半導(dǎo)體工藝方法以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供半導(dǎo)體工藝方法以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管；在所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成一第一保護(hù)層；對(duì)所述第一保護(hù)層進(jìn)行一離子注入過(guò)程和一峰值退火過(guò)程，形成第二保護(hù)層；對(duì)所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述第二保護(hù)層和所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行選擇性刻蝕，形成漏凹槽、源凹槽；在所述漏凹槽和所述源凹槽中生長(zhǎng)一半導(dǎo)體合金層；去除所述第二保護(hù)層。本發(fā)明中，抑制半導(dǎo)體合金層在所述第二保護(hù)層上沉積，提高半導(dǎo)體合金層生長(zhǎng)工藝窗口，改善器件性能。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體工藝方法以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種半導(dǎo)體工藝方法以及半導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)的迅速發(fā)展，場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件（M0SFET)的尺寸在 不斷減小，如何改善遷移率以及器件性能（特別是PM0S)成為新工藝開(kāi)發(fā)中最難以解決的 問(wèn)題。源漏端嵌入式鍺硅技術(shù)（EmbeddingSiGe)能夠非常有效地改善空穴的遷移率。載 流子的遷移率取決于載流子的有效質(zhì)量和運(yùn)動(dòng)過(guò)程中受到的各種機(jī)制的散射，降低載流子 有效質(zhì)量或者減小散射幾率都可以提高載流子的遷移率。源漏端嵌入式鍺硅技術(shù)通過(guò)在 溝道中產(chǎn)生單軸壓應(yīng)力來(lái)提高PM0S的空穴遷移率，從而提高它的電流驅(qū)動(dòng)能力。其原理 是：通過(guò)在硅襯底上刻蝕凹槽，選擇性地外延生長(zhǎng)鍺硅（GeSi)層，因鍺硅晶格常數(shù)與硅的 不匹配，在垂直溝道方向硅晶格受到拉伸產(chǎn)生張應(yīng)力，沿溝道方向Si晶格受到壓縮產(chǎn)生壓 應(yīng)力，當(dāng)施加了適當(dāng)?shù)膽?yīng)力以后，原子之間的作用力會(huì)隨之變化，從而使原來(lái)簡(jiǎn)并的能帶發(fā) 生偏移或者分裂，進(jìn)而可以降低載流子有效質(zhì)量或者減小散射幾率，最終使得載流子的遷 移率得到提商。此外，由于錯(cuò)娃具有較小的電阻率，可提商電流驅(qū)動(dòng)能力。
[0003] 現(xiàn)有的源漏端嵌入鍺硅技術(shù)的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖具體請(qǐng)參考圖la至 圖Id。
[0004] 參考圖la，首先提供半導(dǎo)體襯底1000,所述半導(dǎo)體襯底1000上形成有N型場(chǎng)效應(yīng) 管晶體管1100和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管1200。較佳的，所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述P型場(chǎng) 效應(yīng)晶體管之間有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)1300。所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管有一柵極1110,所述柵極 1110包括柵極氧化層1111以及覆蓋柵極氧化層1111的柵極電極1112。所述P型場(chǎng)效應(yīng) 晶體管有一柵極1210,所述柵極1210包括柵極氧化層1211以及覆蓋柵極氧化層1211的柵 極電極1212。所述半導(dǎo)體襯底1100上有一第一保護(hù)層1400。現(xiàn)有技術(shù)中，所述半導(dǎo)體襯 底1000為娃襯底，所述第一保護(hù)層1400為氮化娃。
[0005] 參考圖lb，在所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管上形成一光阻1120,刻蝕所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶 體管1200的所述第一保護(hù)層1400和所述半導(dǎo)體襯底1100,形成漏凹槽1230、源凹槽1240， 在所述漏凹槽1230和所述源凹槽1240生長(zhǎng)一半導(dǎo)體合金層1250,如圖lc所示?，F(xiàn)有技術(shù) 中，所述半導(dǎo)體合金層1250的材料為硅鍺合金，采用外延工藝在所述漏凹槽1230和所述源 凹槽1240內(nèi)生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體合金層1250,所述漏凹槽1230和所述源凹槽1240內(nèi)通入二氯 二氫娃（DCS)、氯化氫（HC1)、四氫化鍺（GeH 4，）氣體生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體合金層1250。
[0006] 參考圖ld，去除所述光阻1120,和所述第一保護(hù)層1400,形成最終的半導(dǎo)體器件 結(jié)構(gòu)1。
[0007] 然而，現(xiàn)有的源漏端嵌入鍺硅技術(shù)中存在以下缺陷：在鍺硅外延工藝中，由于是選 擇性外延工藝，鍺硅合金很容易在源漏區(qū)的硅表面的溝槽中生長(zhǎng)，而多晶硅柵極上由于有 氮化硅保護(hù)層，鍺硅很難在其表面成核生長(zhǎng)。但是由于氮化硅中有硅原子的自由懸掛鍵，并 且只要這種自由懸掛鍵濃度高過(guò)一定值，鍺硅會(huì)在氮化硅上生長(zhǎng)，給源漏凹槽區(qū)鍺硅外延 以及后續(xù)的氮化硅保護(hù)層的去除帶來(lái)了很大的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的目的在于，提供半導(dǎo)體工藝方法，可以抑制鍺硅合金在多晶硅柵極上的 沉積，從而不影響后續(xù)氮化硅保護(hù)層的去除，改善半導(dǎo)體器件的性能。
