一種減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法
【專(zhuān)利摘要】一種減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，包括：執(zhí)行步驟S1：待清洗之硅片經(jīng)過(guò)氫氟酸清洗；執(zhí)行步驟S2：經(jīng)過(guò)氫氟酸清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗；執(zhí)行步驟S3：經(jīng)過(guò)伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗后之硅片浸置在具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗；執(zhí)行步驟S4：經(jīng)過(guò)浸置在具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中進(jìn)一步清洗。本發(fā)明通過(guò)在氫氟酸清洗后的去離子水清洗過(guò)程中，采用向上導(dǎo)流的方式引入親水類(lèi)表面活性劑，降低了硅片的表面張力，增加了清洗效果，減少了缺陷，極大的改善了硅片的性能和產(chǎn)品良率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，濕法清洗/刻蝕在半導(dǎo)體集成電路中必不可少。濕法清洗可有效去除硅片表面在各種不同制程中所產(chǎn)生的缺陷，包括:顆粒、離子、金屬、殘留等缺陷，并為后續(xù)制程提供了良好的硅片性質(zhì)。濕法刻蝕以其各向同性和高選擇比的特點(diǎn)在柵極刻蝕、硅化物阻隔層刻蝕等制程中亦不可或缺。
[0003]現(xiàn)有的濕法清洗/刻蝕均根據(jù)其制程之目的，將不同酸液進(jìn)行組合，所述方式在濕法清洗/刻蝕中已被廣泛應(yīng)用。常見(jiàn)地，所述酸液為氫氟酸。然而，經(jīng)過(guò)氫氟酸清洗后的所述硅片表面具有疏水性特性，表面張力較大，所述硅片表面之缺陷難于通過(guò)后續(xù)的去離子水清洗工藝進(jìn)行去除，從而使得硅片表面殘留大量的缺陷，最終影響硅片的電性和良率。
[0004]故針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本案設(shè)計(jì)人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)，積極研究改良，于是有了本發(fā)明一種減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的硅片在經(jīng)過(guò)氫氟酸清洗后其表面具有疏水性特性，表面張力較大，所述硅片表面之缺陷難于通過(guò)后續(xù)的去離子水清洗工藝進(jìn)行去除，從而使得硅片表面殘留大量的缺陷，最終影響硅片的電性和良率等缺陷提供一種減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法。
[0006]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，所述減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，包括:
[0007]執(zhí)行步驟S1:待清洗之硅片經(jīng)過(guò)氫氟酸清洗；
[0008]執(zhí)行步驟S2:經(jīng)過(guò)所述氫氟酸清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗；
[0009]執(zhí)行步驟S3:經(jīng)過(guò)伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗后之硅片浸置在所述具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗；
[0010]執(zhí)行步驟S4:經(jīng)過(guò)浸置在具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中進(jìn)一步清洗。
[0011]可選地，在步驟S2中，經(jīng)過(guò)所述氫氟酸清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗，所述清洗的時(shí)間為120?180s。
[0012]可選地，所述親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程為向上導(dǎo)流方式引入至所述去離子水中。
[0013]可選地，在步驟S3中，經(jīng)過(guò)伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗后之硅片浸置在所述具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗，所述浸置清洗的時(shí)間為300so
[0014]可選地，在步驟S4中，經(jīng)過(guò)浸置在具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中進(jìn)一步清洗，所述清洗的時(shí)間為180so
[0015]可選地，所述親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程為向上導(dǎo)流方式引入至所述去離子水中。
[0016]可選地，所述親水類(lèi)表面活性劑為醇類(lèi)表面活性劑、胺類(lèi)表面活性劑。
[0017]可選地，所述親水類(lèi)表面活性劑為異丙醇。
[0018]綜上所述，本發(fā)明減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法通過(guò)在氫氟酸清洗后的去離子水清洗過(guò)程中，采用向上導(dǎo)流的方式引入親水類(lèi)表面活性劑，降低了硅片的表面張力，增加了清洗效果，減少了缺陷，極大的改善了硅片的性能和產(chǎn)品良率。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1所示為本發(fā)明減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及功效，下面將結(jié)合實(shí)施例并配合附圖予以詳細(xì)說(shuō)明。
[0021]請(qǐng)參閱圖1，圖1所示為本發(fā)明減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法流程圖。所述減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，包括:
[0022]執(zhí)行步驟S1:待清洗之硅片經(jīng)過(guò)氫氟酸清洗；
[0023]執(zhí)行步驟S2:經(jīng)過(guò)所述氫氟酸清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗；
