發(fā)光二極管外延生長方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管外延生長方法。該方法包括：在襯底上，從下至上依次生長緩沖層、非摻雜層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層和P型摻雜層，非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長，其中，生長環(huán)境包括生長溫度和生長速率。通過采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)非摻雜層的生長溫度和生長速率交替的生長方式生長非摻雜層，可以有效地改善外延在高溫下的翹曲度，進而提高外延波長分布的均勻性和LED的質(zhì)量。進一步的，還可以有效降低測試和分選成本。
【專利說明】發(fā)光二極管外延生長方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種發(fā)光二極管外延生長方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管的外延波長的均勻性對發(fā)光二極管的性能有重要影響，而對波長調(diào)節(jié) 起關(guān)鍵作用的組分銦In在量子阱（InxGal-xN)中的摻雜量對溫度非常敏感，1°C的溫度的 變化就會引起發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，簡稱LED)波長3-5nm的漂移，并且在 760°C左右生長量子阱時，翹曲度的稍微改變就會使得外延中的溫度有2-3°C的變化，從而 會使得LED波長漂移的程度加深。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，利用金屬有機化合物化學氣相沉積法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,簡稱M0CVD)生長LED外延時，外延襯底與外延層之間會存在一定的晶 格失配，晶格失配控制不好就會出現(xiàn)應(yīng)力釋放不完善從而導(dǎo)致外延在高溫下發(fā)生一定的形 變，也即，會導(dǎo)致外延的翹曲度的變化，外延的翹曲度的變化會造成外延中溫度分布的不均 勻，進而影響外延波長的均勻性。
[0004] 利用上述方法生長出來的LED，由于外延襯底與外延層生長的過程中會釋放應(yīng) 力，使得外延的翹曲度過大，從而會導(dǎo)致外延波長分布不均勻，使得波長標準差（Standard Deviation，簡稱STD) -般位于2. Onm-3. Onm之間，波長差一般為12nm左右，降低了 LED的 質(zhì)量。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光二極管外延生長方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中由于外延中 波長分布不均勻，導(dǎo)致LED質(zhì)量較差的問題。
[0006] 本發(fā)明第一方面提供一種發(fā)光二極管外延生長方法，包括：
[0007] 在襯底上，從下至上依次生長緩沖層、非摻雜層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層和P型 摻雜層，所述非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長，
[0008] 其中，所述生長環(huán)境包括生長溫度和生長速率。
[0009] 在第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng) 室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長，包括：
[0010] 步驟a :在第一生長溫度與第一生長速率下生長第一厚度的所述非摻雜層，所述 第一生長速率為與所述第一生長溫度對應(yīng)的生長速率；
[0011] 步驟b :采用退火方式將所述第一生長溫度降低至第二生長溫度；
[0012] 步驟c :在所述第二生長溫度與第二生長速率下生長第二厚度的所述非摻雜層， 所述第二生長速率為與所述第二生長溫度對應(yīng)的生長速率。
[0013] 在第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中，若生長的第二厚度的所述非摻雜層的翹 曲度沒有達到預(yù)設(shè)值，則重新確定第三生長溫度、所述第三生長溫度對應(yīng)的第三生長速率、 第四生長溫度和所述第四生長溫度對應(yīng)的第四生長速率，并用所述第三生長溫度替換所述 第一生長溫度，用所述第四生長溫度替換所述第二生長溫度，用所述第三生長速率替換所 述第一生長速率，用所述第四生長速率替換所述第二生長速率，重新執(zhí)行步驟a-c用于生 成第二厚度的所述非摻雜層的過程。
[0014] 結(jié)合第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能的實現(xiàn)方式 中，所述第三生長溫度與所述第一生長溫度相同，所述第三生長速率與所述第一生長速率 相同；
[0015] 所述第四生長溫度與所述第二生長溫度相同，所述第四生長速率與所述第二生長 速率相同。
[0016] 結(jié)合第一方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能的實現(xiàn)方式 中，所述第三生長溫度與所述第一生長溫度不同，所述第三生長速率與所述第一生長速率 不同；
