国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      陣列基板及顯示裝置制造方法

      文檔序號:7056849閱讀:210來源:國知局
      陣列基板及顯示裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板,包括沿第一方向的多條柵極線;沿第二方向的多條數(shù)據(jù)線,第二方向與第一方向相互垂直,多條數(shù)據(jù)線與柵極線交錯形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu);位于網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管,薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極,其中柵極的形成材料為透明導(dǎo)電材料,且有源層的形成材料為透明氧化物半導(dǎo)體材料。本發(fā)明所提供的陣列基板及顯示裝置中,TFT的柵極采用透明導(dǎo)電材料,有源層采用透明氧化物半導(dǎo)體材料,使柵極和有源層的光線透過率大大提高,從而極大地提高了TFT整體的光線透過率,減小了每個像素遮擋部分的面積,提高了像素開口率,增大了裝置的顯示亮度。
      【專利說明】陣列基板及顯示裝置

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

      【背景技術(shù)】
      [0002] OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置是目前主流的 顯示器件之一,具有主動發(fā)光、視角范圍大;響應(yīng)速度快,圖像穩(wěn)定;亮度高、色彩豐富、分 辨率高;驅(qū)動電壓低、能耗低等一系列優(yōu)點(diǎn)。
      [0003] 按照驅(qū)動方式的不同,0LED顯示裝置分為PMOLED (Passive matrix Organic Light-Emitting Diode,無源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置和AM0LED(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置兩種。相對于PMOLED 顯示裝置,AM0LED顯示裝置的反應(yīng)速度更快,適用于各種尺寸面板的需求,因而受到廣泛的 關(guān)注。
      [0004] AM0LED顯示裝置包括陣列式排布的多個像素,每個像素包括遮擋部分和透光部 分,遮擋部分需要對像素的配線、TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)等不透光元件 進(jìn)行遮擋,透光部分光線能夠透過。透光部分面積占整個像素面積的比例為像素的開口率, 開口率越商,顯不裝直的顯不殼度就越商。
      [0005] 現(xiàn)有技術(shù)中,為了提高AM0LED顯示裝置的TFT陣列基板的均勻性,達(dá)到較好的顯 示效果,通常會在每個像素中設(shè)置多個TFT (至少為兩個,一般大于3個),引起像素的遮擋 部分面積增大,透光部分面積減小,導(dǎo)致像素開口率降低,顯示亮度下降。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題為:提供一種陣列基 板及顯示裝置,以增大像素開口率,提高顯示亮度。
      [0007] 為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
      [0008] -種陣列基板,包括:沿第一方向的多條柵極線;沿第二方向的多條數(shù)據(jù)線,所述 第二方向與所述第一方向相互垂直,所述多條數(shù)據(jù)線與所述柵極線交錯形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu);位 于所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括:柵極、有源層、源極和 漏極;其中,所述柵極的形成材料為透明導(dǎo)電材料,且所述有源層的形成材料為透明氧化物 半導(dǎo)體材料。
      [0009] 優(yōu)選的,所述柵極的形成材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、鋅錫氧 化物中的至少一種。
      [0010] 優(yōu)選的,所述柵極線的形成材料為金屬,且所述柵極線與所述柵極電性相連。
      [0011] 優(yōu)選的,所述有源層的形成材料為氧化鋅、氧化錫、氧化鉻、氧化鋁、銦鎵鋅氧化物 中的至少一種。
      [0012] 優(yōu)選的,所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極的形成材料為金屬,且所述源極和所述 漏極在垂直于所述柵極線的方向上的尺寸為3 μ m?5 μ m。
      [0013] 優(yōu)選的,所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管或頂柵型薄膜晶體管。
      [0014] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括:以上所述的陣列基板。
      [0015] 優(yōu)選的,所述顯示裝置還包括:設(shè)置于所述陣列基板上的有機(jī)發(fā)光二極管器件。
      [0016] 優(yōu)選的,所述顯示裝置為底出光式有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置或頂出光式 有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
      [0017] 本發(fā)明所提供的陣列基板及顯示裝置中,TFT的柵極采用透明導(dǎo)電材料,有源層 采用透明氧化物半導(dǎo)體材料,使柵極和有源層的光線透過率大大提高。由于TFT無法透過 光線主要是由其柵極和有源層的遮擋引起的,因此本發(fā)明中使柵極和有源層由透明材料形 成,能夠極大地提高了 TFT整體的光線透過率,減小了每個像素遮擋部分的面積,提高了像 素開口率,增大了裝置的顯示亮度。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0018] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以 根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
      [0019] 圖1為本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的截面圖;
      [0020] 圖2為本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的平面圖。

