陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板包括：襯底基板及位于襯底基板上的包括源極和漏極的圖形，還包括：位于襯底基板與包括源極和漏極的圖形之間的隧道結結構，隧道結結構形成陣列基板的有源層。上述陣列基板及其制作方法、顯示裝置具有較高的載流子遷移率，TFT的開關速度更快；TFT的閾值電壓不易發(fā)生漂移，具有較高的均勻性；每個像素能夠使用更少的TFT，像素的開關速度更快；且制作工藝更簡單易行。
【專利說明】陣列基板及其制作方法、顯示裝置

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

【背景技術】
[0002] 隨著顯示技術的不斷發(fā)展，OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極 管）顯示裝置作為一種新興的平板顯示裝置，以其體積輕薄、對比度高、色域高、功耗低、可 以實現柔性顯示等優(yōu)點，必將成為下一代顯示裝置的發(fā)展趨勢。
[0003] 根據驅動方式的不同，0LED顯示裝置可分為：PMOLED (Passive Matrix Organic Light Emission Display,無源矩陣有機發(fā)光二極管顯示裝置）和AMOLED (Active Matrix Organic Light Emission Display,有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示裝置）兩種。相對于 PM0LED，AMOLED的響應速度更快，且可滿足各種尺寸顯示裝置的需求，因此很多企業(yè)將關注 點更多的集中在AMOLED上。
[0004] 現有技術中，根據TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管）有源層的形成材料不 同，AMOLED的陣列基板主要包括低溫多晶硅陣列基板和氧化物陣列基板。其中，對于低溫 多晶硅陣列基板，晶化后的低溫多晶硅為晶粒狀態(tài)，晶粒間存在一定的間隙，造成TFT的閾 值電壓易漂移，陣列基板的均勻性較差；進一步的，為了提高陣列基板的均勻性，會通過設 置多個TFT來消除閾值電壓的漂移，但是TFT數量的增多又會造成像素的開關速度變慢，且 造成陣列基板的制作工藝復雜；并且低溫多晶硅晶化時所需的溫度較高，也會增加制作工 藝復雜度。對于氧化物陣列基板，由于通電后氧化物中載流子遷移率較低，不能很好地滿足 作為電流器件的0LED需要較高載流子遷移率支持的特性，進而造成TFT的開關速度較慢。


【發(fā)明內容】

[0005] 本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以提高陣列基板的均勻性， 簡化制作工藝，提高載流子遷移率。
[0006] 為達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：
[0007] -種陣列基板，包括：襯底基板及位于所述襯底基板上的包括源極和漏極的圖形， 還包括：位于所述襯底基板與所述包括源極和漏極的圖形之間的隧道結結構，所述隧道結 結構形成所述陣列基板的有源層；
[0008] 所述隧道結結構包括：依次層疊的第一磁性層、絕緣層和第二磁性層。
[0009] 優(yōu)選的，所述第一磁性層包括依次層疊的反鐵磁釘扎層和鐵磁被釘扎層。
[0010] 優(yōu)選的，所述反鐵磁釘扎層的材料包括錳化銥、錳化鎳、氧化鎳、錳化鐵和L2BaNi0 5 中的至少一種。
[0011] 優(yōu)選的，所述鐵磁被釘扎層的材料包括鐵化鈷、鈷、鐵、鐵化鎳和鈷化鎳中的至少 一種。
[0012] 優(yōu)選的，所述絕緣層的材料包括氧化鎂、三氧化二鋁和三氧化二鈦中的至少一種。
[0013] 優(yōu)選的，所述絕緣層的厚度小于10納米。