[0017] 所述第四生長溫度與所述第二生長溫度不同，所述第四生長速率與所述第二生長 速率不同。
[0018] 結(jié)合第一方面的第一種至第四種任一種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可 能的實現(xiàn)方式中，所述第一生長溫度和所述第二生長溫度的差值小于等于300°c并大于等 于 20°C。
[0019] 結(jié)合第一方面、第一方面的第一種至第四種任一種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面 的第六種可能的實現(xiàn)方式中，所述襯底為凹形襯底或者凸形襯底，所述凹形襯底對應(yīng)的非 摻雜層的生長速率小于2. 5um/h并大于等于0. 5um/h，所述凸形襯底對應(yīng)的非摻雜層的生 長速率小于等于5um/h并大于等于2. 5um/h。
[0020] 結(jié)合第一方面、第一方面的第一種至第四種任一種可能的實現(xiàn)方式，在第一方面 的第七種可能的實現(xiàn)方式中，所述襯底為藍寶石A1 203、硅Si或碳化硅SiC ;所述緩沖層、所 述非摻雜層、所述N型摻雜層、所述量子阱發(fā)光層和所述P型摻雜層為氮化鎵GaN。
[0021] 本發(fā)明提供的發(fā)光二極管外延生長方法，包括：在襯底上，從下至上依次生長緩沖 層、非摻雜層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層和P型摻雜層，非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng) 室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長，其中，生長環(huán)境包括生長溫度和生長速率。通過采 用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)非摻雜層的生長溫度和生長速率交替的生長方式生長非摻雜 層，可以有效地改善外延在高溫下的翹曲度，進而提高外延波長分布的均勻性和LED的質(zhì) 量。進一步的，還可以有效降低測試和分選成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā) 明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023] 圖1本發(fā)明實施例提供的采用調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)生長環(huán)境與一次退火過程相結(jié)合的 方式來生長非摻雜層的方法流程示意圖；
[0024] 圖2為本發(fā)明一實施例提供的發(fā)光二極管外延生長方法中溫度的變化示意圖；
[0025] 圖3為本發(fā)明另一實施例提供的發(fā)光二極管外延生長方法中溫度的變化示意圖。

【具體實施方式】
[0026] 為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例 中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是 本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0027] 下面通過具體的實施例及附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。
[0028] 本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光二極管外延生長方法，該方法具體可以包括：
[0029] 在襯底上，從下至上依次生長緩沖層、非摻雜層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層和P型 摻雜層，非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長，
[0030] 其中，生長環(huán)境包括生長溫度和生長速率。
[0031] 具體的，本實施例中襯底可以為藍寶石A1203、硅Si或碳化硅SiC等，緩沖層、非摻 雜層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層和P型摻雜層可以為氮化鎵GaN等。并且可以采用現(xiàn)有技 術(shù)中的各種方法在襯底上生長緩沖層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層和P型摻雜層，而非摻雜 層則采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長。
[0032] 可選的，非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生 長的過程中可以包括一次退火過程，具體如圖1所示，該方法包括：
[0033] 步驟101 :在第一生長溫度與第一生長速率下生長第一厚度的非摻雜層，第一生 長速率為與第一生長溫度對應(yīng)的生長速率。
[0034] 步驟102 :采用退火過程將第一生長溫度降低至第二生長溫度。
[0035] 步驟103 :在第二生長溫度與第二生長速率下生長第二厚度的非摻雜層，第二生 長速率為與第二生長溫度對應(yīng)的生長速率。
[0036] 其中，第二生長溫度和第一生長溫度的差值可以為[20°C -300°C ]之間的任一溫 度值。
[0037] 可選的，非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生 長的過程中可以包括至少兩次退火過程，具體為：
