一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，包括顯示器基板、敷設(shè)在所述顯示器基板上的行電極和列電極，以及電連接在所述行電極和所述列電極之間的發(fā)光像素，所述發(fā)光像素具有電致發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)電容器和充電開關(guān)，其中所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并聯(lián)后電連接到所述充電開關(guān)；所述行電極或所述列電極具有用于安裝電致發(fā)光器件的出光窗口。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
【專利說明】一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器及其制造方法
[0001]

【技術(shù)領(lǐng)域】 本發(fā)明涉及一種用于電致發(fā)光顯示器的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，尤其是涉及一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光 顯示器及其制造方法。
[0002]

【背景技術(shù)】 目前，電致發(fā)光顯示器，例如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器，常用的驅(qū)動(dòng)方式包括 passive matrix (PM)驅(qū)動(dòng)模式與active matrix (AM)驅(qū)動(dòng)模式兩種。采用PM驅(qū)動(dòng)模式 的0LED顯示器（即PM0LED)采用完全外置的驅(qū)動(dòng)電路對顯示屏上的像素進(jìn)行逐行電壓掃 描：即像素以行為單位被依次交替點(diǎn)亮。在結(jié)構(gòu)上，PM0LED面板由一組橫向布置的電極(行 電極）和一組縱向布置的電極(列電極）組成；其中，有機(jī)發(fā)光材料層夾在行電極和列電極 之間（見圖1A)。在圖1A中，PM0LED顯示屏（1000)由基板（1001)、列電極（1002)、有機(jī)層 (1003)、和行電極（1004)組成。在一般情況下，基板1001由透明材料組成。列電極1002通 常為正極、由透明的金屬氧化物如氧化銦錫（ΙΤ0)組成。有機(jī)層1003通常含多層功能不同 的有機(jī)材料，例如空穴注入（HI)層、空穴傳導(dǎo)（HT)層、電子阻擋（EB)層、發(fā)光（EM)層、空穴 阻擋（HB)層、電子傳導(dǎo)（ET)層、電子注入（EI)層、等。所用有機(jī)材料既可以是聚合物材料 也可以是小分子有機(jī)材料。在串列式OLED (tandem 0LED)中，在相鄰器件之間還含有電荷 分離層（charge separation layer)。行電極1004通常為電源負(fù)極、為同一行像素所共用。 像素的亮度由列電極的電壓％，％，％……Vn所決定(參見圖1A)。行電極1004通常是厚度 約為150納米的鋁電極。
[0003] 在本申請中，所用術(shù)語"有機(jī)發(fā)光二極管"或"0LED"的含義包括聚合物0LED、小分 子0LED、和"串列式OLED"（tandem 0LED);術(shù)語"行電極"特指為同一條電極上所有像素所 共用的電極，其中，行電極可以是電源的負(fù)極或正極；當(dāng)涉及列電極電壓數(shù)值的大小時(shí)，其 含義應(yīng)理解為電壓絕對值的大小。
[0004] 圖1B展示了 PM0LED掃描脈沖電壓的波形圖。在這種驅(qū)動(dòng)模式下，每一行的像素 在每一個(gè)掃描周期內(nèi)被點(diǎn)亮一次；點(diǎn)亮?xí)r間反比于行電極的總數(shù)。由于點(diǎn)亮?xí)r間短，因此要 求像素在點(diǎn)亮狀態(tài)下的瞬間亮度極高、以求達(dá)到較高的表觀亮度。例如，假設(shè)顯示屏總共有 /7行、掃描電壓脈沖為理想的矩形波、掃描頻率為Z赫茲的話，那么掃描周期（T)為*Γ = 1/Z 秒；在每一掃描周期內(nèi)每行像素被點(diǎn)亮的時(shí)間約為 Δ?。= τΛ?=1/(Λ2)秒（1) 而像素熄滅的時(shí)間為：τ(η-1)/η秒。換句話說，像素點(diǎn)亮的時(shí)間只有1//7而熄滅的 時(shí)間為fc-l)//?。假設(shè)面板的平均(表觀）亮度為私的話，那么像素在點(diǎn)亮瞬間的亮度(Α) 應(yīng)該為馬。
[0005] 可見，當(dāng)較大時(shí)像素在點(diǎn)亮瞬間的亮度&將大大高于面板的表觀亮度。 由此帶來的一系列負(fù)面效應(yīng)包括縮短了器件的壽命、降低了器件的電光轉(zhuǎn)換效率(大部分 0LED在高亮度下效率會明顯下降)、和由于驅(qū)動(dòng)電流大導(dǎo)致了在電極上的電能損耗也隨之 增加。再之，由于0LED本身具有一定的電容量，當(dāng)掃描頻率較高時(shí)還會導(dǎo)致較大的充放電 電流、從而進(jìn)一步增加了驅(qū)動(dòng)線路的負(fù)擔(dān)和在電極上的能量損耗、降低了電能的利用率。
[0006] 對于PM0LED顯示器來說，由于0LED器件本身能達(dá)到的最高亮度有限和電極的 電阻較高，其大小一般不超過100線。因此，PM0LED-般只能用在低分辨、小尺寸顯示 器（1英寸左右）。雖然近年由DialogSemiconductor公司發(fā)明的多行驅(qū)動(dòng)（multi-line addressing)技術(shù)使PM0LED的性能得到了一定的提升--達(dá)到了 240線、1/4 VGA的水 平--目前單個(gè)PM0LED的分辨率還很難做到高于四分之一 VGA的水平。對于要求更高分辨 率(例如1000線以上）的0LED顯示器(如高分辨電視，HDTV)，目前還無法直接使用PM0LED (除非把多個(gè)PM0LED拼接在一起)。
[0007] AM驅(qū)動(dòng)模式采用內(nèi)置的薄膜晶體管（TFT)驅(qū)動(dòng)電路對每一個(gè)像素的亮度進(jìn)行獨(dú) 立的控制，即每一個(gè)像素都由一個(gè)內(nèi)置于顯示器基板上獨(dú)立的TFT電路所控制。像素的亮 度由TFT控制電路所提供的電流決定（當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流恒定時(shí)，由點(diǎn)亮?xí)r間決定)。圖2A展示了 AM0LED的結(jié)構(gòu)示意圖：圖中，AM0LED顯示器（2000)由基板（2001)、陽極（2002)和TFT驅(qū) 動(dòng)電路（2003)組成的像素陣列、有機(jī)層（2004)、和陰極（2005)組成。其中每個(gè)像素的陽極 (2002)都電連接到相應(yīng)的TFT驅(qū)動(dòng)電路的輸出端；陰極為公共電極。在"下出光"型AM0LED 中，陽極通常為ΙΤ0而陰極常用鋁或銀。在"上出光"型AM0LED中，2002為高功函金屬，而 陰極2005為透明電極。
[0008] 圖2B展示了一個(gè)用于AM0LED顯示器的TFT驅(qū)動(dòng)電路的具體例子。在這個(gè)例子中， 每個(gè)像素由四個(gè)TFT (I\，T2，T3，和T4)組成的電路所控制。其中，VDD為電源正極，GND為接 地端（電源負(fù)極)，Address line為驅(qū)動(dòng)線，Data line為數(shù)據(jù)線。
[0009] AM0LED的優(yōu)點(diǎn)是像素不需在很高亮度下工作、因而壽命和效率都較PM0LED的高、 為目前大部分0LED顯示器所采用。理論上AM0LED可用于高分辨、大屏幕顯示器?？墒窃?實(shí)際應(yīng)用中由于所需的TFT數(shù)量龐大、TFT背板的生產(chǎn)過程過于復(fù)雜、成品率低和受材料 的限制，目前能量產(chǎn)的AM0LED只有小屏（小于10英寸)。大、中尺寸(如電腦屏、電視等）的 AM0LED因?yàn)門FT背板的成品率太低、成本太高、目前尚未見有量產(chǎn)成功的先例。其次，目前 TFT驅(qū)動(dòng)電路本身的功耗比較高。結(jié)果不僅降低了電能的利用率，當(dāng)長時(shí)間使用時(shí)TFT電路 產(chǎn)生的熱量還會導(dǎo)致器件的溫度升高從而影響了器件的使用壽命。
[0010] 更多關(guān)于PM0LED和AM0LED顯示器的構(gòu)造以及驅(qū)動(dòng)技術(shù)的細(xì)節(jié)可參閱美國 專利 US20060091794, US20070114522， US20070152923, US20100085280, US5952789， US7847763, US 20130257845, US20130235023,和歐洲專利 EP2461311。
[0011] 為了克服PM0LED不能驅(qū)動(dòng)大屏和AM0LED生產(chǎn)成本過高的問題，第 US2007/0001936A1號美國專利采用了與傳統(tǒng)PM、AM驅(qū)動(dòng)模式不同的電容驅(qū)動(dòng)技術(shù)方案。 然而，在第US2007/0001936A1號美國專利中，其所用電極和傳統(tǒng)的PM0LED顯示器中所用的 電極基本上是一樣的。因此，第US2007/0001936A1號美國專利雖然能夠在一定程度上改善 了現(xiàn)有PM0LED顯示器的效率和性能，但是其仍然存在電極的導(dǎo)電能力差，從而無法在工業(yè) 中實(shí)際應(yīng)用。也就是說，第US2007/0001936A1號美國專利仍然存在由于電極的導(dǎo)電能力有 限，從而不能從根本上解決PM0LED不能用于高分辨率的顯示器和無法使的顯示器的尺寸 大型化等問題。同時(shí)，采用第US2007/0001936A1號美國專利所公開的電容驅(qū)動(dòng)技術(shù)，還存 在電路過于復(fù)雜、生產(chǎn)工藝復(fù)雜并成本過高等問題，以及還存在0LED顯示器的面板厚度過 厚的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中所存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光 顯示器，包括顯示器基板、敷設(shè)在所述顯示器基板上的行電極和列電極，以及電連接在所述 行電極和所述列電極之間的發(fā)光像素，其中：所述發(fā)光像素具有電致發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)電容器 和充電開關(guān)，其中所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并聯(lián)后電連接到所述充電開關(guān)；所 述行電極或所述列電極具有用于安裝電致發(fā)光器件的出光窗口。
[0013] 優(yōu)選地，所述發(fā)光像素還具有中置電極，其中所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容 器并列地電連接到所述中置電極一側(cè)，所述中置電極的另一側(cè)電連接到所述充電開關(guān)。
[0014] 優(yōu)選地，所述行電極或所述列電極被鑲?cè)胨鲲@示器基板中。
[0015] 優(yōu)選地，所述發(fā)光像素還具有第一絕緣層和第二絕緣層，其中所述第一絕緣層將 相鄰的所述充電開關(guān)絕緣隔開，所述第二絕緣層分別將相鄰的所述電致發(fā)光器件、所述驅(qū) 動(dòng)電容器、以及所述中置電極絕緣隔開。
[0016] 優(yōu)選地，所述顯示器基板是透明的，所述電致發(fā)光器件通過所述出光窗口被設(shè)置 在所述顯示器基板上。
[0017] 優(yōu)選地，所述發(fā)光像素還具有第一絕緣層和第二絕緣層，其中所述第一絕緣層分 別將相鄰的所述行電極或所述列電極、以及所述驅(qū)動(dòng)電容器絕緣隔開，所述第二絕緣層將 相鄰的所述充電開關(guān)、以及所述中置電極絕緣隔開。
[0018] 優(yōu)選地，所述第二絕緣層的材料與所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料相同。
[0019] 優(yōu)選地，所述電致發(fā)光器件具有透明電極和有機(jī)層，其中至少所述透明電極位于 所述出光窗口中，并與所述行電極或所述列電極電連接。
[0020] 優(yōu)選地，所述透明電極通過遮蔽掩模沉積在所述有機(jī)層的表面和所述出光窗口處 的所述行電極或所述列電極上。
[0021] 優(yōu)選地，所述電致發(fā)光器件具有透明電極和有機(jī)層，其中所述透明電極和所述有 機(jī)層的一部分位于所述出光窗口中，并與所述行電極或所述列電極電連接。
[0022] 優(yōu)選地，所述透明電極通過沉積被鍍在所述出光窗口處的所述顯示器基板。
[0023] 優(yōu)選地，所述充電開關(guān)直接在所述行電極或所述列電極上生成。
[0024] 優(yōu)選地，所述充電開關(guān)為二極管。
[0025] 優(yōu)選地，所述中置電極是通過在所述充電開關(guān)上進(jìn)行金屬鍍膜得到。
[0026] 本發(fā)明還提供一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，包括顯示器基板、敷設(shè)在所述顯示 器基板上的行電極和列電極，以及電連接在所述行電極和所述列電極之間的發(fā)光像素，其 中：所述發(fā)光像素具有電致發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)電容器、充電開關(guān)、中置電極和附加電極，其中 所述驅(qū)動(dòng)電容器的一端電連接到所述中置電極一側(cè)，另一端電連接所述行電極或所述列電 極一側(cè)，所述電致發(fā)光器件的一端電連接所述行電極或所述列電極的另一側(cè)，另一端通過 所述附加電極電連接到所述中置電極上，以及所述中置電極的另一側(cè)電連接到所述充電開 關(guān)。
[0027] 優(yōu)選地，所述行電極或所述列電極被鑲?cè)胨鲲@示器基板中。
[0028] 優(yōu)選地，所述發(fā)光像素還具有第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，其中所述第 一絕緣層將相鄰的所述充電開關(guān)絕緣隔開，所述第二絕緣層分別將相鄰的所述驅(qū)動(dòng)電容器 以及所述中置電極絕緣隔開，所述第三絕緣層分別將相鄰的所述行電極或所述列電極、以 及所述電致發(fā)光器件絕緣隔開。
[0029] 優(yōu)選地，所述第二絕緣層的材料與所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料相同。
[0030] 優(yōu)選地，所述電致發(fā)光器件具有透明電極和有機(jī)層，其中所述透明電極電連接所 述附加電極。
[0031] 優(yōu)選地，所述透明電極通過遮蔽掩模沉積在所述有機(jī)層的表面和所述附加電極的 相應(yīng)部分。
[0032] 優(yōu)選地，所述充電開關(guān)直接在所述行電極或所述列電極上生成。
[0033] 優(yōu)選地，所述充電開關(guān)為二極管。
[0034] 優(yōu)選地，所述中置電極是通過在所述充電開關(guān)上進(jìn)行金屬鍍膜獲得。
[0035] 另一方面，本發(fā)明還提供一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的制造方法，包括：在顯示 器基板上敷設(shè)列電極；在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置充電開關(guān)；在所述顯示器基板 上的相應(yīng)位置設(shè)置驅(qū)動(dòng)電容器；在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置電致發(fā)光器件；在顯 示器基板上敷設(shè)行電極；其中，所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并聯(lián)后電連接到所述 中置電極一側(cè)，所述中置電極的另一側(cè)電連接到所述充電開關(guān)。
[0036] 優(yōu)選地，所述制造方法還包括：在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置中置電極。
[0037] 優(yōu)選地，在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上的 相應(yīng)位置設(shè)置所述充電開關(guān)；對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材 料進(jìn)行平整化處理；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述 顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料；在所述第二絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕 出容納所述驅(qū)動(dòng)電容器的第一凹槽，其中所述第一凹槽中留有一定的第二絕緣材料；向所 述第一凹槽中裝入形成所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料；與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列 電極；在所述行電極或列電極上與所述一定的第二絕緣材料相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口， 并去除所述一定的第二絕緣材料，形成第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器 件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電極。
[0038] 優(yōu)選地，在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或 行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料；在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行 電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充電開關(guān)的第四凹槽的陣列；在所述第四凹槽中設(shè) 置所述充電開關(guān)；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯 示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料；在所述第二絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出 容納所述驅(qū)動(dòng)電容器的第一凹槽，其中所述第一凹槽中留有一定的第二絕緣材料；向所述 第一凹槽中裝入形成所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料；與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電 極；在所述行電極或列電極上與所述一定的第二絕緣材料相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并 去除所述一定的第二絕緣材料，形成第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件， 使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電極。
