一種有機發(fā)光二極管器件及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管器件及顯示裝置，涉及有機電子器件【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管注入發(fā)光功能層的電子和空穴直接通過陰極和陽極產(chǎn)生，對陰極材料和陽極材料的限制問題。一種有機發(fā)光二極管器件，包括陰極、陽極以及位于所述陰極和所述陽極之間的發(fā)光功能層，還包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層，和/或，第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層；所述第一電荷產(chǎn)生層和所述第二電荷產(chǎn)生層位于所述陰極和所述發(fā)光功能層之間，且所述第一電荷產(chǎn)生層靠近所述發(fā)光功能層，用于傳輸電子；所述第三電荷產(chǎn)生層和所述第四電荷產(chǎn)生層位于所述陽極和所述發(fā)光功能層之間，且所述第四電荷產(chǎn)生層靠近所述發(fā)光功能層，用于傳輸空穴。
【專利說明】一種有機發(fā)光二極管器件及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電子器件【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種有機發(fā)光二極管器件及顯示裝 置。

【背景技術(shù)】
[0002] OLED (Organic Light-Emitting Diode (有機發(fā)光二極管）器件被廣泛應(yīng)用于照明 領(lǐng)域以及顯示領(lǐng)域。0LED器件的基本結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括：陽極1、陰極7以及有機功能 層9 ;其中有機功能層9還可以進一步細分為：空穴注入功能層（HIL層）2、空穴傳輸功能層 (HTL層）3、發(fā)光功能層（EML層）4、電子傳輸功能層（ETL層）5以及電子注入功能層（EIL 層）6等。有機發(fā)光二極管器件中，光的發(fā)射是通過陽極1注入的空穴（h+)和陰極7注入 的電子（e〇在發(fā)光功能層4相結(jié)合形成的激子輻射發(fā)光。
[0003] 為了增加器件的發(fā)光效率，0LED器件中各層的能帶匹配要好。通常情況下，陰極部 分采用功函較低的金屬形成，例如Al、Au、Ag、Mg-Ag的合金等，以提高電子的注入；陽極一 般采用功函較高的材料，例如IT0(Indium tin oxide，氧化銦錫），以提高空穴的注入。金 屬作為陰極雖然有良好的電子注入性能和一定的透光度，但是由于金屬的延展性限制，當 其用于柔性顯示設(shè)備中，在折疊時會發(fā)生斷裂，從而導(dǎo)致顯示失靈。因此，金屬形成的陰極 限制了有機發(fā)光二極管在柔性顯示設(shè)備中的彎曲靈活性。
[0004] 為了解決上述技術(shù)問題，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用濺射的ΙΤ0做陰極，但為了避免濺 射時的高能量毀壞有機功能層，如圖2所示，在ΙΤ0形成的陰極7和有機功能層9之間加入 有機保護層8，例如可以是由M〇0 3 (氧化鑰）、PED0T (聚乙撐二氧噻吩）、CuPc (酞菁銅）等 形成的有機保護層。由于ΙΤ0形成的陰極7的功函高，以及有機保護層8的加入，帶來了以 下兩方面的問題：第一方面，ΙΤ0形成的陰極7和有機保護層8之間，有機保護層8和電子 傳輸層6之間的能壘差大，過大的能壘差會阻礙電子的注入和傳輸，從而降低器件的工作 效率和壽命。第二方面，ΙΤ0作為陰極7,電子需要穿過保護層8注入發(fā)光功能層4,會降低 電子的注入和傳輸效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實施例提供一種有機發(fā)光二極管器件及顯示裝置，解決了現(xiàn)有的有機發(fā) 光二極管注入發(fā)光功能層的電子和空穴直接通過陰極和陽極產(chǎn)生，對陰極材料和陽極材料 的限制問題，尤其是采用功函高的材料形成陰極，帶來的降低器件的工作效率和壽命的問 題。
[0006] 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] -方面，本發(fā)明實施例提供一種有機發(fā)光二極管器件，包括陰極、陽極以及位于所 述陰極和所述陽極之間的發(fā)光功能層，還包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層，和/或， 第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層；
[0008] 所述第一電荷產(chǎn)生層和所述第二電荷產(chǎn)生層位于所述陰極和所述發(fā)光功能層之 間，且所述第一電荷產(chǎn)生層靠近所述發(fā)光功能層，用于傳輸電子；所述第二電荷產(chǎn)生層靠近 所述陰極，用于傳輸空穴；