[0038] 若經(jīng)過步驟101-步驟103所生長的第二厚度的非摻雜層的翹曲度沒有達到預(yù)設(shè) 值，也即其翹曲的成都會影響到外延波長的均勻性，或者生長的第二厚度的非摻雜層的表 面不平整，則重新確定第三生長溫度、第三生長溫度對應(yīng)的第三生長速率、第四生長溫度和 第四生長溫度對應(yīng)的第四生長速率，并用第三生長溫度替換第一生長溫度，用第四生長溫 度替換第二生長溫度，用第三生長速率替換第一生長速率，用第四生長速率替換第二生長 速率，重新執(zhí)行步驟101-步驟103用于生成第二厚度的非摻雜層的過程。
[0039] 在本發(fā)明的一種實現(xiàn)方式中，此循環(huán)過程中第三生長溫度與第一生長溫度相同， 第三生長速率與第一生長速率相同；第四生長溫度與第二生長溫度相同，第四生長速率與 第二生長速率相同。
[0040] 在本發(fā)明的另一種實現(xiàn)方式中，此循環(huán)過程中，第三生長溫度與第一生長溫度不 同，第三生長速率與第一生長速率不同；第四生長溫度與第二生長溫度不同，第四生長速率 與第二生長速率不同。
[0041] 步驟101-步驟103用于生長非摻雜層的過程可以多次循環(huán)，有助于調(diào)節(jié)最終生成 的外延的翹曲度。
[0042] 進一步的，襯底為凹形襯底或者凸形襯底，凹形襯底對應(yīng)的非摻雜層的生長速率 小于2. 5um/h并大于等于0. 5um/h，凸形襯底對應(yīng)的非摻雜層的生長速率小于等于5um/h并 大于等于2. 5um/h。在實際應(yīng)用中，根據(jù)襯底凹凸程度的不同可調(diào)節(jié)生長速率。
[0043] 在具體的應(yīng)用中，首先在襯底上生長緩沖層，然后利用本發(fā)明實施例提供的方法 生長非摻雜層，進一步的生長N型摻雜層、再生長量子阱發(fā)光層，最后生長P型摻雜層。在 外延生長過程全部完成之后，通過測量外延波長，并計算外延波長的STD，對外延波長分布 的均勻性的改善效果進行檢驗，經(jīng)檢驗可得知，本發(fā)明實施例提供的方法可以使外延波長 差從12nm減小到6nm以內(nèi)，均勻性提高50%以上，STD由nm2. 0_3nm降低到0. 8nm_l. 5nm。
[0044] 本實施例提供的發(fā)光二極管外延生長方法，包括：在襯底上，從下至上依次生長緩 沖層、非摻雜層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層和P型摻雜層，非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反 應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長，其中，生長環(huán)境包括生長溫度和生長速率。通過 采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)非摻雜層的生長溫度和生長速率交替的生長方式生長非摻 雜層，可以有效地改善外延在高溫下的翹曲度，進而提高外延波長分布的均勻性和LED的 質(zhì)量。進一步的，還可以有效降低測試和分選成本。
[0045] 下面通過兩個具體實施例，分別對GaN基LED的1次退火外延生長過程、5次恒溫 退火外延生長過程和3次變溫退火外延生長過程進行詳細描述。
[0046] 圖2為本發(fā)明一實施例提供的發(fā)光二極管外延生長方法中溫度的變化示意圖，該 方法中的襯底為凹形襯底，且采用一次退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相結(jié)合的方式 進行非摻雜層的生長，如圖2所示：
[0047] 步驟201 :首先將凹形圖形化藍寶石基板，（Patterned Sapphire Substrate, 簡稱PSS)放入反應(yīng)室中，此階段反應(yīng)室內(nèi)氮氣（N2):氫氣（H2):氨氣（NH 3)的流量比例為 (0:120:0)升/ 分鐘（Standard Liter per Minute,簡稱 SLM),反應(yīng)室的壓力為 200 托 (Torr)，然后將反應(yīng)室將的溫度升高到1080°C，持續(xù)300秒，對PSS進行高溫凈化。
[0048] 步驟202 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度降低至540°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流量比例 為（75:150:56) SLM，反應(yīng)室的壓力控制在500Torr，此時生長35nm厚度的低溫GaN緩沖層。
[0049] 步驟203 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度又一次升高到1080°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流 量比例為（75:150:56)5111，反應(yīng)室的壓力控制在2001'〇1^，生長速率控制在1.511111/11，此時 生長厚度為180nm的高溫非摻雜氮化鎵U-GaN層。
[0050] 步驟204 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度經(jīng)退火過程從23°C降低到950°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 : H2 :NH3的流量比例為（75:150:56)SLM，反應(yīng)室的壓力控制在500Torr，此階段用于生長 200nm厚度的低溫U-GaN層。
