一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器及其制造方法，所述超勢(shì)壘整流器采用耗盡型溝道形成超勢(shì)壘區(qū)，正向?qū)〞r(shí)的陽極歐姆接觸由陽極金屬和強(qiáng)反型的超勢(shì)壘區(qū)自動(dòng)形成。該耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器包括第一導(dǎo)電類型襯底、輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、場(chǎng)介質(zhì)層、柵介質(zhì)層、多晶硅層、金屬層和化合物金屬層，以及下電極金屬層和上電極金屬層。
【專利說明】
一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件【技術(shù)領(lǐng)域】，主要涉及半導(dǎo)體功率整流器，尤其涉及一種耗盡型溝道超勢(shì)壘功率整流器；本發(fā)明還涉及耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]功率半導(dǎo)體整流器，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換器和電源中。常見的整流器包括肖特基勢(shì)壘整流器、PIN功率整流器和超勢(shì)壘整流器(SBR，Super Barrier Rectifier)。
[0003]肖特基勢(shì)壘整流器是利用金屬與半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘進(jìn)行工作的一種多數(shù)載流子工作器件，金屬與半導(dǎo)體的接觸勢(shì)壘直接影響了肖特基勢(shì)壘整流器的正向?qū)▔航担⑶倚ぬ鼗鶆?shì)壘整流器的反向漏電流通常會(huì)隨溫度的升高而快速增加，漏電流的增加又會(huì)使得整流器溫度升高；因此，降低了肖特基勢(shì)壘整流器在應(yīng)用中的穩(wěn)定性及可靠性。
[0004]PIN 二極管雖然高溫狀態(tài)下性能穩(wěn)定，但其在正向?qū)щ姇r(shí)為了克服PN結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)，需要較高的開啟電壓，顯著的影響了正向?qū)▔航?，并且正向?qū)〞r(shí)的少子注入效應(yīng)明顯的影響反向關(guān)斷時(shí)間。
[0005]超勢(shì)壘整流器，在陽極和陰極之間整合并聯(lián)的整流二極管和MOS晶體管來形成具有較低VF、較穩(wěn)定高溫性能的整流器件。已經(jīng)公開的典型的超勢(shì)壘整流器均采用常規(guī)的MOS溝道形成超勢(shì)壘區(qū)。本申請(qǐng)的后續(xù)內(nèi)容提供一種耗盡型溝道的SBR器件及其制造方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器及其制造方法，所述超勢(shì)壘整流器采用耗盡型溝道形成超勢(shì)壘區(qū)，正向?qū)〞r(shí)的陽極歐姆接觸由陽極金屬和強(qiáng)反型的超勢(shì)魚區(qū)自動(dòng)形成。
[0007]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的而采用的技術(shù)方案是這樣的，一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器，其特征在于:包括重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底、輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、場(chǎng)介質(zhì)層、柵介質(zhì)層、多晶硅層、金屬層和化合物金屬層，以及下電極金屬層和上電極金屬層。
[0008]輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)覆蓋于重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底之上。
[0009]第二導(dǎo)電類型體區(qū)浮空于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)中。
[0010]柵介質(zhì)層覆蓋于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)之上的部分表面。
[0011 ] 多晶硅層覆蓋于柵介質(zhì)層之上。
[0012]具有金屬導(dǎo)電特性的化合物金屬層同時(shí)連接第二導(dǎo)電類型體區(qū)、輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)。化合物金屬層還覆蓋于多晶硅層之上。
[0013]下電極金屬層位于重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底之下。
[0014]上電極金屬層位于化合物金屬層之上。
[0015]本發(fā)明公開一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟:
[0016]I〕在重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底上覆蓋輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)，選擇性的在所述輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)之上形成場(chǎng)介質(zhì)層。