[0009] 所述第三電荷產(chǎn)生層和所述第四電荷產(chǎn)生層位于所述陽極和所述發(fā)光功能層之 間，且所述第三電荷產(chǎn)生層靠近所述陽極，用于傳輸電子；所述第四電荷產(chǎn)生層靠近所述發(fā) 光功能層，用于傳輸空穴。
[0010] 另一方面，本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的任一所述 的有機發(fā)光二極管器件。
[0011] 本發(fā)明的實施例提供一種有機發(fā)光二極管器件及顯示裝置，有機發(fā)光二極管器件 包括陰極、陽極以及位于陰極和陽極之間的發(fā)光功能層，還包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電 荷產(chǎn)生層，和/或，第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層；當陰極和陽極同時加載電壓，在電 場作用下第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層的界面產(chǎn)生電子和空穴，電子通過第一電荷產(chǎn) 生層注入發(fā)光功能層，相對于現(xiàn)有直接通過陰極產(chǎn)生電子并注入發(fā)光功能層，本發(fā)明實施 例提供的有機發(fā)光二極管器件，陰極可以采用任何導(dǎo)電材料形成，尤其是采用功函高且延 展性好的ΙΤ0形成陰極時有機發(fā)光二極管器件可用于柔性顯示，且電子直接通過第一電荷 產(chǎn)生層注入發(fā)光功能層，相對于現(xiàn)有技術(shù)中必須通過保護層注入發(fā)光功能層提高了電子的 注入效率，有利于提高有機發(fā)光二極管器件的性能以及延長有機發(fā)光二極管器件的壽命； 當陰極和陽極同時加載電壓，在電場作用下所述第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層的界面 產(chǎn)生電子和空穴，所述空穴通過第四電荷產(chǎn)生層注入發(fā)光功能層，這樣避免注入發(fā)光功能 層的空穴通過陽極產(chǎn)生，對陽極材料的限制問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)不意圖；
[0014] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種ΙΤ0做陰極的0LED器件的基本結(jié)構(gòu)不意圖；
[0015] 圖3為本發(fā)明實施例提供的一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016] 圖4為本發(fā)明實施例提供的另一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)不意圖；
[0017] 圖5為本發(fā)明實施例提供的另一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)不意圖；
[0019] 圖7為本發(fā)明實施例提供的另一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020] 圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)不意圖；
[0021] 圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022] 圖10為本發(fā)明實施例提供的另一種0LED器件的基本結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023] 附圖標記：
[0024] 1-陽極；2-空穴注入功能層；3-空穴傳輸功能層；4-發(fā)光功能層；5-電子傳輸功 能層；6-電子注入功能層；7-陰極；8-有機保護層；9-有機功能層；10-第一電荷產(chǎn)生層； 11-第二電荷產(chǎn)生層；12-第三電荷產(chǎn)生層；13-第四電荷產(chǎn)生層。

【具體實施方式】
[0025] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0026] 本發(fā)明實施例提供了一種有機發(fā)光二極管器件，如圖3-圖6所示，包括陰極7、陽 極1以及位于陰極7和陽極1之間的發(fā)光功能層4,還包括第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷 產(chǎn)生層11，和/或，第三電荷產(chǎn)生層12和第四電荷產(chǎn)生層13 ;其中，
[0027] 第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11位于陰極7和發(fā)光功能層4之間，且第 一電荷產(chǎn)生層10靠近發(fā)光功能層4,用于傳輸電子f ;第二電荷產(chǎn)生層11靠近陰極7,用于 傳輸空穴h+ ;