      【具體實施方式】
      [0021] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面將結(jié)合本發(fā)明實施 例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例 僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技 術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例,均屬于本發(fā)明保護(hù)的范 圍。
      [0022] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板,包括:沿第一方向的多條柵極線;沿第二方 向的多條數(shù)據(jù)線,第二方向與第一方向相互垂直,多條數(shù)據(jù)線與柵極線交錯形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu); 位于網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)的TFT,如圖1和圖2所示,TFT包括:柵極102、有源層104、源 極106和漏極107 ;其中,柵極102的形成材料為透明導(dǎo)電材料,且有源層104的形成材料 為透明氧化物半導(dǎo)體材料。
      [0023] 上述陣列基板中,TFT的柵極采用透明導(dǎo)電材料,有源層采用透明氧化物半導(dǎo)體材 料,極大地提高了柵極和有源層的光線透過率,從而使TFT整體的光線透過率大大提高,減 小了每個像素遮擋部分的面積,增大了透光部分的面積,提高了像素開口率。
      [0024] 本實施例中,柵極102的形成材料為優(yōu)選的可為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵鋅 氧化物、鋅錫氧化物等中的至少一種,以保證柵極102具有較小的電阻。
      [0025] 柵極線201的形成材料優(yōu)選的為金屬,且柵極線201與柵極102電性相連,以通過 柵極線201向柵極102施加?xùn)艠O驅(qū)動信號,開啟TFT。
      [0026] 本實施例中,柵極線201與柵極102優(yōu)選的位于同一層中,二者可利用構(gòu)圖工藝形 成,且由于形成材料不同,柵極線201與柵極102優(yōu)選的形成于不同的構(gòu)圖工藝步驟下。
      [0027] 有源層104的形成材料優(yōu)選的可為氧化鋅、氧化錫、氧化鉻、氧化鋁、銦鎵鋅氧化 物等材料中的至少一種。
      [0028] 數(shù)據(jù)線、源極106和漏極107的形成材料優(yōu)選的可為金屬,以保證具有良好的導(dǎo)電 性能。
      [0029] 數(shù)據(jù)線與源極106電性相連,以通過數(shù)據(jù)線向源極106施加不同的數(shù)據(jù)信號,使漏 極107輸出不同的電壓信號,進(jìn)而使與漏極107電性相連的像素電極具有不同的電壓。
      [0030] 需要說明的是,由于源極106與漏極107的作用主要為導(dǎo)電,因此通常情況下源極 106與漏極107的尺寸較小,二者對光線的遮擋相對于整個TFT對光線的遮擋來說并不大, 艮P TFT的柵極102和有源層104是造成TFT不透光的主要原因。進(jìn)一步的,本實施例中,優(yōu) 選的可將源極106和漏極107的尺寸相對于現(xiàn)有技術(shù)適度減小,以在不影響TFT導(dǎo)電性能 的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步提高TFT的光線透過率。優(yōu)選的,源極106和漏極107在垂直于柵極線 201的方向上的尺寸可為3 μ m?5 μ m。
      [0031] 本實施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)具體可包括:如圖1和圖2所示,襯底基板 101 ;位于襯底基板101上的包括柵極102和柵極線201的圖形;覆蓋前述包括柵極102和 柵極線201的圖形的柵極絕緣層103 ;位于柵極絕緣層103上的包括有源層104的圖形;形 成于包括有源層104的圖形之后的包括刻蝕阻擋層105的圖形,刻蝕阻擋層105上具有暴 露出有源層104表面的源極接觸孔和漏極接觸孔;形成于包括刻蝕阻擋層105的圖形之后 的源極106和漏極107,其中,源極106通過源極接觸孔與有源層104電性相連,漏極107通 過漏極接觸孔與有源層104電性相連。
      [0032] 需要說明的是,以上所介紹的陣列基板,其TFT為底柵型TFT,在本實施例的發(fā)明 思想不變的前提下,陣列基板所包括的TFT還可為頂柵型TFT。
      [0033] 基于上述陣列基板的技術(shù)方案,本實施例還提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包 括本實施例所提供的陣列基板。
      [0034] 本實施例所提供的顯示裝置所包含的陣列基板,其TFT的柵極和有源層為透明元 件,因此TFT的光線透過率大大提高,像素的開口面積變大,從而像素的開口率提高,裝置 的顯示亮度增強(qiáng)。
      [0035] 本實施例中,顯示裝置優(yōu)選的可為0LED顯示裝置,該顯示裝置除包括本實施例所 提供的陣列基板外,還包括設(shè)置于陣列基板上的0LED器件。進(jìn)一步的,本實施例所提供的 顯示裝置可為底出光式AM0LED顯示裝置或頂出光式AM0LED顯示裝置。更為優(yōu)選的是,上 述顯示裝置可為底出光式AM0LED顯示裝置,在光線從TFT陣列基板一側(cè)出射時,TFT能夠 透過光線,提高了底出光式AM0LED顯示裝置的亮度。
      [0036] 需要說明的是,本實施例中的包括上述陣列基板的顯示裝置還可以為液晶顯示裝 置。具體的,本實施例中的顯示裝置可為顯示器、電視機(jī)、電子紙、手機(jī)、平板電腦、筆記本電 腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
      [0037] 以上所述僅為本發(fā)明的【具體實施方式】,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng) 涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為 準(zhǔn)。
      【權(quán)利要求】
      1. 一種陣列基板,包括:沿第一方向的多條柵極線;沿第二方向的多條數(shù)據(jù)線,所述第 二方向與所述第一方向相互垂直,所述多條數(shù)據(jù)線與所述柵極線交錯形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu);位于 所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括:柵極、有源層、源極和漏 極;其特征在于:所述柵極的形成材料為透明導(dǎo)電材料,且所述有源層的形成材料為透明 氧化物半導(dǎo)體材料。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述柵極的形成材料為銦錫氧化物、 銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、鋅錫氧化物中的至少一種。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述柵極線的形成材料為金屬,且所 述柵極線與所述柵極電性相連。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述有源層的形成材料為氧化鋅、氧 化錫、氧化鉻、氧化鋁、銦鎵鋅氧化物中的至少一種。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極的 形成材料為金屬,且所述源極和所述漏極在垂直于所述柵極線的方向上的尺寸為3 μ m? 5 μ m〇
      6. 根據(jù)權(quán)利要求1?5任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述薄膜晶體管為底柵型 薄膜晶體管或頂柵型薄膜晶體管。
      7. -種顯示裝置,其特征在于,包括:權(quán)利要求1?6任一項所述的陣列基板。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,還包括:設(shè)置于所述陣列基板上的有 機(jī)發(fā)光二極管器件。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置為底出光式有源矩陣 有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置或頂出光式有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
      【文檔編號】H01L51/52GK104218070SQ201410431289
      【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月28日
      【發(fā)明者】陳鵬 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
      1