[0017]2〕選擇性的在所述場(chǎng)介質(zhì)層上覆蓋掩膜層。所述掩膜層具有環(huán)形通槽。蝕刻掩膜層環(huán)形通槽下方的場(chǎng)介質(zhì)層，使得場(chǎng)介質(zhì)層上形成環(huán)形通槽后，將掩膜層去除。
[0018]3〕選擇性的以第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)摻雜場(chǎng)介質(zhì)層的環(huán)形通槽下方的所述輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)，以形成終端保護(hù)環(huán)。所述終端保護(hù)環(huán)中間的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)為有源區(qū)。
[0019]4〕刻蝕所述有源區(qū)上方的場(chǎng)介質(zhì)層。
[0020]5〕整個(gè)器件上表面形成柵介質(zhì)層，在柵介質(zhì)層上再形成多晶硅層。
[0021 ] 6〕在所述多晶硅層上方覆蓋掩膜層。所述掩膜層具有中央通孔和環(huán)形通槽。刻蝕所述掩膜層的中央通孔和環(huán)形通槽下方的多晶硅層和柵介質(zhì)層。使得多晶硅層和柵介質(zhì)層上形成中央通孔和環(huán)形通槽。所述多晶硅層和柵介質(zhì)層的環(huán)形通槽下方是終端保護(hù)環(huán)和輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)。
[0022]向多晶硅層和柵介質(zhì)層上的中央通孔和環(huán)形通槽下方的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)注入第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)后，去除掩膜層。
[0023]7〕通過快速退火方式使步驟6〕注入的第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)自由擴(kuò)散，形成位于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型體區(qū)。
[0024]8〕蝕刻整個(gè)器件上表面，使得多晶硅層有殘留，多晶硅層和柵介質(zhì)層的中央通孔和環(huán)形通槽下方形成溝槽。
[0025]9〕在整個(gè)器件上表面，淀積一層金屬層。
[0026]10〕通過退火，使得所述金屬層與非介質(zhì)接觸的部分形成化合物金屬層。
[0027]11〕在化合物金屬層上表面淀積上電極金屬層。
[0028]在重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底下表面淀積下電極金屬層。
[0029]進(jìn)一步，步驟5〕形成的多晶硅層還需要通過原味摻雜方式或者雜質(zhì)注入后退火的方式完成摻雜。
[0030]進(jìn)一步，步驟7〕形成的第二導(dǎo)電類型體區(qū)完全位于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)之內(nèi)，并與柵介質(zhì)層不相連。
[0031]進(jìn)一步,步驟9〕中，淀積金屬選擇自Pt、PtN1、Ti或TiN。
[0032]本發(fā)明的技術(shù)效果是毋庸置疑的。由于本發(fā)明采用了耗盡型溝道超勢(shì)壘概念，與常規(guī)超勢(shì)壘整流器相比，正向開啟時(shí)MOS溝道更早、更容易的形成強(qiáng)反型，因此小電流工作下能獲得更低的VF。強(qiáng)反型溝道的形成使陽極歐姆接觸由陽極金屬和強(qiáng)反型的超勢(shì)壘區(qū)自動(dòng)形成，并且，由于該工作特性使的在器件結(jié)構(gòu)上取消了專門用于形成歐姆接觸的N+區(qū)，取而代之的是靠淀積金屬層后通過退火的方式形成化合物金屬層。在制造過程中，化合物金屬層厚度能夠很好的被控制，并且通過橫擴(kuò)到達(dá)柵介質(zhì)層下，因此增強(qiáng)了溝道的可控制性、增大了工藝容差、降低了生產(chǎn)成本。反向耐壓時(shí)，增強(qiáng)型溝道被耗盡，陽極化合物金屬與MOS溝道的歐姆接觸變?yōu)樾ぬ鼗佑|，因此，反向漏電容易得到控制；此外，增強(qiáng)型溝道超勢(shì)壘整流器保留了常規(guī)超勢(shì)壘整流器的PN結(jié)結(jié)構(gòu)，能夠得到較高的耐壓特性和較好的高溫穩(wěn)定性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器單元包剖面示意圖。
[0034]圖2是本發(fā)明實(shí)施例所述包括終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器結(jié)剖面示意圖。
[0035]圖3-圖12是本發(fā)明實(shí)施例所述包括終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器制造方法對(duì)應(yīng)的示意性剖面圖。
[0036]圖中:10是重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底、20是輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)、21是第二導(dǎo)電類型保護(hù)環(huán)、22是第二導(dǎo)電類型體區(qū)、23是第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)、30是場(chǎng)介質(zhì)層、31是柵介質(zhì)層、32是多晶娃層、33是化合物金屬層、34是電極金屬層、35和350是掩膜層、36是被刻蝕掉的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)溝槽、37是形成化合物金屬層前的淀積金屬層。(第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型)。