[0051] 步驟205 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度升高到1050°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流量比例 為（75:150:56)SLM，反應(yīng)室的壓力控制在200Torr，生長速率控制在1. 5um/h，此時生長厚 度為600nm的聞溫U_GaN層。
[0052] 步驟206 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度保持在1050°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流量比例 為（64:120:50) SLM，反應(yīng)室的壓力控制在200Torr，生長lOOOnm厚度的N型氮化鎵N-GaN 層。
[0053] 進一步的，將反應(yīng)室內(nèi)溫度控制在750-880°C之間，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的 流量比例為（72:0:40) SLM，反應(yīng)室的壓力控制在200Torr，760°C時生長量子阱，860°C時生 長量子壘，共13對量子阱發(fā)光層。
[0054] 進一步的，將反應(yīng)室內(nèi)溫度升高到960°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流量比例 為（64:120:50) SLM，反應(yīng)室的壓力控制在200Torr，生長厚度為200nm的P型氮化鎵P-GaN 。。
[0055] 最后利用光致發(fā)光光譜測試儀測量外延的波長，并計算外延波長STD值，通過 計算可得，外延的波長差從12nm減小到6nm以內(nèi)，均勻性提高50 %以上，波長STD由 2. 0-3. Onm 降低到 1. 0-1. 5nm。
[0056] 本實施例提供的發(fā)光二極管外延生長方法，利用一次退火與低生長速率結(jié)合方式 交替生長非摻雜層，可以有效地改善外延在高溫下的翹曲度，進而提高波長分布的均勻性 和LED的質(zhì)量。另外，還可以在一定程度上降低測試和分選成本。
[0057] 圖3為本發(fā)明另一實施例提供的發(fā)光二極管外延生長方法中溫度的變化示意圖， 該方法中的襯底為凸形襯底，且且采用一次退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相結(jié)合的 方式進行非摻雜層的生長，如圖3所示，該方法包括：
[0058] 步驟301 :首先將凸形圖形化藍寶石基板（Patterned Sapphire Substrate,簡 稱PSS)放入反應(yīng)室中，此階段反應(yīng)室內(nèi)氮氣（N2):氫氣（H2):氨氣（NH 3)的流量比例為 (0:120:0)升/ 分鐘（Standard Liter per Minute,簡稱 SLM),反應(yīng)室的壓力為 500 托 (Torr)，然后將反應(yīng)室內(nèi)溫度升高到1080°C，持續(xù)300秒，對PSS襯底進行高溫凈化。
[0059] 步驟302 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度降低至550°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流量比例 為（75:150:56) SLM，反應(yīng)室的壓力控制在500Torr，此時在凸形PSS襯底上生長35nm厚度 的低溫GaN緩沖層。
[0060] 步驟303 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度又一次升高到1080°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流 量比例為（75:150:56)SLM，反應(yīng)室的壓力控制在200Torr，生長速率控制在2. 5um/h，生長 300nm厚度的高溫非摻雜氮化鎵U-GaN層。
[0061] 步驟304 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度經(jīng)退火過程從23°C降低到950°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 : H2 :NH3的流量比例為（75:150:56) SLM，反應(yīng)室的壓力控制在500Torr，比階段用于生長厚度 為400nm的低溫U-GaN層24。
[0062] 步驟305 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度升高到1050°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流量比例 為（75:150:56)SLM，反應(yīng)室的壓力控制在200Torr，生長速率控制在2. 5um/h，此階段用于 生長厚度為300nm的聞溫U_GaN層。
[0063] 步驟306 :將反應(yīng)室內(nèi)溫度保持在1050°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流量比例 為（64:120:50)SLM，反應(yīng)室的壓力控制在 200Torr，此階段用于生長厚度為 800nm的N型氮 化鎵N-GaN層。
