一種有機薄膜晶體管、陣列基板及制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種有機薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可在封裝和保護有機半導(dǎo)體有源層的同時，形成厚度較薄成膜均勻的有機絕緣層，降低形成過孔的工藝難度，提高工藝可靠性。該方法包括形成包括源極、漏極的源漏金屬層，以及有機半導(dǎo)體有源層；所述有機半導(dǎo)體有源層與所述源極、所述漏極接觸；在形成有包括所述源極、所述漏極的源漏金屬層以及所述有機半導(dǎo)體有源層上形成有機絕緣薄膜，采用刻蝕減薄工藝減薄所述有機絕緣薄膜的厚度，并采用固化工藝固化減薄后的所述有機絕緣薄膜，形成有機絕緣層；其中，所述方法還包括形成柵極。用于有機薄膜晶體管及包括該有機薄膜晶體管的陣列基板的制備。
【專利說明】-種有機薄膜晶體管、陣列基板及制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種有機薄膜晶體管及制備方法、陣列基板 及制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機薄膜晶體管（Organic Thin Film Transistor，簡稱為0TFT)自20世紀(jì)80年 代中期出現(xiàn)后，因其具有質(zhì)輕、價廉、柔韌性好的優(yōu)點，在各種顯示裝置以及存儲器，尤其是 電子紙、柔性顯示領(lǐng)域顯示了優(yōu)異的應(yīng)用前景，因此受到了研究人員的極大重視，并得以迅 速發(fā)展。
[0003] 0TFT的核心結(jié)構(gòu)為采用有機半導(dǎo)體材料制備而成的有機半導(dǎo)體有源層，由于有機 半導(dǎo)體材料活性較強，且絕大多數(shù)是在低溫條件下（小于200°C )制備而成，因此，需要選擇 合適的絕緣層材料覆蓋在有機半導(dǎo)體有源層的上方，以使有機半導(dǎo)體有源層得到良好的封 裝和保護，從而保證有機半導(dǎo)體有源層各項性能的穩(wěn)定性不受其他制備工藝的影響。
[0004] 然而，在實現(xiàn)上述0TFT的制備過程中，現(xiàn)有技術(shù)主要面臨如下難點：
[0005] 其一，采用無機材料制備而成的絕緣層，如氮化硅（SiNx)、氧化硅（SiO x)等，在成 膜過程中通常需要較高的制備溫度（如200°C _400°C )，且需要使用到含有腐蝕性的氣體， 高溫和腐蝕性的氣體均會破壞有機半導(dǎo)體材料的活性；因此，由無機材料制備而成的絕緣 層難以適用于0TFT。
[0006] 其二，采用聚乙烯醇（Polyvinyl alcohol,簡稱為PVA)或聚乙烯批咯燒酮 (Polyvinyl pyrrolidone，簡稱為PVP)等有機材料制備而成的絕緣層，其厚度通常為微米 級別（1 μ m-2 μ m);而通過絕緣層對有機半導(dǎo)體有源層進行封裝后，在0TFT應(yīng)用于陣列基 板時，需要在絕緣層上形成過孔以使0TFT的漏極與像素電極電連接，由于絕緣層相對于 0TFT的源漏極的厚度尺寸級別相差較大，導(dǎo)致形成過孔的工藝難度增加，容易產(chǎn)生過孔斷 層，降低了 0TFT應(yīng)用于陣列基板時的工藝可靠性。
[0007] 針對上述第二個問題，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果在有機半導(dǎo)體有源層的上方直接形成厚 度較薄的有機材料的絕緣層，將難以保證絕緣層薄膜的成膜均勻性與連續(xù)性，從而導(dǎo)致絕 緣層對有機半導(dǎo)體有源層的覆蓋性下降或者在源極與漏極之間的間隙邊緣出現(xiàn)覆蓋不足 現(xiàn)象，影響絕緣層對有機半導(dǎo)體有源層的封裝和保護效率；此外，如果直接形成厚度較薄的 有機材料的絕緣層，還會出現(xiàn)諸如薄膜表面粗糙度過大的問題，使得絕緣層的平坦性下降， 影響后續(xù)的其他成膜工藝。
[0008] 因此，如何解決有效封裝和保護有機半導(dǎo)體有源層的同時，形成厚度較薄成膜均 勻的有機絕緣層，從而降低形成有機絕緣層過孔的工藝難度，成為了本領(lǐng)域人員亟待解決 的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009] 本發(fā)明的實施例提供一種有機薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯 示裝置，通過該制備方法可在有效封裝和保護有機半導(dǎo)體有源層的同時，形成厚度較薄成 膜均勻的有機絕緣層，降低形成有機絕緣層過孔的工藝難度，提高工藝可靠性。
[0010] 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0011] 一方面、本發(fā)明實施例提供了一種有機薄膜晶體管的制備方法，所述制備方法包 括：形成包括源極、漏極的源漏金屬層，以及有機半導(dǎo)體有源層；所述有機半導(dǎo)體有源層與 所述源極、所述漏極接觸；在形成有包括所述源極、所述漏極的源漏金屬層以及所述有機半 導(dǎo)體有源層上形成有機絕緣薄膜，采用刻蝕減薄工藝減薄所述有機絕緣薄膜的厚度，并采 用固化工藝固化減薄后的所述有機絕緣薄膜，形成有機絕緣層；其中，所述方法還包括形成 柵極。
[0012] 可選的，在形成所述有機絕緣薄膜之前，所述方法還包括形成有機刻蝕阻擋層；其 中，所述有機刻蝕阻擋層位于所述有機半導(dǎo)體有源層的上方、且所述有機刻蝕阻擋層與所 述源極、所述漏極之間的間隙相對應(yīng)。
[0013] 優(yōu)選的，形成包括源極、漏極的源漏金屬層，有機半導(dǎo)體有源層以及有機刻蝕阻擋 層，具體包括：在形成有包括所述源極、所述漏極的源漏金屬層的基板上依次形成有機半導(dǎo) 體薄膜和有機光敏薄膜；采用普通掩模板對形成有所述有機光敏薄膜的基板進行曝光、顯 影后，形成有機光敏薄膜完全保留部分和有機光敏薄膜完全去除部分；其中，所述有機光敏 薄膜完全保留部分對應(yīng)待形成的有機半導(dǎo)體有源層的區(qū)域，所述有機光敏薄膜完全去除部 分對應(yīng)其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述有機光敏薄膜完全去除部分露出的所述有機半導(dǎo) 體薄膜，形成所述有機半導(dǎo)體有源層；其中，形成的所述有機半導(dǎo)體有源層露出所述漏極的 一部分和所述源極的一部分；采用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上的所述 有機光敏薄膜完全保留部分，形成所述有機刻蝕阻擋層。