[0014] 優(yōu)選的，所述第二磁性層的材料為軟磁材料，所述軟磁材料包括鐵化鈷、鈷、鐵、鐵 化鎳和鈷化鎳中的至少一種。
[0015] 優(yōu)選的，所述陣列基板包括多個像素，每個所述像素包括兩個薄膜晶體管和一個 存儲電容。
[0016] 本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括：在襯底基板上形成包括源極和 漏極的圖形，所述制作方法用于制作本發(fā)明所提出的陣列基板，在所述形成包括源極和漏 極的圖形之前，所述制作方法還包括：在所述襯底基板上形成包括隧道結結構的圖形，所述 隧道結結構形成所述陣列基板的有源層；所述隧道結結構包括：依次層疊的第一磁性層、 絕緣層和第二磁性層。
[0017] 優(yōu)選的，所述在所述襯底基板上形成包括隧道結結構的圖形包括：采用化學汽相 淀積工藝或濺射工藝在所述襯底基板上依次覆蓋所述第一磁性層、所述絕緣層和所述第二 磁性層的材料，采用構圖工藝形成所述包括隧道結結構的圖形。
[0018] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明所提出的陣列基板。
[0019] 本發(fā)明所提供的陣列基板及其制作方法、顯示裝置中，陣列基板的TFT具有隧道 結結構，當TFT的柵極被施加驅動電壓時，隧道結結構的兩磁性層的磁矩方向相同，TFT處 于自旋電子隧穿狀態(tài)，TFT開啟，當TFT的柵極未被施加驅動電壓時，隧道結結構的兩磁性 層的磁矩方向相反，TFT處于自旋電子屏蔽狀態(tài)，TFT關斷，從而實現了 TFT的開關作用。由 于在TFT的工作過程中，其隧道結結構利用隧穿效應實現電阻差異，隧道結結構中電流的 方向總是垂直于薄膜平面，因此本發(fā)明所提供的陣列基板的載流子的遷移率較高，進而TFT 的開關速度較快。
[0020] 并且，由于構成隧道結結構兩磁性層均為致密性高的薄膜形態(tài)，而非以間隙較大 的晶粒狀態(tài)存在，因此本發(fā)明中的包括隧道結結構的TFT的閾值電壓不易發(fā)生漂移，陣列 基板的均勻性較現有技術更好。
[0021] 另一方面，由于本發(fā)明中的陣列基板的均勻性較好，因此無需像現有技術中通過 設置多個TFT來提高陣列基板的均勻性，本發(fā)明中的陣列基板能夠使用更少的TFT，從而提 高了像素的開關速度。
[0022] 此外，由于形成隧道結結構無需高溫晶化過程，且能夠在較低溫度下沉積，加上具 有隧道結結構的陣列基板需要TFT的個數減少，這些均使得陣列基板的制作工藝得以簡 化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其它的附圖。
[0024] 圖1?圖7為本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的制作方法的各步驟圖；
[0025] 圖8為本發(fā)明實施例所提供的隧道結結構的截面圖；
[0026] 圖9為本發(fā)明實施例所提供的隧道結結構處于自旋電子隧穿狀態(tài)時的截面圖；
[0027] 圖10為本發(fā)明實施例所提供的隧道結結構處于自旋電子屏蔽狀態(tài)時的截面圖；
[0028] 圖11為本發(fā)明實施例所提供的陣列基板的電路圖。

【具體實施方式】
[0029] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面將結合本發(fā)明實施 例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例 僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技 術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，均屬于本發(fā)明保護的范 圍。