【具體實(shí)施方式】
[0037]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不應(yīng)該理解為本發(fā)明上述主題范圍僅限于下述實(shí)施例。在不脫離本發(fā)明上述技術(shù)思想的情況下，根據(jù)本領(lǐng)域普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，做出各種替換和變更，均應(yīng)包括在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0038]實(shí)施例1:
[0039]如圖2所示，一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器，包括重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底10、輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20、第二導(dǎo)電類型體區(qū)22、場(chǎng)介質(zhì)層30、柵介質(zhì)層31、多晶硅層32、化合物金屬層33和金屬層34。典型的參數(shù)選取為:重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底10為濃度大于19次方以上的N型摻雜、輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20為中等摻雜濃度的N型摻雜、第二導(dǎo)電類型體區(qū)22為中等摻雜濃度的P型摻雜、場(chǎng)介質(zhì)層30為5000A到10000A厚度的二氧化硅、柵介質(zhì)層31的為50A到100A厚度的熱生長(zhǎng)二氧化硅?；衔锝饘賹觼碜杂赑t、PtN1、Ti或TiN與硅材料經(jīng)高溫反應(yīng)后形成的硅化物。
[0040]輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20覆蓋于重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底10之上。
[0041]第二導(dǎo)電類型體區(qū)22浮空于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20中。
[0042]柵介質(zhì)層31覆蓋于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20之上的部分表面。
[0043]多晶娃層32覆蓋于柵介質(zhì)層31之上。
[0044]具有金屬導(dǎo)電特性的化合物金屬層33同時(shí)連接第二導(dǎo)電類型體區(qū)22、輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20?；衔锝饘賹?3還覆蓋于多晶層32之上。
[0045]下電極金屬層位于重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底10之下。
[0046]上電極金屬層34位于化合物金屬層33之上。
[0047]進(jìn)一步，所述耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器結(jié)構(gòu)中的化合物金屬層33通過被部分刻蝕的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20與第二導(dǎo)電類型體區(qū)22相連。所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)22完全位于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20之內(nèi)，且與柵介質(zhì)層31不相連。所述柵介質(zhì)層31、第二導(dǎo)電類型體區(qū)22、化合物金屬層33三者交接的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20的一部分即為所述耗盡型溝道區(qū)。
[0048]實(shí)施例2:
[0049]本實(shí)施例公開一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器的制造方法，包括以下步驟:
[0050]I〕如圖3所示，在重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底10上覆蓋輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20，在所述輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20之上形成場(chǎng)介質(zhì)層30，以此作為器件的基礎(chǔ)。
[0051]2〕如圖4所示，在所述場(chǎng)介質(zhì)層30上覆蓋掩膜層35。所述掩膜層35具有環(huán)形通槽。蝕刻掩膜層35環(huán)形通槽下方的場(chǎng)介質(zhì)層30，使得場(chǎng)介質(zhì)層30上形成環(huán)形通槽后，將掩膜層35去除。所述場(chǎng)介質(zhì)層30上的環(huán)形通槽底部是輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20。