[0028] 第三電荷產(chǎn)生層12和第四電荷產(chǎn)生層13位于陽極1和發(fā)光功能層4之間，且第 三電荷產(chǎn)生層12靠近陽極1，用于傳輸電子eT ;第四電荷產(chǎn)生層13靠近發(fā)光功能層4,用于 傳輸空穴h+。
[0029] 需要說明的是，第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層位于陰極和發(fā)光功能層之間， 即第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層位于陰極和陽極之間，則當陰極和陽極同時加載電 壓，在電場的作用下，第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層的界面產(chǎn)生電子和空穴，電子通過 第一電荷產(chǎn)生層注入到發(fā)光功能層。即注入到發(fā)光功能層的電子的產(chǎn)生和注入與陰極材料 無關(guān)，則陰極材料的選取不受功函等其他條件的限制，陰極可以采用任何導(dǎo)電材料，拓寬了 發(fā)光二極管器件陰極材料的可選擇型。
[0030] 同理，第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層位于陽極和發(fā)光功能層之間，即第三電 荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層位于陰極和陽極之間，則當陰極和陽極同時加載電壓，在電場 的作用下，第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層的界面產(chǎn)生電子和空穴，空穴通過第四電荷 產(chǎn)生層注入發(fā)光功能層。即注入到發(fā)光功能層的空穴的產(chǎn)生和注入與陽極材料無關(guān)，則陽 極材料的選取不受功函等其他條件的限制，陽極可以采用任何導(dǎo)電材料，拓寬了發(fā)光二極 管器件陽極材料的可選擇型。
[0031] 其中，本發(fā)明實施例中，有機發(fā)光二極管器件，包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn) 生層，和/或，第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層；即有機發(fā)光二極管器件可以是如圖3、圖 4所不，僅包括第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11 ;或者，有機發(fā)光二極管器件可以是 如圖5所示，僅包括第三電荷產(chǎn)生層12和第四電荷產(chǎn)生層13 ;有機發(fā)光二極管器件還可以 是如圖6所示，包括第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11，以及第三電荷產(chǎn)生層12和第 四電荷產(chǎn)生層13。
[0032] 其中，第一電荷產(chǎn)生層和第三電荷產(chǎn)生層可以為有機η型摻雜層，第二電荷產(chǎn)生 層和第四電荷產(chǎn)生層可以為金屬氧化物層、有機層或有機Ρ型摻雜層。另外，第一電荷產(chǎn)生 層、第二電荷產(chǎn)生層、第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層還可以均為非摻雜層。且第一電荷 產(chǎn)生層、第二電荷產(chǎn)生層、第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層的厚度可以分別為5?20nm。
[0033] 下面，以第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層為例，具體說明，第一電荷產(chǎn)生層和第 二電荷產(chǎn)生層的具體材料。第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層可以參照第一電荷產(chǎn)生層和 第二電荷產(chǎn)生層。
[0034] 當?shù)谝浑姾僧a(chǎn)生層為有機η型摻雜層，第二電荷產(chǎn)生層為金屬氧化物層時，具體 的，第一電荷產(chǎn)生層可以是由Alq3(三（8-羥基喹啉）鋁）和Mg(鎂）形成的有機η型摻 雜層，則對應(yīng)的，第二電荷產(chǎn)生層可以是由W0 3(三氧化鎢）形成的金屬氧化物層；或者，第 一電荷產(chǎn)生層可以是由Bphen (4, 7-二苯基-1，10-鄰二氮雜菲）和Li (鋰）形成的有機η 型摻雜層，則對應(yīng)的，第二電荷產(chǎn)生層可以是由Μ〇03(三氧化鑰）形成的金屬氧化物層；或 者，第一電荷產(chǎn)生層可以是由BCP (2,9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲啰啉）和Li (鋰） 形成的有機η型摻雜層，則對應(yīng)的，第二電荷產(chǎn)生層可以是由V205 (五氧化二釩）形成的金 屬氧化物層。
