[0047] 而且，本發(fā)明實(shí)施例中所涉及的N層子空穴傳輸層21中，除位于最高層的子空穴 傳輸層21采用精細(xì)金屬掩膜（FMM)蒸鍍工藝制作以外，其他子空穴傳輸層21采用共用掩 膜（CM:Common Mask)蒸鍍工藝制作。
[0048] 由于共用掩膜蒸鍍工藝只是在相應(yīng)圖層生成一層圖層，而不需要生成相應(yīng)的圖層 圖案（Pattern)，因此，相較于精細(xì)金屬掩膜（FMM)蒸鍍工藝，可以減少圖層材料的浪費(fèi)，從 而節(jié)省了大量材料，提高了空穴傳輸層材料的利用率。
[0049] 另一方面，共用掩膜蒸鍍工藝的實(shí)現(xiàn)過程相當(dāng)于精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝耗時(shí)要 少，因此，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案還可以縮短有機(jī)發(fā)光二極管基板的制作時(shí)長，提 高有機(jī)發(fā)光二極管的生產(chǎn)效率。
[0050] 為了制作本發(fā)明實(shí)施例所提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一 種有機(jī)發(fā)光二極管制作方法，如圖3所示，該方法具體可以包括：
[0051] 在有機(jī)發(fā)光二極管基板已有圖層之上，采用共用掩膜蒸鍍工藝，依次制作除位于 最高層的子空穴傳輸層以外的其他子空穴傳輸層21，其中，第N個(gè)子像素位置處所包括的 子空穴傳輸層21覆蓋所在位置處的空穴傳輸層厚度比所述第N個(gè)子像素所在位置處的空 穴傳輸層厚度高的子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，以形成共用子空穴傳輸層21 ;
[0052] 在已有的子空穴傳輸層之上，采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作位于最高層的子空 穴傳輸層21。
[0053] 下面，以像素單元中包括三個(gè)子像素（分別用于呈現(xiàn)紅、綠、藍(lán)三基色）為例，對(duì)本 發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0054] 該實(shí)施例中，用于呈現(xiàn)藍(lán)色的子像素區(qū)域可為第一子像素，用于呈現(xiàn)綠色的子像 素區(qū)域可為第二子像素，用于呈現(xiàn)紅色的子像素區(qū)域可為第三子像素區(qū)域。
[0055] 由于紅、綠、藍(lán)色的波長各不相同，因此，上述三個(gè)子像素在有機(jī)發(fā)光二極管基板 所在位置處的空穴傳輸層的厚度不同，其中，如圖4所示，藍(lán)色子像素所在位置處（字母 BHTL所示區(qū)域）的空穴傳輸層的厚度最低，綠色子像素所在位置處（字母GHTL所示區(qū)域） 的空穴傳輸層的厚度高于藍(lán)色子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度，紅色子像素所在位 置處（字母RHTL所示區(qū)域）的空穴傳輸層的厚度高于綠色子像素所在位置處的空穴傳輸 層的厚度。
[0056] 那么在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，在有機(jī)發(fā)光二極管基板已有圖層之上，首次可采用共用掩膜 蒸鍍工藝，制作藍(lán)色子像素（即第一像素）所在位置處的子空穴傳輸層（第一子空穴傳輸 層）211。
[0057] 該第一子空穴傳輸層211的厚度可等于藍(lán)色子像素所在位置處的空穴傳輸層的 厚度，由于兩者厚度相同，因此，藍(lán)色子像素（即第一像素）所在位置處的空穴傳輸層僅包 括一層子空穴傳輸層21。
[0058] 即本發(fā)明實(shí)施例中，首先可采用共用掩膜蒸鍍工藝制作空穴傳輸層厚度最低的子 像素所在位置處的子空穴傳輸層21。
[0059] 而且，該第一子空穴傳輸層211不僅覆蓋藍(lán)色子像素在空穴傳輸層所在位置區(qū) 域，同時(shí)還覆蓋綠色和紅色子像素（對(duì)應(yīng)位置處的空穴傳輸層厚度高于藍(lán)色子像素所在位 置處的空穴傳輸層厚度）在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，以作為藍(lán)色、綠色和紅色三個(gè) 子像素的共用子空穴傳輸層21。
[0060] 那么可見，本發(fā)明實(shí)施例中，通過一次蒸鍍工藝，不僅制作形成了藍(lán)色子像素所在 位置處的空穴傳輸層，同時(shí)還制作形成了綠色和紅色子像素所在位置處的部分空穴傳輸 層。
[0061] 然后，可再次通過采用共用掩膜蒸鍍工藝，在有機(jī)發(fā)光二極管基板已有圖層即第 一子空穴傳輸層211之上，制作綠色子像素（即第二子像素）所在位置處的子空穴傳輸層 (即第二子空穴傳輸層）212。
[0062] 由于綠色子像素所在位置處已經(jīng)存在部分第一子空穴傳輸層211，即綠色子像素 所在位置的空穴傳輸層已經(jīng)存在部分厚度，因此，第二子空穴傳輸層212的厚度具體可為 綠色子像素的目標(biāo)厚度與第一子空穴傳輸層211的厚度（即藍(lán)色子像素所在位置處的空穴 傳輸層的厚度）之間的差值。
[0063] 如圖4所示，該第二子空穴傳輸層212不僅覆蓋綠色子像素在空穴傳輸層中的所 在位置處，同時(shí)還覆蓋了紅色子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，已形成綠色與紅色 兩個(gè)子像素的共用子空穴傳輸層21。