[0039] 優(yōu)選地，在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或 行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料；在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行 電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充電開關(guān)的第四凹槽的陣列；在所述第四凹槽中設(shè) 置所述充電開關(guān)；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯 示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述 中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極；在所述行電極或列電極上與所述中置電極相對應(yīng) 的位置刻蝕出光窗口，并在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相對應(yīng)的位 置刻蝕出第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電 連接所述中置電極。
[0040] 優(yōu)選地，在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或 行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料；在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行 電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充電開關(guān)的第四凹槽陣列；在所述第四凹槽中設(shè)置 所述充電開關(guān)；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示 器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并在與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出所述 驅(qū)動(dòng)電容器的陣列；對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述顯示器基板用第二絕緣材 料進(jìn)行平整化處理；在經(jīng)所述第二絕緣材料平整化處理后的所述顯示器基板上與所述中置 電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極；在所述行電極或列電極上與所述中置電極相對應(yīng)的 位置刻蝕出光窗口，并在所述第二絕緣材料上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹 槽；在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電 極。
[0041] 優(yōu)選地，在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上的 相應(yīng)位置設(shè)置所述充電開關(guān)；對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材 料進(jìn)行平整化處理；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述 顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所 述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極；在所述行電極或列電極上與所述中置電極相對 應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相對應(yīng)的 位置刻蝕出第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件 電連接所述中置電極。
[0042] 優(yōu)選地，在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上的 相應(yīng)位置設(shè)置所述充電開關(guān)；對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材 料進(jìn)行平整化處理；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述 顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列；對已經(jīng) 刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述顯示器基板用第二絕緣材料進(jìn)行平整化處理；在經(jīng)所 述第二絕緣材料平整化處理后的所述顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極 或列電極；在所述行電極或列電極上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并在所 述第二絕緣材料上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置 所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電極。
[0043] 優(yōu)選地，在所述顯示器基板上刻蝕出容納所述列電極或行電極的第三凹槽，然后 在所述第三凹槽中填入電極材料，以形成所述列電極或行電極。
[0044] 優(yōu)選地，對由熱塑性材料制成或表面含有一層熱塑性材料的所述顯示器基板進(jìn)行 加熱處理，然后將所述列電極或行電極壓入所述顯示器基板的受熱軟化的表面。
[0045] 優(yōu)選地，在所述第二凹槽中沉積有機(jī)層，然后在所述有機(jī)層的頂部生成與所述出 光窗口處的所述行電極或列電極部分電連接的透明電極，以形成所述電致發(fā)光器件，其中 至少所述透明電極位于所述出光窗口中。
[0046] 優(yōu)選地，所述透明電極通過遮蔽掩模沉積在所述有機(jī)層的頂部和所述出光窗口處 的所述行電極或列電極上。
[0047] 優(yōu)選地，所述充電開關(guān)直接在所述列電極或行電極上生成。
[0048] 優(yōu)選地，所述中置電極是通過在所述充電開關(guān)上進(jìn)行金屬鍍膜獲得。
[0049] 本發(fā)明還進(jìn)一步提供一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的制造方法，包括：在顯示器 基板上敷設(shè)列電極；在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置充電開關(guān)；在所述顯示器基板 上的相應(yīng)位置設(shè)置中置電極；在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置驅(qū)動(dòng)電容器；在所述顯 示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置電致發(fā)光器件；在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置附加電 極；在顯示器基板上敷設(shè)行電極；其中，所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器位于所述列 電極或所述行電極的兩側(cè)，并且所述驅(qū)動(dòng)電容器位于所述中置電極和所述列電極或所述行 電極之間，所述附加電極電連接所述電致發(fā)光器件和所述中置電極，使得所述電致發(fā)光器 件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并聯(lián)地電連接。
[0050] 優(yōu)選地，在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上的相應(yīng) 位置設(shè)置充電開關(guān)；對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平 整化處理；在所述充電開關(guān)上設(shè)置中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上 敷設(shè)第二絕緣材料；在所述第二絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納驅(qū)動(dòng)電 容器的第一凹槽；向所述第一凹槽中裝入形成所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料；與所述中置電極相 對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極；在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料；在所述第三絕 緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二凹槽和讓附加電極 通往所述中置電極的通道；通過所述通道敷設(shè)所述附加電極；在所述第二凹槽中設(shè)置分別 與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電致發(fā)光器件。
[0051] 優(yōu)選地，在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電 極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料；在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極 相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充電開關(guān)的第四凹槽的陣列；在所述第四凹槽中設(shè)置所 述充電開關(guān)；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器 基板上敷設(shè)第二絕緣材料；在所述第二絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納 驅(qū)動(dòng)電容器的第一凹槽；向所述第一凹槽中裝入形成所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料；與所述中置 電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極；在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料；在所述 第三絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二凹槽和讓附 加電極通往所述中置電極的通道；通過所述通道敷設(shè)所述附加電極；在所述第二凹槽中設(shè) 置分別與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電致發(fā)光器件。
[0052] 優(yōu)選地，在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電 極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料；在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極 相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充電開關(guān)的第四凹槽的陣列；在所述第四凹槽中設(shè)置所 述充電開關(guān)；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器 基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置 電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極；在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料；在所述 第三絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二凹槽和讓附 加電極通往所述中置電極的通道；通過所述通道敷設(shè)所述附加電極；在所述第二凹槽中設(shè) 置分別與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電致發(fā)光器件。
[0053] 優(yōu)選地，在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電 極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料；在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極 相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充電開關(guān)的第四凹槽的陣列；在所述第四凹槽中設(shè)置所 述充電開關(guān)；在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器 基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列；對已經(jīng)刻蝕出 所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述顯示器基板用第二絕緣材料進(jìn)行平整化處理；在經(jīng)所述第二 絕緣材料平整化處理后的所述顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電 極；在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料；在所述第三絕緣材料上與所述中置電極 對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二凹槽和讓附加電極通往所述中置電極的通道； 通過所述通道敷設(shè)所述附加電極；在所述第二凹槽中設(shè)置分別與所述附加電極和所述行電 極或列電極電連接的所述電致發(fā)光器件。
[0054] 優(yōu)選地，在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上的相應(yīng) 位置設(shè)置充電開關(guān)；對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平 整化處理；在所述充電開關(guān)上設(shè)置中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上 敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相 對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極；在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料；在所述第三絕 緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二凹槽和讓附加電極 通往所述中置電極的通道；通過所述通道敷設(shè)所述附加電極；在所述第二凹槽中設(shè)置分別 與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電致發(fā)光器件。
[0055] 優(yōu)選地，在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上的相應(yīng) 位置設(shè)置充電開關(guān)；對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平 整化處理；在所述充電開關(guān)上設(shè)置中置電極；在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上 敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列；對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū) 動(dòng)電容器的圖案陣列的所述顯示器基板用第二絕緣材料進(jìn)行平整化處理；在經(jīng)所述第二絕 緣材料平整化處理后的所述顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料；在所述第三絕緣材料上與所述中置電極相對 應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二凹槽和讓附加電極通往所述中置電極的通道；通 過所述通道敷設(shè)所述附加電極；在所述第二凹槽中設(shè)置分別與所述附加電極和所述行電極 或列電極電連接的所述電致發(fā)光器件。
[0056] 優(yōu)選地，在所述顯示器基板上刻蝕出容納所述列電極或行電極的第三凹槽，然后 在所述第三凹槽中填入電極材料，以形成所述列電極或行電極。
[0057] 優(yōu)選地，對由熱塑性材料制成或表面含有一層熱塑性材料的所述顯示器基板進(jìn)行 加熱處理，然后將所述列電極或行電極壓入所述顯示器基板的受熱軟化的表面。
[0058] 優(yōu)選地，在所述第二凹槽中沉積有機(jī)層，然后在所述有機(jī)層的頂部生成與所述附 加電極電連接的透明電極，以形成所述電致發(fā)光器件。
[0059] 優(yōu)選地，所述透明電極通過遮蔽掩模沉積在所述有機(jī)層的頂部和所述附加電極 上。
[0060] 優(yōu)選地，所述充電開關(guān)直接在所述列電極或行電極上生成。
[0061] 優(yōu)選地，所述中置電極是通過在所述充電開關(guān)上進(jìn)行金屬鍍膜獲得。
[0062] 本發(fā)明還進(jìn)一步提供一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的制造方法，包括：在透明的 顯示器基板上敷設(shè)列電極；直接在所述透明的顯示器基板上設(shè)置電致發(fā)光器件；在所述透 明的顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置驅(qū)動(dòng)電容器；在所述透明的顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè) 置充電開關(guān)；在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)行電極；其中，所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū) 動(dòng)電容器并聯(lián)后電連接到所述充電開關(guān)。
[0063] 優(yōu)選地，所述制造方法還包括：在所述透明的顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置中置 電極；其中，所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并列地電連接到所述中置電極一側(cè)，所述 中置電極的另一側(cè)電連接到所述充電開關(guān)。
