半導(dǎo)體封裝的制作方法
【專利摘要】提供了一種半導(dǎo)體封裝，包括：下封裝，上面安裝有元件；金屬柱，連接到所述下封裝上并且包括至少一個金屬材料部分；以及上封裝，上面安裝有元件，并且所述上封裝經(jīng)由焊料球連接到所述金屬柱上。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施例涉及一種半導(dǎo)體封裝。

【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，電子器件變得微型化并且越來越輕以滿足用戶的需求，因此，用于實現(xiàn)與單個封裝相同或不同的半導(dǎo)體芯片的多芯片封裝技術(shù)得到增強。與半導(dǎo)體芯片所實現(xiàn)的封裝相比，多芯片封裝就封裝大小或重量以及安裝過程而言是有利的，具體地講，多芯片封裝主要應(yīng)用于要求微型化和減重的便攜式通信終端。
[0003]在這些多芯片封裝中，封裝基板堆疊在另一個封裝基板上的層疊型封裝被稱為層疊封裝(package on package,以下稱為“PoP”)。由于隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體封裝的容量已變得更高，厚度變得更薄并且尺寸變得更小，堆疊的芯片數(shù)量最近已經(jīng)增大。
[0004]常規(guī)的層疊封裝采用以下方法連接兩個封裝:使用焊料球印刷工藝(solder ballprinting process)和回流工藝(reflow process),或者使用回流工藝將上封裝連接到下封裝，該上封裝通過在模制下封裝之后對模制部分執(zhí)行激光鉆孔工藝而形成通往下封裝的PoP焊盤(通過模制通路方法)并且在通路中印刷焊料球來安裝內(nèi)存芯片(memory die)。
[0005]然而，為了實現(xiàn)高集成度且高性能的層疊封裝產(chǎn)品，已增加了安裝的晶粒數(shù)量或者嘗試安裝無源元件。為此，重要的是進一步增大封裝之間的距離。
[0006]然而，常規(guī)的半導(dǎo)體封裝的問題在于，當(dāng)增大焊料球的尺寸或高度以便增大封裝之間的距離時，焊料球會產(chǎn)生開裂或破碎。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明旨在解決上述問題，并且本發(fā)明的一方面通過增大上封裝與下封裝之間的距離以增加安裝的芯片數(shù)量來提供具有高密度并且上封裝與下封裝之間出色的結(jié)合可靠性的半導(dǎo)體封裝。
[0008]為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的實施例的一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝，包括:下封裝，上面安裝有元件；金屬柱，連接到所述下封裝上并且包括至少一個金屬材料部分；以及上封裝，上面安裝有元件，并且所述上封裝經(jīng)由焊料球連接到所述金屬柱上。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，所述金屬材料部分可以具有形成在其表面上的表面處理層。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述表面處理層可以形成在所述金屬柱的上表面和側(cè)面上。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述表面處理層可以是由Au和Ni中的至少一種金屬材料制成的。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，連接到所述焊料球上的所述金屬柱的一端的寬度可以小于另一端的寬度。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述金屬柱的寬度可以形成為從連接到所述焊料球上的一端朝向另一端逐漸增加。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述金屬柱可以形成為一端的寬度是另一端的寬度的50%至90%。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述金屬柱可以形成為縱向方向上的表面相對于所述下封裝的基板的表面傾斜5°至45°的角度。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述金屬柱連接到所述焊料球上的一端可以進入所述焊料球中。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例,所述金屬柱可以是由Cu、Sn、Pb和Ag中的至少一種材料制成的。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述金屬柱可以包括第一金屬材料的焊料部分和第二金屬材料的金屬材料部分。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述焊料部分可以是由Sn和Cu的合金材料或Sn和Ag的合金材料制成的。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述焊料部分可以被配置成具有230°C至250°C的熔點。