一種光反射基板、led模組及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光反射基板,包括鏡面鋁基板,鏡面鋁基板上設(shè)有絕緣感光膠層,絕緣感光膠層上設(shè)有導(dǎo)電線路層,導(dǎo)電線路層上設(shè)有用于連接LED芯片的正電極和負(fù)電極的鍍錫層和用于保護(hù)導(dǎo)電線路層的保護(hù)層;還公開了一種LED模組及制作方法。本發(fā)明采用在鏡面鋁基板上設(shè)有絕緣感光膠層,絕緣感光膠層上設(shè)有導(dǎo)電線路層,導(dǎo)電線路層設(shè)有用于連接LED芯片的正電極和負(fù)電極的鍍錫層和用于保護(hù)導(dǎo)電線路層的保護(hù)層,由于鏡面鋁基板具有高反射、高導(dǎo)熱的性能,不僅提高了鋁基板的光反射率,而且導(dǎo)熱性、散熱性好,大大提升了LED模組的性能。
【專利說明】一種光反射基板、LED模組及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及LED技術(shù),尤其是涉及一種光反射基板、LED模組及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前,LED發(fā)光二極管由于具有耗電量低、環(huán)保節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)而得到社會各界的廣泛 關(guān)注和認(rèn)可,眾多相關(guān)的生產(chǎn)廠商積極響應(yīng)國家提出的節(jié)能減排政策,在LED的研發(fā)和推 廣上做出了極大投入,許多公司都開發(fā)出了集成式LED模組,但現(xiàn)有的LED模組(如圖1所 示)存在一些不足之處:LED模組中基板101采用反射率低的普通鋁基板,存在光效低下的 問題,而且熱阻高,散熱性能也不好,導(dǎo)致LED模組的可靠性大大降低;LED芯片通過固晶膠 102固定在基板101上,固晶膠102導(dǎo)熱性很低,不容易將熱量散發(fā)出去,影響產(chǎn)品的使用壽 命;各LED芯片104通過焊線103連接,焊線103容易斷掉,失效率很高,降低了產(chǎn)品的穩(wěn)定 性。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于:提供一種光反射基板、LED模組及制作方法,不 僅光反射率更高,而且導(dǎo)熱性、散熱性好,大大提升了 LED模組的性能和穩(wěn)定性。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出了一種光反射基板,包括鏡面鋁基板,所述鏡面 鋁基板上設(shè)有絕緣感光膠層,所述絕緣感光膠層上設(shè)有導(dǎo)電線路層,所述導(dǎo)電線路層設(shè)有 用于連接LED芯片的正電極和負(fù)電極的鍍錫層和用于保護(hù)導(dǎo)電線路層的保護(hù)層。
[0005] 進(jìn)一步地,所述保護(hù)層為白油層。
[0006] 為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還提出了一種LED模組,包括上述的光反射基板,還 包括LED芯片,所述LED芯片的正電極和負(fù)電極通過金屬層與鍍錫層連接。
[0007] 進(jìn)一步地,所述LED芯片的正電極和負(fù)電極位于LED芯片的靠近導(dǎo)電線路層的同 一側(cè)面上。
[0008] 進(jìn)一步地,所述LED芯片上罩設(shè)有一封裝膠體。
[0009] 進(jìn)一步地,所述鏡面鋁基板上設(shè)有圍壩裝置,所述圍壩裝置內(nèi)填充有封裝膠體。
[0010] 進(jìn)一步地,所述成型封裝膠體內(nèi)設(shè)有熒光粉。
[0011] 優(yōu)選地,所述金屬層為錫膏層。
[0012] 為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還提出了一種LED模組的制作方法,包括以下步驟:
[0013] 步驟(1),在鏡面鋁基板上使用絕緣感光膠按照所需線路位置進(jìn)行印刷,生成絕緣 感光膠層;
[0014] 步驟(2),在絕緣感光膠層上壓合或者印刷導(dǎo)電線路層,然后根據(jù)線路位置將多余 絕緣感光膠層通過曝光去除;
[0015] 步驟(3),在導(dǎo)電線路層與LED芯片的正電極和負(fù)電極的焊接位置進(jìn)行鍍錫,生成 鍍錫層,在導(dǎo)電線路層上未生成鍍錫層的區(qū)域采用保護(hù)層進(jìn)行保護(hù);
[0016] 步驟(4),在鍍錫層上點(diǎn)膠形成金屬層,將LED芯片的正電極和負(fù)電極通過金屬層 與鍍錫層焊接。
[0017] 進(jìn)一步地,所述步驟(4)中,通過回流焊或者高溫加熱的方式將金屬層融化,然后 將LED芯片的正電極和負(fù)電極分別與鍍錫層固定連接。