[0064] 優(yōu)選地，在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極；按照所述預(yù)定陣 列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述 透明電極的位置刻蝕出光窗口；在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè) 第一絕緣材料；在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納所述 驅(qū)動(dòng)電容器的第一凹槽，其中所述第一凹槽中留有一定的第一絕緣材料；向所述第一凹 槽中裝入用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；去除所述一定的第一絕緣材料，形成第二凹槽；在 所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光器件；在所述電致 發(fā)光器件和所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上設(shè)置所述中置電極；在所述中置電極上設(shè)置 所述充電開關(guān)；在設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料，所 述第二絕緣材料不覆蓋所述充電開關(guān)；在與所述充電開關(guān)相應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電 極。
[0065] 優(yōu)選地，在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極；按照所述預(yù)定陣 列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述 透明電極的位置刻蝕出光窗口；在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè) 用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并對應(yīng)于所述預(yù)定陣列刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列；對已 經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述透明的顯示器基板用第一絕緣層材料進(jìn)行平整化 處理；在已經(jīng)用所述第一絕緣層材料平整化處理后的所述透明的顯示器基板上與所述透明 電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一 起形成所述電致發(fā)光器件；在所述電致發(fā)光器件上設(shè)置面積大于所述電致發(fā)光器件的所述 中置電極，使得所述中置電極覆蓋所述電致發(fā)光器件和部分所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材 料；在已經(jīng)敷設(shè)了所述中置電極的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣層材料；在敷設(shè) 了所述第二絕緣層材料的所述透明的顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出 容納充電開關(guān)的第三凹槽；在所述第三凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)；在與所述充電開關(guān)相對 應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電極。
[0066] 優(yōu)選地，在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極；按照所述預(yù)定陣 列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述 透明電極的位置刻蝕出光窗口；在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè) 用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述透明電極相對應(yīng) 的位置刻蝕出第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述 電致發(fā)光器件；在所述電致發(fā)光器件上設(shè)置面積大于所述電致發(fā)光器件的所述中置電極， 使得所述中置電極覆蓋所述電致發(fā)光器件和部分所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在已經(jīng) 敷設(shè)了所述中置電極的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣層材料；在敷設(shè)了所述第二 絕緣層材料的所述透明的顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出容納充電開 關(guān)的第三凹槽；在所述第三凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)；在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷 設(shè)行電極或列電極。
[0067] 優(yōu)選地，在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極；按照所述預(yù)定陣 列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述 透明電極的位置刻蝕出光窗口；在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè) 第一絕緣材料；在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納所述 驅(qū)動(dòng)電容器的第一凹槽，其中所述第一凹槽中留有一定的第一絕緣材料；向所述第一凹 槽中裝入用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；去除所述一定的第一絕緣材料，形成第二凹槽；在 所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光器件；在所述電致 發(fā)光器件和所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上設(shè)置所述中置電極；在已經(jīng)敷設(shè)了所述中置 電極的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣層材料；在敷設(shè)了所述第二絕緣層材料的所 述透明的顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出容納充電開關(guān)的第三凹槽；在 所述第三凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)；在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電 極。
[0068] 優(yōu)選地，在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極；按照所述預(yù)定陣 列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述 透明電極的位置刻蝕出光窗口；在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè) 用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列；對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電 容器的陣列的所述透明的顯示器基板用第一絕緣層材料進(jìn)行平整化處理；在已經(jīng)用所述第 一絕緣層材料平整化處理后的所述透明的顯示器基板上與所述透明電極相對應(yīng)的位置刻 蝕出第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光 器件；在所述電致發(fā)光器件上設(shè)置面積大于所述電致發(fā)光器件的所述中置電極，使得所述 中置電極覆蓋所述電致發(fā)光器件和部分所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在所述中置電極 上設(shè)置所述充電開關(guān)；在設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材 料，所述第二絕緣材料不覆蓋所述充電開關(guān)；在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷設(shè)行電極 或列電極。
[0069] 優(yōu)選地，在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極；按照所述預(yù)定陣 列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極；在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述 透明電極的位置刻蝕出光窗口；在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè) 用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述透明電極相對應(yīng) 的位置刻蝕出第二凹槽；在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述 電致發(fā)光器件；在所述電致發(fā)光器件上設(shè)置面積大于所述電致發(fā)光器件的所述中置電極， 使得所述中置電極覆蓋所述電致發(fā)光器件和部分所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料；在所述 中置電極上設(shè)置所述充電開關(guān)；在設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第 二絕緣材料，所述第二絕緣材料不覆蓋所述充電開關(guān)；在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷 設(shè)行電極或列電極。
[0070] 優(yōu)選地，在所述透明的顯示器基板上通過鍍膜的方法沉積納米級的所述透明電 極。
[0071] 優(yōu)選地，在所述出光窗口中沉積所述有機(jī)層，使得至少部分的所述有機(jī)層位于所 述出光窗口中。
[0072] 優(yōu)選地，所述充電開關(guān)直接在所述中置電極上生成。
[0073] 優(yōu)選地，在所述電致發(fā)光器件上沉積一個(gè)比所述電致發(fā)光器件面積大的金屬保護(hù) 層，然后沉積一定厚度的金屬，經(jīng)光刻后得到所述中置電極。
[0074] 優(yōu)選地，所述第一凹槽的深度能夠容納多個(gè)串列的所述電致發(fā)光器件。
[0075] 與傳統(tǒng)的PM0LED和AM0LED相比，Cap-OLED具有以下優(yōu)點(diǎn)：簡化生產(chǎn)工藝，同時(shí)降 低了生產(chǎn)成本；降低了 0LED顯示器的面板厚度；Cap-OLED的行、列電極具有很低的電阻，因 而可以傳輸很大的電流而不會產(chǎn)生明顯的熱量；由于充電開關(guān)有效防止了電容器通過外電 路(即行、列電極）放電，電能的利用率得到了大幅提高；由于驅(qū)動(dòng)電容器大大延長了像素的 點(diǎn)亮?xí)r間，像素的初始亮度要遠(yuǎn)低于一般PM0LED像素的瞬間亮度，因此Cap-OLED的使用壽 命要遠(yuǎn)高于PMOLED ;Cap-〇LED可以用于高分辨、大尺寸顯示屏。理論上Cap-OLED的電能利 用率可以達(dá)到90%以上，不僅遠(yuǎn)高于PM0LED還明顯高于AM0LED。目前AM0LED的電能利用 率約為50% (TFT電路消耗了約50%的電能)。
[0076]

【專利附圖】

【附圖說明】 圖1A為現(xiàn)有技術(shù)中的PMOLED結(jié)構(gòu)示意圖。
[0077] 圖1B為現(xiàn)有技術(shù)中的PMOLED掃描電壓脈沖波形示意圖。
[0078] 圖2A為現(xiàn)有技術(shù)中的AM0LED結(jié)構(gòu)示意圖。
[0079] 圖2B為現(xiàn)有技術(shù)中的AM0LED使用的TFT驅(qū)動(dòng)線路圖例子。
[0080] 圖3A為電容驅(qū)動(dòng)0LED電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0081] 圖3B為電容驅(qū)動(dòng)0LED電路的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
[0082] 圖3C為電容驅(qū)動(dòng)0LED電路與PMOLED電路的"亮度-時(shí)間"變化關(guān)系曲線之對比 圖。
[0083] 圖3D為電容驅(qū)動(dòng)0LED電路的"亮度-時(shí)間"變化關(guān)系曲線以及器件點(diǎn)亮?xí)r間延 長量(At)之定義的圖示說明。
[0084] 圖4為采用了 "并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0085] 圖5為將行電極"鑲?cè)?到基板里面的一個(gè)示例。
[0086] 圖6為設(shè)置了充電開關(guān)后的基板的一個(gè)不例。
[0087] 圖7為設(shè)置了中置電極后的基板的一個(gè)示例。
[0088] 圖8為組件4000的制造方法的一例。
[0089] 圖9為組件4000的制造方法的另一例。
[0090] 圖10為組件4000的制造方法的另一例。
[0091] 圖11為組件5000的制造方法的一例。
[0092] 圖12為"并列"式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法的一例。
[0093] 圖13A-13C為采用了"串列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示 意圖。
[0094] 圖14為"串列"式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法一例。
[0095] 圖15為采用"下出光"型"并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中單個(gè)像素的結(jié) 構(gòu)示意圖。
[0096] 圖16為"下出光"型"并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法一例。
[0097] 圖17為"并列"式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法的另一例。
[0098] 圖18為"串列"式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法另一例。
[0099] 圖19為"下出光"型"并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法另一例。

【具體實(shí)施方式】
[0100] 本發(fā)明可以適用于所有電流驅(qū)動(dòng)類型的電致發(fā)光顯示器，例如有機(jī)發(fā)光二極管 (0LED)顯示器，有機(jī)發(fā)光三極管（0LET)顯示器，和發(fā)光二極管（LED)顯示器。
[0101] 在本實(shí)施方式中，參照附圖就電容驅(qū)動(dòng)OLED (Cap-OLED)為例對電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā) 光顯示器進(jìn)行說明。
[0102] 電容驅(qū)動(dòng)0LED采用類似于圖1A所示的PM0LED的行、列電極布局，其中在每一個(gè) 行、列電極的交匯點(diǎn)放置一個(gè)像素。其外驅(qū)動(dòng)電路也采用類似于PM0LED的逐行掃描方式。 但與PM0LED不同的是在每一個(gè)像素中加入了一個(gè)電容驅(qū)動(dòng)組件來延長像素的點(diǎn)亮?xí)r間。 這個(gè)像素組件包括驅(qū)動(dòng)電容器、充電開關(guān)和0LED器件，上述驅(qū)動(dòng)電容器與上述0LED器件并 聯(lián)后再電連接上述充電開關(guān)。其中，電容驅(qū)動(dòng)組件的一端與行電極相連、另一端與列電極相 連；當(dāng)充電開關(guān)有控制端時(shí)，其控制端通常電連接到行電極上。
[0103] 圖3A為電容驅(qū)動(dòng)0LED電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3A所示，電容驅(qū)動(dòng)0LED電路包 括行電極3001、列電極3002、0LED器件3003、驅(qū)動(dòng)電容器3004和充電開關(guān)3005,其中上述 驅(qū)動(dòng)電容器3004與上述0LED器件3003并聯(lián)，上述充電開關(guān)3005 -端與并聯(lián)后的上述驅(qū) 動(dòng)電容器3004和上述0LED器件3003的一端電連接，使得上述充電開關(guān)3005與并聯(lián)后的 上述驅(qū)動(dòng)電容器3004和上述0LED器件3003串聯(lián)，上述充電開關(guān)3005的另一端連接上述 行電極3001，并聯(lián)后的上述驅(qū)動(dòng)電容器3004和上述0LED器件3003的另一端與上述列電極 3002電連接。
[0104] 圖3B為電容驅(qū)動(dòng)0LED電路的另一結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3B所示，電容驅(qū)動(dòng)0LED電 路同樣包括行電極3001、列電極3002、0LED器件3003、驅(qū)動(dòng)電容器3004和充電開關(guān)3005， 其中上述驅(qū)動(dòng)電容器3004與上述0LED器件3003并聯(lián)，上述充電開關(guān)3005 -端與并聯(lián)后 的上述驅(qū)動(dòng)電容器3004和上述0LED器件3003 -端電連接，使得上述充電開關(guān)3005與并 聯(lián)后的上述驅(qū)動(dòng)電容器3004和上述0LED器件3003串聯(lián)，上述充電開關(guān)3005的另一端電 連接上述列電極3002,并聯(lián)后的上述驅(qū)動(dòng)電容器3004和上述0LED器件3003的另一端與上 述行電極3001電連接。
[0105] 應(yīng)該理解，本文所用術(shù)語"驅(qū)動(dòng)電容器"的含義包括：（a)單個(gè)電容器，和（b)由多 個(gè)電容器并聯(lián)組成的電容器組；"充電開關(guān)"的含義包括：（a)任何有單向?qū)щ娔芰Φ碾娮?元件、如二極管，（b)由多個(gè)電子元件組成的電子開關(guān)，和（c)電子控制的微型機(jī)械開關(guān)。
[0106] 電容驅(qū)動(dòng)0LED電路的基本工作原理是：在掃描脈沖到來的瞬間上述充電開關(guān) 3005接通，并在給上述驅(qū)動(dòng)電容器3004充電的同時(shí)點(diǎn)亮上述0LED器件3003 ;當(dāng)掃描脈沖 過后上述充電開關(guān)3005自動(dòng)斷開，上述驅(qū)動(dòng)電容器3004通過上述0LED器件3003放電讓 其繼續(xù)保持在點(diǎn)亮狀態(tài)，直到上述驅(qū)動(dòng)電容器3004兩端的電壓低于上述0LED器件的最低 點(diǎn)亮電壓（〇?？梢?，上面所述電容驅(qū)動(dòng)OLED電路在功能上是一個(gè)"儲能-延時(shí)"電路。
[0107] 在上述電容驅(qū)動(dòng)模式中，假如把上述行電極3001定為公共電極并設(shè)為零電位參 考點(diǎn)的話，那么像素的表觀亮度由上述驅(qū)動(dòng)電容器3004的容量和上述列電極3002所加的 掃描脈沖電壓峰值（即驅(qū)動(dòng)電容器的充電電壓)所決定。根據(jù)上述0LED器件3003的電光特 性、可以適當(dāng)調(diào)整上述驅(qū)動(dòng)電容器3004的容量使像素在下一個(gè)掃描脈沖到來的前夕熄滅。 這樣由于點(diǎn)亮?xí)r間得到延長，上述0LED器件3003 (像素）可以在較低的初始亮度下工作而 獲得較高的平均亮度，因而有效地延長了上述0LED器件3003的壽命和提高了上述0LED器 件3003的電光轉(zhuǎn)換效率。
