一種防爆的半導(dǎo)體模塊的制作方法
【專利摘要】一種防爆的半導(dǎo)體模塊。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體模塊(100)，其具有載體(2)、安裝在所述載體(2)之上的至少一個半導(dǎo)體芯片(1)、金屬絲(4)、模塊殼體(7)以及第一消聲裝置(8)。所述模塊殼體(7)具有殼體側(cè)壁(71)，所述金屬絲(4)被設(shè)置在所述模塊殼體(7)之中；并且所述第一消聲裝置(8)的至少一個分段被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片(1)和所述殼體側(cè)壁(71)之間。
【專利說明】一種防爆的半導(dǎo)體模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體模塊的許多應(yīng)用之中，在模塊之內(nèi)出現(xiàn)的爆炸能夠損傷或者至少是污染了該模塊所處于的周圍環(huán)境。此類的爆炸能夠例如在如下情形時出現(xiàn)，例如在浪涌電流負載的情況下確定的界限值被超過時。然后例如能夠使得構(gòu)建在半導(dǎo)體模塊之中的半導(dǎo)體芯片和/或金屬絲爆炸性地蒸發(fā)。在極端情況下，該模塊殼體釋放的導(dǎo)電的等離子。此外，在該模塊殼體之中能夠產(chǎn)生電弧，由于該電弧的產(chǎn)生將能夠蒸發(fā)另外的材料并且通過所產(chǎn)生的壓力將其從該模塊殼體之中甩出。在不利的情況下，所出現(xiàn)的等離子能夠在該模塊殼體之外引起電短路。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的任務(wù)在于提供一種半導(dǎo)體模塊，其具有好的防爆特性。該任務(wù)將通過半導(dǎo)體模塊得以解決。本發(fā)明的設(shè)計方案和改進方案是下文的主題。
[0004]依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊包括一個載體、至少一個安裝在所述載體之上的半導(dǎo)體芯片、一個金屬絲、具有殼體側(cè)壁的模塊殼體以及第一消聲裝置。所述金屬絲被設(shè)置在所述模塊殼體之中并且所述第一消聲裝置或者所述第一消聲裝置的至少一個分段被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片和所述殼體側(cè)壁之間。
[0005]可選地，所述第一消聲裝置至少在第一方向具有與長度相關(guān)的流體阻力r，所述流體阻力大于50kPa.s.πΓ2和/或小于150kPa.s.πΓ2。
[0006]其中，所述第一方向能夠基本上任意地走向，尤其是但是也能夠平行于朝向載體的平的半導(dǎo)體底側(cè)。此外，與長度相關(guān)的流體阻力的所提及的值域能夠不僅在第一方向上，也能夠在每個與朝向所述載體的所述半導(dǎo)體芯片的底側(cè)平行的方向上走向。
[0007]可選地，所述第一消聲裝置在第一方向上或者甚至在每個與平的、朝向所述載體的半導(dǎo)體芯片的底側(cè)平行地走向的第一方向上根據(jù)DIN EN 29035標準具有在大于250kPa.s.πΓ2和/或小于4.5kPa.s.πΓ2的范圍內(nèi)的特定的流體阻力RS。
[0008]所述第一消聲裝置實現(xiàn)了使得在所述模塊殼體之內(nèi)出現(xiàn)的爆炸的緩解并且避免或者至少緩解所引起的描述的影響。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]下面將借助于多個實施例參照所附的附圖來進一步闡述本發(fā)明。并無二致地，在這些附圖中相同的附圖標記描述了相同的或者起相同作用的元件。附圖中:
[0010]圖1示出了穿過半導(dǎo)體模塊的一個分段的縱斷面，在該半導(dǎo)體模塊的殼體之中安置有第一消聲裝置，該第一消聲裝置至少部分地處于半導(dǎo)體芯片和殼體側(cè)壁之間；
[0011]圖2示出了穿過半導(dǎo)體模塊的一個分段的縱斷面，在該半導(dǎo)體模塊之中將沙子引入了該模塊殼體之中；