[0014] 優(yōu)選的，形成包括源極、漏極的源漏金屬層，有機半導(dǎo)體有源層以及有機刻蝕阻擋 層，具體包括：依次形成有機半導(dǎo)體薄膜和有機光敏薄膜；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對 形成有所述有機光敏薄膜的基板進行曝光、顯影后，形成有機光敏薄膜完全保留部分、有機 光敏薄膜完全去除部分、以及有機光敏薄膜半保留部分；其中，所述有機光敏薄膜完全保留 部分對應(yīng)待形成的有機刻蝕阻擋層的區(qū)域，所述有機光敏薄膜半保留部分對應(yīng)待形成的有 機半導(dǎo)體有源層沒有被所述有機刻蝕阻擋層覆蓋的區(qū)域，所述有機光敏薄膜完全去除部分 對應(yīng)其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述有機光敏薄膜完全去除部分露出的所述有機半導(dǎo) 體薄膜，形成所述有機半導(dǎo)體有源層；采用灰化工藝去除所述有機光敏薄膜半保留部分的 所述有機光敏薄膜，露出所述有機半導(dǎo)體有源層對應(yīng)于所述有機光敏薄膜半保留部分的區(qū) 域；采用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上的所述有機光敏薄膜完全保留部 分，形成所述有機刻蝕阻擋層；在形成有包括所述有機半導(dǎo)體有源層和所述有機刻蝕阻擋 層的基板上形成包括源極、漏極的源漏金屬層。
[0015] 在上述基礎(chǔ)上優(yōu)選的，所述采用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上 的所述有機光敏薄膜完全保留部分，形成所述有機刻蝕阻擋層，具體包括：采用固化工藝固 化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上的所述有機光敏薄膜完全保留部分；采用刻蝕減薄工 藝減薄固化的所述有機光敏薄膜完全保留部分的厚度，形成所述有機刻蝕阻擋層。
[0016] 優(yōu)選的，形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上的所述有機光敏薄膜完全保留部分的 厚度為500nm-1000nm ;采用刻蝕減薄工藝減薄固化的所述有機光敏薄膜完全保留部分的 厚度為 300nm-500nm。
[0017] 優(yōu)選的，所述有機光敏薄膜采用溶液鍍膜法形成。
[0018] 可選的，所述在形成有包括所述源極、所述漏極的源漏金屬層以及所述有機半導(dǎo) 體有源層上形成有機絕緣薄膜，采用刻蝕減薄工藝減薄所述有機絕緣薄膜的厚度，并采用 固化工藝固化減薄后的所述有機絕緣薄膜，形成有機絕緣層，具體包括：在形成有包括所述 源極、所述漏極的源漏金屬層以及所述有機半導(dǎo)體有源層上形成有機絕緣薄膜；對形成的 所述有機絕緣薄膜進行第一溫度的預(yù)烘烤處理，所述第一溫度為110°c -150°c;采用第一刻 蝕減薄工藝，減薄完成所述第一溫度的預(yù)烘烤處理的所述有機絕緣薄膜的厚度；對減薄后 的所述有機絕緣薄膜進行第二溫度的預(yù)烘烤處理，所述第二溫度為150°C -200°C;采用第一 固化工藝，固化完成所述第二溫度的預(yù)烘烤處理的所述有機絕緣薄膜中的第一區(qū)域；其中 所述第一區(qū)域為所述有機絕緣薄膜中除位于所述源極的上方、所述漏極的上方、以及所述 源極和所述漏極之間的間隙的上方其余的區(qū)域；采用第二刻蝕減薄工藝，減薄完成所述第 一固化工藝的所述有機絕緣薄膜中的第二區(qū)域；其中，所述第二區(qū)域為所述有機絕緣薄膜 中位于所述源極的上方、所述漏極的上方、以及所述源極和所述漏極之間的間隙的上方的 區(qū)域；采用第二固化工藝，固化完成所述第二刻蝕減薄工藝的所述有機絕緣薄膜中的第二 區(qū)域，形成有機絕緣層。
[0019] 優(yōu)選的，形成的所述有機絕緣薄膜的厚度為500nm-1000nm ;形成的所述有機絕緣 層的厚度為300nm-500nm。
[0020] 優(yōu)選的，所述有機絕緣薄膜采用溶液鍍膜法形成。
[0021] 另一方面、本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制備方法，所述制備方法包括， 形成有機薄膜晶體管，所述有機薄膜晶體管采用上述任一項所述的制備方法制備；在所述 有機薄膜晶體管的有機絕緣層上形成平坦層，并至少形成貫通所述平坦層和所述有機絕緣 層的過孔，所述過孔露出所述有機薄膜晶體管的漏極；在所述平坦層上形成像素電極，所述 像素電極通過所述過孔與所述漏極電連接。
[0022] 再一方面、本發(fā)明實施例還提供了一種采用上述任一項所述的制備方法制備的有 機薄膜晶體管；其中，所述有機薄膜晶體管包括位于有機半導(dǎo)體有源層上方的有機絕緣層， 所述有機絕緣層的厚度為300nm-500nm。
[0023] 在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括上述的有機 薄膜晶體管、位于所述有機薄膜晶體管的有機絕緣層上的平坦層、以及位于所述平坦層上 的像素電極；其中，所述像素電極至少通過貫通所述平坦層和所述有機絕緣層的過孔與漏 極電連接。
[0024] 再一方面，本發(fā)明實施例又提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的所述 陣列基板。
[0025] 采用本發(fā)明實施例提供的所述有機薄膜晶體管的制備方法，由于首先形成膜層厚 度較大的有機絕緣薄膜，可以保證形成的所述有機絕緣薄膜具有良好的成膜均勻性與連續(xù) 性，避免出現(xiàn)由于膜層厚度較小而產(chǎn)生的對所述有機半導(dǎo)體有源層的覆蓋性下降或者在所 述源極與所述漏極的間隙邊緣出現(xiàn)有機絕緣薄膜覆蓋不足的現(xiàn)象。之后，對已經(jīng)沉積完成 的所述有機絕緣薄膜進行所述刻蝕減薄工藝，因此可以得到膜層厚度較小的所述有機絕緣 層。
