一種高電子遷移率晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高電子遷移率晶體管，包括襯底，位于所述襯底上的溝道層，位于所述溝道層上的勢壘層，位于所述勢壘層上的源極、漏極、以及位于源極和漏極之間的肖特基柵極，以及位于所述勢壘層上肖特基柵極和漏極之間的至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)。本發(fā)明能夠調(diào)節(jié)勢壘層與溝道層界面的二維電子氣濃度，有效改善電場在柵極邊緣的集中效應(yīng)，提高高電子遷移率晶體管的擊穿電壓。
【專利說明】一種高電子遷移率晶體管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種高電子遷移率晶體管。

【背景技術(shù)】
[0002]GaN 基高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,簡稱 HEMT)具有高二維電子氣濃度(Two Dimens1nal Electron Gas,簡稱2DEG)和大擊穿電壓，從而獲得了科研機構(gòu)和企業(yè)的廣泛關(guān)注。在保持低導(dǎo)通電阻的情況下，使擊穿電壓盡可能的高是目前GaN基HEMT研究的最大的挑戰(zhàn)之一。
[0003]GaN HEMT器件通常為平面型結(jié)構(gòu)，當(dāng)HEMT處于關(guān)斷狀態(tài)時，柵極施加負(fù)偏壓，漏極施加正偏壓，源極接地，會導(dǎo)致電場線聚集在柵極靠近漏極一側(cè)的邊緣處，形成電場尖峰。當(dāng)柵極和漏極施加的電壓逐漸增加時，會導(dǎo)致柵極邊緣處的電場尖峰進一步增加，當(dāng)高于GaN的臨界擊穿電場強度時，器件就會在此處被擊穿。
[0004]場限環(huán)技術(shù)是目前功率器件中普遍采用的一種終端技術(shù)。對于Si PN結(jié)或肖特基結(jié)來說，當(dāng)主結(jié)所加的反向電壓還低于擊穿電壓時，主結(jié)的空間電荷區(qū)已經(jīng)擴展到了場限環(huán)結(jié)，于是發(fā)生穿通。在穿通之后，環(huán)結(jié)的電位提高，如果進一步增加反壓，空間電荷區(qū)將在環(huán)結(jié)附件展開，所增加的電壓將由環(huán)結(jié)承擔(dān)，這樣環(huán)結(jié)就相當(dāng)于一個分壓器。因此，常采用場限環(huán)技術(shù)來提高半導(dǎo)體器件的擊穿電壓。
[0005]對于GaN HEMT器件，傳統(tǒng)Si半導(dǎo)體場限環(huán)技術(shù)在其中的應(yīng)用有較大的困難。主要是由于P型GaN的摻雜較為困難，Si集成電路中的離子注入工藝會對GaN的晶體結(jié)構(gòu)有很大的損傷，且需要高溫高壓激活，工藝難度大，所以GaN P型摻雜一般是在材料生長時完成。為了在GaN HEMT中獲得Si PN結(jié)中類似的半導(dǎo)體場限環(huán)結(jié)構(gòu)，需先對AlGaN勢壘層進行刻蝕，在刻蝕的溝槽中重新生長P型GaN，并且要嚴(yán)格控制GaN生長的極性與晶體質(zhì)量，對工藝的要求非常高。同時，GaN的P型摻雜一般采用Mg，而Mg的活化能高，造成摻雜效率低，空穴濃度不高，且Mg具有嚴(yán)重的記憶效應(yīng)，向勢壘層中擴散也會降低器件的性能。因此，傳統(tǒng)的場限環(huán)結(jié)構(gòu)與工藝在GaN基HEMT中應(yīng)用的難度較大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明提出了一種高電子遷移率晶體管，以降低場限環(huán)技術(shù)在高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用難度，提升其擊穿電壓。
[0007]本發(fā)明實施例提供了一種高電子遷移率晶體管，包括:
[0008]襯底；
[0009]位于所述襯底上的溝道層；
[0010]位于所述溝道層上的勢壘層；
[0011]位于所述勢壘層上的源極、漏極、以及位于源極和漏極之間的肖特基柵極；以及
[0012]位于所述勢壘層上肖特基柵極和漏極之間的至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)。
[0013]進一步地，所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層之間存在壓電效應(yīng)，且所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)表面態(tài)對費米能級具有釘扎作用，所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)用于部分消耗所述溝道層和勢壘層界面處形成的二維電子氣。
[0014]進一步地，所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)為成分均勻的結(jié)構(gòu)，或者，
[0015]所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)的每一層中金屬元素的含量從所述半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面逐漸變化。
[0016]進一步地，所述半導(dǎo)體場限環(huán)的數(shù)目為至少兩個，通過調(diào)節(jié)所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)之間的距離使得工作時每個所述半導(dǎo)體場限環(huán)上的電場強度相同。
[0017]進一步地，所述半導(dǎo)體場限環(huán)的數(shù)目為至少兩個，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)中組分均勻且相同，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)的厚度從靠近肖特基柵極到靠近漏極逐漸減?。换蛘?，
[0018]所述半導(dǎo)體場限環(huán)的數(shù)目為至少兩個，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)根據(jù)其組分含量分為若干層，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)的厚度從靠近肖特基柵極到靠近漏極逐漸減少位于最上面的一層，形成階梯狀的場限環(huán)結(jié)構(gòu)。