[0012]圖3示出了穿過半導(dǎo)體模塊的一個分段的縱斷面，在該半導(dǎo)體模塊之中在半導(dǎo)體芯片之上安置有第二消聲裝置；
[0013]圖4示出了穿過半導(dǎo)體模塊的一個分段的縱斷面，在該半導(dǎo)體模塊之中該第一消聲裝置為無紡布(Vlies)；
[0014]圖5示出了穿過依據(jù)圖4中以B-B切面的整個半導(dǎo)體模塊的水平斷面；
[0015]圖6以在圖1中所示處的切面A-A示出了半導(dǎo)體模塊的放大的分段，該半導(dǎo)體模塊具有含有蜂窩結(jié)構(gòu)的第一消聲裝置，該A-A切面與朝向該載體的半導(dǎo)體芯片的底側(cè)平行地走向。

【具體實施方式】
[0016]圖1示出了穿過半導(dǎo)體模塊的一個分段的縱斷面。該半導(dǎo)體模塊100具有一個或者多個半導(dǎo)體芯片I，這些半導(dǎo)體芯片中的每個均安裝在載體2之上。
[0017]每個半導(dǎo)體芯片I具有第一負載連接端11和第二負載連接端12。第一負載連接端和/或第二負載連接端12能夠例如分別被構(gòu)造為平的芯片金屬層，該芯片金屬層涂覆在半導(dǎo)體主體10之上。該半導(dǎo)體主體10由任意的半導(dǎo)體基底材料組成，例如硅或者碳化硅，其具有用于實現(xiàn)電子構(gòu)件的P-摻雜和η-摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域。此外，在該半導(dǎo)體主體10之中能夠集成有不同的介電層，例如由氧化硅、氮化硅等所組成的多個層。
[0018]此類的半導(dǎo)體芯片I能夠例如為可控的半導(dǎo)體芯片1，在這些半導(dǎo)體芯片之中，電流能夠在第一負載連接端11和第二負載連接端12之間所構(gòu)造的負載段上借助于一個控制連接端(在此未示出)來加以控制。通過此類的控制連接端能夠完全地或者部分地打開或者然而截斷相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片I的負載段。合適的可控的半導(dǎo)體芯片I的例子為單極或者雙極型晶體管，例如IGBT、M0SFET、結(jié)型場效應(yīng)晶體管或者晶閘管。其中第一和第二負載連接端11或12分別根據(jù)所涉及的半導(dǎo)體芯片I的類型能夠為漏極和源極、源極和漏極、發(fā)射極和集電極、集電極和發(fā)射極、陽極和陰極或者陰極和陽極。相應(yīng)地，分別根據(jù)半導(dǎo)體芯片I的類型該控制連接端能夠為柵極連接端或者基極連接端。然而，半導(dǎo)體芯片I不是必須是可控的。所以，該半導(dǎo)體芯片I也能夠為二極管，在該二極管中該第一和第二負載連接端11或12表示陽極和陰極或者陰極和陽極。
[0019]在本發(fā)明的范圍內(nèi)，接觸電極例如金屬層被設(shè)置為第一負載連接端11、第二負載連接端12以及控制連接端，該金屬層被涂覆在半導(dǎo)體主體10之上。這些接觸電極在處理所涉及的半導(dǎo)體芯片I時例如在晶圓流水線中處理多個同類的半導(dǎo)體芯片I時被涂覆在該半導(dǎo)體芯片I的半導(dǎo)體主體10之上。
[0020]作為半導(dǎo)體芯片I也能夠使用豎直的半導(dǎo)體芯片1，在該半導(dǎo)體芯片之中第一負載連接端11和第二負載連接端12被涂覆在該半導(dǎo)體主體10的相互相反的側(cè)上，但是也能夠使用橫向的半導(dǎo)體芯片I，在該半導(dǎo)體芯片中第一負載連接端11和第二負載連接端12位于該半導(dǎo)體芯片I的相同的側(cè)之上。此外，豎直的半導(dǎo)體芯片I和橫向的半導(dǎo)體芯片I也能夠在半導(dǎo)體模塊100之中混合地加以使用。該多個半導(dǎo)體芯片I中的至少一個能夠具有面對載體2的平的底側(cè)lb。
[0021]該一個或者多個半導(dǎo)體芯片I安裝在載體2之上能夠例如借助于連接層來實現(xiàn)，該連接層例如被構(gòu)造為焊層或者由燒結(jié)的金屬粉末組成的燒結(jié)層或者粘結(jié)層。通過該連接層，所涉及的半導(dǎo)體芯片I在其面對載體2的底側(cè)Ib上材料連接地與該載體2相連接。其中，該連接層始終被構(gòu)造在半導(dǎo)體芯片I和載體2之間。