[0026] 基于此，上述制備方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中直接形成膜層厚度較小的有機絕緣層容 易出現(xiàn)的難以形成均勻連續(xù)薄膜的缺點，實現(xiàn)了在有效封裝和保護所述有機半導(dǎo)體有源層 的同時，形成厚度較薄且成膜均勻的有機絕緣層；當(dāng)所述有機薄膜晶體管應(yīng)用于陣列基板 時，由于像素電極須與所述有機薄膜晶體管的所述漏極電連接，而位于像素電極與所述漏 極之間的有機絕緣層的膜層厚度較小，故降低了在所述有機絕緣層上形成過孔的工藝難 度，提高了工藝可靠性，具有重要的實際應(yīng)用價值。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0027] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028] 圖1為本發(fā)明實施例提供的一種有機薄膜晶體管的制備流程示意圖；
[0029] 圖2(a)為本發(fā)明實施例提供的底柵底接觸型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖2(b)為本發(fā)明實施例提供的底柵頂接觸型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖3(a)為本發(fā)明實施例提供的頂柵底接觸型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖3(b)為本發(fā)明實施例提供的頂柵頂接觸型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033] 圖4(a)和圖4(b)依次為在形成有源極和漏極的基板上形成有機半導(dǎo)體薄膜和有 機光敏薄膜的示意圖一和示意圖二；
[0034] 圖5(a)為在圖4(a)基礎(chǔ)上形成有機光敏薄膜完全保留部分、完全去除部分的示 意圖；
[0035] 圖5(b)為在圖4(b)基礎(chǔ)上形成有機光敏薄膜完全保留部分、完全去除部分的示 意圖；
[0036] 圖6 (a)為在圖5 (a)基礎(chǔ)上形成有機半導(dǎo)體有源層的不意圖；
[0037] 圖6 (b)為在圖5 (b)基礎(chǔ)上形成有機半導(dǎo)體有源層的不意圖；
[0038] 圖7 (a)為在6 (a)基礎(chǔ)上形成有機刻蝕阻擋層的示意圖；
[0039] 圖7 (b)為在6 (b)基礎(chǔ)上形成有機刻蝕阻擋層的示意圖；
[0040] 圖8 (a)和圖8 (b)依次為形成有機半導(dǎo)體薄膜和有機光敏薄膜的示意圖一和示意 圖二；
[0041] 圖9 (a)為在圖8 (a)基礎(chǔ)上形成有機光敏薄膜完全保留部分、完全去除部分、以及 半保留部分的示意圖；
[0042] 圖9(b)為在圖8(b)基礎(chǔ)上形成有機光敏薄膜完全保留部分、完全去除部分、以及 半保留部分的示意圖；
[0043] 圖10 (a)為在圖9 (a)基礎(chǔ)上形成有機半導(dǎo)體有源層的不意圖；
[0044] 圖10 (b)為在圖9 (b)基礎(chǔ)上形成有機半導(dǎo)體有源層的不意圖；
[0045] 圖11(a)為在圖10(a)基礎(chǔ)上去除有機光敏薄膜半保留部分，露出有機半導(dǎo)體有 源層的示意圖；
[0046] 圖11(b)為在圖10(b)基礎(chǔ)上去除有機光敏薄膜半保留部分，露出有機半導(dǎo)體有 源層的示意圖；
[0047] 圖12(a)為在圖11(a)基礎(chǔ)上形成有機刻蝕阻擋層的示意圖；
[0048] 圖12(b)為在圖11(b)基礎(chǔ)上形成有機刻蝕阻擋層的示意圖；
[0049] 圖13 (a)為在圖12 (a)基礎(chǔ)上形成源極和漏極的不意圖；
[0050] 圖13(b)為在圖12(b)基礎(chǔ)上形成源極和漏極的示意圖；
[0051] 圖14(a)為在圖7(a)基礎(chǔ)上形成有機絕緣薄膜的示意圖；
[0052] 圖14(b)為在圖7(b)基礎(chǔ)上形成有機絕緣薄膜的示意圖；
[0053] 圖14(c)為在圖13(a)基礎(chǔ)上形成有機絕緣薄膜的示意圖；
[0054] 圖14(d)為在圖13(b)基礎(chǔ)上形成有機絕緣薄膜的示意圖；
[0055] 圖15(a)為在圖14(a)基礎(chǔ)上采用第一刻蝕減薄工藝減薄有機絕緣薄膜的厚度示 意圖；
[0056] 圖15(b)為在圖14(b)基礎(chǔ)上采用第一刻蝕減薄工藝減薄有機絕緣薄膜的厚度示 意圖；
[0057] 圖15(c)為在圖14(c)基礎(chǔ)上采用第一刻蝕減薄工藝減薄有機絕緣薄膜的厚度示 意圖；
[0058] 圖15(d)為在圖14(d)基礎(chǔ)上采用第一刻蝕減薄工藝減薄有機絕緣薄膜的厚度示 意圖；
[0059] 圖16(a)為在圖15(a)基礎(chǔ)上固化完成步驟S34的第一區(qū)域的示意圖；
[0060] 圖16(b)為在圖15(b)基礎(chǔ)上固化完成步驟S34的第一區(qū)域的示意圖；
[0061] 圖16(c)為在圖15(c)基礎(chǔ)上固化完成步驟S34的第一區(qū)域的示意圖；
[0062] 圖16(d)為在圖15(d)基礎(chǔ)上固化完成步驟S34的第一區(qū)域的示意圖；
[0063] 圖17(a)為在圖16(a)基礎(chǔ)上減薄第二區(qū)域的示意圖；
[0064] 圖17(b)為在圖16(b)基礎(chǔ)上減薄第二區(qū)域的示意圖；
[0065] 圖17(c)為在圖16(c)基礎(chǔ)上減薄第二區(qū)域的示意圖；
[0066] 圖17(d)為在圖16(d)基礎(chǔ)上減薄第二區(qū)域的示意圖；
[0067] 圖18 (a)為在圖17 (a)基礎(chǔ)上形成有機絕緣層的不意圖；
[0068] 圖18 (b)為在圖17 (b)基礎(chǔ)上形成有機絕緣層的不意圖；
[0069] 圖18 (c)為在圖17 (c)基礎(chǔ)上形成有機絕緣層的不意圖；
[0070] 圖18(d)為在圖17(d)基礎(chǔ)上形成有機絕緣層的示意圖；
[0071] 圖19 (a)、圖19(b)、圖19(c)以及圖19(d)依次為本發(fā)明實施例提供的一種陣列 基板的結(jié)構(gòu)不意圖一、不意圖-、不意圖二、以及不意圖四。
[0072] 附圖標(biāo)記：
[0073] 〇1-有機薄膜晶體管；1〇-襯底基板；II-柵極；12a_源極；12b_漏極；13-有機半 導(dǎo)體有源層；130-有機半導(dǎo)體薄膜；14-有機絕緣層；140-有機絕緣薄膜；15-柵絕緣層； 16-有機刻蝕阻擋層；160-有機光敏薄膜；160a-有機光敏薄膜完全保留部分；160b-有 機光敏薄膜完全去除部分；160c-有機光敏薄膜半保留部分；02-陣列基板；20-平坦層； 21 -過孔；22-像素電極。