[0064] 從圖4中可以看出，綠色子像素（即第二子像素）所在位置處的空穴傳輸層具體 可以包括兩層子空穴傳輸層21 (分別為第一子空穴傳輸層211和第二子空穴傳輸層212)。 [0065] 在完成藍(lán)色和綠色子像素所在位置處的子空穴傳輸層21的制作后，可以制作紅 色子像素（即第三子像素）所在位置處的子空穴傳輸層21。
[0066] 鑒于紅色子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度最高，因此，本發(fā)明實(shí)施例中，可 采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝，制作位于最高層的紅色子像素所在位置處的子空穴傳輸層即 第三子空穴傳輸層213。
[0067] 由于紅色子像素所在位置處已經(jīng)存在部分第一子空穴傳輸層211和第二子空穴 傳輸層212,因此，第三子空穴傳輸層213的厚度可為紅色子像素所在位置處空穴傳輸層的 目標(biāo)厚度與第一子空穴傳輸層211和第二子空穴傳輸層212疊加厚度之間的差值。
[0068] 又由于紅色子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度最高，因此，第三子空穴傳輸 層213僅覆蓋紅色子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域即可。
[0069] 該實(shí)施例中，第一子空穴傳輸層211、第二子空穴傳輸層212以及第三子空穴傳輸 層213的材質(zhì)可相同，例如芳香胺螢光化合物等有機(jī)材料。
[0070] 通過以上說明可以看出，該實(shí)施例所提供的有機(jī)發(fā)光二極管及其制作方法，通過 兩次共用掩膜蒸鍍工藝和一次精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝，即可完成有機(jī)發(fā)光二極管基板的制 作，因此，相較于如圖1所示，采用三次精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝（由于如圖1所示現(xiàn)有技術(shù) 中，紅、綠、藍(lán)三個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層11，即BHTL、GHTL、RHTL，各自獨(dú)立存在， 因此需采用三次精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝分別制作完成），不僅節(jié)省了大量的制作材料，還顯 著提高了空穴傳輸層制作材料的利用率。
[0071] 同時(shí)，該實(shí)施例減少了兩次精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝的使用，因此可顯著提高有機(jī) 發(fā)光二極管的生產(chǎn)效率，降低了有機(jī)發(fā)光二極管的制作成本以及清洗精細(xì)金屬掩膜的成 本。
[0072] 在本發(fā)明的另一具體實(shí)施例中，當(dāng)一像素區(qū)域所在位置處的空穴傳輸層的材質(zhì)與 其他子像素所在位置區(qū)域的空穴傳輸層的材質(zhì)不同時(shí)，可采用共用掩膜蒸鍍工藝和精細(xì)金 屬掩膜蒸鍍工藝制作材質(zhì)相同的子像素所在位置的空穴傳輸層，單獨(dú)采用精細(xì)金屬掩膜蒸 鍍工藝制作材質(zhì)不同的子像素所在位置處的空穴傳輸層。
[0073] 同樣以紅、綠、藍(lán)三個(gè)子像素為例，如附圖5所示，當(dāng)藍(lán)色子像素所在位置處的空 穴傳輸層的材質(zhì)，與紅、綠兩個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層材質(zhì)不同時(shí)，可先采用共用 掩膜蒸鍍工藝制作綠色子像素所在位置處的子空穴傳輸層214,該子空穴傳輸層214同時(shí) 還覆蓋紅色子像素在空穴傳輸層中所在位置區(qū)域，然后采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝在子空 穴傳輸層214上制作紅色子像素所在位置處的子空穴傳輸層215,再采用精細(xì)金屬掩膜蒸 鍍工藝制備材質(zhì)不同的藍(lán)色子像素所在位置處的空穴傳輸層即子空穴傳輸層216 (兩者厚 度相同）。
[0074] 該實(shí)施例相較于圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)，同樣可以實(shí)現(xiàn)節(jié)省制作材料，提高了制作 材料利用率，以及提高有機(jī)發(fā)光二極管的生產(chǎn)效率，降低了有機(jī)發(fā)光二極管的制作成本以 及清洗精細(xì)金屬掩膜的成本的目的。
[0075] 本發(fā)明實(shí)施例所提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板，除了上述所列舉的空穴傳輸層之 夕卜，如圖6所示，具體還可以包括：
[0076] 位于玻璃基板22與空穴傳輸層21之間的空穴注入層23(HIL:Hole Inject Layer)；
[0077] 位于空穴傳輸層21之上的發(fā)光層24(EML :Emitting Layer);
[0078] 位于發(fā)光層24之上的電子傳輸層25 (ETL :Electron Transport Layer)。