[0064] 進一步的，還需將反應(yīng)室內(nèi)溫度控制在750-880°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的 流量比例為（72:0:40) SLM，反應(yīng)室的壓力控制在200Torr，當反應(yīng)室內(nèi)溫度為750°C時生長 量子阱，當反應(yīng)室內(nèi)溫度為860°C時生長量子壘，一共生長12對量子阱發(fā)光層。
[0065] 進一步的，還需將反應(yīng)室內(nèi)溫度升高到950°C，此階段反應(yīng)室內(nèi)N2 :H2 :NH3的流量 比例為（64:120:50)5111，反應(yīng)室的壓力控制在2001'〇1^，此階段用于生長厚度為30011111的？ 型氮化鎵P-GaN層。。
[0066] 最后利用光致發(fā)光光譜測試儀測量外延的波長，并計算外延的波長標準差（STD) 值，通過計算可得，外延的波長差從12nm減小到6nm以內(nèi)，均勻性提高50%以上，波長STD 由 2. 0-3. Onm 降低到 1. 0-1. 5nm。
[0067] 本實施例提供的發(fā)光二極管外延生長方法，利用一次退火與高生長速率結(jié)合方式 交替生長非摻雜層，可以有效地改善外延在高溫下的翹曲度，進而提高波長分布的均勻性 和LED的質(zhì)量。另外，還可以在一定程度上降低測試和分選成本。
[0068] 最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制； 盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解：其 依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征 進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技 術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管外延生長方法，其特征在于，包括： 在襯底上，從下至上依次生長緩沖層、非摻雜層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層和P型摻雜 層，所述非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng)室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長， 其中，所述生長環(huán)境包括生長溫度和生長速率。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述非摻雜層采用退火過程與調(diào)節(jié)反應(yīng) 室內(nèi)的生長環(huán)境相交替的方式進行生長，包括： 步驟a :在第一生長溫度與第一生長速率下生長第一厚度的所述非摻雜層，所述第一 生長速率為與所述第一生長溫度對應(yīng)的生長速率； 步驟b :采用退火方式將所述第一生長溫度降低至第二生長溫度； 步驟c :在所述第二生長溫度與第二生長速率下生長第二厚度的所述非摻雜層，所述 第二生長速率為與所述第二生長溫度對應(yīng)的生長速率。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，若生長的第二厚度的所述非摻雜層的翹 曲度沒有達到預(yù)設(shè)值，則重新確定第三生長溫度、所述第三生長溫度對應(yīng)的第三生長速率、 第四生長溫度和所述第四生長溫度對應(yīng)的第四生長速率，并用所述第三生長溫度替換所述 第一生長溫度，用所述第四生長溫度替換所述第二生長溫度，用所述第三生長速率替換所 述第一生長速率，用所述第四生長速率替換所述第二生長速率，重新執(zhí)行步驟a-c用于生 成第二厚度的所述非摻雜層的過程。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三生長溫度與所述第一生長溫度 相同，所述第三生長速率與所述第一生長速率相同； 所述第四生長溫度與所述第二生長溫度相同，所述第四生長速率與所述第二生長速率 相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三生長溫度與所述第一生長溫度 不同，所述第三生長速率與所述第一生長速率不同； 所述第四生長溫度與所述第二生長溫度不同，所述第四生長速率與所述第二生長速率 不同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2-5任一項所述的方法，其特征在于，所述第一生長溫度和所述第二 生長溫度的差值小于等于300°C并大于等于20°C。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，所述襯底為凹形襯底或者凸形 襯底，所述凹形襯底對應(yīng)的非摻雜層的生長速率小于2. 5um/h并大于等于0. 5um/h，所述凸 形襯底對應(yīng)的非摻雜層的生長速率小于等于5um/h并大于等于2. 5um/h。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，所述襯底為藍寶石A1203、硅Si 或碳化硅SiC ; 所述緩沖層、所述非摻雜層、所述N型摻雜層、所述量子阱發(fā)光層和所述P型摻雜層為 氮化鎵GaN。
【文檔編號】H01L33/00GK104157750SQ201410421863
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月25日
【發(fā)明者】焦建軍, 黃炳源, 周德保, 康建, 梁旭東 申請人:圓融光電科技有限公司