[0022]可選地，該連接層能夠?qū)щ?。在粘結(jié)連接的情況下，該連接層能夠為導(dǎo)電膠。只要該連接層是導(dǎo)電的，那么該半導(dǎo)體芯片I在其第二負載連接端12處與載體2導(dǎo)電地連接，倘若其第二負載連接端12處于其面對載體2的底側(cè)Ib之上。
[0023]載體2能夠例如被構(gòu)造為金屬板或者其能夠具有介電的陶瓷小板，在該介電的陶瓷小板之上涂覆有金屬層。在該第二負載連接端12和載體2之間為導(dǎo)電連接的情況下，在第二負載連接端12和金屬板之間的導(dǎo)電連接能夠例如實現(xiàn)在第二負載連接端12和金屬層之間。
[0024]一個或者多個半導(dǎo)體芯片I被設(shè)置在模塊殼體7之中，該模塊殼體具有至少一個殼體側(cè)壁71。該模塊殼體7能夠由介電材料組成，例如由硬質(zhì)塑料、熱塑性塑料或陶瓷材料組成。
[0025]為了在半導(dǎo)體模塊100中實現(xiàn)確定的電子電路而在模塊殼體7之中設(shè)置一個或者多個金屬絲4。原則上來說，金屬絲4能夠?qū)⒃谠撃K殼體7之內(nèi)的任意部分相互間導(dǎo)電連接。在所示出的示例中，在第一焊接位置BI處至少一個金屬絲4被直接地焊接至該半導(dǎo)體芯片I的芯片金屬層11之上，該芯片金屬層11處于與載體2相對的半導(dǎo)體芯片I的側(cè)之上。在另一個第二焊接位置B2處，金屬絲4被直接地焊接至導(dǎo)電的連接板5之上。如圖所示，該殼體7能夠具有突起72，該突起72從該殼體側(cè)壁71觸發(fā)延伸到該模塊殼體7的內(nèi)部并且被用作該連接板5的載體。該連接板5被用于使得該半導(dǎo)體模塊100朝外接觸。在所示出的示例中，導(dǎo)電板能夠置于該連接板5的階梯51之上，該連接板5被用作該半導(dǎo)體模塊100的電的外部連接端。
[0026]沿著該殼體側(cè)壁71，在半導(dǎo)體芯片I和該殼體側(cè)壁之間和/或在金屬絲4和該殼體側(cè)壁71之間設(shè)置有消聲裝置8。該消聲裝置8用于在該模塊殼體71內(nèi)部出現(xiàn)爆炸的情況下緩解所引起的壓力波并且由此阻止該殼體側(cè)壁71撕裂或者被吹走。為了消除由于該爆炸所產(chǎn)生的壓力波，第一消聲裝置8擁有多個中間空間并且由此擁有大的表面積，該表面積用于通過變形來吸收壓力波的能量。該第一消聲裝置8僅僅示意性地加以示出。
[0027]第一消聲裝置8能夠例如為開放的聚合物泡沫、或者無紡布、或者礦物棉，例如石棉或者玻璃棉，或者其能夠具有蜂窩結(jié)構(gòu)。
[0028]為了吸收此類的壓力波，第一消聲裝置8能夠具有在第一方向X上的從50kPa.s.m_2至150kPa.s.m_2的與長度相關(guān)的流體阻力，該第一方向可選地與該載體2面對的該半導(dǎo)體芯片I的平的底側(cè)2b平行地走向。原則上來說，該第一方向然而也能夠任意地加以走向。同樣地，該第一消聲裝置8能夠在每個與該載體2面對的該半導(dǎo)體芯片I的平的底側(cè)平行地走向的方向上具有大于50kPa.s.πΓ2和/或小于150kPa.s.πΓ2的與長度相關(guān)的流體阻力r，只要該第一消聲裝置8在所涉及的方向上是氣體可滲透的。
[0029]同樣如在圖1中示意性地加以示出的那樣，第一消聲裝置8在本發(fā)明的范圍內(nèi)也能夠可選地具有一個或者多個以氣體例如空氣加以填充的中間空間81。
[0030]只要該第一消聲裝置8具有蜂窩結(jié)構(gòu)(參見圖6)或者被構(gòu)造為開放的聚合物泡沫，那么該第一消聲裝置也能夠與模塊殼體7 —體成型地加以構(gòu)造。
[0031]與其實際的設(shè)計方案無關(guān)地，該第一消聲裝置8的一個分段在一個或者在每個方向X上被分配在半導(dǎo)體芯片I和殼體側(cè)壁71之間和/或在金屬絲4和殼體側(cè)壁71之間，該方向X與面對載體2的芯片底側(cè)Ib平行地走向。
[0032]此外，該第一消聲裝置8能夠在一個或者在每個與面對載體2的芯片底側(cè)Ib平行的方向X上具有至少5mm和/或最高30mm的寬度b8。