[0108] 以下通過與PM0LED的對比、對電容驅(qū)動(dòng)0LED的工作原理作進(jìn)一步說明。
[0109] 在PM的驅(qū)動(dòng)模式下，0LED器件在每一個(gè)掃描周期內(nèi)的發(fā)光量(正比于表觀亮度） 由"亮度-時(shí)間"曲線下面包含的面積所決定--面積越大、發(fā)光量越大，因而表觀亮度越 大。對于一般PM0LED而言，在理想狀態(tài)下(假設(shè)掃描脈沖為理想的矩形波、0LED的電光轉(zhuǎn) 換效率或量子產(chǎn)率為常數(shù)。下同)此面積4等于掃描脈沖寬度Δ f。和器件的瞬間亮度馬之 積(參見圖3C)。艮P， ζ0=Δ￡0^=?0?！??=Γ·ρ0 (2) 其中厶為在亮度Α時(shí)流過0LED的電流；J為器件的電光轉(zhuǎn)換效率;Δ ?,Χ厶=弘為 流過0LED的電量。
[0110] 對于電容驅(qū)動(dòng)0LED而言，其"亮度-時(shí)間"曲線下的面積由兩部分(Ζ, +Ζ,)組成 (參照圖3C)。前一項(xiàng)與PM0LED同，而后一項(xiàng)乙的大小則正比于電容器通過0LED放電的電 量私，即 L,q - J 5 = irj l{t)di = KQC = KC >iiiV - KC s%V^ - ) (3) 其中沒"）為電容器放電過程中OLED亮度隨時(shí)間（i)的函數(shù)關(guān)系；為電容器放電 過程中電流隨時(shí)間變化的函數(shù)關(guān)系^為電容器的電容量；L為0LED的最低點(diǎn)亮電壓；匕 為掃描脈沖電壓峰值（即電容器充電電壓峰值)。為方便對比，在圖3C中同時(shí)給出了一般 PM0LED的"亮度-時(shí)間"變化關(guān)系曲線（如圖3C中的上圖）和電容驅(qū)動(dòng)0LED的"亮度-時(shí) 間"變化關(guān)系曲線(如圖3C中的下圖）。
[0111] 由圖3C和以上的分析可見，電容驅(qū)動(dòng)的實(shí)際效果是讓"亮度-時(shí)間"曲線下的面 積(或表觀亮度）在原來4 (相當(dāng)于PM0LED像素的發(fā)光量）的基礎(chǔ)上增加了乙的量。因此 電容驅(qū)動(dòng)的實(shí)際效果可以用表觀亮度增加的倍數(shù)乙/Z,來表示。從另一個(gè)角度看，假如把 乙想象成為一個(gè)等面積、高度為&、寬度為Δ ? (Δ i = 4/?)的矩形(參照圖3D)，那么電容 驅(qū)動(dòng)的實(shí)際效果等效于把原有PM驅(qū)動(dòng)模式下的掃描脈沖寬度(Δ ?,)延長了Δ ?的量。換 句話說電容驅(qū)動(dòng)相對于ΡΜ驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢也可以定量地用Δ ?與Λ ?,之比(Δ ?/ Δ ~ =乙/ 來表征：即Δ ?/ Δ &的數(shù)值越大、電容驅(qū)動(dòng)0LED相對于PM0LED的優(yōu)勢越為明顯。
[0112] 從（3)式和（2)式得： 上式中的C取決于電容器的尺寸、所用材料、和電容器的構(gòu)造。4和冬是互為依賴的 函數(shù)關(guān)系，由0LED器件的電氣特性所決定。L對于同一類器件是個(gè)常數(shù)(取決于0LED器 件的電氣特性)。Δ &與掃描頻率Z和行電極的總數(shù)/7成反比關(guān)系（見（1)式）。因此在其 他參數(shù)不變的情況下，Α ?,隨行電極數(shù)增加而減小(Δ i, ~ I//?);因而Δ ?/Δ ?,將隨增 加而增加 （Δ ?/ Δ ?, ~ 人由此可見電容驅(qū)動(dòng)OLED相對于PMOLED的優(yōu)勢隨著屏幕尺寸 大小增加和分辨率升高(/?增大）而顯得更加明顯。換句話說Cap-OLED正好彌補(bǔ)了 PMOLED 不能用于大屏的不足。
[0113] 實(shí)施方式(一） 以下闡述電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器面板的結(jié)構(gòu)。
[0114] 電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器包括顯示器基板、敷設(shè)在顯示器基板上的行電極和列電 極、以及發(fā)光像素陣列，其中發(fā)光像素包括電致發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)電容器、和充電開關(guān)。上述行 電極、列電極、電致發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)電容器和充電開關(guān)在電路中的連接順序?yàn)椋盒?或列）電 極一充電開關(guān)一并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)電容器和電致發(fā)光器件一列（或行）電極(參照圖3A、3B)。發(fā)光 像素的表觀亮度由行電極和列電極之間所加的掃描電壓控制。由于驅(qū)動(dòng)電容器和充電開關(guān) 的存在，像素的點(diǎn)亮?xí)r間明顯長于像素在沒有驅(qū)動(dòng)電容器和充電開關(guān)時(shí)的點(diǎn)亮?xí)r間。
[0115] 以上所述充電開關(guān)有二個(gè)功能：第一，在掃描脈沖到來的瞬間、開關(guān)接通，外電路 通過行電極和列電極對驅(qū)動(dòng)電容器進(jìn)行充電、同時(shí)點(diǎn)亮像素；當(dāng)掃描脈沖過后，開關(guān)馬上自 動(dòng)斷開、防止電容器通過外電路放電--電容器因而被強(qiáng)迫通過0LED器件放電。
[0116] 充電開關(guān)可以由任何具有單向?qū)щ娔芰Φ钠骷洚?dāng)，例如由一個(gè)或多個(gè)整流二極 管充當(dāng)，由一個(gè)或多個(gè)二、三極管組成的電子開關(guān)電路充當(dāng)，或由一個(gè)電子控制微型機(jī)械開 關(guān)充當(dāng)。
[0117] 其中，所述電致發(fā)光器件可以是任何把電流轉(zhuǎn)變?yōu)楣獾钠骷?，例如LED，0LED，和 0LET，等。
[0118] 下面以0LED為例闡述電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器（Cap-OLED)的具體結(jié)構(gòu)及其制造方 法。但是，當(dāng)發(fā)光器件為非0LED的其他電致發(fā)光器件時(shí)，只要把對應(yīng)于0LED器件的部分作 相應(yīng)修改、顯示器的其他組成部分和電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的類似。
[0119] 圖4為采用了 "并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4a_c 所示，電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器（Cap-0LED)7000包括：基板4001，行電極4002,充電開關(guān)5001 (例如一個(gè)整流二極管)，第一絕緣層(絕緣材料）5002,中置電極6001，驅(qū)動(dòng)電容器的介電層 7001(形成圖3A和圖3B中的驅(qū)動(dòng)電容器3004)，第二絕緣層（絕緣材料)7002，列電極7003， 以及0LED器件7008。其中，上述充電開關(guān)5001對應(yīng)于圖3A和圖3B中的充電開關(guān)3005， 上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001對應(yīng)于圖3A和圖3B中的驅(qū)動(dòng)電容器3004,上述0LED器件 7008對應(yīng)于圖3A和圖3B中的0LED器件3003。
[0120] 圖4a為上述電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器7000整體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4a所示，在上述 基板4001上按一定的間隔平行地設(shè)置有上述行電極4002和與上述行電極4002交叉的列 電極7003。在上述行電極4002和上述列電極7003的交叉處設(shè)置有上述0LED器件7008。 在上述行電極4002和上述列電極7003之間依次具有第一絕緣層5002和第二絕緣層7002。
[0121] 圖4b為圖4a中的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器7000按A-A線的截面示意圖，圖4c為圖 4a中的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器7000按B-B線的截面示意圖。如圖4b和圖4c所示，在上述 基板4001上按一定的間隔平行地設(shè)置有上述行電極4002,上述行電極4002上與上述列電 極交叉的相應(yīng)位置設(shè)置有上述充電開關(guān)5001。在上述充電開關(guān)5001上設(shè)置有上述中置電 極6001，并在上述中置電極6001上并列設(shè)置上述OLED器件7008和上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電 層7001，使得在上述中置電極6001的作用下上述0LED器件7008和上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電 層7001處于并聯(lián)連接。其中，上述列電極7003在與上述行電極4002的交叉處的相應(yīng)位置 設(shè)置用于安放上述0LED器件7008的槽7004 (參照圖12)，并且位于相鄰的兩個(gè)上述列電 極7003與上述行電極4002的交叉處的上述充電開關(guān)5001、上述中置電極6001、上述驅(qū)動(dòng) 電容器的介電層7001和上述0LED器件7008之間分別由上述第一絕緣層5002和上述第二 絕緣層7002隔開，并可以封裝成由圖3A或圖3B所示的電路。
[0122] 由于電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的分辨率和尺寸大小都遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于一般的PM0LED，可 以預(yù)見其驅(qū)動(dòng)電流也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PM0LED。因此，對行、列電極導(dǎo)電能力的要求也相應(yīng)高于 PM0LED。其中，由于行電極是公共電極、需要同時(shí)給同一行的所有像素供電(假設(shè)沿用行掃 描的方式)，因此行電極的電流又要高于列電極。為了減少在行電極上的損耗，需要增加行 電極的厚度以減少行電極的電阻。計(jì)算表明，假如沿用鋁材作為行電極的話，取決于0LED 器件的效率、屏幕的大小和分辨率高低，行電極的厚度可能在很大范圍內(nèi)（1〇°_1〇3微米）變 動(dòng)。因?yàn)檫@一厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于0LED器件的正常厚度（100-200納米），必要時(shí)可以采用把行電 極"鑲?cè)?到基板里面的方式以獲得一個(gè)平整的表面、以便于后續(xù)步驟能順利進(jìn)行。
[0123] 圖5為將行電極"鑲?cè)?到基板里面的一個(gè)示例。如圖5所示，在組件4000中，行 電極4002被"鑲?cè)?到基板4001里面，因而在組件4000的表面形成一個(gè)平整的平面。
[0124] 圖6為設(shè)置了充電開關(guān)后的基板的一個(gè)示例。如圖6所示，在組件5000中，在上 述組件4000上的相應(yīng)的位置按陣列設(shè)置上述充電開關(guān)5001，其中相鄰的兩個(gè)上述充電開 關(guān)5001之間填充有上述第一絕緣層5002。
[0125] 圖7為設(shè)置了中置電極后的基板的一個(gè)示例。如圖7a所示，在組件6000中，在上 述組件5000上的上述充電開關(guān)5001的相應(yīng)的位置按陣列設(shè)置上述中置電極6001，其中上 述中置電極6001的排列與上述充電開關(guān)5001的排列相一致。
[0126] 圖7b為圖7a中的組件6000按A-A線的截面示意圖。如圖7b所示，上述基板4001 設(shè)置有上述行電極4002,上述行電極4002的上表面與上述基板4001的上表面齊平。在上 述行電極4002上設(shè)置上述充電開關(guān)5001，相鄰的兩個(gè)上述充電開關(guān)5001之間填充有上述 第一絕緣層5002。優(yōu)選地，上述充電開關(guān)5001的上表面與上述第一絕緣層5002的上表面 齊平。在上述充電開關(guān)5001上設(shè)置上述中置電極6001。
[0127] 如圖4所示，在各中置電極6001上并列設(shè)置上述0LED器件7008和上述驅(qū)動(dòng)電容 器的介電層7001，在相鄰的上述0LED器件7008和上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001之間填充 有上述第二絕緣層7002。優(yōu)選地，上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001的上表面與上述第二絕 緣層7002的上表面齊平。在上述第二絕緣層7002、上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001及上述 0LED器件7008上設(shè)置上述列電極7003,其中上述0LED器件7008突出上述驅(qū)動(dòng)電容器的 介電層7001表面的部分位于上述列電極7003的上述槽7004中。
[0128] 以下闡述電容驅(qū)動(dòng)顯示器的具體制造方法。
[0129] 圖8為組件4000的制造方法的一例。如圖8所示，1)對基板4001進(jìn)行處理，使得 基板4001的表面平整；2)按一定的間隔平行地在具有平整表面的上述基板4001上刻蝕出 容納行電極的凹槽4003 ;3)然后在上述凹槽4003中填入構(gòu)成行電極4002的電極材料優(yōu)選 地,上述電極材料為金屬材料；4)對被填入上述電極材料的上述基板4001的表面進(jìn)行平整 化和拋光處理，獲得組件4000。
[0130] 圖9為組件4000的制造方法的另一例。如圖9所示，1)對基板4001進(jìn)行處理，使 得基板4001的表面平整；2)在具有平整表面的基板4001上進(jìn)行金屬鍍膜4004 ;3)按一定 的間隔平行地在上述金屬鍍膜4004上刻蝕出行電極4002 ;4)對已刻蝕出行電極4002的上 述基板4001的表面進(jìn)行平整化處理，優(yōu)選地，用絕緣材料4005把上述行電極4002間的間 隙填平，然后進(jìn)行拋光處理以獲得一個(gè)平整的表面，由此獲得上述組件4000。
[0131] 圖10為組件4000的制造方法的另一例。對于由熱塑性材料制成的基板4001或 者表面含有一層熱塑性材料的基板4001，可采用如圖10所示的方法來制造組件4000。具 體地，1)對基板4001的表面進(jìn)行加熱處理，至少使得基板4001表面的熱塑性材料受熱軟化 至能夠?qū)⑿须姌O4002壓入該表面的程度；2)將行電極4002按一定的間隔平行地壓入到受 熱軟化后的基板4001的表面；3)冷卻已壓入行電極4002的基板4001的表面；4)對冷卻后 的已壓入上述行電極4002的上述基板4001的表面進(jìn)行平整化處理，以獲得一個(gè)平整的表 面，由此獲得上述組件4000。
[0132] 在上述實(shí)施方式中，上述行電極4002的選材視生產(chǎn)流程中所涉及的溫度和顯示 器面板對導(dǎo)電能力要求的不同而選用適當(dāng)?shù)慕饘俨牧?，例如銅、鋁、鐵、鎳、鎢、鉻、金、鉬等 金屬材料，或者是它們的合金。必要時(shí)還可以使用多層不同金屬的組合來滿足一些特殊的 要求。例如可以在容易被氧化的金屬電極表面鍍上一層金或鉬來防止電極表面被氧化而影 響其導(dǎo)電能力。
[0133] 充電開關(guān)3005可以直接在上述組件4000的表面上生成或者把已經(jīng)在別處完成的 充電開關(guān)3005 "移植"到組件4000表面。以使用整流二級管作為充電開關(guān)3005為例，二 極管可以通過標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝直接在上述組件4000的行電極4002表面生成或者把 在單晶硅圓晶片上制成的二極管分割切片后黏貼在行電極4002表面上相應(yīng)的部位，然后 再重新對表面進(jìn)行平整化處理，以獲得組件5000。
[0134] 圖11為組件5000的制造方法的一例。如圖11所示，1)在上述組件4000的行電 極4002上安裝充電開關(guān)5001陣列；2)對已安裝有上述充電開關(guān)5001陣列的上述組件4000 進(jìn)行平整化處理，優(yōu)選地，用絕緣材料5002 (第一絕緣層）填充上述充電開關(guān)5001之間的 間隙，以進(jìn)行平整化處理，然后進(jìn)行拋光處理后得到上述組件5000 (參如圖6所示)。
[0135] 在上述實(shí)施方式中，也可以先在上述組件4000的行電極4002上用絕緣材料敷設(shè) 第一絕緣層5002,在所述第一絕緣層5002上與上述行電極4002相對應(yīng)的位置刻蝕出用于 容納上述充電開關(guān)5001的凹槽的陣列，然后在上述凹槽中設(shè)置上述充電開關(guān)5001，形成具 有上述充電開關(guān)5001陣列的上述組件5000。
[0136] 然后，在上述組件5000的上述充電開關(guān)5001陣列上安裝相應(yīng)的中置電極6001陣 列，使得上述充電開關(guān)5001的下端與上述行電極4002相連，其上端電連接到與上述0LED 器件3003和驅(qū)動(dòng)電容器3004電連接的中置電極6001 (參見圖4和圖7)。
[0137] 優(yōu)選地，上述中置電極6001可以使用半導(dǎo)體工業(yè)中常用的物理氣相沉積法（PVD) 進(jìn)行金屬鍍膜，然后用光刻法（photolithography)刻蝕出所需圖案。當(dāng)精度要求不是太高 時(shí)，也可以使用其他印刷法，例如絲網(wǎng)印刷法或通過遮蔽掩模（shadow mask)進(jìn)行真空蒸鍍 (vacuum evaporation)得到。
[0138] 優(yōu)選地，上述中置電極6001的大小約等于像素的最大可用面積，其長、寬分別約 等于或略大于行、列電極的寬度。圖7展示了組件6000的3D效果圖和像素位置的剖面圖。
[0139] 雖然在上述中置電極6001上方的驅(qū)動(dòng)電容器3004和0LED器件3003在電路連接 方式上是并聯(lián)連接(參見圖3A、3B)，但在空間上可以采用"并列"（驅(qū)動(dòng)電容器和0LED器件 在同一個(gè)平面上）或"串列"（0LED器件位于驅(qū)動(dòng)電容器上方）的布局。采用"并列"布局 的優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)過程較為簡單。其缺點(diǎn)是由于0LED器件和驅(qū)動(dòng)電容器同在一個(gè)平面上，0LED 器件的面積（即像素的有效發(fā)光面積)由于驅(qū)動(dòng)電容器的存在而減小了。假設(shè)像素的最大可 用面積為約等于一條行電極和一條列電極之重疊區(qū)之面積)，電容器的面積為4，那么 0LED的面積4 Μ -夾<4 (因?yàn)镴 =< +4)。因此相對于面積為J的0LED來說器件的發(fā)光 量由于器件面積減小而相應(yīng)減小。然而考慮到在Cap-OLED中0LED器件的透明電極可以做 得很薄(詳細(xì)的描述見后）因而器件的出光率相應(yīng)得到提高、在一定程度上彌補(bǔ)了因?yàn)橄袼?有效發(fā)光面積下降而導(dǎo)致的發(fā)光量減少。因此當(dāng)0LED器件的電光轉(zhuǎn)換效率和亮度都比較 高時(shí)，可以采用"并列"式結(jié)構(gòu)。