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述下封裝可以包括基板和形成在所述基板上的第一種子圖案部分，并且所述金屬柱可以形成在所述第一種子圖案部分上。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例，所述半導(dǎo)體封裝可以進一步包括形成在所述第一種子圖案部分上阻焊劑圖案，使得可以暴露所述第一種子圖案部分的上表面的一部分。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解，并且附圖被并入且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖用于圖示本發(fā)明的實施例，并且與本說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理的作用。在附圖中:
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖；
[0025]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的橫截面圖；
[0026]圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的橫截面圖；
[0027]圖4至圖12是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的制造方法的視圖；
[0028]圖13至圖21是用于說明根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的制造方法的視圖；以及
[0029]圖22是根據(jù)又另一個實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的橫截面圖。

【具體實施方式】
[0030]現(xiàn)在將參照附圖在下文更全面地描述本發(fā)明的實施例，附圖圖示了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明能夠以不同的方式來實施并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于本文所述實施例。在以下描述中，要注意，當(dāng)常規(guī)元件的功能以及與本發(fā)明有關(guān)的元件的詳細描述會使本發(fā)明的要旨不清楚時，將會省略對這些元件的詳細描述。另外，應(yīng)當(dāng)理解，附圖所示的元件的形狀和大小可以被放大圖示以便容易理解對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的描述，而不是反映對應(yīng)元件的實際大小。
[0031]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體封裝的橫截面圖。
[0032]參見圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體封裝可以被配置成層疊封裝(POP)的封裝，其中上封裝400層疊在下封裝300上，使得上下封裝可以彼此電連接。
[0033]半導(dǎo)體封裝包括下封裝300、上封裝400和金屬柱500。
[0034]在下封裝300中，至少一個下元件370安裝在下封裝基板310上，在上封裝400中，至少一個上元件430安裝在上封裝基板410上。同時，元件430可以由半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0035]此時，下封裝基板310和上封裝基板410的至少任意一個可以是由印刷電路板(PCB)構(gòu)成的。
[0036]舉例來說，下封裝300可以包括下封裝基板310以及安裝在下封裝基板上的下元件370。當(dāng)配置多個下元件370時，通過在多個下元件370之間插設(shè)絕緣材料層可以層壓多個下元件370。
[0037]可以在下封裝基板310的下表面上設(shè)置焊料球形式的外部端子350，該外部端子使半導(dǎo)體封裝電連接到外部設(shè)備上。
[0038]類似地，上封裝400可以包括上封裝基板410以及安裝在上封裝基板410的上表面上的上元件430。當(dāng)配置多個上元件430時，通過在上元件430之間插設(shè)絕緣材料層可以層壓上元件430。
[0039]上元件430和上封裝基板410可以通過多個結(jié)合線442彼此電連接上。
[0040]金屬柱500連接到按照上述方式配置的下封裝300上。
[0041]更具體地講，第一種子圖案部分530可以形成在下封裝300的基板上，并且金屬柱500可以形成在第一種子圖案部分530上。
[0042]此時，金屬柱500可以包括至少一個金屬材料部分510，并且此時，金屬柱可以由第一金屬材料的焊料部分510和第二金屬材料的金屬材料部分或者表面處理層520和金屬材料部分510構(gòu)成。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的實施例，焊料部分510可以是由Sn和Cu的合金材料或Sn和Ag的合金材料制成的，以便制成熔點為230°C至250°C的高熔點點焊材料，并且金屬材料部分520可以是由銅材料制成的。