【具體實施方式】
[0074] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0075] 本發(fā)明實施例提供了一種有機薄膜晶體管01的制備方法，如圖1所示，所述制備 方法包括以下主要步驟：
[0076] S01、形成包括源極12a、漏極12b的源漏金屬層，以及有機半導(dǎo)體有源層13 ;所述 有機半導(dǎo)體有源層13與所述源極12a、所述漏極12b接觸。
[0077] S02、在形成有包括所述源極12a、所述漏極12b的源漏金屬層，以及所述有機半導(dǎo) 體有源層13上形成有機絕緣薄膜140,采用刻蝕減薄工藝減薄所述有機絕緣薄膜140的厚 度，并采用固化工藝，固化減薄后的所述有機絕緣薄膜140,形成有機絕緣層14。
[0078] 其中，所述制備方法還包括形成柵極11。
[0079] 需要說明的是，第一、有機薄膜晶體管01根據(jù)劃分標(biāo)準(zhǔn)的不同，可分為不同的類 型；其中，根據(jù)有機薄膜晶體管〇1中源極12a、漏極12b與柵極11的沉積順序的不同，可將 有機薄膜晶體管01分為底柵型和頂柵型，例如：
[0080] 如圖2(a)和圖2(b)所示，針對待形成的有機薄膜晶體管01為底柵型的情況，所 述形成包括源極12a、漏極12b的源漏金屬層，以及有機半導(dǎo)體有源層13形成于包括有柵極 11和柵絕緣層15的襯底基板10上。
[0081] 如圖3(a)和圖3(b)所示，針對待形成的有機薄膜晶體管01為頂柵型的情況，所 述形成包括源極12a、漏極12b的源漏金屬層，以及有機半導(dǎo)體有源層13形成于襯底基板 10上；在此情況下，柵極11形成于包括有所述有機絕緣層14的基板上。
[0082] 此外，根據(jù)有機薄膜晶體管01中源極12a、漏極12b與有機半導(dǎo)體有源層13的沉 積順序的不同，也可將有機薄膜晶體管01分為底接觸型和頂接觸型；其中，源極12a和漏極 12b位于有機半導(dǎo)體有源層13的下方稱為底接觸型；反之，源極12a和漏極12b位于有機 半導(dǎo)體有源層13的上方稱為頂接觸型。
[0083] 本發(fā)明實施例提供的所述制備方法可適用于多種類型的有機薄膜晶體管，即：參 考圖2(a)所示的底柵底接觸型、參考圖2(b)所示的底柵頂接觸型、參考圖3(a)所示的頂 柵底接觸型、以及參考圖3(b)所示的頂柵頂接觸型。
[0084] 第二、在上述步驟S01中，針對所述有機薄膜晶體管01為底接觸型的情況，參考圖 2(a)和圖3(a)所示，所述有機半導(dǎo)體有源層13與所述源極12a、所述漏極12b接觸時，可 露出所述漏極12b的一部分，即當(dāng)所述有機薄膜晶體管01應(yīng)用于陣列基板時，所述漏極12b 通過過孔與所述像素電極電連接時，在形成貫通所述有機絕緣層14的過孔時，無需貫通所 述有機半導(dǎo)體有源層13,避免了刻蝕工藝對所述有機半導(dǎo)體有源層13的破壞。
[0085] 第三、在上述步驟S02中，所述采用刻蝕減薄工藝，減薄所述有機絕緣薄膜140的 厚度，例如可以采用一次減薄的方式直接減薄至相應(yīng)的厚度，也可以采用多次逐級減薄的 方式，最終將所述有機絕緣薄膜140減薄至相應(yīng)的厚度；可根據(jù)形成的所述有機絕緣薄膜 140的厚度和材料靈活調(diào)整工藝，本發(fā)明實施例對此不作限定。
[0086] 第四、同樣在上述步驟S02中，所述刻蝕減薄工藝?yán)缈梢詾闈穹涛g工藝，也可 為等離子體干法刻蝕工藝（如采用〇 2等離子體）；所述固化工藝?yán)缈梢詾橥ㄟ^烘烤等方 式的熱固化工藝，也可以為紫外光固化工藝，或者為前述兩種方式的組合固化工藝；可根據(jù) 形成的所述有機絕緣薄膜140的厚度和材料選擇合適的刻蝕減薄工藝和固化工藝，本發(fā)明 實施例對此均不作限定。
[0087] 第五、參考圖3(a)和圖3(b)所示，針對所述有機薄膜晶體管01為頂柵型的情況， 所述有機絕緣層14作為封裝和保護所述有機半導(dǎo)體有源層13、所述源極12a、以及所述漏 極12b的同時，還起到將所述柵極11與所述有機半導(dǎo)體有源層13、所述源極12a、以及所述 漏極12b相絕緣的作用。
[0088] 本發(fā)明實施例提供了一種有機薄膜晶體管01的制備方法，所述制備方法包括：形 成包括源極12a、漏極12b的源漏金屬層，以及有機半導(dǎo)體有源層13 ;所述有機半導(dǎo)體有源 層13與所述源極12a、所述漏極12b接觸；在形成有包括所述源極12a、所述漏極12b的源 漏金屬層，以及所述有機半導(dǎo)體有源層13上形成有機絕緣薄膜140,采用刻蝕減薄工藝減 薄所述有機絕緣薄膜140的厚度，并采用固化工藝，固化減薄后的所述有機絕緣薄膜140， 形成有機絕緣層14 ;其中，所述制備方法還包括形成柵極11。
[0089] 采用本發(fā)明實施例提供的所述制備方法，由于首先形成膜層厚度較大的有機絕緣 薄膜140,可以保證形成的所述有機絕緣薄膜140具有良好的成膜均勻性與連續(xù)性，避免出 現(xiàn)由于膜層厚度較小而產(chǎn)生的對所述有機半導(dǎo)體有源層13的覆蓋性下降或者在所述源極 12a與所述漏極12b的間隙邊緣出現(xiàn)有機絕緣薄膜覆蓋不足的現(xiàn)象。之后，對已經(jīng)沉積完成 的所述有機絕緣薄膜140進行所述刻蝕減薄工藝，因此可以得到膜層厚度較小的所述有機 絕緣層14。
[0090] 基于此，上述制備方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中直接形成膜層厚度較小的有機絕緣層容 易出現(xiàn)的難以形成均勻連續(xù)薄膜的缺點，實現(xiàn)了在有效封裝和保護所述有機半導(dǎo)體有源層 13的同時，形成厚度較薄且成膜均勻的有機絕緣層14;當(dāng)所述有機薄膜晶體管01應(yīng)用于陣 列基板時，由于像素電極須與所述有機薄膜晶體管01的所述漏極12b電連接，而位于像素 電極與所述漏極12b之間的有機絕緣層14的膜層厚度較小，故降低了在所述有機絕緣層14 上形成過孔的工藝難度，提高了工藝可靠性，具有重要的實際應(yīng)用價值。
[0091] 進一步的，在形成所述有機絕緣薄膜140之前，上述步驟S01還包括，形成有機刻 蝕阻擋層16 ;其中，所述有機刻蝕阻擋層16位于所述有機半導(dǎo)體有源層13的上方、且所述 有機刻蝕阻擋層16與所述源極12a和所述漏極12b之間的間隙相對應(yīng)。