[0052]3〕如圖5所示，以第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)摻雜所述輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20，以形成終端保護(hù)環(huán)21。即摻雜場(chǎng)介質(zhì)層30的環(huán)形通槽下方的所述輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20，摻雜材料是第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，以形成終端保護(hù)環(huán)21。所述終端保護(hù)環(huán)21中間的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20為有源區(qū)。實(shí)施例中，終端保護(hù)環(huán)21可以為中等摻雜濃度的P型摻雜。
[0053]4〕如圖6所示，刻蝕步驟3〕形成的有源區(qū)上方的場(chǎng)介質(zhì)層30。
[0054]5〕整個(gè)器件上表面(即暴露在外的場(chǎng)介質(zhì)層30的外表面，以及暴露在外的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20的上表面，以及暴露在外的終端保護(hù)環(huán)21的上表面)形成柵介質(zhì)層31，在柵介質(zhì)層31上再形成多晶硅層32。多晶硅層32形成后的器件結(jié)構(gòu)如圖7所示。優(yōu)選地，形成的多晶硅層32還需要通過原味摻雜方式或者雜質(zhì)注入后退火的方式完成摻雜。
[0055]6〕如圖8所示，在所述多晶硅層32上方覆蓋掩膜層350。所述掩膜層350具有中央通孔和環(huán)形通槽?？涛g所述掩膜層350的中央通孔和環(huán)形通槽下方的多晶硅層32和柵介質(zhì)層31。使得多晶硅層32和柵介質(zhì)層31上形成中央通孔和環(huán)形通槽。所述多晶硅層32和柵介質(zhì)層31的環(huán)形通槽下方是終端保護(hù)環(huán)21和輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20。
[0056]向多晶硅層32和柵介質(zhì)層31上的中央通孔和環(huán)形通槽下方的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20注入第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)23后，去除掩膜層350。
[0057]7〕如圖9所示，通過快速退火方式使步驟6〕注入的第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)23自由擴(kuò)散，形成位于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20內(nèi)的第二導(dǎo)電類型體區(qū)22。優(yōu)選地，形成的第二導(dǎo)電類型體區(qū)22完全位于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20之內(nèi)，并與柵介質(zhì)層31不相連。
[0058]8〕如圖10所示，蝕刻整個(gè)器件上表面(即暴露在外的場(chǎng)介質(zhì)層30的外表面，以及暴露在外的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20的上表面，以及暴露在外的終端保護(hù)環(huán)21的上表面，以及暴露在外的第二導(dǎo)電類型體區(qū)22的上表面，以及暴露在外的柵介質(zhì)層31的外表面，以及暴露在外的多晶硅層32的外表面)，蝕刻的結(jié)果保證多晶硅層32有殘留，而多晶硅層32和柵介質(zhì)層31的中央通孔和環(huán)形通槽下方形成較淺的溝槽36 (溝槽深度小于2000A)。
[0059]9〕如圖11所示，在整個(gè)器件上表面，(即結(jié)果步驟8〕刻蝕后:暴露在外的場(chǎng)介質(zhì)層30的外表面，以及暴露在外的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)20的外表面，以及暴露在外的終端保護(hù)環(huán)21的外表面，以及暴露在外的第二導(dǎo)電類型體區(qū)22的外表面，以及暴露在外的柵介質(zhì)層31的外表面，以及暴露在外的多晶娃層32的外表面)，淀積一層金屬層37。實(shí)施例中，淀積金屬選擇自Pt、PtN1、Ti或TiN。
[0060]10〕如圖12所示，通過退火，使得所述金屬層37與非介質(zhì)層接觸的部分形成化合物金屬層33。
[0061]11〕如圖2所不,在化合物金屬層33上表面淀積上電極金屬層34。在重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底10下表面淀積下電極金屬層。
【權(quán)利要求】
1.一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器，其特征在于:包括重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底(10)、輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)、第二導(dǎo)電類型體區(qū)(22)、柵介質(zhì)層(31)、多晶硅層(32)、化合物金屬層(33)和金屬層(34)； 輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)覆蓋于重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底(10)之上； 第二導(dǎo)電類型體區(qū)(22)浮空于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)中； 