[0019]進一步地，所述勢壘層和所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為II1-V族化合物的半導(dǎo)體材料。
[0020]進一步地，所述溝道層的材料為GaN，所述勢壘層的材料為AlGaN，所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為AlGaN、η型GaN或ρ型GaN中的任意一種，或者所述溝道層的材料為GaN，所述勢魚層的材料為InAlN,所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為ΙηΑΙΝ、η型GaN或ρ型GaN中的任意一種。
[0021]進一步地，當(dāng)所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為AlGaN時，從所述半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面所述半導(dǎo)體場限環(huán)中Al元素的含量逐漸變小，Ga元素的含量逐漸變大；或者
[0022]當(dāng)所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為InAlN時，從所述半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面所述半導(dǎo)體場限環(huán)中Al元素的含量逐漸變小，In元素的含量逐漸變大。
[0023]進一步地，所述勢壘層的材料和所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料均為AlGaN時，所述AlGaN勢壘層中Al元素的含量大于AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)中Al元素的最大含量；或者
[0024]所述勢壘層的材料和所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料均為InAlN時,所述InAlN勢壘層中Al元素的含量大于InAlN半導(dǎo)體場限環(huán)中Al元素的最大含量。
[0025]進一步地，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述源極、漏極、肖特基柵極、至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)以及勢壘層表面的鈍化層。
[0026]進一步地，所述鈍化層的材料為SiNx、Si02、AlN或Al2O3中的任意一種或任意多種的組合。
[0027]本發(fā)明實施例提供的高電子遷移率晶體管，通過在襯底上形成溝道層，在溝道層上形成勢壘層，在勢壘層上形成源極、漏極以及位于源極和漏極之間的肖特基柵極，在勢壘層上的肖特基柵極和漏極之間形成至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)，從而能夠來調(diào)節(jié)勢壘層與溝道層界面的二維電子氣濃度，有效改善電場在柵極邊緣的集中效應(yīng)，提高高電子遷移率晶體管的擊穿電壓。
[0028]在閱讀【具體實施方式】并且在查看附圖之后，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到另外的特征和優(yōu)點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]現(xiàn)將參照附圖解釋示例。附圖用于說明基本原理，使得僅圖示了理解基本原理所必需的方面。附圖并非依比例繪制。在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相似的特征。
[0030]圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)圖；
[0031]圖2是本發(fā)明實施例一提供的一種高電子遷移率晶體管沿圖1中AAl方向的能帶圖；
[0032]圖3為本發(fā)明實施例一提供的高電子遷移率晶體管的關(guān)態(tài)時的溝道電場隨位置變化的示意圖；
[0033]圖4是本發(fā)明實施例二提供的一種高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)圖；
[0034]圖5是本發(fā)明實施例三提供的一種高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)圖；
[0035]圖6是本發(fā)明實施例四提供的一種高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)圖；
[0036]圖7a_圖7f是本發(fā)明實施例四提供的一種高電子遷移率晶體管的制備方法中各步驟對應(yīng)的剖面圖。

【具體實施方式】
[0037]下面結(jié)合附圖并通過【具體實施方式】來進一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。諸如“下面”、“下方”、“在…下”、“低”、“上方”、“在…上”、“高”等的空間關(guān)系術(shù)語用于使描述方便，以解釋一個元件相對于第二元件的定位，表示除了與圖中示出的那些取向不同的取向以外，這些術(shù)語旨在涵蓋器件的不同取向。另外，例如“一個元件在另一個元件上/下”可以表示兩個元件直接接觸，也可以表示兩個元件之間還具有其他元件。此外，諸如“第一”、“第二”等的術(shù)語也用于描述各個元件、區(qū)、部分等，并且不應(yīng)被當(dāng)作限制。類似的術(shù)語在描述通篇中表示類似的元件。
[0038]實施例一
[0039]圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)圖，圖2是本發(fā)明實施例一提供的一種高電子遷移率晶體管沿圖1中AAl方向的能帶圖，現(xiàn)在結(jié)合圖1和圖2來描述本發(fā)明的實施例一。
[0040]請參見圖1，所述高電子遷移率晶體管包括襯底11、位于襯底11上的溝道層12、位于溝道層12上的勢壘層13、位于勢壘層13上的源極14、漏極15以及位于源極14和漏極15之間的肖特基柵極16，位于勢壘層13上的肖特基柵極16和漏極15之間的一個半導(dǎo)體場限環(huán)17。
[0041]在本實施例中，襯底11的材料可以為氮化鎵、硅、藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鋁或者其他半導(dǎo)體材料。