[0092] 此處，所述有機半導(dǎo)體有源層13的上方是指所述有機半導(dǎo)體有源層13遠(yuǎn)離所述 襯底基板10的一側(cè)，所述有機刻蝕阻擋層16的作用是用于保護所述有機半導(dǎo)體有源層13 對應(yīng)于所述源極12a和所述漏極12b之間的間隙的區(qū)域處的表面。
[0093] 在此基礎(chǔ)上，根據(jù)有機薄膜晶體管中所述源極12a、所述漏極12b與所述有機半導(dǎo) 體有源層13沉積順序的不同，上述步驟S01具體可以分為例如以下兩種情況：
[0094] 其一、對于底接觸型有機薄膜晶體管，上述步驟S01具體可包括以下4個子步驟：
[0095] S11、如圖4(a)或圖4(b)所示，在形成有包括所述源極12a、所述漏極12b的源漏 金屬層的基板上依次形成有機半導(dǎo)體薄膜130和有機光敏薄膜160。
[0096] 需要說明的是，第一、參考圖4(a)所示，針對待形成的所述有機薄膜晶體管01為 底柵底接觸型的情況，形成有包括所述源極12a、所述漏極12b的源漏金屬層的基板為包括 有柵極11和柵絕緣層15的襯底基板10。其中，所述柵絕緣層15可以采用金屬氧化物、或 金屬氮化物、或有機材料等絕緣材料制成，其厚度例如可以為30nm-1000nm。
[0097] 參考圖4(b)所示，針對待形成的所述有機薄膜晶體管01為頂柵底接觸型的情況， 包括所述源極12a、所述漏極12b的源漏金屬層形成于襯底基板10上。
[0098] 其中，所述柵極11例如可以采用金屬材料、或氧化銦錫（ΙΤ0)材料、或摻雜硅 材料、或有機導(dǎo)電物材料制成，其厚度例如可以為20nm-200nm;所述源極12a、所述漏極 12b例如可以采用金屬材料（如Au、Ag、Mo、Al、Cu等）、或ΙΤ0制成，其厚度例如可以為 20nm_300nm。
[0099] 第二、所述有機半導(dǎo)體薄膜130例如可以由并五苯、或金屬酞菁類化合物、或噻吩 基聚合物、或多環(huán)芳香聚合物等有機半導(dǎo)體材料制成，沉積方式可沿用現(xiàn)有技術(shù)，在此不作 限定。
[0100] 第三、所述有機光敏薄膜例如可以由光刻膠材料制成，也可是由其他受到光照發(fā) 生光化學(xué)反應(yīng)（如光交聯(lián)或光降解）的光敏高分子材料制成。
[0101] S12、如圖5(a)或圖5(b)所示，采用普通掩模板對形成有所述有機光敏薄膜160 的基板進行曝光、顯影后，形成有機光敏薄膜完全保留部分160a和有機光敏薄膜完全去除 部分160b。
[0102] 其中，所述有機光敏薄膜完全保留部分160a對應(yīng)待形成的有機半導(dǎo)體有源層13 的區(qū)域，所述有機光敏薄膜完全去除部分160b對應(yīng)其他區(qū)域。
[0103] S13、如圖6(a)或圖6(b)所示，采用刻蝕工藝去除所述有機光敏薄膜完全去除部 分160b (圖中均未標(biāo)示出）露出的所述有機半導(dǎo)體薄膜130 (圖中均未標(biāo)示出），形成所述 有機半導(dǎo)體有源層13。
[0104] 其中，形成的所述有機半導(dǎo)體有源層13露出所述漏極12b的一部分和所述源極 12a的一部分。
[0105] S14、如圖7(a)或圖7(b)所示，采用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層 13之上的所述有機光敏薄膜完全保留部分160a(圖中均未標(biāo)示出），形成所述有機刻蝕阻 擋層16。
[0106] 需要說明的是，在現(xiàn)有技術(shù)中，形成具有一定圖案的有機半導(dǎo)體有源層需要通過 構(gòu)圖工藝，典型的構(gòu)圖工藝是指應(yīng)用一次掩模板，通過光刻膠曝光、顯影、刻蝕、去除光刻 膠的工藝，由于有機半導(dǎo)體有源層厚度（通常為10nm-200nm)的數(shù)量級相對于光刻膠厚度 (通常為500nm-1000nm)的數(shù)量級較小，在通過灰化工藝（如干法刻蝕）或剝落（如濕法刻 蝕）去除殘留在有機半導(dǎo)體有源層表面的剩余光刻膠時，有可能使有機半導(dǎo)體有源層一起 被剝離掉，或者在去除的過程中會對有機半導(dǎo)體有源層與源極、漏極之間的間隙處對應(yīng)的 表面產(chǎn)生破壞，影響有機薄膜晶體管的性能。
[0107] 因此，利用上述步驟S14不但可以省去去除殘留在有機半導(dǎo)體有源層表面的剩余 光刻膠的步驟，而且，固化后的所述有機刻蝕阻擋層16還能保護所述有機半導(dǎo)體有源層13 的表面不被破壞。
[0108] 其二、對于頂接觸型有機薄膜晶體管，上述步驟S01具體可包括以下6個子步驟：
[0109] S21、如圖8(a)或圖8(b)所示，依次形成有機半導(dǎo)體薄膜130和有機光敏薄膜 160。
[0110] 需要說明的是，第一、參考圖8(a)所示，針對待形成的所述有機薄膜晶體管01為 底柵頂接觸型的情況，所述有機半導(dǎo)體薄膜130和所述有機光敏薄膜160依次形成于包括 有柵極11和柵絕緣層15的襯底基板上。
[0111] 參考圖8 (b)所示，針對待形成的所述有機薄膜晶體管01為頂柵頂接觸型的情況， 所述有機半導(dǎo)體薄膜130和所述有機光敏薄膜160依次形成于襯底基板上。
[0112] 第二、所述有機半導(dǎo)體薄膜130和所述有機光敏薄膜160的材料可參見上述步驟 S11，在此不再贅述。
[0113] S22、如圖9(a)或圖9(b)所示，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對形成有所述有機光 敏薄膜160的基板進行曝光、顯影后，形成有機光敏薄膜完全保留部分160a、有機光敏薄膜 完全去除部分160b、以及有機光敏薄膜半保留部分160c。
[0114] 其中，所述有機光敏薄膜完全保留部分160a對應(yīng)待形成的有機刻蝕阻擋層16的 區(qū)域，所述有機光敏薄膜半保留部分160c對應(yīng)待形成的有機半導(dǎo)體有源層13沒有被所述 有機刻蝕阻擋層16覆蓋的區(qū)域，所述有機光敏薄膜完全去除部分160b對應(yīng)其他區(qū)域。
[0115] S23、如圖10(a)或圖10(b)所示，采用刻蝕工藝去除所述有機光敏薄膜完全去除 部分160b (圖中均未標(biāo)示出）露出的所述有機半導(dǎo)體薄膜130,形成所述有機半導(dǎo)體有源層 13。
