陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用以提高顯示裝置中背光源的利用率，且簡化了制備工藝。其中，陣列基板包括：柵絕緣層；位于柵絕緣層上的有源層、像素電極層、沿?cái)?shù)據(jù)線方向間隔分布的多個太陽能電池、以及設(shè)置于相鄰兩個太陽能電池之間的連接線，多個連接線用于將多個太陽能電池串聯(lián)，且像素電極層、多個連接線以及每一個太陽能電池的P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體位于同一層；位于像素電極層上的絕緣層；位于絕緣層上的源、漏極層；位于源、漏極層上的鈍化層；以及位于鈍化層上的電極層。
【專利說明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種陣列基板、陣列基板的制備方法 和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 背光源是顯示裝置的主要組成部分，但是由于顯示面板開口率、原材料透過率等 因素的影響，背光源發(fā)出的光線只有少部分能透過顯示面板，一部分將被黑色矩陣遮擋住。
[0003] 為了有效利用被黑色矩陣遮住的這部分光，現(xiàn)有技術(shù)中采用將太陽能電池集成在 顯示面板上的方法，以將這部分能量轉(zhuǎn)換成電能，但是，現(xiàn)有技術(shù)中，將太陽能電池集成在 顯示面板上時，所形成的太陽能電池是上下重疊式的PN結(jié)太陽能電池，雖然這種結(jié)構(gòu)也能 有效的提高背光源的利用率，但是結(jié)構(gòu)和工藝都較復(fù)雜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法，用以提高顯示裝置中背光源的利用率， 且簡化了制備工藝。
[0005] 另外，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，具有較高的背光源利用率。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：
[0007] 本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括：
[0008] 柵絕緣層；
[0009] 位于所述柵絕緣層上的有源層、像素電極層、沿?cái)?shù)據(jù)線方向間隔分布的多個太陽 能電池、以及設(shè)置于相鄰兩個太陽能電池之間的連接線，多個所述連接線用于將所述多個 太陽能電池串聯(lián)，且所述像素電極層、多個所述連接線以及每一個太陽能電池的P型半導(dǎo) 體、N型半導(dǎo)體位于同一層；
[0010] 位于所述像素電極層上的絕緣層；
[0011] 位于所述絕緣層上的源、漏極層；
[0012] 位于所述源、漏極層上的鈍化層；
[0013] 以及位于所述鈍化層上的電極層。
[0014] 本發(fā)明提供的陣列基板，將太陽能電池與陣列基板結(jié)合，可以有效利用背光源被 黑色矩陣遮擋住的光線，太陽能電池將這部分光線轉(zhuǎn)化成電能；同時由于太陽能電池中的 P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體是同層設(shè)置，可以節(jié)省制備工藝。
[0015] 所以，本發(fā)明提供的陣列基板，可以提高顯示裝置中背光源的光能利用率，且制備 工藝簡單。
[0016] 在一些可選的實(shí)施方式中，所述電極層為公共電極層。
[0017] 在一些可選的實(shí)施方式中，所述有源層的制備材料為非晶硅。
[0018] 在一些可選的實(shí)施方式中，所述像素電極層的材料為ΙΤΟ、ΙΖ0的單層膜，或者為 ΙΤ0、ΙΖ0所構(gòu)成的復(fù)合膜。
[0019] 本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，包括：
[0020] 在柵絕緣層上形成有源層；
[0021] 形成沿?cái)?shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導(dǎo)體和多個N型半導(dǎo)體，且所述多個P型半 導(dǎo)體和所述多個N型半導(dǎo)體位于同一層，一 P型半導(dǎo)體和一 N型半導(dǎo)體形成太陽能電池；
[0022] 通過沉積和構(gòu)圖工藝形成像素電極對應(yīng)的圖案、以及連接線對應(yīng)的圖案，所述連 接線用于將多個太陽能電池串聯(lián)；
[0023] 在所述像素電極上形成絕緣層；
[0024] 在所述絕緣層上形成源、漏極層；
[0025] 在所述源、漏極層上形成鈍化層；
[0026] 在所述鈍化層上形成電極層。
[0027] 在一些可選的實(shí)施方式中，所述步驟：形成沿?cái)?shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導(dǎo)體 和多個N型半導(dǎo)體，具體包括：通過半導(dǎo)體摻雜工藝形成P形半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。
[0028] 在一些可選的實(shí)施方式中，所述有源層的制備材料為非晶硅。
[0029] 在一些可選的實(shí)施方式中，所述像素電極的材料為ΙΤΟ、ΙΖ0的單層膜，或者為 ΙΤ0、ΙΖ0所構(gòu)成的復(fù)合膜。
[0030] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括：背光源，還包括：上述任一項(xiàng)所述的陣列基 板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法流程圖。

【專利附圖】

【附圖說明】 [0033]
[0034] 1-柵絕緣層 2-Ρ型半導(dǎo)體
[0035] 3-Ν型半導(dǎo)體 4-連接線
[0036] 5-絕緣層 6-源、漏極層