[0030] 實施例一
[0031] 本實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括：襯底基板及位于襯底基板上的 包括源極和漏極的圖形，還包括：位于襯底基板與包括源極和漏極的圖形之間的隧道結結 構，該隧道結結構形成陣列基板的有源層。
[0032] 如圖8所示，該隧道結結構包括：依次層疊的第一磁性層801、絕緣層803和第二 磁性層802。
[0033] 陣列基板包括多個矩陣式排布的TFT，可以認為上述隧道結結構形成TFT的有源 層，本實施例所提供的包括隧道結結構的TFT的控制原理如下：
[0034] 如圖9所示，當TFT的柵極被施加驅動電壓時，隧道結結構的位于絕緣層803兩側 的第一磁性層801和第二磁性層802被磁化，兩磁性層的磁矩方向相同，因此兩磁性層內部 的電子自旋方向相同，此時，絕緣層803對于自旋同方向的電子產生的勢壘較低，電子的隧 穿幾率大。第二磁性層802中的多數自旋子帶的電子將穿過絕緣層803產生的勢壘進入第 一磁性層801的多數子帶的空態(tài)，同時少數自旋子帶的電子也從第一磁性層801進入第二 磁性層802少數子帶的空態(tài)，從而TFT處于自旋電子隧穿狀態(tài)，TFT開啟。
[0035] 如圖10所示，當TFT的柵極未被施加驅動電壓時，隧道結結構的位于絕緣層803 兩側的第一磁性層801和第二磁性層802的磁矩方向相反，因此第一磁性層801中的多數 自旋子帶的電子的自旋與第二磁性層802的少數自旋子帶的電子的自旋方向相反且平行， 此時，絕緣層803對于自旋反方向的電子產生的勢壘較高，電子的隧穿幾率極小。第一磁 性層801中的多數自旋子帶的電子將進入第二磁性層802的少數子帶的空態(tài)，同時少數自 旋子帶的電子也從第一磁性層801進入第二磁性層802多數子帶的空態(tài)，從而TFT處于自 旋電子屏蔽狀態(tài)，TFT關斷。
[0036] 通過上述過程實現了 TFT的開關作用。由上述過程可見，在TFT的工作過程中， TFT的隧道結結構利用隧穿效應實現電阻差異，隧道結結構中電流的方向總是垂直于薄膜 平面，因此本實施例所提供的陣列基板的載流子的遷移率較高，進而TFT的開關速度較快。 [0037] 并且，由于隧道結結構兩磁性層均為致密性高的薄膜形態(tài)，而非以間隙較大的晶 粒狀態(tài)存在，因此本實施例中的包括隧道結結構的TFT的閾值電壓不易發(fā)生漂移，陣列基 板的均勻性較現有技術更好。
[0038] 另一方面，由于本實施例中的陣列基板的均勻性較好，因此無需像現有技術中通 過設置多個TFT來提高陣列基板的均勻性，本實施例中的陣列基板能夠使用更少的TFT，從 而提高了像素的開關速度。
[0039] 此外，由于形成隧道結結構無需高溫晶化過程，且能夠在較低溫度下沉積，具有隧 道結結構的陣列基板需要TFT的個數減少，這些均使得陣列基板的制作工藝得以簡化。
[0040] 本實施例中，上述隧道結結構的第一磁性層801優(yōu)選的可包括依次層疊的反鐵磁 釘扎層8011和鐵磁被釘扎層8012。其中，反鐵磁釘扎層8011的材料優(yōu)選的可為反鐵磁材 料、合成反鐵磁材料或混合反鐵磁材料等，更優(yōu)選的可為錳化銥、錳化鎳、氧化鎳、錳化鐵和 L2BaNi05中的至少一種。鐵磁被釘扎層8012的材料優(yōu)選的可為軟磁材料，更優(yōu)選的可為鐵 化鈷、鈷、鐵、鐵化鎳和鈷化鎳中的至少一種，以保證TFT的閾值電壓不易發(fā)生漂移，陣列基 板的均勻性更好。
[0041] 絕緣層803的材料優(yōu)選的可為氧化鎂、三氧化二鋁和三氧化二鈦中的至少一種。 另外，可將絕緣層803的厚度設置的較薄，優(yōu)選的可以小于10納米，以保證電子能夠快速穿 過絕緣層803,隧道結結構迅速發(fā)生隧穿效應。