[0035] 當?shù)谝浑姾僧a(chǎn)生層為有機η型摻雜層，第二電荷產(chǎn)生層為有機層時，具體的，第一 電荷產(chǎn)生層可以是由Alq3(三（8-羥基喹啉）鋁）和Li(鋰）形成的有機η型摻雜層，則 對應(yīng)的，第二電荷產(chǎn)生層可以是由HAT-CN(2, 3,6, 7,10,11-六氰基-1，4, 5,8,9,12-六氮基 苯并菲）形成的有機層。
[0036] 當?shù)谝浑姾僧a(chǎn)生層為有機η型摻雜層，第二電荷產(chǎn)生層為有機ρ型摻雜層時，具體 的，第一電荷產(chǎn)生層可以是由Bphen(4,7_二苯基-1，10-鄰二氮雜菲）和Cs(銫）形成的 有機η型摻雜層，則對應(yīng)的，第二電荷產(chǎn)生層可以是由ΝΡΒ(Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -雙（1-萘 基）-1，Γ -聯(lián)苯-4,4' -二胺）和 F4-TCNQ (2, 3, 5,6-四氟-7, 7'，8,8' -四氰二甲基對苯醌） 形成的有機P型摻雜層；或者，第一電荷產(chǎn)生層可以是由TPBI(1，3,5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯）和Li(鋰）形成的有機η型摻雜層，則對應(yīng)的，第二電荷產(chǎn)生層可以 是由咿8仇^-二苯基，，^-雙（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺）和？6(：1 3(三氯化 鐵）形成的有機Ρ型摻雜層；或者，第一電荷產(chǎn)生層可以是由Alq3(三（8-羥基喹啉）鋁） 和Mg(鎂）形成的有機η型摻雜層，則對應(yīng)的，第二電荷產(chǎn)生層可以是由m-MTDATA(4,4'， 4"-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺）和F 4-TCNQ(2,3,5,6-四氟_7,7'，8,8'_四 氰二甲基對苯醌）形成的有機P型摻雜層。
[0037] 當?shù)谝浑姾僧a(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層均為非摻雜層，具體的，第一電荷產(chǎn)生層 可以是由F 16CuPc (全氟酞菁銅）形成的非摻雜層，則對應(yīng)的，第二電荷產(chǎn)生層可以是由 CuPc (酞菁銅）形成的非摻雜層。
[0038] 發(fā)光功能層根據(jù)實際需要可以采用紅色、藍色或者綠色的熒光或磷光材料形成， 其厚度為20?60nm。
[0039] 當然，第一電荷產(chǎn)生層、第二電荷產(chǎn)生層、第三電荷產(chǎn)生層、第四電荷產(chǎn)生層以及 發(fā)光功能層的材料也不局限于上述材料，本發(fā)明實施例僅以上述為例進行說明。
[0040] 下面將結(jié)合附圖，詳細說明本發(fā)明實施例提供的有機發(fā)光二極管器件。
[0041] 實施例一：
[0042] 如圖3所示，為本發(fā)明實施例提供的一種有機發(fā)光二極管器件，包括：陽極1、發(fā)光 功能層4、陰極7、第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11。發(fā)光功能層4位于陽極1和 陰極7之間，第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11位于陰極7和發(fā)光功能層4之間，且 第一電荷產(chǎn)生層10靠近發(fā)光功能層4,用于向發(fā)光功能層4傳輸電子e'圖3所不的有機 發(fā)光二極管器件中，陽極1可以是采用高功函的ΙΤ0形成，以利于向發(fā)光功能層4傳輸空穴 h+ ;由于電子f是由第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11產(chǎn)生并通過第一電荷產(chǎn)生層 10直接注入發(fā)光功能層4,則陰極7可以采用任何的導(dǎo)電材料。例如陰極7也可以采用功 函高延展性好的ITO形成，且當陰極7采用延展性好的ITO形成時，如圖4所示，陰極7位 于第二電荷產(chǎn)生層11的上面，陰極7和第二電荷產(chǎn)生層11之間形成有保護層8。具體的， 采用ITO形成電極層時，一般通過磁控濺射的方法形成，陰極7位于第二電荷產(chǎn)生層11的 上面，為了避免磁控濺射形成陰極7時的高溫濺射對第二電荷產(chǎn)生層11造成損傷，在第二 電荷產(chǎn)生層11的上面形成保護層8。由于ITO的延展性好，則圖4所示的有機發(fā)光二極管 器件可以適用于柔性顯示設(shè)備。且本發(fā)明實施例及附圖，當陰極7和發(fā)光功能層4之間包 括第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11時，均以陰極7為采用ITO形成為例，則在陰極 7和第二電荷產(chǎn)生層11之間還形成保護層8。