[0042]位于襯底11上的溝道層12的材料可以為GaN，位于溝道層12上的勢壘層13的材料可以為AlGaN，所述溝道層12和勢壘層13形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，在異質(zhì)界面處形成2DEG(圖1中虛線所示)，所述源極14和漏極15分別與勢壘層13形成歐姆接觸。
[0043]所述源極14和漏極15優(yōu)選為單層金屬或多層金屬的層疊，其中，所述金屬的材料優(yōu)選為T1、Al、N1、Au或Mo的任意一種或任意多種的組合。
[0044]所述肖特基柵極16優(yōu)選為單層金屬或多層金屬的層疊，其中，所述金屬的材料優(yōu)選為N1、Pt或Au中的任意一種或任意多種的組合。
[0045]所述半導(dǎo)體場限環(huán)17位于肖特基柵極16和漏極15之間的勢壘層13上，所述半導(dǎo)體場限環(huán)的成分均勻，勢壘層13和半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料為II1-V族化合物的半導(dǎo)體材料，優(yōu)選的，當(dāng)勢壘層13的材料為AlGaN時，所述半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料也為AlGaN，其中，AlGaN勢壘層13中Al元素的含量大于AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17中Al元素的含量。因為AlN材料的晶格常數(shù)小于GaN材料的晶格常數(shù)，且AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17中的Al元素的含量小于AlGaN勢壘層13中的Al元素的含量，故AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17的晶格常數(shù)大于位于其下的AlGaN勢壘層13的晶格常數(shù)，從而在AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17與AlGaN勢壘層13接觸的界面處引入了應(yīng)變，AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17受壓應(yīng)力。由于AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17與AlGaN勢壘層13之間存在壓電效應(yīng)，因此在AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17與AlGaN勢壘層13接觸的界面處引入了壓電負(fù)電荷，所述壓電負(fù)電荷對AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17下方的2DEG有耗盡作用。同時，由于AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17的表面態(tài)釘扎作用，使費米能級釘扎在AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17表面導(dǎo)帶之下，在壓電負(fù)電荷產(chǎn)生的電場和費米能級釘扎的雙重作用下，使AlGaN勢壘層13和GaN溝道層12處的導(dǎo)帶上移(請參見圖2，圖2是本發(fā)明實施例一提供的一種高電子遷移率晶體管沿圖1中AAl方向的能帶圖)，從而降低了 AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17下方AlGaN勢壘層13和GaN溝道層12處的2DEG濃度，使其部分耗盡，降低了柵極邊緣電場強度，從而提高HEMT器件的耐壓能力。
[0046]本發(fā)明實施例中，如果在HEMT器件上沒有設(shè)置AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17，則當(dāng)HEMT器件處于關(guān)斷狀態(tài)時，在肖特基柵極16上施加負(fù)偏壓，漏極15上施加正偏壓，肖特基柵極16之下的2DEG被耗盡，電場線密度在肖特基柵極16靠近漏極15 —側(cè)邊緣處急劇增加，肖特基結(jié)的漏電也迅速增加，最終導(dǎo)致HEMT器件被擊穿，當(dāng)引入AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17后，從圖1中可以看出AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17下方對應(yīng)的AlGaN勢壘層12和GaN溝道層12形成的異質(zhì)結(jié)界面處2DEG處于部分耗盡狀態(tài)，故此時電場線密度沿耗盡區(qū)重新分布，一部分電場線指向AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17下的耗盡區(qū)，從而降低了漏極15 —側(cè)的肖特基柵極16邊緣處的電場密度，降低了電場峰值，從而抑制了柵極肖特基結(jié)的反向漏電流，提升了擊穿電壓。
[0047]圖3為本發(fā)明實施例一提供的高電子遷移率晶體管的關(guān)態(tài)時的溝道電場隨位置變化的示意圖，請參見圖3，圖中實線表示無半導(dǎo)體場限環(huán)時HEMT的關(guān)態(tài)溝道電場隨位置變化的示意圖，虛線表示采用本發(fā)明實施例一提供的具有單個半導(dǎo)體場限環(huán)時HEMT的關(guān)態(tài)溝道電場隨位置變化的示意圖。HEMT源極與漏極之間的電壓為200V，柵極電壓為-6V，由圖3可見采用半導(dǎo)體場限環(huán)可以顯著降低柵極靠近漏極一端(對應(yīng)橫坐標(biāo)為O時)的電場強度峰值，從而提升HEMT器件的擊穿電壓。
[0048]下面，對本發(fā)明實施例實現(xiàn)上述高電子遷移率晶體管的制作方法進行說明。
[0049]首先，在襯底11上依次形成溝道層12和勢壘層13，其中，溝道層12的材料為GaN,勢魚層13的材料為AlGaN,溝道層12和勢魚層13形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),異質(zhì)界面處形成有2DEG，其次，在勢壘層13上形成半導(dǎo)體場限環(huán)層，所述半導(dǎo)體場限環(huán)層的材料為AlGaN，且AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17中的Al元素的含量小于AlGaN勢壘層13中的Al元素的含量，通過光刻工藝形成掩膜，再經(jīng)過刻蝕將多余的部分去掉，形成AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17，最后，在勢壘層13上，AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17兩側(cè)分別形成源極14和漏極15，在源極14和AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17之間的勢壘層13上形成肖特基柵極。其中，源極14和漏極15的形成工藝可包括高溫退火法或重?fù)诫s法或離子注入法等。