[0044]當(dāng)使用通用的點焊材料時，通用的點焊材料的熔點為210°C至220°C。然而，如同在本發(fā)明的實施例中，當(dāng)焊料部分510是由熔點為230°C至250°C的高熔點點焊材料制成的時候，可以獲得出色的結(jié)合穩(wěn)定性，并且因此在層壓上封裝400時，可以確保穩(wěn)定的工藝成品率。
[0045]另外，如圖1所示，焊料部分510可以被配置成其上表面向上凸出比下封裝300的阻焊劑540更高。
[0046]按照上述方式配置的金屬柱500可以經(jīng)由焊料球501連接到上封裝400上。
[0047]當(dāng)配置了包括高熔點點焊材料的焊料部分510的金屬柱500時，可以確保在層壓上封裝400時穩(wěn)定的工藝成品率，并且通過增大上封裝400與下封裝300之間的距離，可以進行半導(dǎo)體芯片的高密度層壓，并且可以形成具有改善的可靠性和穩(wěn)定性的半導(dǎo)體封裝。
[0048]同時，當(dāng)金屬柱500由表面處理層520和金屬材料部分510構(gòu)成時,表面處理層520可以形成為使用金屬材料的鍍層。更具體地講，表面處理層520可以由Au和Ni中的至少一種材料制成。
[0049]根據(jù)本發(fā)明的實施例所示，當(dāng)表面處理層520形成在金屬柱500的表面上時，可以提高與上封裝400的結(jié)合可靠性，并且可以確保在層壓上封裝400時穩(wěn)定的工藝成品率。此夕卜，由于防止金屬柱500被氧化，可以確保半導(dǎo)體封裝的可靠性。
[0050]同時，金屬柱500被配置成連接到下封裝300的一側(cè)上的金屬柱的端部的寬度形成為大于連接到上封裝400的一側(cè)上的金屬柱的端部的寬度。
[0051]更具體地講，如圖1所示，金屬柱500可以被配置成連接到焊料球501上的金屬柱的一端的寬度形成為小于與這一端相對的另一端的寬度，并且此時，金屬柱500的寬度被配置成從另一端到一端逐漸減小。
[0052]也就是說，金屬柱500可以被配置成上部寬度從連接到下封裝基板310上的一側(cè)的寬度逐漸減小。
[0053]此時，當(dāng)金屬柱500的一端的寬度大小形成為金屬柱500的另一端的寬度的50%或更小，或者金屬柱500被配置成相對于下封裝基板310的表面傾斜45°或更大的角度時，在與焊料球501的結(jié)合可靠性方面產(chǎn)生了問題。
[0054]因此，金屬柱500被配置成一端的寬度是另一端的寬度的50 %至90 %，或者縱向方向上的表面在下封裝的基板表面的垂直方向上傾斜5°至45°的角度，使得可以確保金屬柱500和焊料球501的結(jié)合可靠性。
[0055]此時，金屬柱500可以由Cu制成。
[0056]按照上述方式形成的金屬柱500經(jīng)由焊料球501按照以下方式連接到上封裝400上:金屬柱500的上端的至少一部分插入焊料球501中。
[0057]另外，由于金屬柱500形成在與下封裝基板310的表面的垂直方向?qū)?yīng)的表面上從而不會具有階梯形錐體，有利的是，可以均勻地維持電氣特性，僅使用數(shù)量更少的焊料球501就可以提高與上封裝400的結(jié)合強度。
[0058]如此，根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于金屬柱被配置成金屬柱的一端的寬度(a)是另一端的寬度(b)的50%至90%，縱向方向上的表面在下封裝300的基板的表面的垂直方向上傾斜5°至45°的角度，可以減少形成在上封裝400的基板410上的焊料球501的量，并且由于結(jié)合以焊料球501包圍金屬柱500的形式形成，所以可以進一步提高粘結(jié)可靠性。
[0059]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的橫截面圖，并且圖2的實施例示出了金屬柱500的焊料部分510向上凸出的比阻焊劑圖案540更高的結(jié)構(gòu)。
[0060]將參照圖2描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的配置。
[0061]如圖2所示，第一種子圖案部分530形成在基板301上，并且阻焊劑圖案540形成在第一種子圖案部分530的外圍部分上。
[0062]連接到第一種子圖案部分530上的第二種子圖案部分535形成在阻焊劑圖案540上。
[0063]同時,金屬柱500形成在第二種子圖案部分535上。
[0064]此時，金屬柱500可以包括焊料部分510和形成在金屬柱510的上端處的金屬材料部分520或表面處理層520。金屬柱500向上凸出的比阻焊劑圖案540更高。
[0065]圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的橫截面圖，并且圖3的實施例示出了金屬柱510的焊料部分被配置成與阻焊劑圖案540在同一平面高度。
[0066]將參照圖3描述根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的配置。
[0067]如圖3所示，第一種子圖案部分530形成在基板310上，并且阻焊劑圖案540形成在第一種子圖案部分530的外圍部分上。
[0068]連接到第一種子圖案部分530上的第二種子圖案部分535形成在阻焊劑圖案540上，并且此時，第二種子圖案部分535形成在阻焊劑圖案540的除上表面之外的側(cè)面處。
[0069]金屬柱500形成在第二種子圖案部分535上，并且此時，金屬柱500包括焊料部分510和金屬材料部分，并且焊料部分510被配置成與阻焊劑圖案540在同一平面高度。