[0033]為了在模塊殼體7內(nèi)部爆炸的情況下實現(xiàn)較強地緩解壓力波，能夠在該模塊殼體7之中設(shè)置沙子6，這在圖2中借助于已經(jīng)參照圖1加以闡述的半導(dǎo)體模塊100示意性地加以示出。其中，該沙子6能夠以垂直于芯片底側(cè)Ib的豎直的方向V始終從該半導(dǎo)體芯片I延伸至該金屬絲4之上和/或從載體2延伸至該金屬絲4之上。在圖2中一和在接下來的圖3和圖4中一樣一該金屬絲4將由該沙子6來覆蓋。因此，其走向僅僅虛線地加以示出。
[0034]沙子6能夠如此地引入在金屬絲4和第一消聲裝置8之間，使得每個直的平行于芯片底側(cè)Ib的從金屬絲4走向至第一消聲裝置8的線段g與沙子6交會。
[0035]此外在圖3中借助于依據(jù)圖2的實施例加以示出的是還能夠在半導(dǎo)體模塊100中設(shè)置第二消聲裝置9，該第二消聲裝置9被設(shè)置在金屬絲4與載體2相遠離的側(cè)之上。通常來說，該依據(jù)圖3的半導(dǎo)體模塊100擁有相同的結(jié)構(gòu)，如其已經(jīng)借助于圖1和圖2加以闡述的那樣。第二消聲裝置9能夠由相同的材料組成，如其已經(jīng)針對第一消聲裝置8闡述的那樣。其中，消聲裝置的不同的設(shè)計方案的任意組合也是可能的。第二消聲裝置9能夠與在該半導(dǎo)體模塊100中引入或者沒有引入沙子6無關(guān)地存在。
[0036]只要該半導(dǎo)體模塊100具有第二消聲裝置9并且只要沙子6被引入了模塊殼體7之中，那么該沙子6將位于載體2和第二消聲裝置9之間。
[0037]同樣地，和第一消聲裝置8 一樣，可選的第二消聲裝置9也能夠在至少一個方向上具有長度相關(guān)的流體阻力，該流體阻力依照所謂的DIN EN 29035大于50kPa.s.m_2和/或小于 150kPa.s.πΓ2。
[0038]圖4示出了半導(dǎo)體模塊100的一種設(shè)計方案，如其已經(jīng)參照前述的附圖加以闡述的那樣，其中，第一消聲裝置8和第二消聲裝置9分別被構(gòu)造為無紡布。
[0039]圖5還示意性地示出了以切面B-B來穿過依據(jù)圖4的半導(dǎo)體模塊100的水平切面。由該圖示能夠看出，在半導(dǎo)體模塊100中第一消聲裝置8能夠被構(gòu)造為封閉的環(huán)，其在模塊殼體7內(nèi)部沿著殼體側(cè)壁71延伸并且被構(gòu)造為環(huán)，并且其中將環(huán)地圍繞至少一個半導(dǎo)體芯片I和/或(如結(jié)合圖4得出的那樣)至少一個金屬絲4。
[0040]同樣地，圖5也引出了該殼體側(cè)壁71能夠形成該半導(dǎo)體模塊100的外壁。該殼體壁71能夠例如被構(gòu)造為環(huán)裝，其圍繞至少一個半導(dǎo)體芯片I和/或至少一個金屬絲4。該殼體側(cè)壁71能夠可選地整體地加以構(gòu)造，或者其能夠由兩個或者更多個部分組裝而成。該半導(dǎo)體模塊100不是必須具有如圖5所示出的基本上為四邊形的底面。相反地，該底面能夠形成為任意形狀。該底面也能夠例如基本上為圓形。
[0041]此外，如借助于圖1、圖2、圖3和圖4示例性地加以示出的那樣，焊接位置Β2能夠如此地加以設(shè)置，使得第一消聲裝置8的一個分段被設(shè)置在焊接位置Β2和載體2之間，在該焊接位置Β2處金屬絲4被焊接至導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)之上(在此例如焊接至導(dǎo)電的連接板5之上)。
[0042]在整個半導(dǎo)體模塊之中，該第一消聲裝置8具有一個以氣體加以填充的中間空間81或者多個以氣體加以填充的中間空間81，該第一消聲裝置8和所有其以氣體加以填充的中間空間81 —起占據(jù)第一空間區(qū)域，其具有第一體積VI。相應(yīng)地，在整個其中沙子6被引入模塊殼體7之中的半導(dǎo)體模塊中，沙子6僅僅在以氣體填充的空氣能夠找到，其具有第二空間區(qū)域，該第二空間區(qū)域具有第二體積V2。在此，在第二體積V2和第一體積Vl之間的比例V2 + V1可選地處在I至10的范圍之內(nèi)。然而原則上來說，該比例也能夠采用更小的或者更大的值。