[0050]優(yōu)選的，所述高電子遷移率晶體管還可包括依次位于襯底11和溝道層12之間的成核層18和緩沖層19，所述成核層18的材料可以為AlN或GaN，該成核層18影響位于其上的溝道層12和勢壘層13形成的異質(zhì)結(jié)材料的晶體質(zhì)量、表面形貌以及電學(xué)性質(zhì)等參數(shù)，起匹配襯底材料和異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體材料層的作用，緩沖層19位于成核層18和溝道層12之間，所述緩沖層的材料可以為AlGaN或GaN等。該緩沖層可優(yōu)化位于其上的溝道層12和勢壘層13材料的晶體質(zhì)量、表面形貌以及電學(xué)性質(zhì)等參數(shù)。
[0051]優(yōu)選的，所述高電子遷移率晶體管還可包括位于源極、漏極、肖特基柵極、至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)以及勢壘層表面的鈍化層(圖1中未示出)，所述鈍化層的材料優(yōu)選為SiN, S12^AlN或Al2O3中的任意一種或任意多種的組合。
[0052]優(yōu)選的，所述溝道層的材料為GaN，所述勢壘層13的材料為InAIN，所述半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料為成分均勻的InAIN。當(dāng)所述半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料為成分均勻的InAlN時，該半導(dǎo)體場限環(huán)17提高HEMT器件的耐壓能力的原理與半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料為AlGaN，勢壘層13的材料為AlGaN提高HEMT器件的耐壓能力的原理相同，制作方法類似，在此不再贅述。
[0053]優(yōu)選的，勢壘層材料為AlGaN或InAlN時，半導(dǎo)體場限環(huán)的材料可以是η型GaN或P型GaN。η型GaN與勢壘層之間的晶格常數(shù)相差更大，壓電效應(yīng)與采用AlGaN或InGaN相比更明顯，對其下2DEG的耗盡效果更顯著。而ρ型GaN中存在電離受主負(fù)電荷，同時還存在壓電效應(yīng)產(chǎn)生的負(fù)電荷，因此產(chǎn)生的電場比采用η型GaN形成的半導(dǎo)體場限環(huán)所產(chǎn)生的電場大很多，因此對2DEG的耗盡程度更大，從而可在更大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)柵極邊緣的電場強度。
[0054]優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體場限環(huán)17中的金屬元素的含量從所述半導(dǎo)體場限環(huán)17與所述勢壘層13接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面逐漸變化。
[0055]具體的，所述溝道層的材料為GaN，所述勢壘層的材料為AlGaN，所述半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料可以為成分漸變的AlGaN，從AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17與AlGaN勢壘層13接觸的界面處到AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17表面，所述AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17中Al元素的含量逐漸變小，Ga元素的含量逐漸變大，其中，AlGaN勢壘層13中Al元素的含量大于AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17中Al元素的最大含量。
[0056]由于AlN材料的晶格常數(shù)小于GaN材料的晶格常數(shù)，故AlGaN材料中Al元素的含量越小，其晶格常數(shù)越大。因為AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17的Al元素含量從AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17與AlGaN勢壘層13接觸的界面處到AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17表面逐漸變小，故AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17中的晶格常數(shù)從AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17與AlGaN勢壘層13接觸的界面處到AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17表面逐漸增大，這種晶格常數(shù)的梯度變化在整個AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17中逐級引入水平方向的壓應(yīng)變，因為AlGaN的壓電極化常數(shù)很大，故產(chǎn)生的極化電場很大。因此，該結(jié)構(gòu)的AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17不僅會在與AlGaN勢壘層13接觸面形成壓電負(fù)電荷，在整個AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17內(nèi)也分布著負(fù)電荷。與每一層組分相同半導(dǎo)體場限環(huán)相比，該結(jié)構(gòu)中金屬元素的含量從所述半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面逐漸變化，使半導(dǎo)體場限環(huán)結(jié)構(gòu)的壓電電荷的密度更高，可產(chǎn)生更強的壓電極化電場，相同厚度下該AlGaN場限環(huán)17對2DEG的耗盡作用更強。在HEMT夾斷時，可以使肖特基柵極16邊緣處的電場線密度更進一步的降低，使此處的電場尖峰進一步減小，使HEMT可以承受更高的電壓而不至于被擊穿。