[0009] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體工藝方法，包括：
[0010] 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體 管；
[0011] 在所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成一第一保護(hù)層；
[0012] 對(duì)所述第一保護(hù)層進(jìn)行一離子注入過(guò)程和一峰值退火過(guò)程，形成第二保護(hù)層；
[0013] 對(duì)所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述第二保護(hù)層和所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行選擇性刻蝕， 在所述半導(dǎo)體襯底中形成漏凹槽、源凹槽；
[0014] 在所述漏凹槽和所述源凹槽中生長(zhǎng)一半導(dǎo)體合金層；
[0015] 去除所述第二保護(hù)層。
[0016] 進(jìn)一步的,所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。
[0017] 進(jìn)一步的，所述第一保護(hù)層為氮化硅。
[0018] 進(jìn)一步的，所述離子注入過(guò)程注入的離子為碳離子，注入濃度為大于等于5E14。
[0019] 進(jìn)一步的，所述離子注入過(guò)程注入的離子為氮離子，注入濃度為大于等于5E14。
[0020] 進(jìn)一步的，所述峰值退火過(guò)程采用的退火溫度為850°C -1150°C。
[0021] 進(jìn)一步的，通入氮?dú)夂秃膺M(jìn)行所述峰值退火過(guò)程。
[0022] 進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體合金層的材料為硅鍺合金。
[0023] 進(jìn)一步的，采用外延工藝在所述漏凹槽和所述源凹槽內(nèi)生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體合金層。
[0024] 進(jìn)一步的，所述漏凹槽和所述源凹槽內(nèi)通入二氯二氫硅（DCS)、氯化氫（HC1)、四 氫化鍺（GeH 4，）氣體生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體合金層。
[0025] 根據(jù)本發(fā)明的另一面，還提供一種采用如上任意一項(xiàng)所述半導(dǎo)體工藝方法制備的 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
[0026] 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管；
[0027] 所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述半導(dǎo)體襯底中形成有漏凹槽、源凹槽；
[0028] 所述漏凹槽和所述源凹槽中生長(zhǎng)有一半導(dǎo)體合金層。
[0029] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體工藝方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：在所述N型場(chǎng)效 應(yīng)晶體管和所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成一第一保護(hù)層，對(duì)所述第一保護(hù)層進(jìn)行一離子 注入過(guò)程和一峰值退火過(guò)程，使得所述第一保護(hù)層中的自由懸掛鍵與注入的離子反應(yīng)形成 穩(wěn)定的共價(jià)鍵，從而形成第二保護(hù)層的結(jié)構(gòu)，抑制所述半導(dǎo)體合金層在所述第二保護(hù)層上 沉積，從而不影響后續(xù)對(duì)所述第二保護(hù)層的去除，使得所述半導(dǎo)體合金層合金生長(zhǎng)工藝窗 口得到明顯的提高，改善半導(dǎo)體器件的性能。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030] 圖la至圖Id為現(xiàn)有的源漏端嵌入鍺硅技術(shù)的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0031] 圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中半導(dǎo)體工藝方法的流程圖；
[0032] 圖3a至圖3e為本發(fā)明一實(shí)施例中半導(dǎo)體工藝方法中各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意 圖；
[0033] 圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中半導(dǎo)體合金層在不同襯底上成膜厚度與成核時(shí)間的關(guān) 系。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本 發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本 發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作 為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0035] 為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能 和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi) 發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的 限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi) 時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0036] 在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要 求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非 精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0037] 本發(fā)明的核心在于，提供的半導(dǎo)體工藝方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：在所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶 體管和所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成一第一保護(hù)層，對(duì)所述第一保護(hù)層進(jìn)行一離子注入 過(guò)程和一峰值退火過(guò)程，使得所述第一保護(hù)層中的自由懸掛鍵與注入的離子反應(yīng)形成穩(wěn)定 的共價(jià)鍵，從而形成第二保護(hù)層的結(jié)構(gòu)，抑制所述半導(dǎo)體合金層在所述第二保護(hù)層上沉積， 從而不影響后續(xù)對(duì)所述第二保護(hù)層的去除，使得所述半導(dǎo)體合金層合金生長(zhǎng)工藝窗口得到 明顯的提高，改善半導(dǎo)體器件的性能。