[0079] 上述所涉及的空穴注入層23、空穴傳輸層21、發(fā)光層24以及電子傳輸層25具體 可組成有機(jī)發(fā)光二極管基板中的有機(jī)層。
[0080] 在另一具體實(shí)施例中，如圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例所提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板 具體還可以包括：
[0081] 位于玻璃基板22與空穴注入層23之間的陽極層26 ;
[0082] 位于電子傳輸層25之上的陰極層27 ;
[0083] 位于陰極層27之上的平坦層28。
[0084] 圖6所示的有機(jī)發(fā)光二極管具體可為有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（AM0LED)，其中 薄而透明的ΙΤ0陽極層26與金屬陰極層28如同三明治般地將有機(jī)發(fā)光層（包括空穴注 入層23、空穴傳輸層21、發(fā)光層24以及電子傳輸層25)包夾其中，當(dāng)電壓注入陽極的空穴 (Hole)與陰極來的電子（Electron)在有機(jī)發(fā)光層結(jié)合時(shí)，激發(fā)有機(jī)材料而發(fā)光。
[0085] 本發(fā)明實(shí)施例所涉及的有機(jī)發(fā)光二極管，還可以是其他類型的有機(jī)發(fā)光二極管， 例如無源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（PM-0LED)等。
[0086] 而本發(fā)明實(shí)施例中，除空穴傳輸層21之外的圖層，可采用成熟有效的制作方法制 備，例如蒸鍍等，對(duì)此本發(fā)明實(shí)施例并不限制。
[0087] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示制作具體可以包括上述本發(fā)明實(shí)施 例提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板。
[0088] 本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置，具體可為任一種具有顯示功能的電子產(chǎn)品。
[0089] 本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管基板及其制作方法、顯示裝置，通過使子像素所在 位置處的空穴傳輸層由N層子空穴傳輸層構(gòu)成，其中，第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸 層包括N層子空穴傳輸層，第N個(gè)子像素所在位置處所包括的子空穴傳輸層覆蓋所在位置 處的空穴傳輸層厚度比所述第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層厚度高的子像素在空 穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，以形成共用子空穴傳輸層；所述N層子空穴傳輸層中，除位于 最高層的子空穴傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作以外，其他子空穴傳輸層采用共用 掩膜蒸鍍工藝制作。從而可提高有機(jī)發(fā)光二極管基板的制作效率，降低有機(jī)發(fā)光二極管的 制作成本。
[0090] 以上所述僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來 說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為 本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光二極管基板，包括多個(gè)像素單元，所述像素單元中包括N個(gè)子像素，所 述N為大于等于1的正整數(shù)，每個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層具有不同的厚度，其特征 在于： 所述空穴傳輸層由N層子空穴傳輸層構(gòu)成，其中，第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸 層包括N層子空穴傳輸層，第N個(gè)子像素位置處所包括的子空穴傳輸層覆蓋所在位置處的 空穴傳輸層厚度比所述第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層厚度高的子像素在空穴傳 輸層中的所在位置區(qū)域，以形成共用子空穴傳輸層； 所述N層子空穴傳輸層中，除位于最高層的子空穴傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝 制作以外，其他子空穴傳輸層采用共用掩膜蒸鍍工藝制作。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管基板，其特征在于，所述N層子空穴傳輸層的材 質(zhì)相同。