[0057]具體的，當(dāng)勢壘層13的材料為InAIN，半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料為組分漸變InAlN時。InAlN半導(dǎo)體場限環(huán)17中In元素的含量從半導(dǎo)體場限環(huán)17與勢壘層13的接觸面到半導(dǎo)體場限環(huán)17的表面逐漸變大，Al元素的含量逐漸變小。其中，InAlN勢壘層13中Al元素的含量大于InAlN半導(dǎo)體場限環(huán)17中Al元素的最大含量。當(dāng)半導(dǎo)體場限環(huán)17和勢壘層13的材料均為InAlN時，該半導(dǎo)體場限環(huán)17能夠提高HEMT器件的耐壓能力。其原理與半導(dǎo)體場限環(huán)17和勢壘層13的材料均為AlGaN，且AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)17中Al元素的含量從半導(dǎo)體場限環(huán)17與勢壘層13的接觸面到半導(dǎo)體場限環(huán)17表面逐漸變小，能夠提高HEMT器件的耐壓能力的原理相同，制作方法類似，在此不再贅述。
[0058]實施例二
[0059]圖4是本發(fā)明實施例二提供的一種高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)圖，請參見圖4，所述高電子遷移率晶體管包括襯底11、位于襯底11上的成核層18、位于成核層18上的緩沖層19、位于緩沖層19上的溝道層12、位于溝道層12上的勢壘層13、位于勢壘層13上的源極14、漏極15以及位于源極14和漏極15之間的肖特基柵極16，位于勢壘層13上的肖特基柵極16和漏極15之間的至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)。
[0060]本實施例二以上述實施例一為基礎(chǔ)，與實施例一的不同之處在于，實施例二提供的高電子遷移率晶體管包括位于勢壘層13上的肖特基柵極16和漏極15之間的至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)，在本實施例中，以第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172為例進行說明。
[0061]所述第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172為均一組分，或者，該第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172中金屬元素的含量分別從其與勢壘層13接觸的界面處到其表面逐漸變化。
[0062]溝道層12、勢壘層13和半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料為II1-V族化合物的半導(dǎo)體材料，優(yōu)選的溝道層12為GaN，勢壘層13的材料為AlGaN，第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172的材料可以為成分均勻的AlGaN、成分漸變的AlGaN、n型GaN或ρ型GaN中的任意一種；或者，溝道層12的材料為GaN，勢壘層13的材料為InAIN，第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172的材料可以為成分均勻的InAIN、成分漸變的ΙηΑ1Ν、η型GaN或ρ型GaN中的任意一種。
[0063]具體的，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172的材料為成分漸變的AlGaN時，從半導(dǎo)體場限環(huán)與勢壘層13接觸的界面處到第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172表面，第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172中Al元素的含量逐漸變小，Ga元素的含量逐漸變大，AlGaN勢壘層13中Al元素的含量大于AlGaN第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172中Al元素的含量；當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172的材料為InAlN時，從第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172與勢壘層13接觸的界面處，到第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172表面，該第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172中In元素的含量逐漸變大，Al元素的含量逐漸變小，InAlN勢壘13中Al元素的含量大于InAlN第一半導(dǎo)體場限環(huán)171和第二半導(dǎo)體場限環(huán)172中Al元素的最大含量。
[0064]本發(fā)明實施例二提供的半導(dǎo)體場限環(huán)的制作方法與實施例一中提供的半導(dǎo)體場限環(huán)的制作方法類似，通過在勢壘層上光刻形成掩模層，并通過刻蝕工藝來形成至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)。
[0065]與實施例一提供的HEMT中的單個半導(dǎo)體場限環(huán)相比，實施例二提供的至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)一方面能夠消除前一個半導(dǎo)體場限環(huán)在其靠近漏極邊緣處引入的電場尖峰，從而進一步提高HEMT器件的耐壓能力，另一方面，通過調(diào)節(jié)所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)之間的距離，能夠使得工作時每一個半導(dǎo)體場限環(huán)上承受的電場強度相同，從而使肖特基柵極和漏極之間的勢壘層中的電場趨于一致，從而進一步提高HEMT器件的耐壓能力。
[0066]實施例三