[0038] 具體的，結(jié)合上述核心思想，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體工藝方法，流程圖參考圖2,具體 步驟包括：
[0039] 步驟S100,提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型場(chǎng) 效應(yīng)晶體管；
[0040] 步驟S101，在所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成一第一保 護(hù)層；
[0041] 步驟S102,對(duì)所述第一保護(hù)層進(jìn)行一離子注入過(guò)程和一峰值退火過(guò)程，形成第二 保護(hù)層；
[0042] 步驟S103,對(duì)所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述第二保護(hù)層和所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行選 擇性刻蝕，在所述半導(dǎo)體襯底中形成漏凹槽、源凹槽；
[0043] 步驟S104,在所述漏凹槽和所述源凹槽中生長(zhǎng)一半導(dǎo)體合金層；
[0044] 步驟S105,去除所述第二保護(hù)層。
[0045] 以下列舉所述半導(dǎo)體工藝方法的幾個(gè)實(shí)施例，以清楚說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明 確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實(shí)施例，其他通過(guò)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù) 手段的改進(jìn)亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0046] 以下結(jié)合圖3a至圖3e，具體說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝方法。
[0047] 參考圖3a，首先提供半導(dǎo)體襯底1000,所述半導(dǎo)體襯底1000上形成有N型場(chǎng)效應(yīng) 管晶體管1100和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管1200,較佳的，所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述P型場(chǎng)效 應(yīng)晶體管之間有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)1300。所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管有一柵極1110,所述柵極 1110包括柵極氧化層1111以及覆蓋柵極氧化層1111的柵極電極1112。所述P型場(chǎng)效應(yīng) 晶體管有一柵極1210,所述柵極1210包括柵極氧化層1211以及覆蓋柵極氧化層1211的柵 極電極1212。所述半導(dǎo)體襯底1100上有一第一保護(hù)層1400。在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體 襯底1000為娃襯底，所述第一保護(hù)層1400為氮化娃。
[0048] 參考圖3b，對(duì)所述第一保護(hù)層1400進(jìn)行一離子注入過(guò)程，將所述離子1510注入到 所述第一保護(hù)層1400中，并對(duì)所述第一保護(hù)層1400進(jìn)行一峰值退火過(guò)程，所述第一保護(hù)層 1400中的自由懸掛鍵與注入的離子反應(yīng)形成穩(wěn)定的共價(jià)鍵，使所述第一保護(hù)層1400形成 第二保護(hù)層1600。較佳的，所述離子注入過(guò)程1500注入的離子為碳離子或者氮離子，注入 濃度為大于等于5E14,如5E14,所述峰值退火過(guò)程1520采用的退火溫度為850°C -1150°C， 如1000°C。較佳的，通入氮?dú)夂秃膺M(jìn)行所述峰值退火過(guò)程，用于維持所述峰值退火過(guò)程中 的氣壓并快速升溫。
[0049] 參考圖3c，在所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管上形成一光阻1120,刻蝕所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶 體管1200的所述第一保護(hù)層1400和所述半導(dǎo)體襯底1100,形成漏凹槽1230、源凹槽1240， 在所述漏凹槽1230和所述源凹槽1240生長(zhǎng)一半導(dǎo)體合金層1250,如圖3d所示。在本實(shí)施 例中，所述半導(dǎo)體合金層1250的材料為硅鍺合金，采用外延工藝在所述漏凹槽1230和所述 源凹槽1240內(nèi)生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體合金層1250,所述漏凹槽1230和所述源凹槽1240內(nèi)通入 DCS，HC1，GeH4等氣體生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體合金層1250。所述第二保護(hù)層1600中硅的自由懸掛 鍵與注入的碳離子或氮離子反應(yīng)形成穩(wěn)定的共價(jià)鍵，抑制所述半導(dǎo)體合金層1250生長(zhǎng)過(guò) 程中采用的鍺硅合金在所述第二保護(hù)層1600上沉積，從而不影響后續(xù)第二保護(hù)層1600的 去除，使得所述半導(dǎo)體合金層生長(zhǎng)工藝窗口得到明顯的提高。