[0018] 上述技術(shù)方案具有如下有益效果:本發(fā)明采用在鏡面鋁基板上設(shè)有絕緣感光膠 層,絕緣感光膠層上設(shè)有導(dǎo)電線路層,導(dǎo)電線路層設(shè)有用于連接LED芯片的正電極和負(fù)電 極的鍍錫層和用于保護(hù)導(dǎo)電線路層的保護(hù)層,由于鏡面鋁基板具有高反射、高導(dǎo)熱的性能, 不僅提高了鋁基板的光反射率,而且導(dǎo)熱性、散熱性好,大大提升了 LED模組的性能;同時 LED芯片的正電極和負(fù)電極與導(dǎo)電線路層通過鍍錫層連接,提高了了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
[0019] 上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段, 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂,以下特舉較佳實(shí)施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020] 圖1是現(xiàn)有LED模組結(jié)構(gòu)的正面剖視圖;
[0021] 圖2是本發(fā)明中LED模組結(jié)構(gòu)的正面剖視圖;
[0022] 圖3是本發(fā)明中LED模組結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖視圖;
[0023] 圖4是本發(fā)明中LED模組設(shè)有成型封裝膠體時的正面剖視圖;
[0024] 圖5是本發(fā)明中LED模組設(shè)有圍壩裝置時的正面剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025] 需要說明的是,在不沖突的情況下,本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相 互組合。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步描述。
[0026] 實(shí)施例一
[0027] 如圖2和圖3所示,光反射基板包括鏡面鋁基板1,鏡面鋁基板1上設(shè)有絕緣感光 膠層2,絕緣感光膠層2上設(shè)有導(dǎo)電線路層3,導(dǎo)電線路層3上設(shè)有用于連接LED芯片6的 正電極61和負(fù)電極62的鍍錫層4和用于保護(hù)導(dǎo)電線路層3的保護(hù)層5,在本實(shí)施例中,保 護(hù)層5采用白油層來保護(hù)導(dǎo)電線路層3,由于鏡面鋁基板1具有高反射、高導(dǎo)熱的性能,所以 采用光反射基板制作的LED模組,相比傳統(tǒng)的鋁基板,鏡面鋁基板1不僅可以提升LED模組 的光反射率,而且導(dǎo)熱性、散熱性好,大大提升了 LED模組的性能。
[0028] 實(shí)施例二
[0029] 基于實(shí)施例一中所述的優(yōu)點(diǎn),在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提出一種LED模組,如 圖2和圖3所示,LED模組包括實(shí)施例一中的光反射基板,還包括LED芯片6,LED芯片6的 正電極61和負(fù)電極62通過金屬層7與鍍錫層4連接,具體地,金屬層7為錫膏層,錫膏層 主要是為了將LED芯片6的正電極61和負(fù)電極62分別與鍍錫層4固定連接,并起到導(dǎo)電 導(dǎo)熱的作用,降低產(chǎn)品的熱阻,而且LED芯片6的正電極61和負(fù)電極62位于LED芯片6靠 近導(dǎo)電線路層3的同一側(cè)面上,即正電極61和負(fù)電極62位于LED芯片6的底部,通過金屬 層7直接將正電極61和負(fù)電極62與鍍錫層4焊接,防止了正電極61和負(fù)電極62與導(dǎo)電 線路層3之間地斷開,增加了產(chǎn)品的可靠性,并通過高導(dǎo)熱金屬層7將LED芯片6發(fā)出的熱 量直接傳導(dǎo)到鏡面鋁基板1上進(jìn)行散熱,降低了產(chǎn)品熱阻。
[0030] 如圖4所示,為了保護(hù)LED芯片6,在LED芯片6上罩設(shè)有一成型封裝膠體8,為了 提升發(fā)光效果,在成型封裝膠體8內(nèi)填充有熒光粉,組成封裝膠體8與熒光粉的混合體,發(fā) 光效果更好;作為另一種實(shí)施方式,如圖5所示,還可以在鏡面鋁基板1上設(shè)有圍壩裝置9, 封裝膠體8與熒光粉的混合體填充在圍壩裝置9內(nèi),圍壩裝置9可以在每一顆LED芯片6 上形成統(tǒng)一規(guī)格的成型封裝膠體8,提高產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0031] 實(shí)施例三
[0032] 如圖2至5所示,本實(shí)施例提出了一種LED模組的制作方法,包括以下步驟:
[0033] 步驟(1),在鏡面鋁基板1上使用絕緣感光膠按照所需線路位置進(jìn)行印刷,生成絕 緣感光膠層2 ;