柵介質(zhì)層(31)覆蓋于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)之上的部分表面； 多晶硅層(32)覆蓋于柵介質(zhì)層(31)之上； 具有金屬導(dǎo)電特性的化合物金屬層(33)同時(shí)連接第二導(dǎo)電類型體區(qū)(22)、輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20);化合物金屬層(33)還覆蓋于多晶硅層(32)之上； 金屬層(34)覆蓋于化合物金屬層(33)之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器，其特征在于:所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)(22)完全位于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)之內(nèi)，并與柵介質(zhì)層(31)不相連。
3.一種用于制造權(quán)利要求1或2所述耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器的方法，其特征在于，包括以下步驟: I〕在重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底(10)上覆蓋輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)，選擇性的在所述輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)之上形成場(chǎng)介質(zhì)層(30)； 2〕選擇性的在所述場(chǎng)介質(zhì)層(30)上覆蓋掩膜層(35);所述掩膜層(35)具有環(huán)形通槽；蝕刻掩膜層(35)環(huán)形通槽下方的場(chǎng)介質(zhì)層(30)，使得場(chǎng)介質(zhì)層(30)上形成環(huán)形通槽后，將掩膜層(35)去除； 3〕選擇性的以第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)摻雜場(chǎng)介質(zhì)層(30)的環(huán)形通槽下方的所述輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)，以形成終端保護(hù)環(huán)(21);所述終端保護(hù)環(huán)(21)中間的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)為有源區(qū)； 4〕刻蝕所述有源區(qū)上方的場(chǎng)介質(zhì)層(30)； 5〕整個(gè)器件上表面形成柵介質(zhì)層(31)，在柵介質(zhì)層(31)上再形成多晶硅層(32)； 6〕在所述多晶硅層(32)上方覆蓋掩膜層(350);所述掩膜層(350)具有中央通孔和環(huán)形通槽；刻蝕所述掩膜層(350)的中央通孔和環(huán)形通槽下方的多晶硅層(32)和柵介質(zhì)層(31);使得多晶硅層(32)和柵介質(zhì)層(31)上形成中央通孔和環(huán)形通槽；所述多晶硅層(32)和柵介質(zhì)層(31)的環(huán)形通槽下方是終端保護(hù)環(huán)(21)和輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)； 向多晶硅層(32)和柵介質(zhì)層(31)上的中央通孔和環(huán)形通槽下方的輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)注入第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)(23)后，去除掩膜層(350)； 7〕通過快速退火方式使步驟6〕注入的第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)(23)自由擴(kuò)散，形成位于輕摻雜第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)(20)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型體區(qū)(22)； 8〕蝕刻整個(gè)器件上表面，使得多晶硅層(32)有殘留，多晶硅層(32)和柵介質(zhì)層(31)的中央通孔和環(huán)形通槽下方形成溝槽(36)； 9〕在整個(gè)器件上表面，淀積一層金屬層(37)； 10〕通過退火，使得所述金屬層(37)與非介質(zhì)接觸的部分形成化合物金屬層(33)； 11〕在化合物金屬層(33)上表面淀積上電極金屬層(34)； 在重?fù)诫s第一導(dǎo)電類型襯底(10)下表面淀積下電極金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器的制造方法，其特征在于:步驟5〕形成的多晶硅層(32)還需要通過原味摻雜方式或者雜質(zhì)注入后退火的方式完成摻雜。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種耗盡型溝道超勢(shì)壘整流器的制造方法，其特征在于:步驟9〕中，淀積金屬選擇自Pt、PtN1、Ti或TiN。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK104518006SQ201410311136
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月1日
【發(fā)明者】陳文鎖, 肖添, 鐘怡, 胡鏡影, 張培健, 劉嶸侃 申請(qǐng)人:重慶中科渝芯電子有限公司