[0050] 參考圖3e，去除所述光阻1120和所述第二保護(hù)層1600,形成最終的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2。 所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2包括半導(dǎo)體襯底1000,所述半導(dǎo)體襯底1000上形成有N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1100和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管1200,所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管1200的所述半導(dǎo)體襯底1000中形 成有漏凹槽1230、源凹槽1240 ;所述漏凹槽1230和所述源凹槽124中生長(zhǎng)有一半導(dǎo)體合金 層 1240。
[0051] 在本實(shí)施例中，所述第二保護(hù)層1600中硅的自由懸掛鍵與注入的碳離子或氮離 子反應(yīng)形成穩(wěn)定的共價(jià)鍵，抑制所述半導(dǎo)體合金層1250生長(zhǎng)過(guò)程中采用的鍺硅合金在所 述第二保護(hù)層1600上沉積，從而不影響后續(xù)第二保護(hù)層1600的去除，使得所述半導(dǎo)體合金 層生長(zhǎng)工藝窗口得到明顯的提高。圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中所述半導(dǎo)體合金層1250在所述 第一保護(hù)層1400和所述第二保護(hù)層1600上成膜厚度與成核時(shí)間的關(guān)系。在相同時(shí)間內(nèi)， 所述半導(dǎo)體合金層1250在所述第二保護(hù)層1600上成膜厚度小于在所述第一保護(hù)層1400 上成膜厚度，更好的驗(yàn)證本發(fā)明的效果。
[0052] 綜上所述，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體工藝方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：在所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體 管和所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成一第一保護(hù)層，對(duì)所述第一保護(hù)層進(jìn)行一離子注入過(guò) 程和一峰值退火過(guò)程，使得所述第一保護(hù)層中的自由懸掛鍵與注入的離子反應(yīng)形成穩(wěn)定的 共價(jià)鍵，從而形成第二保護(hù)層的結(jié)構(gòu)，抑制所述半導(dǎo)體合金層在所述第二保護(hù)層上沉積，從 而不影響后續(xù)對(duì)所述第二保護(hù)層的去除，使得所述半導(dǎo)體合金層合金生長(zhǎng)工藝窗口得到明 顯的提高，改善半導(dǎo)體器件的性能。
[0053] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體工藝方法，包括： 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管； 在所述N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管表面形成一第一保護(hù)層； 對(duì)所述第一保護(hù)層進(jìn)行一離子注入過(guò)程和一峰值退火過(guò)程，形成第二保護(hù)層； 對(duì)所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述第二保護(hù)層和所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行選擇性刻蝕，在所 述半導(dǎo)體襯底中形成漏凹槽、源凹槽； 在所述漏凹槽和所述源凹槽中生長(zhǎng)一半導(dǎo)體合金層； 去除所述第二保護(hù)層。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層為氮化硅。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，所述離子注入過(guò)程注入的離子 為碳離子，注入濃度為大于等于5E14。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，所述離子注入過(guò)程注入的離子 為氮離子，注入濃度為大于等于5E14。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，所述峰值退火過(guò)程采用的退火 溫度為 850°C -1150°C。
7. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，通入氮?dú)夂秃膺M(jìn)行所述峰值 退火過(guò)程。
8. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體合金層的材料為硅 鍺合金。
9. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，采用外延工藝在所述空腔內(nèi)生 長(zhǎng)所述半導(dǎo)體合金層。
10. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，向所述漏凹槽和所述源凹槽內(nèi) 通入二氯二氫硅、氯化氫、四氫化鍺氣體生長(zhǎng)所述半導(dǎo)體合金層。
11. 一種采用如權(quán)利要求1-10中任意一項(xiàng)所述半導(dǎo)體工藝方法制備的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包 括： 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管； 所述P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述半導(dǎo)體襯底中形成有漏凹槽、源凹槽； 所述漏凹槽和所述源凹槽中生長(zhǎng)有一半導(dǎo)體合金層。
【文檔編號(hào)】H01L27/092GK104064521SQ201410315127
【公開(kāi)日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月3日
【發(fā)明者】王昌峰, 楊列勇, 李潤(rùn)領(lǐng) 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司