[0116] S24、如圖11(a)或圖11(b)所示，采用灰化工藝去除所述有機光敏薄膜半保留部 分160c (圖中均未標(biāo)示出）的所述有機光敏薄膜160,露出所述有機半導(dǎo)體有源層13對應(yīng) 于所述有機光敏薄膜半保留部分160c的區(qū)域。
[0117] S25、如圖12(a)或圖12(b)所示，采用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源 層13之上的所述有機光敏薄膜完全保留部分160a(圖中均未標(biāo)示出），形成所述有機刻蝕 阻擋層16。
[0118] S26、如圖13(a)或圖13(b)所示，在形成有包括所述有機半導(dǎo)體有源層13和所述 有機刻蝕阻擋層16的基板上形成包括源極12a、漏極12b的源漏金屬層。
[0119] 在上述基礎(chǔ)上，上述步驟S14和步驟S25均可由以下2個子步驟構(gòu)成，S卩：首先，采 用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層13之上的所述有機光敏薄膜完全保留部分 160a ;其次，采用刻蝕減薄工藝減薄固化的所述有機光敏薄膜完全保留部分160a的厚度， 形成所述有機刻蝕阻擋層16。
[0120] 通過上述刻蝕減薄工藝降低了形成的所述有機刻蝕阻擋層16的厚度，可為后續(xù) 的成膜工藝提供更為平坦的襯底，避免出現(xiàn)成膜不均現(xiàn)象。
[0121] 這里，考慮到濕法刻蝕工藝對形成具有較小特征尺寸的圖案的控制較差，因此，所 述刻蝕減薄工藝優(yōu)選為等離子體刻蝕工藝，如氧氣等離子，以便更為精確地控制刻蝕的速 率。
[0122] 此處，例如可以采用烘烤的方式固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層13之上的所 述有機光敏薄膜完全保留部分160a。
[0123] 這里，綜合考慮有機光敏薄膜的制備成本以及最終形成的所述有機刻蝕阻擋層16 應(yīng)具有合適的厚度，優(yōu)選的，形成于所述有機半導(dǎo)體有源層13之上的所述有機光敏薄膜完 全保留部分160a的厚度為500nm-1000nm ;在此之后，采用刻蝕減薄工藝減薄固化的所述有 機光敏薄膜完全保留部分160a的厚度為300nm-500nm。
[0124] 進一步的，考慮到液態(tài)的有機光敏材料具有更強的表面覆蓋能力，可更好地與所 述有機半導(dǎo)體薄膜130相接觸，優(yōu)選的，上述步驟SI 1和步驟S21中，所述有機光敏薄膜160 均采用溶液鍍膜法形成。
[0125] 這里，所述溶液鍍膜法是指在溶液中利用化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)反應(yīng)等化學(xué)方法在基 片表面沉積薄膜的技術(shù)。例如可以為化學(xué)鍍膜法、溶膠-凝膠法、電鍍法、涂覆法、甩膜法、 以及Langmuir-Blodgett(LB)法等。溶液鍍膜法不需要真空條件，設(shè)備儀器簡單，可在各種 基體表面成膜，原料易得，應(yīng)用前景更為廣泛。
[0126] 在上述基礎(chǔ)上，上述步驟S02具體可包括以下7個子步驟：
[0127] S31、如圖14(a)、或圖14(b)、或圖14(c)、再或圖14(d)所示，在形成有包括所述源 極12a、所述漏極12b的源漏金屬層，所述有機半導(dǎo)體有源層13、以及有機刻蝕阻擋層16的 基板上形成有機絕緣薄膜140。
[0128] 所述有機絕緣薄膜140例如可以為光敏高分子化合物（如UV固化膠）、或聚氯乙 烯（PVC)、或聚對苯二甲酸乙二酯（PET)、或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、或聚酰亞胺（PI)、 或聚氯乙烯（PVC)、或聚四氟乙烯（PTFE)等。
[0129] S32、對形成的所述有機絕緣薄膜140進行第一溫度的預(yù)烘烤處理，所述第一溫度 為 1KTC -15(TC。
[0130] S33、如圖15 (a)、或圖15(b)、或圖15(c)、再或圖15(d)所示，采用第一刻蝕減薄工 藝，減薄完成所述第一溫度的預(yù)烘烤處理的所述有機絕緣薄膜140的厚度。
[0131] S34、對減薄后的所述有機絕緣薄膜140進行第二溫度的預(yù)烘烤處理，所述第二溫 度為 150°C _200°C。
[0132] S35、如圖16 (a)、或圖16(b)、或圖16(c)、再或圖16(d)所示，采用第一固化工藝， 固化完成所述第二溫度的預(yù)烘烤處理的所述有機絕緣薄膜140中的第一區(qū)域（圖中均標(biāo)記 為 S!)。
[0133] 其中所述第一區(qū)域Si為所述有機絕緣薄膜140中除位于所述源極12a的上方、所 述漏極12b的上方、以及所述源極12a和所述漏極12b之間的間隙的上方其余的區(qū)域。
[0134] S36、如圖17 (a)、或圖17(b)、或圖17(c)、再或圖17(d)所示，采用第二刻蝕減薄 工藝，減薄完成所述第一固化工藝的所述有機絕緣薄膜140中的第二區(qū)域（圖中均標(biāo)記為 S2)。
[0135] 其中，所述第二區(qū)域S2為所述有機絕緣薄膜140中位于所述源極12a的上方、所 述漏極12b的上方、以及所述源極12a和所述漏極12b之間的間隙的上方的區(qū)域。
[0136] S37、如圖18 (a)、或圖18(b)、或圖18(c)、再或圖18(d)所示，采用第二固化工藝， 固化完成所述第二刻蝕減薄工藝的所述有機絕緣薄膜140中的第二區(qū)域S 2，形成有機絕緣 層14。
[0137] 通過上述步驟S32-S37的逐級固化和逐級減薄，能更靈活地控制減薄的工藝參 數(shù)，還可避免由于減薄后直接固化有機材料，使有機材料受熱過快而產(chǎn)生變形開裂現(xiàn)象。
[0138] 這里，綜合考慮有機絕緣薄膜的制備成本以及最終形成的所述有機絕緣層14應(yīng) 具有合適的厚度，優(yōu)選的，形成的所述有機絕緣薄膜140的厚度為500nm-1000nm ;減薄后的 所述有機絕緣層14的厚度為300nm-500nm。
[0139] 在上述基礎(chǔ)上，考慮到液態(tài)的有機絕緣材料具有更強的表面覆蓋能力，可更好地 保護形成的所述有機半導(dǎo)體有源層13的垂直于襯底基板10的側(cè)面，優(yōu)選的，所述有機絕緣 薄膜140采用溶液鍍膜法形成。