[0043] 需要說明的是，本發(fā)明實施例中所述"上"、"下"以形成層結(jié)構(gòu)的順序為依據(jù)，在先 形成的層結(jié)構(gòu)即在下，在后形成的層結(jié)構(gòu)即在上。
[0044] 實施例二：
[0045] 如圖5所示，本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光二極管器件，包括：陽極1、陰極 7、發(fā)光功能層4、第三電荷產(chǎn)生層12和第四電荷產(chǎn)生層13。發(fā)光功能層4位于陽極1和陰 極7之間，第三電荷產(chǎn)生層12和第四電荷產(chǎn)生層13位于所述陽極1和所述發(fā)光功能層4之 間，且第四電荷產(chǎn)生層靠近發(fā)光功能層，用于向發(fā)光功能層4傳輸空穴h+。圖5所不的有機 發(fā)光二極管器件中，陰極7可以采用低功函但導(dǎo)電率高的金屬形成，以利于向發(fā)光功能層4 傳輸電子f ;由于空穴h+是由第三電荷產(chǎn)生層12和第四電荷產(chǎn)生層13產(chǎn)生并直接注入發(fā) 光功能層4,則陽極1可以采用任何的導(dǎo)電材料，例如陽極1也可以采用導(dǎo)電率更高的金屬 材料形成。
[0046] 實施例三：
[0047] 如圖6所示，本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光二極管器件，包括：陽極1、第一 電荷產(chǎn)生層10、第二電荷產(chǎn)生層11、發(fā)光功能層4、第三電荷產(chǎn)生層12、第四電荷產(chǎn)生層13 和陰極7。
[0048] 其中，第一電荷產(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11位于陰極7和發(fā)光功能層4之間， 且第一電荷產(chǎn)生層10靠近發(fā)光功能層4,用于向發(fā)光功能層4傳輸電子f ;第三電荷產(chǎn)生 層12和第四電荷產(chǎn)生層13位于陽極1和發(fā)光功能層4之間，且第四電荷產(chǎn)生層13靠近發(fā) 光功能層4,用于向發(fā)光功能層4傳輸空穴h+。圖6所不的有機發(fā)光二極管器件中，陰極和 陽極均可以采用導(dǎo)電率高的金屬形成。或者，陰極和陽極均可以采用延展性好的ΙΤ0形成， 以使得有機發(fā)光二極管器件可以適用于柔性顯示設(shè)備。
[0049] 實施例四：
[0050] 如圖7所示，本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光二極管器件，包括：陽極1、陰極 7、發(fā)光功能層4、第一電荷產(chǎn)生層10、第二電荷產(chǎn)生層11以及電子傳輸功能層5 ;其中，電 子傳輸功能層5位于第一電荷產(chǎn)生層10和發(fā)光功能層4之間。則當?shù)谝浑姾僧a(chǎn)生層10和 第二電荷產(chǎn)生層11在電場作用下產(chǎn)生電子f和空穴h+，電子f通過第一電荷產(chǎn)生層10以 及電子傳輸功能層5注入到發(fā)光功能層4,電子傳輸功能層4有利于電子f的傳輸，進而可 以提高注入到發(fā)光功能層4的電子f的傳輸效率，提高有機發(fā)光二極管器件的性能。
[0051] 具體的，電子傳輸層可以采用Bphen(4,7-二苯基-1，10-鄰二氮雜菲）或 1^^8(1，3,5-三〔（3-吡啶基）-3-苯基〕苯）形成，其厚度為10?3〇11111。
[0052] 需要說明的是，圖7所示的有機發(fā)光二極管器件還可以是在陽極1和發(fā)光功能層 4之間包括第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層。
[0053] 實施例五：
[0054] 如圖8所示，本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光二極管器件，包括：陽極1、陰極 7、發(fā)光功能層4、第一電荷產(chǎn)生層10、第二電荷產(chǎn)生層11、電子傳輸功能層5以及電子注入 功能層6。其中，電子注入功能層6位于述第一電荷產(chǎn)生層10和電子傳輸功能層5之間。則 當?shù)谝浑姾僧a(chǎn)生層10和第二電荷產(chǎn)生層11在電場作用下產(chǎn)生電子和空穴h+，電子（通 過第一電荷產(chǎn)生層10以及電子傳輸功能層5以及電子注入功能層6注入到發(fā)光功能層4， 電子注入功能層6有利于電子f的注入，進而可以提高注入到發(fā)光功能層4的電子的注入 效率，提1?有機發(fā)光-極管器件的性能。
[0055] 需要說明的是，圖8所示的有機發(fā)光二極管器件還可以是在陽極1和發(fā)光功能層 4之間包括第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層。