[0140] 圖12為"并列"式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法的一例。如圖12所示，"并 列"式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法主要包含以下步驟： 1) 獲取上述組件6000 (組件6000的獲取步驟如上所述，在此不再重復(fù)描述）； 2) 在所獲得的上述組件6000上敷設(shè)第二絕緣層7002 ; 3) 在上述第二絕緣層7002上與上述中置電極6001對應(yīng)的位置刻蝕出容納電容器介電 材料7001 (即用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的介電層）的"回"字形凹槽7005;其中，"回"字中央柱 狀的第二絕緣層7002部分為給0LED器件7008預(yù)留的空間，其將在后面的步驟中被去除； 4) 在上述"回"字形凹槽7005中填入上述電容器介電材料7001 ; 5) 敷設(shè)列電極7003,優(yōu)選地，與上述中置電極6001陣列中的每一列中置電極6001相 對應(yīng)地敷設(shè)上述列電極7003,使得上述列電極7003按一定間隔平行地被敷設(shè)，同時(shí)使得上 述列電極7003與上述行電極4002從平面來看相交； 6) 刻蝕容納0LED器件的凹槽7004,優(yōu)選地，在"回"字中央柱狀的第二絕緣層7002部 分相對應(yīng)的部分刻蝕容納0LED器件的凹槽7004,通過刻蝕容納0LED器件的凹槽7004將 "回"字中央柱狀的第二絕緣層7002部分完全去除； 7) 在上述凹槽7004內(nèi)沉積有機(jī)層7006 (即0LED器件7008的主體部分)，和在有機(jī)層 7006的頂部生成與上述列電極7003電連接的透明電極7007,從而形成0LED器件7008。其 中，透明電極7007要比凹槽7004稍大，以便保證透明電極7007能電連接到列電極7003上。
[0141] 在上述實(shí)施方式中，上述電容器介電材料7001和第二絕緣層7002的生成可以根 據(jù)材料的不同選用適當(dāng)生產(chǎn)工藝。例如，對于陶瓷材料可以使用溉射（spu 11 er i ng )、物理 氣相沉積（PVD)、化學(xué)氣相沉積（CVD)、原子層沉積（ALD)等工藝；對于聚合物類材料，則可 以使用旋涂（spin coating)、括刀涂布（Doctor Blade Coating)、噴涂（Spray Coating)等 方法。需要指出的是，上面生成上述電容器介電材料7001和第二絕緣層7002的順序也可 以顛倒過來：即先在上述中置電極6001上生成電容器的介電層7001，然后再敷設(shè)第二絕緣 層7002對表面進(jìn)行平整化處理。具體實(shí)施方法包括（但不限于）例如先用等離子增強(qiáng)型 化學(xué)氣相沉積（PECVD)或ALD等方法把電介質(zhì)7001沉積在組件6000的表面，然后再用光 刻法刻蝕出所需驅(qū)動(dòng)電容圖案陣列；最后再用旋涂玻璃（spin-on glass)材料作為7002層 進(jìn)行平整化處理。
[0142] 在上述實(shí)施方式中，在上述敷設(shè)列電極7003的步驟中可以先用濺射鍍膜法進(jìn)行 金屬鍍膜，然后通過光刻法刻蝕出列電極線。
[0143] 在上述實(shí)施方式中，上述刻蝕容納0LED器件的凹槽7004的步驟還可進(jìn)一步地分 為兩步：首先，在列電極7003上對應(yīng)于0LED器件7008的部位刻蝕出通往介電/絕緣層的 窗口或0LED器件7008在上述列電極7003上的出光口（即凹槽7004的上半部)，然后再通 過這個(gè)窗口去除下面剩余的7002部分。
[0144] 在上述實(shí)施方式中，可以先在上述敷設(shè)列電極7003的步驟中用濺射鍍膜法進(jìn)行 金屬鍍膜，然后進(jìn)行刻蝕容納0LED器件的凹槽7004的步驟，然后再通過光刻法刻蝕出列電 極線。
[0145] 在上述實(shí)施方式中，電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法的最后一道生產(chǎn)工序?yàn)樯?成0LED器件7008,其中包括沉積有機(jī)層7006、生成透明電極7007和封裝。由于這些工序 與傳統(tǒng)0LED顯示器生產(chǎn)工序相同，在這里不加以細(xì)述。需要指出的是，本實(shí)施方式中有機(jī) 層7006 -般含多層功能各不相同的有機(jī)材料；0LED器件7008頂部的透明電極7007可采用 任何透明導(dǎo)電材料，例如碳納米管、碳烯、金屬氧化物透明電極，也可以使用很薄的金屬膜， 例如1-5納米厚的金、銀、銅、鋁、鎂、鋰或者是它們的組合。
[0146] 在上述實(shí)施方式中，由于在電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中每個(gè)像素都有其獨(dú)立的透明 電極7007,通過每個(gè)透明電極7007的電流為單個(gè)像素所需的電流、通常很?。ㄔ谖才鄶?shù) 量級）。因此，電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中的透明電極7007可以允許有比較大的電阻。因此， 透明電極7007的厚度可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)0LED透明電極的100-200納米。如果透明電極 7007使用鋁、銀、或金等低電阻材料的話，所需厚度可以不超過一納米。因此，本發(fā)明的透明 電極7007的透光率要比一般AM0LED或PM0LED的透明電極要高。另外，出光率還可以通過 對器件的幾何型狀進(jìn)行優(yōu)化和使用光學(xué)效應(yīng)等方法進(jìn)一步得到提高。所以，由于面積減小 而導(dǎo)致的發(fā)光量下降可以部分地由出光效率的提高而得到補(bǔ)償。
[0147] 此外，由于在AM0LED中部分面積被TFT驅(qū)動(dòng)線路所占用、其有效發(fā)光面積一般只 有面板面積的50%-70%。在上述實(shí)施方式中，在綜合考慮所有上述因素的效應(yīng)后，在"并列" 式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中，0LED器件7008的面積A?？梢赃x在J/4到J/2之間。
[0148] 在上述實(shí)施方式中，雖然在圖4和圖12中驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001與0LED器件 7008之間采用的是"回"字型布局，即0LED器件7008居中、驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001在 外包圍著0LED器件7008。但本發(fā)明并不限于此，驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001與0LED器件 7008之間也可以采用"日"字型布局（驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001與0LED器件7008 -左一 右設(shè)置）或"目"字型布局（0LED器件7008居中，驅(qū)動(dòng)電容器的介電層7001分為一左一右 兩部分并分別布置在0LED器件7008的兩邊)。
[0149] 在上述實(shí)施方式中，上述0LED器件7008的有機(jī)層7006的厚度與上述電容器介電 材料7001的厚度基本上相同。
[0150] 在上述實(shí)施方式中，電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的分辨率和尺寸大小都遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于一般 的PM0LED，因此其驅(qū)動(dòng)電流也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PM0LED。因此，對行、列電極導(dǎo)電能力的要求也相 應(yīng)高于PM0LED。其中，由于行電極是公共電極、需要同時(shí)給同一行的所有像素供電(假設(shè)沿 用行掃描的方式)，因此行電極的電流又要高于列電極。為了減少在行電極上的損耗，需要 增加電極的厚度以減少電極的電阻。假如沿用鋁材作為行電極的話，取決于0LED器件的效 率、屏幕的大小和分辨率高低，行電極的厚度可能在很大范圍內(nèi)（10°-103微米）變動(dòng)，而這 一厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于OLED器件的正常厚度（100-200納米），因此可以采用把行電極"鑲?cè)?到 基板里面以獲得一個(gè)平整的表面的方式來解決這個(gè)問題。
[0151] 實(shí)施例： 在基板4001上用濺射鍍膜法（sputtering)沉積行電極金屬膜4004,然后在上述行電 極金屬膜4004上旋涂光阻材料（photoresist)。經(jīng)過烘干、曝光、顯影、和腐蝕等步驟刻蝕 出行電極4002(參見圖9)。這些步驟在本實(shí)施例中簡稱光刻法。然后，再用刮刀涂布法 (Doctor Blade Coating)涂布一層旋涂玻璃材料（spin-on glass)(即絕緣材料4005)。用 反應(yīng)性離子腐蝕法（RIE)把落在行電極4002表面的旋涂玻璃材料去除后得到組件4000。
[0152] 用等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法（PECVD)或原子層沉積法(ALD)等方法在組件 4000上依次沉積一層N-型半導(dǎo)體、一層P-型半導(dǎo)體、和一層金屬保護(hù)層(例如50-100納米 的鉻)。然后，通過光刻法把除充電開關(guān)5001所在位置以外的金屬保護(hù)層和半導(dǎo)體材料去 除、從而得到附著在行電極4002上的二極管（即充電開關(guān)5001，參見圖11)陣列（在圖11 中，充電開關(guān)5001頂部的鉻保護(hù)層沒有標(biāo)出）。隨后再旋涂(或用刮刀涂布法）敷設(shè)一層旋 涂玻璃材料（即第一絕緣層5002)、以填平二極管5001之間的空隙。最后，用RIE除去附在 二極管5001保護(hù)層頂部的旋涂玻璃材料5002、得到組件5000。
[0153] 在組件5000上用濺射鍍膜法鍍上一層高功函金屬，例如100-200納米的鎢、鎳、 鉻、金或其合金，然后用光刻法腐蝕出中置電極6001陣列(參見圖7,組件6000)。
[0154] 在組件6000上用PECVD法沉積200納米二氧化硅（Si02)(即第二絕緣層7002)。 然后用光刻法在二氧化硅層7002對應(yīng)于中置電極6001的部位刻蝕出容納驅(qū)動(dòng)電容介電層 的"回"字形凹槽7005,即在"回"字形凹槽7005的中央留下的二氧化硅層7002材料是預(yù) 留給0LED器件7008的有機(jī)層7006區(qū)域，對應(yīng)于"回"字中央的"小口"部位。在并列式電 容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中二氧化硅層7002的厚度與有機(jī)層7006的厚度應(yīng)該大致相當(dāng)。
[0155] 接著用絲網(wǎng)印刷法或刮刀涂布法在"回"字形凹槽7005內(nèi)填入漿狀BaTi03材料 (即驅(qū)動(dòng)電容的電介質(zhì)7001)。稍加烘干后對表面進(jìn)行拋光處理，隨后烘干。
[0156] 用濺射鍍膜法沉積列電極金屬膜(例如100納米的鉻)，再通過光刻法生成列電極 7003 ;隨后再重復(fù)一次光刻步驟在列電極7003上對應(yīng)于有機(jī)層7006的部位(也就是驅(qū)動(dòng)電 容中央對應(yīng)于"回"字形"小口"的部位）刻蝕出0LED器件7008的出光窗口（即凹槽7004 的上半部，參見圖12);接著把下半部的Si0 2部分通過化學(xué)方法去除，得到組件7000。
[0157] 最后一步生成0LED器件7008的過程除了頂部的透明電極7007外、其他步驟與 一般的"上出光"型0LED顯示器完全相同。例如，對于小分子材料的話可以通過遮蔽掩模 (shadow mask)用真空蒸鍍法把有機(jī)材料沉積在為其預(yù)留的凹槽7004內(nèi)；聚合物材料則可 使用噴墨打印法。
[0158] 0LED器件頂部的透明電極可通過另一個(gè)遮蔽掩模沉積在有機(jī)層7006表面和列電 極7003的局部。0LED器件7008的透明電極7007的選材可根據(jù)所用0LED材料的性質(zhì)而 定。0LED器件7008的常用的陰極組合例如LiF/Al，Mg/Ag，Li/Al只要把厚度降低到足以 透明，例如小于10納米、小于5納米、或1-2納米，都可以在這里使用。
[0159] 實(shí)施方式(二） 當(dāng)需要增大0LED器件和驅(qū)動(dòng)電容器的面積時(shí)、可以采用"串列"式結(jié)構(gòu)，即0LED器件 位于驅(qū)動(dòng)電容器之上方。組件6000的獲取和結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式(一)中的相同，在此不再重復(fù) 描述。
[0160] 圖13A-13C為采用了"串列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示 意圖。圖13A所示的單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)是在生成0LED器件之前的立體結(jié)構(gòu)圖（組件8000)，圖 13B所示的單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)是在生成0LED器件之后的沿行電極中線方向的剖面結(jié)構(gòu)圖(器 件8100)，圖13C所示的單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)是在生成0LED器件之后的沿列電極中線方向的剖 面結(jié)構(gòu)圖(器件8100)。
[0161] 如圖13A-13C所示，電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器包括：基板4001，行電極4002,充電開關(guān) 5001 (例如一個(gè)整流二極管)，第一絕緣層5002,中置電極6001，驅(qū)動(dòng)電容器的介電層8003 (形成圖3A和圖3B中的驅(qū)動(dòng)電容器3004)，第二絕緣層8001，列電極8004,第三絕緣層（絕 緣材料）8005,附加電極8008,有機(jī)層8009,以及透明電極8010 (有機(jī)層8009和透明電極 8010構(gòu)成對應(yīng)于圖3A和圖3B中的0LED器件3003)。
[0162] 其中，上述行電極4002按一定的間隔平行地被設(shè)置在上述基板4001上，并且上述 行電極4002 "鑲?cè)?到上述基板4001里面，使得上述行電極4002上表面與上述基板4001 的上表面齊平以獲得一個(gè)平整的表面。在上述行電極4002上按一定的陣列設(shè)置上述充電 開關(guān)5001，并且在上述充電開關(guān)5001之間填充有絕緣材料構(gòu)成第一絕緣層5002 (參照圖 6)。在上述充電開關(guān)5001上設(shè)置有上述中置電極6001，形成上述中置電極6001的陣列（參 照圖7)，并分別在上述中置電極6001上設(shè)置上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層8003,相鄰的上述中 置電極6001和相鄰的上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層8003之間均由第二絕緣層8001隔開。列 電極8004按照上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層8003所形成的陣列中與上述行電極4002的交叉 列的位置被設(shè)置在上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層8003上。在上述列電極8004上與上述驅(qū)動(dòng)電 容器的介電層8003相反一面并于其相對應(yīng)的位置分別設(shè)置有由有機(jī)層8009和透明電極 8010構(gòu)成的0LED器件，其中各列電極8004之間和各0LED器件之間由第三絕緣層8005進(jìn) 行隔離。上述透明電極8010通過附加電極8008與上述中置電極6001電連接。
[0163] 圖14為"串列"式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法一例。如圖14所示，"串列" 式電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法包含以下步驟： 1) 獲取上述組件6000 (組件6000的獲取步驟如上所述，在此不再重復(fù)描述）； 2) 在所獲得的上述組件6000上敷設(shè)第二絕緣層8001 ; 3) 在上述第二絕緣層8001上與上述中置電極6001對應(yīng)的位置刻蝕出容納電容器介電 材料8003 (即用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的介電層）的凹槽8002 ; 4) 在上述凹槽8002中填入電容器介電材料8003 ; 5) 敷設(shè)列電極8004,優(yōu)選地，與上述中置電極6001陣列中的每一列中置電極6001相 對應(yīng)地敷設(shè)上述列電極8004,使得上述列電極8004按一定間隔平行地被敷設(shè)，同時(shí)使得上 述列電極8004與上述行電極4002從平面來看相交； 6) 敷設(shè)第三絕緣層8005,優(yōu)選地，上述第三絕緣層8005覆蓋組件設(shè)置有上述列電極 8004 -面的全部； 7) 在上述第三絕緣層8005上刻蝕出容納0LED器件3003的凹槽8006和讓附加電極 8008通往上述中置電極6001的通道8007,其中每一個(gè)像素周圍有多個(gè)上述通道8007,優(yōu)選 地，在每一個(gè)像素相對兩側(cè)設(shè)置兩條上述通道8007 ; 8) 通過上述通道8007敷設(shè)與上述通道8007的數(shù)量相對應(yīng)的附加電極8008 ; 9) 在上述凹槽8006內(nèi)沉積有機(jī)層8009和在上述有機(jī)層8009的頂部生成與上述附加 電極8008電連接的透明電極8010,從而形成OLED器件3003。其中，上述透明電極8010要 比凹槽8006稍大，以便保證透明電極8010能電連接到上述附加電極8008上。
[0164] 在上面的步驟中，步驟1)至步驟4)中生成驅(qū)動(dòng)電容器，其生產(chǎn)過程與"并列"式 類似。步驟5)至步驟9)生成0LED器件3003。由于0LED器件3003位于上述列電極8004 上方，上述有機(jī)層8009頂部的上述透明電極8010需要通過一個(gè)附加電極8008電連接到上 述驅(qū)動(dòng)電容器（電容器介電材料8003)低部的中置電極6001上。因此，在步驟6)敷設(shè)第三 絕緣層8005后，需要在刻蝕容納上述有機(jī)層8009的凹槽8006 (步驟7))的同時(shí)刻蝕出通 往中置電極6001的通道8007。步驟9)與一般0LED的生產(chǎn)過程相同，在這不再細(xì)述。另 夕卜，其他的相關(guān)處理與實(shí)施方式(一）相同。