[0140] 進一步的，參考圖16(a)、或圖16(b)、或圖16(c)、再或圖16(d)所示，上述步驟 S35可具體包括以下步驟，S卩：采用紫外光固化工藝，使紫外光從所述襯底基板10遠(yuǎn)離所述 源極12a、所述漏極12b、以及所述柵極11或所述有機半導(dǎo)體有源層13的一側(cè)，即所述襯底 基板10的背面照射到完成所述第二溫度的預(yù)烘烤處理的所述有機絕緣薄膜140中的第一 區(qū)域Si，以使所述有機絕緣薄膜140中的所述第一區(qū)域Si固化。
[0141] 這里，由于利用了所述源極12a、所述漏極12b、以及所述柵極11或所述有機半導(dǎo) 體有源層13作為遮擋紫外光的結(jié)構(gòu)，省去了采用掩模板的工序，進一步簡化了上述制備過 程。
[0142] 進一步的，參考圖18(a)、或圖18(b)、或圖18(c)、再或圖18(d)所示，上述步驟 S37可具體包括以下步驟，S卩：采用紫外光固化工藝，使紫外光從所述襯底基板10靠近所述 源極12a、所述漏極12b、以及所述柵極11或所述有機半導(dǎo)體有源層13的一側(cè)，即所述襯底 基板10沉積有各膜層的正面照射到完成所述第二刻蝕減薄工藝的所述有機絕緣薄膜140 中的第二區(qū)域S 2，以使所述有機絕緣薄膜140中的所述第二區(qū)域固化S2，形成所述有機絕緣 層14。
[0143] 在上述基礎(chǔ)上，所述刻蝕減薄工藝優(yōu)選為等離子體刻蝕工藝。
[0144] 基于此，本發(fā)明實施例提供了一種采用上述制備方法制備的所述有機薄膜晶體管 01 ;其中，所述有機薄膜晶體管01包括位于有機半導(dǎo)體有源層13上方的有機絕緣層14 ;所 述有機絕緣層14的厚度較薄且成膜均勻，其厚度范圍為300nm-500nm。
[0145] 本發(fā)明實施例還提供了一種如圖19 (a)、或圖19(b)、或圖19(c)、再或圖19(d)所 示的陣列基板02的制備方法，所述制備方法包括：
[0146] S41、形成有機薄膜晶體管，所述有機薄膜晶體管01采用上述制備方法進行制備。
[0147] S42、在所述有機薄膜晶體管的有機絕緣層14上形成平坦層20,并至少形成貫通 所述平坦層20和所述有機絕緣層14的過孔21，所述過孔21露出所述有機薄膜晶體管的漏 極 12b。
[0148] 當(dāng)所述有機薄膜晶體管的有機半導(dǎo)體有源層13覆蓋住所述漏極12b時，所述過孔 21還貫穿于所述有機半導(dǎo)體有源層，以使所述漏極12b露出。
[0149] 這里，所述平坦層20例如可以采用光刻膠材料、PI (聚酰亞胺）材料制成，其厚度 例如可以為500nm-2000nm。
[0150] S43、在所述平坦層20上形成像素電極22,所述像素電極22通過所述過孔21與所 述漏極12b電連接。
[0151] 其中，圖19(a)中所述有機薄膜晶體管的類型為底柵底接觸型、圖19(b)中所述有 機薄膜晶體管的類型為頂柵底接觸型、圖19(c)中所述有機薄膜晶體管的類型為底柵頂接 觸型、圖19(d)中所述有機薄膜晶體管的類型為頂柵頂接觸型。
[0152] 由于所述像素電極22與所述漏極12b之間的有機絕緣層14的膜層厚度較小，故 降低了在所述有機絕緣層14上形成過孔的工藝難度，提高了工藝可靠性，具有重要的實際 應(yīng)用價值。
[0153] 在上述基礎(chǔ)上，所述陣列基板02的制備方法還包括形成公共電極。
[0154] 基于此，本發(fā)明實施例提供了一種采用上述制備方法制備的陣列基板02;其中， 所述陣列基板02包括上述的所述有機薄膜晶體管01、位于所述有機薄膜晶體管的有機絕 緣層14上的平坦層20、以及位于所述平坦層20上的像素電極22 ;所述像素電極22至少通 過貫通所述平坦層20和所述有機絕緣層14的過孔21與漏極12b電連接。
[0155] 進一步的，本發(fā)明實施例又提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列 基板02。
[0156] 上述顯示裝置例如可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、有機電致發(fā)光顯示 0LED面板、0LED顯示器、0LED電視或電子紙等顯示裝置。
[0157] 需要說明的是，本發(fā)明所有附圖是上述有機薄膜晶體管及陣列基板的簡略的示意 圖，只為清楚描述本方案體現(xiàn)了與發(fā)明點相關(guān)的結(jié)構(gòu)，對于其他的與發(fā)明點無關(guān)的結(jié)構(gòu)是 現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，在附圖中并未體現(xiàn)或只體現(xiàn)部分。
[0158] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括： 形成包括源極、漏極的源漏金屬層，以及有機半導(dǎo)體有源層；所述有機半導(dǎo)體有源層與 所述源極、所述漏極接觸； 在形成有包括所述源極、所述漏極的源漏金屬層以及所述有機半導(dǎo)體有源層上形成有 機絕緣薄膜，采用刻蝕減薄工藝減薄所述有機絕緣薄膜的厚度，并采用固化工藝固化減薄 后的所述有機絕緣薄膜，形成有機絕緣層； 其中，所述制備方法還包括形成柵極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在形成所述有機絕緣薄膜之前，所述 方法還包括形成有機刻蝕阻擋層； 其中，所述有機刻蝕阻擋層位于所述有機半導(dǎo)體有源層的上方、且所述有機刻蝕阻擋 層與所述源極、所述漏極之間的間隙相對應(yīng)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，形成包括源極、漏極的源漏金屬層， 有機半導(dǎo)體有源層以及有機刻蝕阻擋層，具體包括： 在形成有包括所述源極、所述漏極的源漏金屬層的基板上依次形成有機半導(dǎo)體薄膜和 有機光敏薄膜； 采用普通掩模板對形成有所述有機光敏薄膜的基板進行曝光、顯影后，形成有機光敏 薄膜完全保留部分和有機光敏薄膜完全去除部分；其中，所述有機光敏薄膜完全保留部分 對應(yīng)待形成的有機半導(dǎo)體有源層的區(qū)域，所述有機光敏薄膜完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述有機光敏薄膜完全去除部分露出的所述有機半導(dǎo)體薄膜，形成 所述有機半導(dǎo)體有源層；其中，形成的所述有機半導(dǎo)體有源層露出所述漏極的一部分和所 