[0056] 實施例六：
[0057] 如圖9所示，本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光二極管器件，包括：陽極1、陰極 7、發(fā)光功能層4、第三電荷產(chǎn)生層12、第四電荷產(chǎn)生層13以及空穴傳輸功能層3 ;其中，空 穴傳輸功能層3位于第四電荷產(chǎn)生層13和發(fā)光功能層4之間。則當?shù)谌姾僧a(chǎn)生層12和 第四電荷產(chǎn)生層13在電場作用下產(chǎn)生電子f和空穴h+，空穴h+通過第四電荷產(chǎn)生層13以 及空穴傳輸功能層3注入到發(fā)光功能層4,空穴傳輸功能層3有利于空穴h+的傳輸，進而可 以提高注入到發(fā)光功能層4的空穴h+的傳輸效率，提高有機發(fā)光二極管器件的性能。
[0058] 其中，空穴傳輸層可以是采用有機材料NPB(N，N'_二苯基-N，N'_雙（1-萘基）_1， Γ -聯(lián)苯-4,4' -二胺）或CBP (4,4' -N，Ν' -二咔唑聯(lián)苯）形成，其厚度為20?70nm。
[0059] 需要說明的是，圖9所示的有機發(fā)光二極管器件還可以是在陰極7和發(fā)光功能層 4之間包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層；或者，在陰極7和發(fā)光功能層4之間包括第 一電荷產(chǎn)生層、第二電荷產(chǎn)生層以及電子傳輸功能層；還可以是，在陰極7和發(fā)光功能層4 之間包括第一電荷產(chǎn)生層、第二電荷產(chǎn)生層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層。
[0060] 實施例七：
[0061] 如圖10所示，本發(fā)明實施例還提供了一種有機發(fā)光二極管器件，包括陽極1、陰極 7、發(fā)光功能層4、第三電荷產(chǎn)生層12、第四電荷產(chǎn)生層13、空穴傳輸功能層3以及空穴注入 功能層2 ;其中，空穴注入功能層2位于第四電荷產(chǎn)生層13和空穴傳輸功能層3之間。則 當?shù)谌姾僧a(chǎn)生層12和第四電荷產(chǎn)生層13在電場作用下產(chǎn)生電子f和空穴h+，空穴h+通 過第四電荷產(chǎn)生層13、空穴傳輸功能層3以及空穴注入功能層2注入到發(fā)光功能層4,空穴 注入功能層2有利于空穴h+的注入，進而可以提高注入到發(fā)光功能層4的空穴h+的注入效 率，提高有機發(fā)光二極管器件的性能。
[0062] 其中，空穴注入層可以由金屬氧化物例如M〇03(三氧化鑰）形成；還可以是p型摻 雜層，例如由即8(仏^-二苯基4，^-雙（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺）和此0 3(三 氧化鑰）形成的有機P型摻雜層，或者由NPB(N，N'_二苯基-N，N'_雙（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4,4'-二胺）和FeCl 3 (三氯化鐵）形成的有機ρ型摻雜層，或者由CBP (4,4'-Ν，Ν'-二 咔唑聯(lián)苯）和W03(三氧化鎢）形成的有機ρ型摻雜層，或者由m-MTDATA(4,4'，4"-三 (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺））和？ 41^觸(2,3,5,6_四氟_7,7'，8,8'_四氰二甲 基對苯醌）形成的有機P型摻雜層，且空穴注入層的厚度為1?30nm。
[0063] 需要說明的是，圖10所示的有機發(fā)光二極管器件還可以是在陰極7和發(fā)光功能層 4之間包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層；或者，在陰極7和發(fā)光功能層4之間包括第 一電荷產(chǎn)生層、第二電荷產(chǎn)生層以及電子傳輸功能層；還可以是，在陰極7和發(fā)光功能層4 之間包括第一電荷產(chǎn)生層、第二電荷產(chǎn)生層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層。
[0064] 本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的任一所述的有機發(fā) 光二極管器件。所述顯示裝置可以為OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極 管）顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等任何具 有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0065] 優(yōu)選的，所述有機發(fā)光二極管器件至少包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層， 則有機發(fā)光二極管器件的陰極和陽極均采用ΙΤ0形成，顯示裝置可以為柔性顯示裝置。具 體的，有機發(fā)光二極管器件可以是如圖4、圖6、圖7、圖8所示，本發(fā)明實施例優(yōu)選以顯示裝 置包括圖8所示的有機發(fā)光二極管器件。