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管基板，其特征在于，所述像素單元包括第一子 像素、第二子像素和第三子像素，其中第一子像素所在位置處的空穴傳輸層厚度最低，第二 子像素和第三子像素所在位置處的空穴傳輸層厚度依次增高； 第一子像素所在位置處的空穴傳輸層包括第一子空穴傳輸層，所述第一子空穴傳輸層 覆蓋第一子像素、第二子像素和第三子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第一子 空穴傳輸層的厚度等于第一子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度； 第二子像素所在位置處的空穴傳輸層包括第一子空穴傳輸層以及位于所述第一子空 穴傳輸層之上的第二子空穴傳輸層，所述第二子空穴傳輸層覆蓋第二子像素以及第三子像 素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第二子空穴傳輸層的厚度等于第二子像素所在位 置處的空穴傳輸層的厚度與所述第一子空穴傳輸層的厚度之間的差值； 第三子像素所在位置處的空穴傳輸層包括第一子空穴傳輸層、第二子空穴傳輸層以及 位于所述第二子空穴傳輸層之上的第三子空穴傳輸層，所述第三子空穴傳輸層覆蓋第三子 像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第三子空穴傳輸層的厚度等于第三子像素所在 位置處空穴傳輸層的厚度與第一、第二子空穴傳輸層疊加厚度之間的差值； 所述第一子空穴傳輸層和第二子空穴傳輸層采用共用掩膜蒸鍍工藝制作，所述第三子 空穴傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作。
4. 如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管基板，其特征在于，還包括： 位于玻璃基板與空穴傳輸層之間的空穴注入層； 位于空穴傳輸層之上的發(fā)光層； 位于發(fā)光層之上的電子傳輸層。
5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管基板，其特征在于，還包括： 位于玻璃基板與空穴注入層之間的陽極層； 位于電子傳輸層之上的陰極層； 位于陰極層之上的平坦層。
6. -種有機(jī)發(fā)光二極管基板制作方法，用于制作權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā) 光二極管基板，其特征在于，所述方法包括： 在有機(jī)發(fā)光二極管基板已有圖層之上，采用共用掩膜蒸鍍工藝，依次制作除位于最高 層的子空穴傳輸層以外的其他子空穴傳輸層，其中，第N個(gè)子像素位置處所包括的子空穴 傳輸層覆蓋所在位置處的空穴傳輸層厚度比所述第N個(gè)子像素所在位置處的空穴傳輸層 厚度高的子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，以形成共用子空穴傳輸層； 在已有的子空穴傳輸層之上，采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作位于最高層的子空穴傳 輸層。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用共用掩膜蒸鍍工藝，依次制作除位 于最高層的子空穴傳輸層以外的其他子空穴傳輸層包括 ： 采用公用掩膜蒸鍍工藝制作第一子空穴傳輸層，所述第一子空穴傳輸層覆蓋第一子像 素、第二子像素和第三子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第一子空穴傳輸層的 厚度等于第一子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度，所述第二子像素所在位置處的空穴 傳輸層的厚度高于所述第一子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度，所述第三子像素所在 位置處的空穴傳輸層的厚度高于所述第二子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度； 采用公用掩膜蒸鍍工藝制作位于所述第一子空穴傳輸層之上的第二子空穴傳輸層，所 述第二子空穴傳輸層覆蓋第二子像素以及第三子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所 述第二子空穴傳輸層的厚度等于第二子像素所在位置處的空穴傳輸層的厚度與所述第一 子空穴傳輸層的厚度之間的差值。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在已有的子空穴傳輸層之上，采用精細(xì) 金屬掩膜蒸鍍工藝制作位于最高層的子空穴傳輸層包括： 采用精細(xì)金屬掩膜蒸鍍工藝制作第三子空穴傳輸層，所述第三子空穴傳輸層覆蓋第三 子像素在空穴傳輸層中的所在位置區(qū)域，所述第三子空穴傳輸層的厚度等于第三子像素所 在位置處空穴傳輸層的厚度與第一、第二子空穴傳輸層疊加厚度之間的差值。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一子空穴傳輸層、第二子空穴傳輸層 以及第三子空穴傳輸層的材質(zhì)相同。
10. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管基 板。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104091895SQ201410307522
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】馬群, 元裕太, 閔天圭 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司