[0067]圖5是本發(fā)明實施例三提供的一種高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)圖，請參見圖5，所述高電子遷移率晶體管包括襯底11、位于襯底11上的成核層18、位于成核層18上的緩沖層19、位于緩沖層19上的溝道層12、位于溝道層12上的勢壘層13、位于勢壘層13上的源極14、漏極15以及位于源極14和漏極15之間的肖特基柵極16，位于勢壘層13上的肖特基柵極16和漏極15之間的至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)中組分均一，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)的厚度從靠近肖特基柵極16到靠近漏極15逐漸減小。
[0068]在本實施例中，以第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173為例來描述本發(fā)明。
[0069]溝道層12、勢壘層13和半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料為II1-V族化合物的半導(dǎo)體材料，優(yōu)選的第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173的材料可以為AlGaN、η型GaN或ρ型GaN，勢壘層13的材料也為AlGaN。當(dāng)勢壘層13和場限環(huán)17的材料都為AlGaN時，場限環(huán)17中的Al含量小于勢壘層中的Al含量?；蛘撸谝话雽?dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173的材料為InAIN、η型GaN或P型GaN中的任意一種，勢壘層13的材料為InAIN。當(dāng)勢壘層13和場限環(huán)17的材料都為InAlN時，場限環(huán)17中的Al含量小于勢壘層中的Al含量。
[0070]在本實施例中，第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173的厚度從靠近肖特基柵極16到靠近漏極15逐漸減小，每一個半導(dǎo)體場限環(huán)承擔(dān)的電場強度相當(dāng)，因此，在半導(dǎo)體場限環(huán)靠近漏極15邊緣處同時達到臨界擊穿場強，在不顯著增加溝道電阻的情況下，可較大程度上提升HEMT器件的擊穿電壓。
[0071]隨著半導(dǎo)體場限環(huán)厚度的逐漸減小，每一個半導(dǎo)體場限環(huán)中壓電負(fù)電荷數(shù)量隨之減小，產(chǎn)生的極化電場隨之減弱，因此對二維電子氣的耗盡作用也減小。對于HEMT器件來說，肖特基柵極16邊緣處的電場強度為最高值，并向漏極方向遞減，因此靠近漏極15處對降低電場強度的要求不高，因此，將至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)形成沿肖特基柵極16到漏極15方向厚度逐漸減小的結(jié)構(gòu)，可以使2DEG從肖特基柵極16到漏極15不同程度的耗盡，通過至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)對勢壘層13中的電場的不同程度的調(diào)節(jié)，使肖特基柵極16邊緣處的電場峰值減小的最多，從肖特基柵極16到漏極15間電場減小程度逐漸遞減，從而獲得源極14和漏極15間近似恒定電場強度。本實施例與實施例二相比，在調(diào)節(jié)肖特基柵極和漏極間電場，提高HEMT擊穿電壓的同時，保持了低導(dǎo)通電阻。使器件的功耗更小，更適用于高電壓，高頻率HEMT。本實施例中的場限環(huán)制作方法與實施例一中類似，不同厚度的場限環(huán)通過多次光刻形成掩膜層和后續(xù)刻蝕來完成。
[0072]實施例四
[0073]圖6是本發(fā)明實施例四提供的一種高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)圖，請參見圖6，所述高電子遷移率晶體管包括襯底11、位于襯底11上的成核層18、位于成核層18上的緩沖層19、位于緩沖層19上的溝道層12、位于溝道層12上的勢壘層13、位于勢壘層13上的源極14、漏極15以及位于源極14和漏極15之間的肖特基柵極16，位于勢壘層13上的肖特基柵極16和漏極15之間的至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)根據(jù)其組分含量分為若干層，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)中金屬元素的含量從半導(dǎo)體場限環(huán)與勢壘層13接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面逐漸變化，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)的厚度從靠近肖特基柵極16到靠近漏極15逐漸減小位于最上面的一層，形成階梯狀的場限環(huán)結(jié)構(gòu)。
[0074]在本實施例中，以第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173為例來描述本發(fā)明。
[0075]溝道層12、勢壘層13和半導(dǎo)體場限環(huán)17的材料為II1-V族化合物的半導(dǎo)體材料。優(yōu)選的，溝道層的材料為GaN，勢壘層13的材料為AlGaN，第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173的材料可以為AlGaN，或者，溝道層的材料為GaN，勢壘層13的材料為InAIN，第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173的材料為InAIN，
[0076]當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173和勢壘層13的材料均為AlGaN時，從第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173與勢壘層13接觸的界面處到第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173的表面，Al元素的含量逐漸變小，Ga元素的含量逐漸變大，AlGaN勢壘層13中Al元素的含量大于AlGaN第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173中Al元素的含量。當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173和勢壘層13的材料均為InAlN時，從第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173與勢壘層13接觸的界面處，到第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173表面，該三個半導(dǎo)體場限環(huán)中In元素的含量逐漸變大，Al元素的含量逐漸變小，InAlN勢壘層13中Al元素的含量大于InAlN第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173中Al元素的最大含量。