[0165] 在上述實(shí)施方式中，上述電容器介電材料8003和第二絕緣層8001的生成可以根 據(jù)材料的不同選用適當(dāng)生產(chǎn)工藝。例如，對于陶瓷材料可以使用溉射（spu 11 er i ng )、物理 氣相沉積（PVD)、化學(xué)氣相沉積（CVD)、原子層沉積（ALD)等工藝；對于聚合物類材料，則可 以使用旋涂（spin coating)、括刀涂布（Doctor Blade Coating)、噴涂（Spray Coating)等 方法。需要指出的是，上面生成上述電容器介電材料8003和第二絕緣層8001的順序也可 以顛倒過來：即先在上述中置電極6001上生成電容器的介電層8003,然后再敷設(shè)第二絕緣 層8001對表面進(jìn)行平整化處理。具體實(shí)施方法包括（但不限于）例如先用等離子增強(qiáng)型 化學(xué)氣相沉積（PECVD)或ALD等方法把電介質(zhì)8003沉積在組件6000的表面，然后再用光 刻法刻蝕出所需驅(qū)動(dòng)電容圖案陣列；最后再用旋涂玻璃（spin-on glass)材料作為8003層 進(jìn)行平整化處理。
[0166] 實(shí)施方式(三） 雖然在以上的實(shí)施方式中使用"上出光型"的結(jié)構(gòu)(顯示器的正面為基板之上方)，電容 驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器也可以采用"下出光"型(顯示器正面為基板下方）的結(jié)構(gòu)方式。
[0167] 圖15為采用"下出光"型"并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中單個(gè)像素的結(jié) 構(gòu)示意圖。
[0168] 在"下出光"型"并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器中，各個(gè)像素按預(yù)定的陣列 被設(shè)置。
[0169] 如圖15所示，電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器9000包括透明基板9001，列電極9003,第一絕 緣層（絕緣材料)9005,驅(qū)動(dòng)電容器的介電層9007(形成圖3A和圖3B中的驅(qū)動(dòng)電容器3004)， 中置電極9010,充電開關(guān)9011 (例如一個(gè)整流二極管)，第二絕緣層（絕緣材料）9012,行電 極9013,以及0LED器件9014(對應(yīng)于圖3A和圖3B中的0LED器件3003)。其中，在上述基 板9001上按一定的間隔平行地設(shè)置有上述列電極9003和與上述列電極9003交叉的列電 極9013。在上述行電極9013和上述列電極9003的交叉處設(shè)置有上述0LED器件9014。
[0170] 具體而言，如圖15所示，上述0LED器件9014具有透明電極9002和0LED的有機(jī)層 9009,其中透明電極9002可以直接設(shè)置在上述透明基板9001上，以及上述0LED器件9014 在上述透明基板9001上按預(yù)定的陣列設(shè)置。上述0LED器件9014具有透明電極9002的一 端嵌入到上述列電極9003中，使得上述列電極9003與上述0LED器件9014電連接。在上 述列電極9003之上的上述0LED器件9014的0LED的有機(jī)層9009周圍設(shè)置有上述驅(qū)動(dòng)電 容器的介電層9007。在上述列電極9003之間以及各像素的上述OLED器件9014之間和各 像素的上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層9007之間均設(shè)置有上述第一絕緣層9005。在上述驅(qū)動(dòng)電 容器的介電層9007和上述有機(jī)層9009上設(shè)置有上述中置電極9010,在上述中置電極9010 之上設(shè)置上述充電開關(guān)9011。在上述充電開關(guān)9011之上設(shè)置上述行電極9013。其中，在 各像素的上述中置電極9010之間和各像素的上述充電開關(guān)9011之間均設(shè)置有上述第二絕 緣層9012。
[0171] 上述電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器9000的各像素上的各部件可以被封裝成如圖3A或圖 3B所示的電路。
[0172] 以下闡述采用"下出光"型"并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的具體制造方 法。
[0173] 圖16為"下出光"型"并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法一例。如 圖16所示，"下出光"型"并列"式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法包含以下步驟： 1) 在上述透明基板9001上按預(yù)定陣列敷設(shè)上述透明電極9002 ; 2) 對應(yīng)于上述透明電極9002在上述透明基板9001上的陣列中的列敷設(shè)上述列電極 9003,并在上述列電極9003上對應(yīng)于上述透明電極9002的位置刻蝕出0LED的出光窗口 9004 ； 3) 在刻蝕出上述出光窗口 9004后的透明基板9001上敷設(shè)第一絕緣層9005,使得上述 第一絕緣層9005覆蓋上述列電極9003及其之間的空隙以及上述出光窗口 9004 ; 4) 在上述第一絕緣層9005上對應(yīng)于上述列電極9003的位置圍繞上述出光窗口 9004 的位置刻蝕出容納上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層9007的凹槽9006。其中，上述凹槽9006的大 小與上述中置電極9010的尺寸相對應(yīng)。優(yōu)選地，上述凹槽9006和上述出光窗口 9004均被 上述中置電極9010所覆蓋； 5) 在上述凹槽9006中填入上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電材料9007,使得上述驅(qū)動(dòng)電容器的 介電材料9007位于上述列電極9003并與上述列電極9003接觸； 6) 通過除去殘留在上述出光窗口 9004的位置上的上述第一絕緣層9005,刻蝕出容納 0LED的有機(jī)層9009的凹槽9008 ; 7) 在上述凹槽9008內(nèi)沉積0LED的有機(jī)層9009,使得上述有機(jī)層9009沉積在上述透 明電極9002上，以形成上述0LED器件9014 ; 8) 在上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層9007和上述有機(jī)層9009敷設(shè)中置電極9010。上述中 置電極9010為上述0LED器件9014的陰極； 9) 在上述中置電極9010上敷設(shè)充電開關(guān)9011; 10) 在敷設(shè)上述充電開關(guān)9011后的上述透明基板9001上敷設(shè)上述第二絕緣層9012， 在各像素的上述中置電極9010之間和各像素的上述充電開關(guān)9011之間均設(shè)置有上述第二 絕緣層9012。其中，上述充電開關(guān)9011的上表面沒有被上述第二絕緣層9012所覆蓋； 11) 對應(yīng)于上述充電開關(guān)9011所形成的陣列中的行，在上述充電開關(guān)9011上敷設(shè)上述 行電極9013。
[0174] 在上述實(shí)施方式中，可以在透明基板9001上用溉射鍍膜法（sputtering)沉積20 納米ΙΤ0 (透明電極9002)和100納米金屬鶴，然后通過兩步光刻法分別刻蝕出列電極線 9003和0LED的出光窗口 9004。
[0175] 在上述實(shí)施方式中，可以通過遮蔽掩模（shadow mask)用真空蒸鍍法在凹槽9008 內(nèi)生成多個(gè)串列的OLED (tandem 0LED)的有機(jī)層和陰極。其中，0LED的陰極可以選用常 用的LiF/Al，Mg/Ag，Li/Al組合，但要求上述多個(gè)串列的0LED的總厚度應(yīng)該與凹槽9008的 深度相當(dāng)。優(yōu)選地，凹槽9008的深度可以容納3-4個(gè)串列的0LED器件。
[0176] 在上述實(shí)施方式中，可以用一個(gè)比0LED器件面積稍大的遮蔽掩模在陰極上部沉 積一個(gè)金屬保護(hù)層，例如100納米的金屬鋁；然后用濺射法沉積300納米的金屬鎢，光刻后 得到中置電極9010。
[0177] 在上述實(shí)施方式中，充電開關(guān)9011可以選用在硅園晶片上生產(chǎn)的二極管，經(jīng)過切 割分離后把二極管直接黏貼在中置電極上；然后再用旋涂玻璃對表面進(jìn)行平整化處理，最 后敷設(shè)行電極9013。充電開關(guān)9011也可以直接在上述中置電極的表面上生成。以使用整 流二級管作為充電開關(guān)9011為例，二極管可以通過標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝直接在上述中 置電極表面生成或者把在單晶硅圓晶片上制成的二極管分割切片后黏貼在中置電極表面 上相應(yīng)的部位，然后再重新對表面進(jìn)行平整化處理。
[0178] 在上述實(shí)施方式中，透明電極9002的大?。ㄩL、寬）可以比列電極9003小，但必須 保證透明電極9002比0LED的出光窗口 9004大、以保證透明電極9002和列電極9003有足 夠的重疊區(qū)域。
[0179] 在上述實(shí)施方式中，記載了先敷設(shè)第一絕緣層9005,然后再敷設(shè)驅(qū)動(dòng)電容器的介 電層9007。但本發(fā)明并不限于此，敷設(shè)第一絕緣層9005和敷設(shè)驅(qū)動(dòng)電容器的介電層9007的 順序也可以顛倒過來，即先敷設(shè)驅(qū)動(dòng)電容器的介電層9007,然后再敷設(shè)第一絕緣層9005。 具體地，在已經(jīng)在上述列電極9003上對應(yīng)于上述透明電極9002的位置刻蝕出0LED的出光 窗口 9004的透明基板9001上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的驅(qū)動(dòng)電容器的介電層材料9007， 并刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的圖案陣列，然后用第一絕緣層材料9005對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū) 動(dòng)電容器的圖案陣列的透明基板9001進(jìn)行平整化處理，然后在已經(jīng)用第一絕緣層材料 9005平整化處理后的透明基板9001上與上述0LED的出光窗口 9004相對應(yīng)的位置刻蝕出 容納0LED的有機(jī)層9009的凹槽9008。
[0180] 在上述實(shí)施方式中，由于凹槽9008的深度預(yù)計(jì)要比一般0LED有機(jī)層的厚度大，此 結(jié)構(gòu)適合于使用串列OLED (tandem 0LED)的結(jié)構(gòu)。
[0181] 在上述實(shí)施方式中，記載了先敷設(shè)充電開關(guān)9011，然后敷設(shè)第二絕緣層9012。但 本發(fā)明并不限于此，敷設(shè)充電開關(guān)9011和第二絕緣層9012的順序也可以顛倒過來，即先 敷設(shè)第二絕緣層9012、并在第二絕緣層9012上刻蝕出容納充電開關(guān)9011的凹槽，然后再填 入預(yù)先做好的充電開關(guān)9011。具體地，在已經(jīng)敷設(shè)了上述中置電極9010的透明基板9001 上敷設(shè)上述第二絕緣層9012,并在與上述中置電極9010相對應(yīng)的位置刻蝕出容納充電開 關(guān)9011的凹槽，然后在上述凹槽中設(shè)置上述充電開關(guān)9011。
[0182] 另外，上述實(shí)施方式的其他相關(guān)處理與實(shí)施方式(一）相同。
[0183] 使用"下出光"型結(jié)構(gòu)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以省去了 0LED封裝這一道工序。因?yàn)樵趶?第8步開始的每一步都已經(jīng)具備了封裝0LED器件的功能。只要工藝選擇合理，完成后的器 件9000只需要涂布行電極的保護(hù)層即可。
[0184] 在上述實(shí)施方式(一）?（三）中，上述行電極和上述列電極的位置可以互換。
[0185] 應(yīng)理解以上說明書中所描述的【具體實(shí)施方式】和實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用 于限制本發(fā)明的范圍。在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等同形式的 修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0186] 例如，在上述實(shí)施方式(一)中，上述第二絕緣層7002和電容器介電材料7001為同 一種材料，從而簡化制造的步驟，進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。由此，如圖17所示，"并列"式電容 驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法可以包括： 1) 獲取上述組件6000 (組件6000的獲取步驟如上所述，在此不再重復(fù)描述）； 2) 在所獲得的上述組件6000上敷設(shè)電容器介電材料7001 ; 3) 在上述電容器介電材料7001上敷設(shè)列電極7003,優(yōu)選地，與上述中置電極6001陣 列中的每一列中置電極6001相對應(yīng)地敷設(shè)上述列電極7003,使得上述列電極7003按一定 間隔平行地被敷設(shè)，同時(shí)使得上述列電極7003與上述行電極4002從平面來看相交； 4) 刻蝕容納0LED器件的凹槽7004,優(yōu)選地，在對應(yīng)上述電容器介電材料7001基本上 位于中間部分刻蝕容納0LED器件的凹槽7004,所刻蝕出的容納0LED器件的凹槽7004貫穿 上述列電極7003和上述電容器介電材料7001 ; 5) 在上述凹槽7004內(nèi)沉積有機(jī)層7006(即0LED器件7008的主體部分)，和在機(jī)層7006 的頂部生成與上述列電極7003電連接的透明電極7007,從而形成0LED器件7008。其中， 透明電極7007要比凹槽7004稍大，以便保證透明電極7007能電連接到列電極7003上。
[0187] 在上述實(shí)施方式(二）中，上述第二絕緣層8001和電容器介電材料8003為同一種 材料，從而簡化制造的步驟，進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。由此，如圖18所示，"串列"式電容驅(qū)動(dòng) 0LED顯示器的制造方法可以包括： 1) 獲取上述組件6000 (組件6000的獲取步驟如上所述，在此不再重復(fù)描述）； 2) 在所獲得的上述組件6000上敷設(shè)電容器介電材料8003 ; 3) 在上述電容器介電材料8003上敷設(shè)列電極8004,優(yōu)選地，與上述中置電極6001陣 列中的每一列中置電極6001相對應(yīng)地敷設(shè)上述列電極8004,使得上述列電極8004按一定 間隔平行地被敷設(shè)，同時(shí)使得上述列電極8004與上述行電極4002從平面來看相交； 4) 敷設(shè)第三絕緣層8005,優(yōu)選地，上述第三絕緣層8005覆蓋組件設(shè)置有上述列電極 8004 -面的全部； 5) 在上述第三絕緣層8005上刻蝕出容納0LED器件3003的凹槽8006和讓附加電極 8008通往上述中置電極6001的通道8007,其中每一個(gè)像素周圍有多個(gè)上述通道8007,優(yōu)選 地，在每一個(gè)像素相對兩側(cè)設(shè)置兩條上述通道8007 ; 6) 通過上述通道8007敷設(shè)與上述通道8007的數(shù)量相對應(yīng)的附加電極8008 ; 7) 在上述凹槽8006內(nèi)沉積有機(jī)層8009和在上述有機(jī)層8009的頂部生成與上述附加 電極8008電連接的透明電極8010,從而形成0LED器件3003。其中，上述透明電極8010要 比凹槽8006稍大，以便保證透明電極8010能電連接到上述附加電極8008上。
[0188] 在上述實(shí)施方式(三）中，上述第一絕緣層9005和電容器介電材料9007為同一種 材料，從而簡化制造的步驟，進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。由此，如圖19所示，"下出光"型"并列" 式布局的電容驅(qū)動(dòng)0LED顯示器的制造方法包含以下步驟： 1) 在上述透明基板9001上按預(yù)定陣列敷設(shè)上述透明電極9002 ; 2) 對應(yīng)于上述透明電極9002在上述透明基板9001上的陣列中的列敷設(shè)上述列電極 9003,并在上述列電極9003上對應(yīng)于上述透明電極9002的位置刻蝕出0LED的出光窗口 9004 ； 3) 在刻蝕出上述出光窗口 9004后的透明基板9001上敷設(shè)電容器介電材料9007,使得 上述電容器介電材料9007覆蓋上述列電極9003及其之間的空隙以及上述出光窗口 9004 ; 4) 在上述電容器介電材料9007上對應(yīng)于上述列電極9003的位置圍繞上述出光窗口 9004的位置刻蝕出容納OLED器件9014的有機(jī)層9009的凹槽9008 ; 5) 在上述凹槽9008內(nèi)沉積OLED的有機(jī)層9009,使得上述有機(jī)層9009沉積在上述透 明電極9002上，以形成上述OLED器件9014 ; 6) 在上述驅(qū)動(dòng)電容器的介電層9007和上述有機(jī)層9009敷設(shè)中置電極9010。上述中 置電極9010為上述OLED器件9014的陰極； 7) 在上述中置電極9010上敷設(shè)充電開關(guān)9011 ; 8) 在敷設(shè)上述充電開關(guān)9011后的上述透明基板9001上敷設(shè)上述第二絕緣層9012,在 各像素的上述中置電極9010之間和各像素的上述充電開關(guān)9011之間均設(shè)置有上述第二絕 緣層9012。其中，上述充電開關(guān)9011的上表面沒有被上述第二絕緣層9012所覆蓋； 9) 對應(yīng)于上述充電開關(guān)9011所形成的陣列中的行，在上述充電開關(guān)9011上敷設(shè)上述 行電極9013。
【權(quán)利要求】