[0042] 第二磁性層802的材料一般為軟磁材料，優(yōu)選的可為鐵化鈷、鈷、鐵、鐵化鎳和鈷 化鎳中的至少一種，隧道結結構的第二磁性層802選擇軟磁材料，以保證TFT的閾值電壓不 易發(fā)生漂移，陣列基板的均勻性更好。
[0043] 需要說明的是，由于電子隧穿幾率與鐵磁勢壘高度呈指數衰減關系，因此，即使自 旋極化率為零的入射電子流穿過鐵磁勢壘后也會產生自旋極化，進而使得電子能夠隧穿絕 緣層，因此鐵磁隧道結結構的兩磁性層之一具有鐵磁性就能發(fā)生隧穿效應，從而使隧道結 結構的第一磁性層801和第二磁性層802材料的選擇范圍更大。
[0044] 由于本實施例所提供的陣列基板的TFT具有隧道結結構，TFT的閾值電壓不易發(fā) 生漂移，陣列基板的均勻性好，因此無需設置多個TFT來提高陣列基板的均勻性，優(yōu)選的， 本實施例中的陣列基板包括多個像素，每個像素包括兩個TFT和一個存儲電容。
[0045] 具體的，本實施例所提供的陣列基板的像素結構可如圖7所示，包括：位于襯底基 板上的緩沖層101，該緩沖層101為能夠導電的膜層；形成于緩沖層101上的包括第一隧道 結結構201和第二隧道結結構202的圖形；覆蓋在包括第一隧道結結構201和第二隧道結 結構202的圖形上的柵極絕緣層（圖中未示出）；形成于柵極絕緣層之上的包括第一柵極 301、第二柵極302和柵極線303的圖形；覆蓋在包括第一柵極301、第二柵極302和柵極 線303的圖形上的層間介質層（圖中未示出），該層間介質層內具有的多個層間介質層過 孔401 ;形成于層間介質層之上的包括第一漏極501、第二漏極502、跨橋503、數據線504和 VDD線505的圖形，其中，第一漏極501通過層間介質層過孔401與第二柵極302電性相連， 跨橋503用于電連接第二柵極302與緩沖層101，數據線504和VDD線505分別通過層間介 質層過孔401與緩沖層101電性相連，第一隧道結結構201、第一柵極301和第一漏極501 屬于控制開關，第二隧道結結構202、第二柵極302和第二漏極502屬于驅動開關，包括第一 漏極501、第二漏極502、跨橋503、數據線504和VDD線505的圖形與緩沖層101構成一存 儲電容506 ;覆蓋在包括第一漏極501、第二漏極502、跨橋503、數據線504和VDD線505的 圖形上的平坦化層（圖中未示出），該平坦化層內具有平坦化層過孔601 ;形成于平坦化層 之上的包括陰極701的圖形，該陰極701通過平坦化層過孔601與第二漏極502電性相連。
[0046] 上述像素結構的等效電路圖可如圖11所示，當像素需要顯示時，柵極線（即Gate 線）向控制開關T1的柵極施加一驅動信號，使控制開關T1開啟，在控制開關T1內產生一橫 向磁場，該橫向磁場影響控制開關T1中隧道結結構的第二磁性層的磁矩方向，使第二磁性 層的磁矩方向與第一磁性層的磁矩方向相反，從而控制開關T1工作在自旋電子屏蔽狀態(tài)， 即控制開關T1關斷；此時，只有極少的電流通過驅動開關T2的柵極，驅動開關T2的柵極產 生的橫向磁場不足以改變驅動開關Τ2中隧道結結構的第二磁性層的磁矩方向，從而驅動 開關Τ2工作在自旋電子隧穿狀態(tài)，即驅動開關Τ2開啟，此時，通過VDD線向驅動開關Τ2的 源極施加一偏置電壓，驅動開關Τ2的漏極輸出一信號給OLED，形成像素顯示。
[0047] 當像素不需要顯示時，柵極線使控制開關Τ1關斷，控制開關Τ1的隧道結結構的第 二磁性層的磁矩方向與第一磁性層的磁矩方向相同，從而控制開關Τ1工作在自旋電子隧 穿狀態(tài)，即控制開關Τ1開啟；此時，數據線（即SD線）中的電流通過控制開關Τ1，有大量 電流通過驅動開關Τ2的柵極，驅動開關Τ2的柵極產生的橫向磁場足以改變驅動開關Τ2中 隧道結結構的第二磁性層的磁矩方向，從而使得驅動開關Τ2工作在自旋電子屏蔽狀態(tài)，即 驅動開關Τ2斷開，此時，VDD線上的電流不能通過，即驅動開關Τ2的漏極不能輸出信號給 0LED，像素不顯示。
[0048] 實施例二