【具體實(shí)施方式】
[0037] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其 他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明專利保護(hù)的范圍。
[0038] 實(shí)施例一
[0039] 如圖1所示，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明提供了一種 陣列基板，包括：
[0040] 柵絕緣層1 ;
[0041] 位于柵絕緣層1上的有源層、像素電極層、沿?cái)?shù)據(jù)線方向間隔分布的多個太陽能 電池、以及設(shè)置于相鄰兩個太陽能電池之間的連接線4,多個連接線4用于將多個太陽能電 池串聯(lián)，且像素電極層、多個連接線4以及每一個太陽能電池的Ρ型半導(dǎo)體2、Ν型半導(dǎo)體3 位于同一層；
[0042] 位于像素電極層上的絕緣層5 ;
[0043] 位于絕緣層上的源、漏極層6 ;
[0044] 位于源、漏極層6上的鈍化層；
[0045] 以及位于鈍化層上的電極層。
[0046] 本發(fā)明提供的陣列基板，將太陽能電池與陣列基板結(jié)合，可以有效利用背光源被 黑色矩陣遮擋住的光線，太陽能電池將這部分光線轉(zhuǎn)化成電能；同時由于太陽能電池中的 P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體是同層設(shè)置，可以節(jié)省制備工藝。
[0047] 所以，本發(fā)明提供的陣列基板，可以提高顯示裝置中背光源的光能利用率，且制備 工藝簡單。
[0048] 上述電極層為公共電極層。即形成的陣列基板主要應(yīng)用于ADS模式的顯示裝置 中。
[0049] 為了便于制備，優(yōu)選的，有源層的制備材料為非晶硅。
[0050] 上述像素電極層的材料為ΙΤΟ、ΙΖ0的單層膜，或者為ΙΤΟ、ΙΖ0所構(gòu)成的復(fù)合膜。
[0051] 實(shí)施例二
[0052] 如圖2所示，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制備方法流程圖，本發(fā)明實(shí)施例 提供了一種陣列基板的制備方法，包括：
[0053] 步驟S101 :在柵絕緣層上形成有源層；
[0054] 步驟S102 :形成沿?cái)?shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導(dǎo)體和多個N型半導(dǎo)體，且多個P 型半導(dǎo)體和多個N型半導(dǎo)體位于同一層，一 P型半導(dǎo)體和一 N型半導(dǎo)體形成太陽能電池；
[0055] 步驟S103 :通過沉積和構(gòu)圖工藝形成像素電極對應(yīng)的圖案、以及連接線對應(yīng)的圖 案，連接線用于將多個太陽能電池串聯(lián)；形成的連接線的材料和像素電極層的材料相同。
[0056] 步驟S104 :在像素電極上形成絕緣層；
[0057] 步驟S105 :在絕緣層上形成源、漏極層；
[0058] 步驟S106 :在源、漏極層上形成鈍化層；
[0059] 步驟S107 :在鈍化層上形成電極層。
[0060] 上述制備方法中，將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制備于同一層，節(jié)省了在P型半導(dǎo)體 和N型半導(dǎo)體之間制備絕緣層的步驟。故簡化了制備工藝。
[0061] 一種具體的實(shí)施方式中，電極層為公共電極層。
[0062] 進(jìn)一步的，上述步驟S102中：形成沿?cái)?shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導(dǎo)體和多個N 型半導(dǎo)體，具體包括：通過半導(dǎo)體摻雜工藝形成P形半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。即直接在有源層 中通過摻雜工藝形成P形半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。
[0063] -種【具體實(shí)施方式】中，有源層的制備材料為非晶娃。
[0064] 上述像素電極的材料為ΙΤΟ、ΙΖ0的單層膜，或者為ΙΤΟ、ΙΖ0所構(gòu)成的復(fù)合膜。
[0065] 實(shí)施例三
[0066] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括：背光源，還包括：如實(shí)施例一所述的陣 列基板。由于本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板，提高了顯示裝置中背光源的利用率，且簡化 了制備工藝。所以，本發(fā)明實(shí)施例三提供的顯示裝置，具有較高的背光源利用率。
[0067] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，其特征在于，包括： 柵絕緣層； 位于所述柵絕緣層上的有源層、像素電極層、沿?cái)?shù)據(jù)線方向間隔分布的多個太陽能電 池、以及設(shè)置于相鄰兩個太陽能電池之間的連接線，多個所述連接線用于將所述多個太陽 能電池串聯(lián)，且所述像素電極層、多個所述連接線以及每一個太陽能電池的P型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體位于同一層； 位于所述像素電極層上的絕緣層； 位于所述絕緣層上的源、漏極層； 位于所述源、漏極層上的鈍化層； 以及位于所述鈍化層上的電極層。
2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述電極層為公共電極層。
3. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的制備材料為非晶硅。
4. 如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極層的材料為 ITO、IZO的單層膜，或者為ITO、IZO所構(gòu)成的復(fù)合膜。
5. -種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括： 在柵絕緣層上形成有源層； 形成沿?cái)?shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導(dǎo)體和多個N型半導(dǎo)體，且所述多個P型半導(dǎo)體 和所述多個N型半導(dǎo)體位于同一層，一 P型半導(dǎo)體和一 N型半導(dǎo)體形成太陽能電池； 通過沉積和構(gòu)圖工藝形成像素電極對應(yīng)的圖案、以及連接線對應(yīng)的圖案，所述連接線 用于將多個太陽能電池串聯(lián)； 在所述像素電極上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成源、漏極層； 在所述源、漏極層上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成電極層。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述電極層為公共電極層。
7. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟：形成沿?cái)?shù)據(jù)線方向分布的多個P 型半導(dǎo)體和多個N型半導(dǎo)體，具體包括：通過半導(dǎo)體摻雜工藝形成P形半導(dǎo)體和N型半導(dǎo) 體。
8. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述有源層的制備材料為非晶硅。
9. 如權(quán)利要求5?8任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述像素電極的材料為ITO、IZO 的單層膜，或者為ITO、IZO所構(gòu)成的復(fù)合膜。
10. -種顯示裝置，包括：背光源，其特征在于，還包括：如權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述 的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK104157656SQ201410367104
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月29日
【發(fā)明者】代科, 莫再隆, 石天雷, 樸承翊 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司