[0024]執(zhí)行步驟S3:經(jīng)過(guò)伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗后之硅片浸置在所述具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗；
[0025]執(zhí)行步驟S4:經(jīng)過(guò)浸置在具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中進(jìn)一步清洗。
[0026]為了更好的實(shí)施本發(fā)明之技術(shù)方案，作為具體的實(shí)施方式，優(yōu)選地，在步驟S2中，經(jīng)過(guò)所述氫氟酸清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗，所述清洗的時(shí)間為120?180s。更具體地，所述親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程為向上導(dǎo)流方式引入至所述去離子水中。在步驟S3中，經(jīng)過(guò)伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗后之硅片浸置在所述具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗，所述浸置清洗的時(shí)間為300s。在步驟S4中，經(jīng)過(guò)浸置在具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中進(jìn)一步清洗，所述清洗的時(shí)間為180s。更具體地，所述親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程為向上導(dǎo)流方式引入至所述去離子水中。
[0027]為了更直觀的揭露本發(fā)明之技術(shù)方案，凸顯本發(fā)明之有益效果，非限制性地，所述親水類(lèi)表面活性劑包括但不限于醇類(lèi)表面活性劑、胺類(lèi)表面活性劑。更具體地，所述親水類(lèi)表面活性劑為異丙醇。
[0028]明顯地，本發(fā)明減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法通過(guò)在氫氟酸清洗后的去離子水清洗過(guò)程中，采用向上導(dǎo)流的方式引入親水類(lèi)表面活性劑，降低了硅片的表面張力，增加了清洗效果，減少了缺陷，極大的改善了硅片的性能和產(chǎn)品良率。
[0029]綜上所述，本發(fā)明減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法通過(guò)在氫氟酸清洗后的去離子水清洗過(guò)程中，采用向上導(dǎo)流的方式引入親水類(lèi)表面活性劑，降低了硅片的表面張力，增加了清洗效果，減少了缺陷，極大的改善了硅片的性能和產(chǎn)品良率。
[0030]本領(lǐng)域技術(shù)人員均應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權(quán)利要求書(shū)及等同物的保護(hù)范圍內(nèi)時(shí)，認(rèn)為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，包括: 執(zhí)行步驟S1:待清洗之硅片經(jīng)過(guò)氫氟酸清洗； 執(zhí)行步驟S2:經(jīng)過(guò)所述氫氟酸清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗； 執(zhí)行步驟S3:經(jīng)過(guò)伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗后之硅片浸置在所述具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗； 執(zhí)行步驟S4:經(jīng)過(guò)浸置在具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中進(jìn)一步清洗。
2.如權(quán)利要求1所述的減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，在步驟S2中，經(jīng)過(guò)所述氫氟酸清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗，所述清洗的時(shí)間為120?180s。
3.如權(quán)利要求2所述的減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程為向上導(dǎo)流方式引入至所述去離子水中。
4.如權(quán)利要求1所述的減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，在步驟S3中，經(jīng)過(guò)伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中清洗后之硅片浸置在所述具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗，所述浸置清洗的時(shí)間為300s。
5.如權(quán)利要求1所述的減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，在步驟S4中，經(jīng)過(guò)浸置在具有親水類(lèi)表面活性劑的去離子水中清洗后之硅片在伴隨有親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程的去離子水中進(jìn)一步清洗，所述清洗的時(shí)間為180s。
6.如權(quán)利要求5所述的減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述親水類(lèi)表面活性劑注入過(guò)程為向上導(dǎo)流方式引入至所述去離子水中。
7.如權(quán)利要求1?6任一權(quán)利要求所述的減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述親水類(lèi)表面活性劑為醇類(lèi)表面活性劑、胺類(lèi)表面活性劑。
8.如權(quán)利要求7所述的減少氫氟酸清洗后之缺陷的方法，其特征在于，所述親水類(lèi)表面活性劑為異丙醇。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104078328SQ201410340149
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月17日
【發(fā)明者】宋振偉 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司