[0043]圖6還示出了第一消聲裝置8在圖1中所示出的A-A切面之中的設(shè)計方案。該依據(jù)圖1的半導(dǎo)體模塊100的放大的圖示基本上示出了第一消聲裝置也能夠具有蜂窩結(jié)構(gòu)。在該所示出的示例中，其為在橫截面上具有六邊形的蜂窩的蜂窩結(jié)構(gòu)，然而原則上能夠為任意其他的蜂窩結(jié)構(gòu)，其具有不規(guī)則的或者規(guī)則的在橫截面上例如三角形或者四邊形的蜂窩。同樣如從圖6中所看出的那樣，該蜂窩能夠具有平行于豎直的方向V的走向方向。具有蜂窩結(jié)構(gòu)的第一消聲裝置8也能夠應(yīng)用于本發(fā)明的所有其他的設(shè)計方案。
[0044]相應(yīng)地，第二消聲裝置9也能夠如其在圖3中所闡述的那樣具有這樣的蜂窩結(jié)構(gòu)。其中，該蜂窩的走向方向能夠垂直于豎直的方向V地加以選擇。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體模塊，其具有載體(2)、安裝在所述載體(2)之上的至少一個半導(dǎo)體芯片(I)、金屬絲(4)、模塊殼體(7)以及第一消聲裝置(8)，其中， 所述模塊殼體(7)具有殼體側(cè)壁(71)； 所述金屬絲(4)被設(shè)置在所述模塊殼體(7)之中；以及 所述第一消聲裝置(8)的至少一個分段被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片(I)和所述殼體側(cè)壁(71)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8): -被構(gòu)造為開放的聚合物泡沫；或者 -被構(gòu)造為無紡布；或者 -由石棉組成；或者 -由玻璃棉組成；或者 具有以上所提及的多個結(jié)構(gòu)中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)至少在第一方向(X)上具有與長度相關(guān)的流體阻力(r)，所述流體阻力 大于50kPa.s.m 2 ;和/或 小于 150kPa.s.JiT20
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)具有蜂窩結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8) 被構(gòu)造為開放的聚合物泡沫或者具有開放的聚合物泡沫，其中，所述聚合物泡沫分別被構(gòu)造為與所述模塊殼體(7) —體成型，或者 被構(gòu)造為蜂窩結(jié)構(gòu)或者具有蜂窩結(jié)構(gòu)，其中，所述蜂窩結(jié)構(gòu)分別被構(gòu)造為與所述模塊殼體(7) —體成型。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中， 所述半導(dǎo)體芯片(I)具有平的芯片底側(cè)(Ib)，所述芯片底側(cè)朝向所述載體(2);并且所述第一消聲裝置(8)在一個或者在每個與所述芯片底側(cè)(Ib)平行的方向(X)上被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片(I)和殼體壁(I)之間。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中， 所述半導(dǎo)體芯片(I)具有平的芯片底側(cè)(Ib)，所述芯片底側(cè)朝向所述載體(2);以及所述第一消聲裝置(8)在一個或者在每個與所述芯片底側(cè)(Ib)平行的方向(X)上具有至少3mm的寬度(b8)。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中， 所述半導(dǎo)體芯片(I)具有平的芯片底側(cè)(Ib)，所述芯片底側(cè)朝向所述載體(2);以及所述第一消聲裝置(8)在一個或者在每個與所述芯片底側(cè)(Ib)平行的方向(X)上具有最高30mm的寬度(b8)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中， 所述半導(dǎo)體芯片(I)具有平的芯片底側(cè)(Ib)，所述芯片底側(cè)朝向所述載體(2);以及所述消聲裝置(8)的一個分段在與所述芯片底側(cè)(Ib)平行的方向(X)上被設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片(I)和所述殼體側(cè)壁(71)之間。