[0077]以第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173和勢壘層13的材料均為AlGaN為例，根據(jù)將第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173中Al組分的含量分為三層，請參考圖6，勢壘層13為Ala4Gaa6N,從肖特基柵極16處開始，第一半導(dǎo)體場限環(huán)171中每一層中金屬元素的含量從第一半導(dǎo)體場限環(huán)171與勢壘層13接觸的界面處到第一半導(dǎo)體場限環(huán)171表面分別是Ala3Gaa7N、Ala2Gaa8N和Ala Aaa9N ;第二半導(dǎo)體場限環(huán)172中每一層中金屬兀素的含量從第二半導(dǎo)體場限環(huán)172與勢壘層173接觸的界面處，到第二半導(dǎo)體場限環(huán)172表面，分別是Ala3Gaa7N和Ala2Gaa8N ;第三半導(dǎo)體場限環(huán)173中金屬元素的含量從第三半導(dǎo)體場限環(huán)173與勢壘層13接觸的界面處到第三半導(dǎo)體場限環(huán)173表面是Ala3Gaa7N,由于每一個半導(dǎo)體場限環(huán)相對于前一個半導(dǎo)體場限環(huán)都減少位于最上面的一層，因此它們的厚度從靠近肖特基柵極16到靠近漏極15逐漸遞減。
[0078]在靠近肖特基柵極16處的第一半導(dǎo)體場限環(huán)171是由三層不同成分的AlGaN組成的，不同成分的AlGaN層之間存在著應(yīng)變，從而在整個第一半導(dǎo)體場限環(huán)171體內(nèi)引入了壓電負(fù)電荷，而且第一半導(dǎo)體場限環(huán)171的厚度最大，故對2DEG的耗盡能力在這三個場限環(huán)中最強，故可以降低柵極邊緣處的電場尖峰?？拷O處的第三半導(dǎo)體場限環(huán)的厚度逐漸減小，其中的壓電負(fù)電荷濃度也逐漸減小，考慮到此處的電場強度較小，采用厚度較小的半導(dǎo)體場限環(huán)依然可以調(diào)節(jié)肖特基柵極和漏極間電場，提高HEMT擊穿電壓，同時保持了低導(dǎo)通電阻。使器件的功耗更小，更適用于高電壓，高頻率HEMT。
[0079]圖7a_圖7f是本發(fā)明實施例四提供的一種高電子遷移率晶體管的制備方法中各步驟對應(yīng)的剖面圖，下面，結(jié)合圖7a_圖7f對本發(fā)明實施例實現(xiàn)上述高電子遷移率晶體管的制作方法進行說明。
[0080]請參考圖7a，首先，在襯底11上依次形成成核層18、緩沖層19、溝道層12和勢壘層13。
[0081]溝道層12的材料為GaN，勢壘層13的材料為Ala4Gaa6N,溝道層12和勢壘層13形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，異質(zhì)界面處形成有2DEG。
[0082]請參見圖7b，在勢壘層13上依次形成具有三層層級結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體場限環(huán)層，從所述半導(dǎo)體場限環(huán)層與勢壘層13接觸的界面到半導(dǎo)體場限環(huán)的頂部層級每一層中金屬元素的含量分別為 Al0.3Ga0.7N、Al0.2Ga0.8N 和 Al0.^a0.9N。
[0083]請參見圖7c，在半導(dǎo)體場限環(huán)層上通過光刻形成掩模層，通過刻蝕只留下靠近肖特基柵極處的第一半導(dǎo)體場限環(huán)層的層級結(jié)構(gòu)AlaiGaa9N,將第一半導(dǎo)體場限環(huán)層的層級結(jié)構(gòu)兩側(cè)的AlaiGaa9N半導(dǎo)體場限環(huán)層去除，將位于Ala Aaa9N半導(dǎo)體場限環(huán)層下的Al0.2Ga0.8N半導(dǎo)體場限環(huán)層裸露出來。
[0084]請參見圖7d，對靠近所述層級結(jié)構(gòu)Ala Aaa9N的裸露出來的Altl 2Gatl 8N半導(dǎo)體場限環(huán)層進行光刻形成掩模層，對裸露出來的Ala2Gaa8N半導(dǎo)體場限環(huán)層進行刻蝕，形成位于第一半導(dǎo)體場限環(huán)171的層級結(jié)構(gòu)AlaiGaa9N下的Ala2Gaa8N層級結(jié)構(gòu)和位于第一半導(dǎo)體場限環(huán)171層級結(jié)構(gòu)Ala Aatl 9N—側(cè)的第二半導(dǎo)體場限環(huán)172的Alci 2Gatl 8N層級結(jié)構(gòu)，將位于Al0.^aa8N半導(dǎo)體場限環(huán)層下的Ala 3Gaa7N半導(dǎo)體場限環(huán)層裸露出來。
[0085]請參見圖7e，對靠近所述第二半導(dǎo)體場限環(huán)172的Ala2Gaa8N層級結(jié)構(gòu)的裸露出來的Ala 3Ga0.7N半導(dǎo)體場限環(huán)層進行光刻形成掩模層，對裸露出來的Ala 3Ga0.7N半導(dǎo)體場限環(huán)層進行刻蝕，形成位于第一半導(dǎo)體場限環(huán)171的層級結(jié)構(gòu)AlaiGaa9N和第一半導(dǎo)體場限環(huán)171的Alci 2Gatl 8N層級結(jié)構(gòu)下的Alci 3Gatl 7N層級結(jié)構(gòu)，和位于第二半導(dǎo)體場限環(huán)172的Ala2Gaa8N層級結(jié)構(gòu)下的Ala3Gaa7N層級結(jié)構(gòu)，以及第三半導(dǎo)體場限環(huán)173的Ala3Gaa7N層級結(jié)構(gòu)。
[0086]由于場限環(huán)各層之間的Al成分不同，使得相鄰的兩種材料具有不同的刻蝕選擇t匕，因此在工藝上可以精確地控制各場限環(huán)的高度，保持器件性能的一致性。本結(jié)構(gòu)的場限環(huán)可以采用BC13/SF6干法刻蝕工藝，SF6和BCl3的混合增加了刻蝕劑Cl自由基和抑制劑F原子的數(shù)量，使Al組分不同的AlGaN的刻蝕速率不同。高Al組分的AlGaN在BC13/SF6混合刻蝕時的刻蝕速率較慢，這是因為在AlGaN表面形成了非揮發(fā)性的AlF3，降低了 Cl的刻蝕效率，當(dāng)Al組分越高時，形成越多的AlF3,對應(yīng)的刻蝕速率就越慢。AlF3可以通過后續(xù)的等離子濺射消除。