[0049] 本實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：在襯底基板上形成包括源極和 漏極的圖形，該制作方法用于制作本發(fā)明提出的陣列基板，在形成包括源極和漏極的圖形 之前，該制作方法還包括：在襯底基板上形成包括隧道結結構的圖形，隧道結結構形成陣列 基板的有源層；隧道結結構包括：依次層疊的第一磁性層、絕緣層和第二磁性層。
[0050] 本實施例所提供陣列基板的制作方法中，一方面，隧道結結構的形成材料決定了 形成隧道結結構無需高溫晶化過程，且能夠在較低溫度下沉積；另一方面，隧道結結構的膜 層形態(tài)決定了 TFT的閾值電壓不易發(fā)生漂移，陣列基板的均勻性較好，無需像現有技術中 通過設置多個TFT來提高基板均勻性，因此能夠減少所需要的TFT的個數，這兩方面均使陣 列基板的制作工藝得以簡化。
[0051] 下面以每個像素包括兩個TFT和一個存儲電容的像素結構為例，對本實施例所提 供的陣列基板的制作方法進行具體介紹，如圖1?圖7所示，該制作方法包括：
[0052] 步驟S1 :在襯底基板上形成包括緩沖層101的圖形，如圖1所示。
[0053] 本步驟中，形成緩沖層101的過程優(yōu)選的可為：首先在襯底基板上沉積緩沖層材 料，沉積緩沖層材料優(yōu)選的可采用磁控濺射沉積法，緩沖層材料優(yōu)選的可為氧化銦錫或氧 化銦鋅等透明導電材料，厚度優(yōu)選的可為l〇〇nm?200nm;之后采用構圖工藝去除部分緩沖 層材料，形成包括緩沖層101的圖形，去除過程優(yōu)選的可選用濕法刻蝕工藝。
[0054] 本實施例對襯底基板的厚度并不具體限定，優(yōu)選的可選用0. 4mm?0. 7mm厚的襯 底基板。
[0055] 步驟S2 :在經過步驟1的襯底基板上形成包括隧道結結構的圖形，如圖2所示。
[0056] 上述步驟S2優(yōu)選的可包括：采用化學汽相淀積工藝或濺射工藝在襯底基板上依 次覆蓋第一磁性層、絕緣層和第二磁性層的材料，采用構圖工藝形成包括隧道結結構的圖 形。
[0057] 其中，覆蓋第一磁性層、絕緣層和第二磁性層的材料所采用的化學汽相淀積工藝 具體可為等離子體增強化學氣相淀積工藝，所采用的濺射工藝具體可為射頻磁控濺射工 藝。
[0058] 采用構圖工藝形成包括隧道結結構的圖形具體可為：在覆蓋了第一磁性層、絕緣 層和第二磁性層的材料的襯底基板上形成具有第一隧道結結構201和第二隧道結結構202 的圖形的光刻膠層，以該光刻膠層為掩膜去除部分第一磁性層、絕緣層和第二磁性層的材 料，保留待形成第一隧道結結構201和第二隧道結結構202的區(qū)域上的材料，形成第一隧道 結結構201和第二隧道結結構202。前述過程中，去除部分第一磁性層、絕緣層和第二磁性 層的材料優(yōu)選的可采用干法刻蝕工藝。
[0059] 步驟S3 :在經過步驟2的襯底基板上形成包括第一柵極301、第二柵極302和柵極 線303的圖形，如圖3所示。
[0060] 本步驟中，形成第一柵極301、第二柵極302和柵極線303的過程優(yōu)選的可為：沉 積金屬材料，采用構圖工藝去除部分金屬材料，保留待形成第一柵極301、第二柵極302和 柵極線303的區(qū)域上的金屬材料，形成包括第一柵極301、第二柵極302和柵極線303的圖 形。
[0061] 本實施例對第一柵極301、第二柵極302和柵極線303的形成材料并不具體限定， 優(yōu)選的可為鑰、鋁、氬、鈦和銅等，以保證第一柵極301、第二柵極302和柵極線303具有良好 的導電性。
[0062] 需要說明的是，在形成包括第一柵極301、第二柵極302和柵極線303的圖形之前 還可包括：形成柵極絕緣層，以使第一隧道結結構201與第一柵極301電性絕緣，且第二隧 道結結構202與第二柵極302電性絕緣。本實施例中柵極絕緣層的形成材料優(yōu)選的可為二 氧化娃或氮化娃等絕緣材料。另外，柵極絕緣層的厚度優(yōu)選的可為300nm?400nm，以保證 隧道結結構與柵極之間的絕緣需求。