[0070]焊料部分510可以是由熔點為230°C至250°C的高熔點點焊材料制成的，例如Sn和Cu的合金材料或Sn和Ag的合金材料，并且金屬材料部分520可以是由銅材料制成的。
[0071]圖4至圖12是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的制造方法的視圖；即，用于說明根據(jù)圖2的實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的制造方法的視圖。
[0072]如圖4所示，第一種子圖案部分530形成在基板310上，并且阻焊劑圖案541形成在按照上述方式形成的第一種子圖案部分530上。
[0073]然后，如圖5所示，通過圖案化形成在第一種子圖案部分530上的阻焊劑層來形成阻焊劑圖案540。
[0074]如圖6所示，第二種子圖案部分535形成在按照上述方式形成的阻焊劑圖案540上。
[0075]然后，如圖7所示，光致抗蝕劑層610形成在第二種子圖案部分535上，并且如圖8所示，通過層壓、曝光并顯影光致抗蝕劑層610來形成光致抗蝕劑圖案611。
[0076]同時，光致抗蝕劑層610和光致抗蝕劑圖案611可以是由干膜光致抗蝕劑(DFR)制成的。
[0077]此后，如圖9所示，使用高熔點點焊材料可以在光致抗蝕劑圖案611與相鄰的光致抗蝕劑圖案之間的第二種子圖案部分535上形成焊料部分510，或者可以形成金屬材料部分 510。
[0078]此時，根據(jù)本發(fā)明的實施例，焊料部分510可以是由熔點為230°C至250°C的高熔點點焊材料制成的，例如Sn和Cu的合金材料或Sn和Ag的合金材料。
[0079]然后，如圖10所示，通過使用金屬材料在焊料部分510上進行施鍍來形成金屬材料部分520。此時，金屬材料部分520可以是由銅材料制成的。
[0080]此后，通過去除光致抗蝕劑圖案611，如圖11所示，第二圖案部分535暴露到阻焊劑層541，并且通過去除暴露的第二種子圖案部分535，如圖12所示，金屬柱500制造完成。
[0081]根據(jù)本發(fā)明的實施例，按照上述方式配置的金屬柱增大了上封裝與下封裝之間的距離，使得可以進行半導(dǎo)體芯片的高密度層壓并且可以提供具有提高的可靠性和穩(wěn)定性的半導(dǎo)體封裝。
[0082]圖13至圖21是用于說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的制造方法的視圖；即，用于說明根據(jù)圖3的實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱。
[0083]如圖13所示，第一種子圖案部分530形成在基板310上，并且阻焊劑層541形成在第一種子圖案部分530上，并且如圖14所示，通過圖案化形成在第一種子圖案部分530上的阻焊劑層541來形成阻焊劑圖案540。
[0084]如圖15所示，第二種子圖案部分535形成在按照上述方式形成的阻焊劑圖案540上，并且如圖16所示，光致抗蝕劑層610形成在第二種子圖案部分535上，并且如圖17所示，通過層壓、曝光并顯影光致抗蝕劑層610來形成光致抗蝕劑圖案611。
[0085]此時，光致抗蝕劑層610和光致抗蝕劑圖案611可以是由DFR(干膜光致抗蝕劑)制成的。
[0086]然后，如圖18所示，使用金屬材料填充光致抗蝕劑圖案611與相鄰的抗蝕劑圖案之間的第一圖案部分530和第二種子圖案部分535來形成金屬柱510，并且Cu可以用作形成金屬柱510的金屬材料。
[0087]此后，如圖19所示，通過去除光致抗蝕劑圖案611來暴露第二種子圖案部分535，并且如圖20所示，通過去除暴露的第二種子圖案部分535來形成金屬柱。
[0088]然后，如圖21所示，表面處理層520可以形成在金屬柱510的上表面和側(cè)面上。
[0089]同時，Au和Ni中的至少一種材料可以用作形成表面處理層520的金屬材料。
[0090]圖22是根據(jù)本發(fā)明的又另一個實施例的半導(dǎo)體封裝的金屬柱的橫截面圖。
[0091]如圖22所示，金屬柱510可以被配置成連接到焊料球520上的一端的寬度(a)形成為小于與這一端相對的另一端的寬度(b)，并且此時，金屬柱510還可以被配置成從另一端到一端逐漸減小。
[0092]也就是說，金屬柱500可以被配置成從連接到下封裝基板310上的一側(cè)的寬度(b)逐漸減小到上部的寬度(a)。
[0093]此時，當(dāng)金屬柱500的一端的寬度(a)大小形成為金屬柱500的另一端的寬度(b)的50%或更小，或者金屬柱500被配置成從下封裝基板310的表面傾斜45°或更大的角度，在與焊料球501的結(jié)合可靠性方面產(chǎn)生了問題。
[0094]因此,金屬柱500被配置成一端的寬度(a)是另一端的寬度(b)的50%至90%,或者縱向方向上的表面在下封裝的基板表面的垂直方向上傾斜5°至45°的角度，使得可以確保金屬柱500和焊料球501結(jié)合的可靠性。
[0095]此時,金屬柱510由銅形成,并且金屬柱511被配置成包含Cu、Sn、Pb和Ag中的至少一種。
[0096]按照上述方式形成的金屬柱510經(jīng)由焊料球520連接到上封裝400上使得金屬柱510的上端的至少一部分插入焊料球520中。