述源極的一部分； 采用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上的所述有機光敏薄膜完全保留 部分，形成所述有機刻蝕阻擋層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，形成包括源極、漏極的源漏金屬層， 有機半導(dǎo)體有源層以及有機刻蝕阻擋層，具體包括： 依次形成有機半導(dǎo)體薄膜和有機光敏薄膜； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對形成有所述有機光敏薄膜的基板進行曝光、顯影后，形 成有機光敏薄膜完全保留部分、有機光敏薄膜完全去除部分、以及有機光敏薄膜半保留部 分；其中，所述有機光敏薄膜完全保留部分對應(yīng)待形成的有機刻蝕阻擋層的區(qū)域，所述有機 光敏薄膜半保留部分對應(yīng)待形成的有機半導(dǎo)體有源層沒有被所述有機刻蝕阻擋層覆蓋的 區(qū)域，所述有機光敏薄膜完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述有機光敏薄膜完全去除部分露出的所述有機半導(dǎo)體薄膜，形成 所述有機半導(dǎo)體有源層； 采用灰化工藝去除所述有機光敏薄膜半保留部分的所述有機光敏薄膜，露出所述有機 半導(dǎo)體有源層對應(yīng)于所述有機光敏薄膜半保留部分的區(qū)域； 采用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上的所述有機光敏薄膜完全保留 部分，形成所述有機刻蝕阻擋層； 在形成有包括所述有機半導(dǎo)體有源層和所述有機刻蝕阻擋層的基板上形成包括源極、 漏極的源漏金屬層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，所述采用固化工藝固化形成于所 述有機半導(dǎo)體有源層之上的所述有機光敏薄膜完全保留部分，形成所述有機刻蝕阻擋層， 具體包括： 采用固化工藝固化形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上的所述有機光敏薄膜完全保留 部分； 采用刻蝕減薄工藝減薄固化的所述有機光敏薄膜完全保留部分的厚度，形成所述有機 刻蝕阻擋層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，形成于所述有機半導(dǎo)體有源層之上 的所述有機光敏薄膜完全保留部分的厚度為500nm-1000nm ; 采用刻蝕減薄工藝減薄固化的所述有機光敏薄膜完全保留部分的厚度為 300nm-500nm〇
7. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，所述有機光敏薄膜采用溶液鍍膜 法形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在形成有包括所述源極、所述漏 極的源漏金屬層以及所述有機半導(dǎo)體有源層上形成有機絕緣薄膜，采用刻蝕減薄工藝減薄 所述有機絕緣薄膜的厚度，并采用固化工藝固化減薄后的所述有機絕緣薄膜，形成有機絕 緣層，具體包括： 在形成有包括所述源極、所述漏極的源漏金屬層以及所述有機半導(dǎo)體有源層上形成有 機絕緣薄膜； 對形成的所述有機絕緣薄膜進行第一溫度的預(yù)烘烤處理，所述第一溫度為 110°C -150°c ； 采用第一刻蝕減薄工藝，減薄完成所述第一溫度的預(yù)烘烤處理的所述有機絕緣薄膜的 厚度； 對減薄后的所述有機絕緣薄膜進行第二溫度的預(yù)烘烤處理，所述第二溫度為 15(TC -200。。； 采用第一固化工藝，固化完成所述第二溫度的預(yù)烘烤處理的所述有機絕緣薄膜中的第 一區(qū)域；其中所述第一區(qū)域為所述有機絕緣薄膜中除位于所述源極的上方、所述漏極的上 方、以及所述源極和所述漏極之間的間隙的上方其余的區(qū)域； 采用第二刻蝕減薄工藝，減薄完成所述第一固化工藝的所述有機絕緣薄膜中的第二區(qū) 域；其中，所述第二區(qū)域為所述有機絕緣薄膜中位于所述源極的上方、所述漏極的上方、以 及所述源極和所述漏極之間的間隙的上方的區(qū)域； 采用第二固化工藝，固化完成所述第二刻蝕減薄工藝的所述有機絕緣薄膜中的第二區(qū) 域，形成有機絕緣層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成的所述有機絕緣薄膜的厚度為 500nm-1000nm ； 形成的所述有機絕緣層的厚度為300nm-500nm。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述有機絕緣薄膜采用溶液鍍膜法 形成。
11. 一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括， 形成有機薄膜晶體管，所述有機薄膜晶體管采用上述權(quán)利要求1至10任一項所述的制 備方法制備； 在所述有機薄膜晶體管的有機絕緣層上形成平坦層，并至少形成貫通所述平坦層和所 述有機絕緣層的過孔，所述過孔露出所述有機薄膜晶體管的漏極； 在所述平坦層上形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極電連接。
12. -種有機薄膜晶體管，其特征在于，所述有機薄膜晶體管采用上述權(quán)利要求1至10 任一項所述的制備方法制備； 其中，所述有機薄膜晶體管包括位于有機半導(dǎo)體有源層上方的有機絕緣層，所述有機 絕緣層的厚度為300nm-500nm。
13. -種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求12所述的有機薄膜晶體管、位于所述有 機薄膜晶體管的有機絕緣層上的平坦層、以及位于所述平坦層上的像素電極； 其中，所述像素電極至少通過貫通所述平坦層和所述有機絕緣層的過孔與漏極電連 接。
14. 一種顯示裝置，其特征在于，包括上述權(quán)利要求13所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L51/05GK104091886SQ201410319179
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】方漢鏗, 謝應(yīng)濤, 歐陽世宏, 蔡述澄, 石強, 劉則 申請人:京東方科技集團股份有限公司