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)被構(gòu)造為封閉的環(huán)，所述封閉的環(huán)圍繞所述半導(dǎo)體芯片(I)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)具有以氣體填充的中間空間(81)或者多個以氣體填充的中間空間(81)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述金屬絲(4)被焊接至所述半導(dǎo)體芯片(I)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述半導(dǎo)體芯片(I)在其朝向所述載體⑵的側(cè)(Ib)上電導(dǎo)通地與所述載體(2)相連接。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，在所述模塊殼體(7)中設(shè)置有沙子出)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體模塊，其中， 所述半導(dǎo)體芯片(I)具有平的芯片底側(cè)(Ib)，所述芯片底側(cè)朝向所述載體(2);并且 所述沙子出)以一個與所述芯片底側(cè)(Ib)垂直的豎直的方向(V)連續(xù)地從所述半導(dǎo)體芯片(I)和/或從所述載體(2)延伸直至超過所述金屬絲(4)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15中任一項所述的半導(dǎo)體模塊,其中， 所述半導(dǎo)體芯片(I)具有平的芯片底側(cè)(Ib)，所述芯片底側(cè)朝向所述載體(2);并且 與所述芯片底側(cè)(Ib)平行的、從所述金屬絲走向至所述消聲裝置(8)的每個直的線段(g)與所述沙子(6)交會。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中， 所述第一消聲裝置(8)具有一個以氣體填充的中間空間(81)或者多個以氣體填充的中間空間(81)并且與整體上以氣體來填充的中間空間一起占據(jù)第一空間區(qū)域，所述第一空間區(qū)域具有第一體積(Vl)； 僅僅有所述沙子(6)位于其中的、以氣體填充的空隙占據(jù)第二空間區(qū)域，所述第二空間區(qū)域具有第二體積(V2)； 所述第二體積(V2)和所述第一體積(Vl)之間的比例(V2 + V1)處在I至10的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述第一消聲裝置(8)在所述第一方向(X)上具有在大于250kPa.s.πΓ2和/或小于4.5kPa.s.πΓ2的范圍內(nèi)的特定的流體阻力(RS)。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其中， 所述金屬絲(4)具有焊接位置(Β2);并且 所述第一消聲裝置(8)的一個分段被設(shè)置在所述焊接位置(Β2)和所述載體(2)之間。
20.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的半導(dǎo)體模塊，其具有第二消聲裝置(9)，所述第二消聲裝置(9) 被設(shè)置在所述金屬絲(4)的與所述載體相遠離的側(cè)之上；以及 所述第二消聲裝置具有與長度相關(guān)的50kPa *s.πΓ2至150kPa *s.πΓ2的流體阻力(r)。
【文檔編號】H01L23/28GK104517910SQ201410406510
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】O·霍爾菲爾德, G·伯尼希 申請人:英飛凌科技股份有限公司