[0034] 步驟(2),在絕緣感光膠層2上壓合或者印刷導(dǎo)電線路層3,然后根據(jù)線路位置將 多余絕緣感光膠層2通過曝光去除;
[0035] 步驟(3),在導(dǎo)電線路層3與芯片的正電極61和負(fù)電極62的焊接位置進(jìn)行鍍錫, 生成鍍錫層4,在導(dǎo)電線路層3上未生成鍍錫層4的區(qū)域采用白油層進(jìn)行保護(hù);
[0036] 步驟(4),在鍍錫層4上點(diǎn)膠形成金屬層7,將LED芯片6的正電極61和負(fù)電極62 通過金屬層7與鍍錫層4焊接,具體地,通過回流焊或者高溫加熱的方式將金屬層7融化, 然后將LED芯片6的正電極61和負(fù)電極62分別與鍍錫層4固定連接。
[0037] LED芯片6的正電極61和負(fù)電極62通過金屬層7、鍍錫層4與線路層連接,提高 了產(chǎn)品可靠性,與現(xiàn)有產(chǎn)品中的各LED芯片的正電極和負(fù)電極采用焊線連接相比,可以避 免焊線斷開或斷裂而出現(xiàn)的失效問題;本發(fā)明采用金屬層7將LED芯片6與鍍錫層4焊接, 而金屬層7具有導(dǎo)熱性高的優(yōu)點(diǎn),因此降低了產(chǎn)品熱阻;本發(fā)明中的鏡面鋁基板具有很高 的反射率,其反射率達(dá)到98%以上,增加C0B的光效。
[0038] 本發(fā)明LED模組采用高反射、高導(dǎo)熱鏡面鋁材料,反射率達(dá)到98%以上,不僅能有 助于LED芯片6的散熱,而且提商了廣品可罪性,由于使用了商反射率、商導(dǎo)熱的基板材料, 提高了白光LED芯片的出光效率。
[0039] 以上所述是本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】,應(yīng)當(dāng)指出,對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員 來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也視為 本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種光反射基板,其特征在于,包括鏡面鋁基板,所述鏡面鋁基板上設(shè)有絕緣感光膠 層,所述絕緣感光膠層上設(shè)有導(dǎo)電線路層,所述導(dǎo)電線路層上設(shè)有用于連接LED芯片的正 電極和負(fù)電極的鍍錫層和用于保護(hù)導(dǎo)電線路層的保護(hù)層。
2. 如權(quán)利要求1所述的LED模組,其特征在于,所述保護(hù)層為白油層。
3. -種LED模組,其特征在于,包括如權(quán)利要求1或2所述的光反射基板,還包括LED芯 片和設(shè)于鍍錫表面的金屬層,所述LED芯片的正電極和負(fù)電極通過金屬層與鍍錫層連接。
4. 如權(quán)利要求3所述的LED模組,其特征在于,所述LED芯片的正電極和負(fù)電極位于 LED芯片靠近導(dǎo)電線路層的同一側(cè)面上。
5. 如權(quán)利要求3所述的LED模組,其特征在于,所述LED芯片上罩設(shè)有一封裝膠體。
6. 如權(quán)利要求3所述的LED模組,其特征在于,所述鏡面鋁基板上設(shè)有圍壩裝置,所述 圍壩裝置內(nèi)填充有封裝膠體。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的LED模組,其特征在于,所述成型封裝膠體內(nèi)設(shè)有熒光粉。
8. 如權(quán)利要求3所述的LED模組,其特征在于,所述金屬層為錫膏層。
9. 一種LED模組的制作方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟(1),在鏡面鋁基板上使用絕緣感光膠按照所需線路位置進(jìn)行印刷,生成絕緣感光 膠層; 步驟(2),在絕緣感光膠層上壓合或者印刷導(dǎo)電線路層,然后根據(jù)線路位置將多余絕緣 感光膠層通過曝光去除; 步驟(3),在導(dǎo)電線路層與LED芯片的正電極和負(fù)電極的焊接位置處進(jìn)行鍍錫,生成鍍 錫層,在導(dǎo)電線路層上未生成鍍錫層的區(qū)域采用保護(hù)層進(jìn)行保護(hù); 步驟(4),在鍍錫層上點(diǎn)膠形成金屬層,將LED芯片的正電極和負(fù)電極通過金屬層與鍍 錫層焊接。
10. 如權(quán)利要求9所述的LED模組的制作方法,其特征在于,所述步驟(4)中,通過回流 焊或者高溫加熱的方式將金屬層融化,然后將LED芯片的正電極和負(fù)電極分別與鍍錫層固 定連接。
【文檔編號】H01L33/62GK104124325SQ201410386962
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月7日
【發(fā)明者】張鐵鐘, 張碩, 郭倫春, 廖志偉 申請人:深圳市九洲光電科技有限公司