[0066] 由于ΙΤ0具有延展性，采用ΙΤ0形成陰極和陽極的有機發(fā)光二極管器件可以使用 在柔性顯示裝置中，避免了柔性顯示裝置中采用金屬形成陰極，陰極容易發(fā)生斷裂的問題。 且有機發(fā)光二極管器件通過第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層產(chǎn)生電子，并通過第一電荷 產(chǎn)生層直接注入到發(fā)光功能層，相對于現(xiàn)有的陰極為ΙΤ0,電子必須通過保護層注入發(fā)光功 能層的電子注入方式，本發(fā)明實施例提供的有機發(fā)光二極管器件提高了電子的注入效率， 有利于提高有機發(fā)光二極管器件的性能。
[0067] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機發(fā)光二極管器件，包括陰極、陽極以及位于所述陰極和所述陽極之間的發(fā) 光功能層，其特征在于，還包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層，和/或，第三電荷產(chǎn)生 層和第四電荷產(chǎn)生層；其中， 所述第一電荷產(chǎn)生層和所述第二電荷產(chǎn)生層位于所述陰極和所述發(fā)光功能層之間，且 所述第一電荷產(chǎn)生層靠近所述發(fā)光功能層，用于傳輸電子；所述第二電荷產(chǎn)生層靠近所述 陰極，用于傳輸空穴； 所述第三電荷產(chǎn)生層和所述第四電荷產(chǎn)生層位于所述陽極和所述發(fā)光功能層之間，且 所述第三電荷產(chǎn)生層靠近所述陽極，用于傳輸電子；所述第四電荷產(chǎn)生層靠近所述發(fā)光功 能層，用于傳輸空穴。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管器 件包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層，還包括電子傳輸功能層；其中，所述電子傳輸功 能層位于所述第一電荷產(chǎn)生層和所述發(fā)光功能層之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管器 件還包括電子注入功能層，所述電子注入功能層位于所述第一電荷產(chǎn)生層和所述電子傳輸 功能層之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管器 件包括第三電荷產(chǎn)生層和第四電荷產(chǎn)生層，還包括空穴傳輸功能層；其中，所述空穴傳輸功 能層位于所述第四電荷產(chǎn)生層和所述發(fā)光功能層之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述有機發(fā)光二極管器 件還包括空穴注入功能層，所述空穴注入功能層位于所述第四電荷產(chǎn)生層和所述空穴傳輸 功能層之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的有機發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述陰極具有延展 性。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二極管器件，其特征在于，形成所述陰極的材料為 ITO。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述陰極位于所述第二 電荷產(chǎn)生層的上面，且通過磁控濺射的方法形成，所述陰極和所述第二電荷產(chǎn)生層之間形 成有保護層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述第一電荷產(chǎn)生層和 所述第三電荷產(chǎn)生層為有機η型摻雜層，所述第二電荷產(chǎn)生層和所述第四電荷產(chǎn)生層為金 屬氧化物層、有機層或有機Ρ型摻雜層；或者，所述第一電荷產(chǎn)生層、所述第二電荷產(chǎn)生層、 所述第三電荷產(chǎn)生層和所述第四電荷產(chǎn)生層均為非摻雜層。
10. -種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項所述的有機發(fā)光二極管器 件。
【文檔編號】H01L51/50GK104218165SQ201410413349
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月20日
【發(fā)明者】陳磊, 吳海東, 金泰逵 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司