1. 一種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，包括顯示器基板、敷設(shè)在所述顯示器基板上的行電 極和列電極，以及電連接在所述行電極和所述列電極之間的發(fā)光像素，其特征在于： 所述發(fā)光像素具有電致發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)電容器和充電開關(guān)，其中所述電致發(fā)光器件和 所述驅(qū)動(dòng)電容器并聯(lián)后電連接到所述充電開關(guān)； 所述行電極或所述列電極具有用于安裝電致發(fā)光器件的出光窗口。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述發(fā)光像素還具 有中置電極，其中所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并列地電連接到所述中置電極一 偵牝所述中置電極的另一側(cè)電連接到所述充電開關(guān)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述行電極或所述 列電極被鑲?cè)胨鲲@示器基板中。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述發(fā)光像素還具 有第一絕緣層和第二絕緣層，其中所述第一絕緣層將相鄰的所述充電開關(guān)絕緣隔開，所述 第二絕緣層分別將相鄰的所述電致發(fā)光器件、所述驅(qū)動(dòng)電容器、以及所述中置電極絕緣隔 開。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述顯示器基板是 透明的，所述電致發(fā)光器件通過所述出光窗口被設(shè)置在所述顯示器基板上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述發(fā)光像素還具 有第一絕緣層和第二絕緣層，其中所述第一絕緣層分別將相鄰的所述行電極或所述列電 極、以及所述驅(qū)動(dòng)電容器絕緣隔開，所述第二絕緣層將相鄰的所述充電開關(guān)、以及所述中置 電極絕緣隔開。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述第二絕緣 層的材料與所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料相同。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1?4任意一項(xiàng)所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述 電致發(fā)光器件具有透明電極和有機(jī)層，其中至少所述透明電極位于所述出光窗口中，并與 所述行電極或所述列電極電連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述透明電極通過 遮蔽掩模沉積在所述有機(jī)層的表面和所述出光窗口處的所述行電極或所述列電極上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5?6任意一項(xiàng)所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述 電致發(fā)光器件具有透明電極和有機(jī)層，其中所述透明電極和所述有機(jī)層的一部分位于所述 出光窗口中，并與所述行電極或所述列電極電連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述透明電極通 過沉積被鍍在所述出光窗口處的所述顯示器基板。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1?4任意一項(xiàng)所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述 充電開關(guān)直接在所述行電極或所述列電極上生成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述充電開關(guān)為 二極管。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1?4任意一項(xiàng)所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述 中置電極是通過在所述充電開關(guān)上進(jìn)行金屬鍍膜得到。
15. -種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，包括顯示器基板、敷設(shè)在所述顯示器基板上的行電 極和列電極，以及電連接在所述行電極和所述列電極之間的發(fā)光像素，其特征在于： 所述發(fā)光像素具有電致發(fā)光器件、驅(qū)動(dòng)電容器、充電開關(guān)、中置電極和附加電極，其中 所述驅(qū)動(dòng)電容器的一端電連接到所述中置電極一側(cè)，另一端電連接所述行電極或所述列電 極一側(cè)，所述電致發(fā)光器件的一端電連接所述行電極或所述列電極的另一側(cè)，另一端通過 所述附加電極電連接到所述中置電極上，以及所述中置電極的另一側(cè)電連接到所述充電開 關(guān)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述行電極或所 述列電極被鑲?cè)胨鲲@示器基板中。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述發(fā)光像素還 具有第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層，其中所述第一絕緣層將相鄰的所述充電開關(guān) 絕緣隔開，所述第二絕緣層分別將相鄰的所述驅(qū)動(dòng)電容器以及所述中置電極絕緣隔開，所 述第三絕緣層分別將相鄰的所述行電極或所述列電極、以及所述電致發(fā)光器件絕緣隔開。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述第二絕緣層 的材料與所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料相同。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15?18任意一項(xiàng)所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所 述電致發(fā)光器件具有透明電極和有機(jī)層，其中所述透明電極電連接所述附加電極。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述透明電極通 過遮蔽掩模沉積在所述有機(jī)層的表面和所述附加電極的相應(yīng)部分。
21. 根據(jù)權(quán)利要求15?18任意一項(xiàng)所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所 述充電開關(guān)直接在所述行電極或所述列電極上生成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所述充電開關(guān)為 二極管。
23. 根據(jù)權(quán)利要求15?18任意一項(xiàng)所述的電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器，其特征在于：所 述中置電極是通過在所述充電開關(guān)上進(jìn)行金屬鍍膜獲得。
24. -種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的制造方法，包括： 在顯示器基板上敷設(shè)列電極； 在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置充電開關(guān)； 在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置驅(qū)動(dòng)電容器； 在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置電致發(fā)光器件； 在顯示器基板上敷設(shè)行電極； 其中，所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并聯(lián)后電連接到所述中置電極一側(cè)，所述 中置電極的另一側(cè)電連接到所述充電開關(guān)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造方法，還包括：在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置 中置電極。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其特征在于： 在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上的相應(yīng)位置設(shè)置所述充電開關(guān)； 對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平整化處理； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料； 在所述第二絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納所述驅(qū)動(dòng)電容器的第 一凹槽，其中所述第一凹槽中留有一定的第二絕緣材料； 向所述第一凹槽中裝入形成所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上與所述一定的第二絕緣材料相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并 去除所述一定的第二絕緣材料，形成第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電 極。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其特征在于： 在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料； 在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充 電開關(guān)的第四凹槽的陣列； 在所述第四凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料； 在所述第二絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納所述驅(qū)動(dòng)電容器的第 一凹槽，其中所述第一凹槽中留有一定的第二絕緣材料； 向所述第一凹槽中裝入形成所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上與所述一定的第二絕緣材料相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并 去除所述一定的第二絕緣材料，形成第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電 極。
28. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其特征在于： 在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料； 在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充 電開關(guān)的第四凹槽的陣列； 在所述第四凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電 極； 在所述行電極或列電極上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并在所述用于 形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電 極。
29. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其特征在于： 在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料； 在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充 電開關(guān)的第四凹槽陣列； 在所述第四凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并在與 所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列； 對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述顯示器基板用第二絕緣材料進(jìn)行平整化 處理； 在經(jīng)所述第二絕緣材料平整化處理后的所述顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)地 敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并在所述第二 絕緣材料上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電 極。
30. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其特征在于： 在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上的相應(yīng)位置設(shè)置所述充電開關(guān)； 對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平整化處理； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電 極； 在所述行電極或列電極上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并在所述用于 形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電 極。
31. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其特征在于： 在所述顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上的相應(yīng)位置設(shè)置所述充電開關(guān)； 對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平整化處理； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并刻蝕 出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列； 對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述顯示器基板用第二絕緣材料進(jìn)行平整化 處理； 在經(jīng)所述第二絕緣材料平整化處理后的所述顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)地 敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出光窗口，并在所述第二 絕緣材料上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置所述電致發(fā)光器件，使得所述電致發(fā)光器件電連接所述中置電 極。
32. 根據(jù)權(quán)利要求24?31任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于： 在所述顯示器基板上刻蝕出容納所述列電極或行電極的第三凹槽，然后在所述第三凹 槽中填入電極材料，以形成所述列電極或行電極。
33. 根據(jù)權(quán)利要求24?31任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于： 對由熱塑性材料制成或表面含有一層熱塑性材料的所述顯示器基板進(jìn)行加熱處理，然 后將所述列電極或行電極壓入所述顯示器基板的受熱軟化的表面。
34. 根據(jù)權(quán)利要求24?31任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：在所述第二凹槽中 沉積有機(jī)層，然后在所述有機(jī)層的頂部生成與所述出光窗口處的所述行電極或列電極部分 電連接的透明電極，以形成所述電致發(fā)光器件，其中至少所述透明電極位于所述出光窗口 中。
35. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的制造方法，其特征在于：所述透明電極通過遮蔽掩模沉積 在所述有機(jī)層的頂部和所述出光窗口處的所述行電極或列電極上。
36. 根據(jù)權(quán)利要求24?31任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：所述充電開關(guān)直接 在所述列電極或行電極上生成。
37. 根據(jù)權(quán)利要求25?31任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：所述中置電極是通 過在所述充電開關(guān)上進(jìn)行金屬鍍膜獲得。
38. -種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的制造方法，包括： 在顯示器基板上敷設(shè)列電極； 在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置充電開關(guān)； 在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置中置電極； 在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置驅(qū)動(dòng)電容器； 在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置電致發(fā)光器件； 在所述顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置附加電極； 在顯示器基板上敷設(shè)行電極； 其中，所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器位于所述列電極或所述行電極的兩側(cè)，并 且所述驅(qū)動(dòng)電容器位于所述中置電極和所述列電極或所述行電極之間，所述附加電極電連 接所述電致發(fā)光器件和所述中置電極，使得所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并聯(lián)地電 連接。
39. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造方法，其特征在于： 在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上的相應(yīng)位置設(shè)置充電開關(guān)； 對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平整化處理； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料； 在所述第二絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納驅(qū)動(dòng)電容器的第一凹 槽； 向所述第一凹槽中裝入形成所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料； 在所述第三絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二 凹槽和讓附加電極通往所述中置電極的通道； 通過所述通道敷設(shè)所述附加電極； 在所述第二凹槽中設(shè)置分別與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電 致發(fā)光器件。
40. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造方法，其特征在于： 在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料； 在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充 電開關(guān)的第四凹槽的陣列； 在所述第四凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料； 在所述第二絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納驅(qū)動(dòng)電容器的第一凹 槽； 向所述第一凹槽中裝入形成所述驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料； 在所述第三絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二 凹槽和讓附加電極通往所述中置電極的通道； 通過所述通道敷設(shè)所述附加電極； 在所述第二凹槽中設(shè)置分別與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電 致發(fā)光器件。
41. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造方法，其特征在于： 在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料； 在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充 電開關(guān)的第四凹槽的陣列； 在所述第四凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電 極； 在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料； 在所述第三絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二 凹槽和讓附加電極通往所述中置電極的通道； 通過所述通道敷設(shè)所述附加電極； 在所述第二凹槽中設(shè)置分別與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電 致發(fā)光器件。
42. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造方法，其特征在于： 在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述列電極或行電極的所述顯示器基板上敷設(shè)第一絕緣材料； 在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極相對應(yīng)的位置刻蝕出用于容納所述充 電開關(guān)的第四凹槽的陣列； 在所述第四凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置所述中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并刻蝕 出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列； 對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述顯示器基板用第二絕緣材料進(jìn)行平整化 處理； 在經(jīng)所述第二絕緣材料平整化處理后的所述顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)地 敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料； 在所述第三絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二 凹槽和讓附加電極通往所述中置電極的通道； 通過所述通道敷設(shè)所述附加電極； 在所述第二凹槽中設(shè)置分別與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電 致發(fā)光器件。
43. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造方法，其特征在于： 在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上的相應(yīng)位置設(shè)置充電開關(guān)； 對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平整化處理； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述中置電極相對應(yīng)地敷設(shè)行電極或列電 極； 在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料； 在所述第三絕緣材料上與所述中置電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第二 凹槽和讓附加電極通往所述中置電極的通道； 通過所述通道敷設(shè)所述附加電極； 在所述第二凹槽中設(shè)置分別與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電 致發(fā)光器件。
44. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造方法，其特征在于： 在顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上的相應(yīng)位置設(shè)置充電開關(guān)； 對已經(jīng)設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述顯示器基板用第一絕緣材料進(jìn)行平整化處理； 在所述充電開關(guān)上設(shè)置中置電極； 在設(shè)置了所述中置電極的所述顯示器基板上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料，并刻蝕 出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列； 對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的圖案陣列的所述顯示器基板用第二絕緣材料進(jìn)行平 整化處理； 在經(jīng)所述第二絕緣材料平整化處理后的所述顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)地 敷設(shè)行電極或列電極； 在所述行電極或列電極上敷設(shè)第三絕緣材料； 在所述第三絕緣材料上與所述中置電極相對應(yīng)的位置刻蝕出容納電致發(fā)光器件的第 二凹槽和讓附加電極通往所述中置電極的通道； 通過所述通道敷設(shè)所述附加電極； 在所述第二凹槽中設(shè)置分別與所述附加電極和所述行電極或列電極電連接的所述電 致發(fā)光器件。
45. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造方法，其特征在于： 在所述顯示器基板上刻蝕出容納所述列電極或行電極的第三凹槽，然后在所述第三凹 槽中填入電極材料，以形成所述列電極或行電極。
46. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造方法，其特征在于： 對由熱塑性材料制成或表面含有一層熱塑性材料的所述顯示器基板進(jìn)行加熱處理，然 后將所述列電極或行電極壓入所述顯示器基板的受熱軟化的表面。
47. 根據(jù)權(quán)利要求38?46任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：在所述第二凹槽中 沉積有機(jī)層，然后在所述有機(jī)層的頂部生成與所述附加電極電連接的透明電極，以形成所 述電致發(fā)光器件。
48. 根據(jù)權(quán)利要求47所述的制造方法，其特征在于：所述透明電極通過遮蔽掩模沉積 在所述有機(jī)層的頂部和所述附加電極上。
49. 根據(jù)權(quán)利要求38?46任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：所述充電開關(guān)直接 在所述列電極或行電極上生成。
50. 根據(jù)權(quán)利要求38?46任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：所述中置電極是通 過在所述充電開關(guān)上進(jìn)行金屬鍍膜獲得。
51. -種電容驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光顯示器的制造方法，包括： 在透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極； 直接在所述透明的顯示器基板上設(shè)置電致發(fā)光器件； 在所述透明的顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置驅(qū)動(dòng)電容器； 在所述透明的顯示器基板上的相應(yīng)位置設(shè)置充電開關(guān)； 在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)行電極； 其中，所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并聯(lián)后電連接到所述充電開關(guān)。
52. 根據(jù)權(quán)利要求51所述的制造方法，還包括：在所述透明的顯示器基板上的相應(yīng)位 置設(shè)置中置電極； 其中，所述電致發(fā)光器件和所述驅(qū)動(dòng)電容器并列地電連接到所述中置電極一側(cè)，所述 中置電極的另一側(cè)電連接到所述充電開關(guān)。
53. 根據(jù)權(quán)利要求52所述的制造方法，其特征在于： 在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極； 按照所述預(yù)定陣列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述透明電極的位置刻蝕出光窗口； 在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè)第一絕緣材料； 在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納所述驅(qū)動(dòng)電容 器的第一凹槽，其中所述第一凹槽中留有一定的第一絕緣材料； 向所述第一凹槽中裝入用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 去除所述一定的第一絕緣材料，形成第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光器件； 在所述電致發(fā)光器件和所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上設(shè)置所述中置電極； 在所述中置電極上設(shè)置所述充電開關(guān)； 在設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料，所述第二絕緣 材料不覆蓋所述充電開關(guān)； 在與所述充電開關(guān)相應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電極。
54. 根據(jù)權(quán)利要求52所述的制造方法，其特征在于： 在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極； 按照所述預(yù)定陣列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述透明電極的位置刻蝕出光窗口； 在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材 料，并對應(yīng)于所述預(yù)定陣列刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列； 對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述透明的顯示器基板用第一絕緣層材料進(jìn) 行平整化處理； 在已經(jīng)用所述第一絕緣層材料平整化處理后的所述透明的顯示器基板上與所述透明 電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光器件； 在所述電致發(fā)光器件上設(shè)置面積大于所述電致發(fā)光器件的所述中置電極，使得所述中 置電極覆蓋所述電致發(fā)光器件和部分所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述中置電極的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣層材料； 在敷設(shè)了所述第二絕緣層材料的所述透明的顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)的 位置刻蝕出容納充電開關(guān)的第三凹槽； 在所述第三凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電極。
55. 根據(jù)權(quán)利要求52所述的制造方法，其特征在于： 在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極； 按照所述預(yù)定陣列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述透明電極的位置刻蝕出光窗口； 在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材 料； 在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述透明電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹 槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光器件； 在所述電致發(fā)光器件上設(shè)置面積大于所述電致發(fā)光器件的所述中置電極，使得所述中 置電極覆蓋所述電致發(fā)光器件和部分所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述中置電極的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣層材料； 在敷設(shè)了所述第二絕緣層材料的所述透明的顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)的 位置刻蝕出容納充電開關(guān)的第三凹槽； 在所述第三凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電極。
56. 根據(jù)權(quán)利要求52所述的制造方法，其特征在于： 在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極； 按照所述預(yù)定陣列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述透明電極的位置刻蝕出光窗口； 在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè)第一絕緣材料； 在所述第一絕緣材料上與所述列電極或行電極對應(yīng)的位置刻蝕出容納所述驅(qū)動(dòng)電容 器的第一凹槽，其中所述第一凹槽中留有一定的第一絕緣材料； 向所述第一凹槽中裝入用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 去除所述一定的第一絕緣材料，形成第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光器件； 在所述電致發(fā)光器件和所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上設(shè)置所述中置電極； 在已經(jīng)敷設(shè)了所述中置電極的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣層材料； 在敷設(shè)了所述第二絕緣層材料的所述透明的顯示器基板上與所述中置電極相對應(yīng)的 位置刻蝕出容納充電開關(guān)的第三凹槽； 在所述第三凹槽中設(shè)置所述充電開關(guān)； 在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電極。
57. 根據(jù)權(quán)利要求52所述的制造方法，其特征在于： 在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極； 按照所述預(yù)定陣列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述透明電極的位置刻蝕出光窗口； 在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材 料，并刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列； 對已經(jīng)刻蝕出所述驅(qū)動(dòng)電容器的陣列的所述透明的顯示器基板用第一絕緣層材料進(jìn) 行平整化處理； 在已經(jīng)用所述第一絕緣層材料平整化處理后的所述透明的顯示器基板上與所述透明 電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光器件； 在所述電致發(fā)光器件上設(shè)置面積大于所述電致發(fā)光器件的所述中置電極，使得所述中 置電極覆蓋所述電致發(fā)光器件和部分所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 在所述中置電極上設(shè)置所述充電開關(guān)； 在設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料，所述第二絕緣 材料不覆蓋所述充電開關(guān)； 在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電極。
58. 根據(jù)權(quán)利要求52所述的制造方法，其特征在于： 在所述透明的顯示器基板上按預(yù)定陣列敷設(shè)透明電極； 按照所述預(yù)定陣列在所述透明的顯示器基板上敷設(shè)列電極或行電極； 在所述列電極或行電極上對應(yīng)于所述透明電極的位置刻蝕出光窗口； 在已經(jīng)刻蝕出所述出光窗口的所述列電極或行電極上敷設(shè)用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材 料； 在所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料上與所述透明電極相對應(yīng)的位置刻蝕出第二凹 槽； 在所述第二凹槽中設(shè)置有機(jī)層使其與所述透明電極一起形成所述電致發(fā)光器件； 在所述電致發(fā)光器件上設(shè)置面積大于所述電致發(fā)光器件的所述中置電極，使得所述中 置電極覆蓋所述電致發(fā)光器件和部分所述用于形成驅(qū)動(dòng)電容器的材料； 在所述中置電極上設(shè)置所述充電開關(guān)； 在設(shè)置了所述充電開關(guān)的所述透明的顯示器基板上敷設(shè)第二絕緣材料，所述第二絕緣 材料不覆蓋所述充電開關(guān)； 在與所述充電開關(guān)相對應(yīng)的位置敷設(shè)行電極或列電極。
59. 根據(jù)權(quán)利要求51?58任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于： 在所述透明的顯示器基板上通過鍍膜的方法沉積納米級的所述透明電極。
60. 根據(jù)權(quán)利要求51?58任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于： 在所述出光窗口中沉積所述有機(jī)層，使得至少部分的所述有機(jī)層位于所述出光窗口 中。
61. 根據(jù)權(quán)利要求52?58任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：所述充電開關(guān)直接 在所述中置電極上生成。
62. 根據(jù)權(quán)利要求52?58任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：在所述電致發(fā)光器 件上沉積一個(gè)比所述電致發(fā)光器件面積大的金屬保護(hù)層，然后沉積一定厚度的金屬，經(jīng)光 刻后得到所述中置電極。
63. 根據(jù)權(quán)利要求52?58任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：所述第一凹槽的深 度能夠容納多個(gè)串列的所述電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L21/77GK104103674SQ201410379127
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年8月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月4日
【發(fā)明者】石益堅(jiān), 石嘉琨 申請人:石益堅(jiān)