[0097]另外，由于金屬柱510形成在與下封裝基板310的垂直方向?qū)?yīng)的表面上從而不會具有階梯形錐體，有利的是，可以均勻地維持電氣特性，僅使用數(shù)量更少的焊料球501就可以提高與上封裝400的結(jié)合強度。
[0098]如此，根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于金屬柱被配置成金屬柱的一端的寬度(a)是另一端的寬度(b)的50%至90%，縱向方向上的表面在下封裝的基板的表面的垂直方向上傾斜5°至45°的角度，可以減少形成在上封裝400的基板410上的焊料球501的量，并且由于以焊料球501包圍金屬柱500的結(jié)合形式形成，所以可以進一步提高粘結(jié)可靠性。
[0099]同時，金屬柱510的高度形成為比安裝在下封裝300上的半導(dǎo)體芯片370的高度高，此時，考慮到半導(dǎo)體芯片370的大小，金屬柱的高度形成為在50 μ m至400 μ m的范圍內(nèi)，使得半導(dǎo)體芯片370可以設(shè)置由于金屬柱510而在上封裝400與下封裝300之間產(chǎn)生的間隔空間中，從而允許半導(dǎo)體芯片不與上封裝400接觸。
[0100]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，由于上封裝與下封裝之間的距離增大，所以安裝的芯片數(shù)量增大使得可以實現(xiàn)高密度，并且可以提供在上封裝與下封裝之間具有結(jié)合可靠性的半導(dǎo)體封裝。
[0101]如上所述，在本發(fā)明的詳細描述中，由于已經(jīng)描述了本發(fā)明的詳細示例性實施例，所以應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況進行多種修改和變化。因此，應(yīng)當(dāng)理解，上述是為了說明本發(fā)明并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限制所公開的特定實施例，并且對公開的實施例以及其它實施例的修改旨在包括在所附權(quán)利要求書及其等同形式的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括: 下封裝，上面安裝有元件； 金屬柱，連接到所述下封裝并且包括至少一個金屬材料部分；以及 上封裝，上面安裝有元件，并且所述上封裝經(jīng)由焊料球連接到所述金屬柱上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬材料部分具有形成在其表面上的表面處理層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述表面處理層形成在所述金屬柱的上表面和側(cè)面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述表面處理層是由Au和Ni中的至少一種金屬材料制成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬柱被配置為使得所述金屬柱連接到所述焊料球的一端的寬度小于另一端的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬柱的寬度從連接到所述焊料球的一端朝向另一端逐漸增加。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬柱被配置為使得一端的寬度形成為另一端的寬度的50%至90%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬柱被配置為使得在縱向方向的表面相對于所述下封裝的基板的表面傾斜5°至45°的角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬柱連接到所述焊料球上的一端進入所述焊料球中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬柱是由Cu、Sn、Pb和Ag中的至少一種材料制成的。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬柱包括第一金屬材料的焊料部分和第二金屬材料的金屬材料部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述焊料部分是由Sn和Cu的合金材料或者Sn和Ag的合金材料制成的。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述焊料部分的熔點為230°C至250°C。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述下封裝包括:基板；以及形成在所述基板上的第一種子圖案部分，其中所述金屬柱形成在所述第一種子圖案部分上。
15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，進一步包括形成在所述第一種子圖案部分上的阻焊劑圖案，從而能夠暴露所述第一種子圖案部分的上表面的一部分。
【文檔編號】H01L23/488GK104465580SQ201410471924
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月16日
【發(fā)明者】金東先, 柳盛旭, 李知行 申請人:Lg伊諾特有限公司