[0087]請參見圖7f，在勢壘層13上的第一半導(dǎo)體場限環(huán)171、第二半導(dǎo)體場限環(huán)172和第三半導(dǎo)體場限環(huán)173的兩側(cè)分別形成源極14和漏極15，在勢壘層13上，源極14和第一半導(dǎo)體場限環(huán)171之間形成肖特基柵極16。
[0088]在本實施例中，由于每一個半導(dǎo)體場限環(huán)各層之間的Al成分不同，使得相接觸的兩種金屬含量不同的AlGaN材料具有不同的刻蝕選擇比，因此在工藝上可以精確地控制每一個半導(dǎo)體場限環(huán)的高度，保持HEMT器件性能的一致性。
[0089]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動和變化。本發(fā)明的各個實施例在不違反邏輯的基礎(chǔ)上均可相互組合。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包括: 襯底； 位于所述襯底上的溝道層； 位于所述溝道層上的勢壘層； 位于所述勢壘層上的源極、漏極、以及位于源極和漏極之間的肖特基柵極；以及 位于所述勢壘層上肖特基柵極和漏極之間的至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層之間存在壓電效應(yīng)，且所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)表面態(tài)對費米能級具有釘扎作用，所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)用于部分消耗所述溝道層和勢壘層界面處形成的二維電子氣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)為成分均勻的結(jié)構(gòu)，或者， 所述至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)的每一層中金屬元素的含量從所述半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面逐漸變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體場限環(huán)的數(shù)目為至少兩個，通過調(diào)節(jié)所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)之間的距離使得工作時每個所述半導(dǎo)體場限環(huán)上的電場強度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體場限環(huán)的數(shù)目為至少兩個，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)中組分均勻且相同，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)的厚度從靠近肖特基柵極到靠近漏極逐漸減??；或者， 所述半導(dǎo)體場限環(huán)的數(shù)目為至少兩個，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)根據(jù)其組分含量分為若干層，所述至少兩個半導(dǎo)體場限環(huán)的厚度從靠近肖特基柵極到靠近漏極逐漸減少位于最上面的一層，形成階梯狀的場限環(huán)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述勢壘層和所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為II1-V族化合物的半導(dǎo)體材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述溝道層的材料為GaN,所述勢魚層的材料為AlGaN,所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為AlGaN、n型GaN或p型GaN中的任意一種，或者所述溝道層的材料為GaN，所述勢壘層的材料為InAIN，所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為InAIN、η型GaN或ρ型GaN中的任意一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，當(dāng)所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為AlGaN時，從所述半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面所述半導(dǎo)體場限環(huán)中Al元素的含量逐漸變小，Ga元素的含量逐漸變大；或者 當(dāng)所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料為InAlN時，從所述半導(dǎo)體場限環(huán)與所述勢壘層接觸的界面處到半導(dǎo)體場限環(huán)表面所述半導(dǎo)體場限環(huán)中Al元素的含量逐漸變小，In元素的含量逐漸變大。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述勢壘層的材料和所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料均為AlGaN時，所述AlGaN勢壘層中Al元素的含量大于AlGaN半導(dǎo)體場限環(huán)中Al元素的最大含量；或者 所述勢壘層的材料和所述半導(dǎo)體場限環(huán)的材料均為InAlN時，所述InAlN勢壘層中Al元素的含量大于InAlN半導(dǎo)體場限環(huán)中Al元素的最大含量。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述源極、漏極、肖特基柵極、至少一個半導(dǎo)體場限環(huán)以及勢壘層表面的鈍化層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述鈍化層的材料為SiNx, S12, AlN或Al2O3中的任意一種或任意多種的組合。
【文檔編號】H01L29/778GK104269434SQ201410479659
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月19日
【發(fā)明者】裴軼 申請人:蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司