[0063] 步驟S4:在包括第一柵極301、第二柵極302和柵極線303的圖形上覆蓋層間介質 層（圖中未示出），在層間介質層上形成多個層間介質層過孔401，如圖4所示。
[0064] 上述步驟中，覆蓋層間介質層優(yōu)選的可采用等離子體增強化學氣相淀積工藝，層 間介質層的形成材料可為二氧化硅和氮化硅等絕緣材料，以使包括第一柵極301、第二柵極 302和柵極線303的圖形與后續(xù)形成的包括第一漏極、第二漏極、跨橋、數據線和VDD線的圖 形電性絕緣。形成多個層間介質層過孔401優(yōu)選的可采用構圖工藝。
[0065] 步驟S5 :在經過步驟S4的陣列基板上形成包括第一漏極501、第二漏極502、跨橋 503、數據線504和VDD線505的圖形，如圖5所示。
[0066] 本步驟具體可包括：采用濺射工藝沉積金屬材料，所沉積的金屬材料優(yōu)選的可為 鑰，鈦和鋁等，其中，若選用鈦和鋁，則沉積所形成的膜層結構優(yōu)選的可為鈦、鋁和鈦依次層 疊所形成的薄膜；之后采用構圖工藝去除部分金屬材料，保留待形成第一漏極501、第二漏 極502、跨橋503、數據線504和VDD線505的區(qū)域上的金屬材料，形成包括第一漏極501、第 二漏極502、跨橋503、數據線504和VDD線505的圖形。
[0067] 其中，第一漏極501通過層間介質層過孔401與第二柵極302電性相連，跨橋503 用于電連接第二柵極302與緩沖層101，數據線504和VDD線505分別通過層間介質層過 孔401與緩沖層101電性相連，第一隧道結結構201、第一柵極301和第一漏極501屬于控 制開關，第二隧道結結構202、第二柵極302和第二漏極502屬于驅動開關，包括第一漏極 501、第二漏極502、跨橋503、數據線504和VDD線505的圖形與緩沖層101構成一存儲電 容506,以防止漏電流對像素顯示產生不良影響。
[0068] 步驟S6 :在經過步驟S5的陣列基板上形成平坦化層（圖中未示出），之后再形成 貫穿平坦化層的平坦化層過孔601，如圖6所示。
[0069] 本步驟具體可包括：在經過步驟S5的陣列基板上涂覆樹脂材料，形成平坦化層， 樹脂材料優(yōu)選的可為感光樹脂，也可為非感光樹脂；之后采用構圖工藝去除部分樹脂材料， 形成平坦化層過孔601，去除過程中優(yōu)選的可采用干法刻蝕工藝。
[0070] 步驟S7 :在經過步驟S6的陣列基板上形成包括陰極701的圖形，如圖7所示。
[0071] 上述步驟優(yōu)選的可為：采用濺射工藝在經過步驟S6的陣列基板上沉積陰極材料， 陰極材料優(yōu)選的可為鎂和銀等金屬材料，厚度優(yōu)選的可為l〇nm?30nm ;之后采用構圖工藝 去除部分金屬材料，保留待形成陰極701的區(qū)域上的金屬材料，形成包括陰極701的圖形。 其中，陰極701通過平坦化層過孔601與第二漏極502電性相連。
[0072] 本實施例優(yōu)選的還可以在經過步驟7的陣列基板上涂覆聚酰亞胺等絕緣材料，然 后采用構圖工藝形成像素限定層。
[0073] 需要說明的是，上述步驟S1?步驟S7是針對OLED顯示裝置制造方法，本領域 的技術人員在本發(fā)明所提供的陣列基板的TFT具有隧道結結構的技術方案的基礎上，還可 將前述技術方案應用于液晶顯示裝置陣列基板的制作中。通過將上述步驟S1?步驟S7中 的步驟S7更改為形成包括像素電極的圖形，即可得到具有相同優(yōu)點的陣列基板。
[0074] 實施例三
[0075] 本實施例提供了一種顯示裝置，其包括實施例一中所提供的陣列基板，由于該顯 示裝置的陣列基板的載流子遷移率較高，TFT的開關速度較快，因此本實施例中的顯示裝置 具有較快的開關速度；并且，由于所包括的陣列基板的均勻性較好，因此本實施例中的顯示 裝置的畫面顯示的均勻性較好；此外，由于陣列基板的隧道結結構能夠在低溫下沉積，無需 高溫晶化，每個像素結構所需的TFT個數減少，因此簡化了本實施例中的顯示裝置的制作 工藝。
[0076] 需要說明的是，本實施例中的顯示裝置可以為：液晶顯示面板、電子紙、OLED面 板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的 產品或部件。
[0077] 以上所述僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應 涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為 準。
【權利要求】
1. 一種陣列基板，包括：襯底基板及位于所述襯底基板上的包括源極和漏極的圖形， 其特征在于，還包括：位于所述襯底基板與所述包括源極和漏極的圖形之間的隧道結結構， 所述隧道結結構形成所述陣列基板的有源層； 所述隧道結結構包括：依次層疊的第一磁性層、絕緣層和第二磁性層。
2. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一磁性層包括依次層疊的反 鐵磁釘扎層和鐵磁被釘扎層。
3. 根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述反鐵磁釘扎層的材料包括錳化 銥、錳化鎳、氧化鎳、錳化鐵和L2BaNi0 5中的至少一種。
4. 根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述鐵磁被釘扎層的材料包括鐵化 鈷、鈷、鐵、鐵化鎳和鈷化鎳中的至少一種。
5. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的材料包括氧化鎂、三氧 化二鋁和三氧化二鈦中的至少一種。
6. 根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的厚度小于10納米。
7. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二磁性層的材料為軟磁材料， 所述軟磁材料包括鐵化鈷、鈷、鐵、鐵化鎳和鈷化鎳中的至少一種。
8. 根據權利要求1?7任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括多個像 素，每個所述像素包括兩個薄膜晶體管和一個存儲電容。
9. 一種陣列基板的制作方法，包括：在襯底基板上形成包括源極和漏極的圖形，其特 征在于，所述制作方法用于制作權利要求1?8任一項所述的陣列基板，在所述形成包括源 極和漏極的圖形之前，所述制作方法還包括：在所述襯底基板上形成包括隧道結結構的圖 形，所述隧道結結構形成所述陣列基板的有源層；所述隧道結結構包括：依次層疊的第一 磁性層、絕緣層和第二磁性層。
10. 根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成包括隧 道結結構的圖形包括：采用化學汽相淀積工藝或濺射工藝在所述襯底基板上依次覆蓋所述 第一磁性層、所述絕緣層和所述第二磁性層的材料，采用構圖工藝形成所述包括隧道結結 構的圖形。
11. 一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1?8任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/32GK104218043SQ201410453736
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年9月5日 優(yōu)先權日:2014年9月5日
【發(fā)明者】張金中 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司