一種led芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片,其層結(jié)構(gòu)依次包括襯底(1)、緩沖層(2)、N型層(3)、N型分別限制層(4)、發(fā)光區(qū)層(5)、P型分別限制層(6)、P型層(7)、P型歐姆接觸層(8)、光穿透層(9)、二氧化硅層(10)、金屬層(11),其特征在于:該芯片蝕刻成梯臺(tái)結(jié)構(gòu)并形成環(huán)狀N型電極和P型電極,P型電極被環(huán)狀N型電極包圍,所述環(huán)狀N型電極和所述P型電極與PCB板連接的焊錫面處于同一水平面。本發(fā)明由于芯片結(jié)構(gòu)包括N型電極和P型電極,使得PN電極層面積最大,得到最大注入電流,提升發(fā)光效率。
【專利說(shuō)明】—種LED芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明申請(qǐng)為申請(qǐng)日2011年12月29日,申請(qǐng)?zhí)枮?201110451883.4,名稱為“一種高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。本發(fā)明涉及一種LED芯片,尤其是涉及一種高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]使用藍(lán)寶石襯底其優(yōu)點(diǎn)是化學(xué)穩(wěn)定性好,不吸收可見(jiàn)光、價(jià)格適中、制造技術(shù)相對(duì)成熟,因此成為用于GaN生長(zhǎng)最普遍的襯底。在LED的封裝過(guò)程中,都把藍(lán)寶石襯底面直接固定在散熱板上。在LED的工作過(guò)程中,其發(fā)光區(qū)是器件發(fā)熱的根源。由于藍(lán)寶石襯底本身是一種絕緣體材料,且導(dǎo)熱性能比GaN材料較差,所以對(duì)這種正裝的LED器件其工作電流都有一定的限制,以確保LED的發(fā)光效率和工作壽命。為改善器件的散熱性能,人們?cè)O(shè)計(jì)了一種LED芯片結(jié)構(gòu),即倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片。
[0003]另外,傳統(tǒng)的藍(lán)寶石襯底的GaN芯片的結(jié)構(gòu),電極剛好位于芯片的出光面。由于P-GaN層有限的電導(dǎo)率,因此要求在P-GaN層表面沉淀一層用于電流擴(kuò)散的金屬層,這個(gè)電流擴(kuò)散層由Ni和Au組成,會(huì)吸收部分光,從而降低出光效率。如果將芯片倒裝,那么電流擴(kuò)散層(金屬反射層)就成為光的反射層,這樣光可通過(guò)藍(lán)寶石襯底發(fā)射出去,從而提高出光效率。
[0004]自從提出芯片的倒裝設(shè)計(jì)之后,人們針對(duì)其可行性進(jìn)行了大量的研究和探索。由于LED芯片設(shè)計(jì)的局限性,封裝良率一直很低,原因如下:第一、N型電極區(qū)域相對(duì)小,很難與PCB板的相應(yīng)區(qū)域?qū)ξ?;第二、N型電極位置比P型電極位置高很多,很容易造成虛焊、脫焊情形;第三、為制作N型電極,往往要人為地去掉很大一部分有源區(qū),這樣大大地減少了器件的發(fā)光面積,直接影響了 LED發(fā)光效率。
[0005]再者,雖然LED的發(fā)光效率已經(jīng)超過(guò)日光燈和白熾燈,但商業(yè)化LED發(fā)光效率還是低于鈉燈(1501m/W)。那么,哪些因素影響LED的發(fā)光效率呢?就白光LED來(lái)說(shuō),其封裝成品發(fā)光效率是由內(nèi)量子效率,電注入效率,提取效率和封裝效率的乘積決定的。
如圖32所示,利用MOCVD、VPE、MBE或LPE技術(shù)在襯底30上生長(zhǎng)器件(如LED、LD等)結(jié)構(gòu),從上至下依次分別為襯底30、N型材料層31、發(fā)光區(qū)32、P型材料層33、P型電極34、P級(jí)焊錫層35、PCB板36以及散熱板40。其中N型材料層31與散熱板40之間還依次連接N型電極37、N級(jí)焊錫層38和PCB板39。
[0006]該傳統(tǒng)的LED芯片存在的技術(shù)缺陷如下:
1、在水平方向N型電極37所處位置與P型電極34相距較遠(yuǎn),N型電極37對(duì)其下方的PCB板39的位置設(shè)計(jì)有苛刻的要求,影響到封裝優(yōu)良率。
[0007]2、N型電極37位置比P型電極34位置高很多,導(dǎo)致其與下方的PCB板39之間的間隙較大,在焊錫時(shí)很容易使得N級(jí)焊錫層38過(guò)長(zhǎng)而造成虛焊或脫焊的發(fā)生。
[0008]3、為了使得N型電極37與其下方的PCB板39可以進(jìn)行焊接,需要去掉很大一部分發(fā)光區(qū),影響到LED芯片的發(fā)光效率。
[0009]4、電極區(qū)域不夠大,影響注入電流效率進(jìn)而影響到LED芯片的發(fā)光效率。
[0010]5、P型電極與N型電極位在芯片兩側(cè),造成電子流動(dòng)路徑不一,如圖33,形成電阻不均勻,芯片發(fā)光區(qū)發(fā)光不均勻,影響到LED芯片的發(fā)光效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片,其解決了以下技術(shù)問(wèn)題是:
(I) N型電極區(qū)、P型電極區(qū)域相對(duì)小,很難與PCB板的相應(yīng)區(qū)域?qū)ξ?,?huì)影響到封裝效果和LED產(chǎn)品的優(yōu)良率;
(2 ) N型電極位置比P型電極位置高很多,很容易造成虛焊、脫焊情形;
(3)為制作N型電極,往往要人為地去掉很大一部分有源區(qū),這樣大大地減少了器件的發(fā)光面積,直接影響了 LED發(fā)光效率;
(4)P型及N型電極區(qū)域不夠大,影響注入電流,直接影響了 LED發(fā)光效率;
(5 )P型電極與N型電極位在芯片兩側(cè),造成電子流動(dòng)路徑不一,形成電阻不均勻,芯片發(fā)光區(qū)發(fā)光不均勻,影響到LED芯片的發(fā)光效率。
[0012]為了解決上述存在的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用了以下方案:
一種高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片,其層結(jié)構(gòu)依次包括襯底(I)、緩沖層(2)、N型層(3)、N型分別限制層(4)、發(fā)光區(qū)層(5)、P型分別限制層(6)、P型層(7)、P型歐姆接觸層(8)、光穿透層(9)、二氧化硅層(10)、金屬層(11),其特征在于:該芯片蝕刻成梯臺(tái)結(jié)構(gòu)并形成環(huán)狀N型電極和P型電極,P型電極被環(huán)狀N型電極包圍,所述環(huán)狀N型電極和所述P型電極與PCB板連接的焊錫面處于同一水平面。
[0013]進(jìn)一步,N型電極主要包括N型電極光穿透層ITO薄膜(191)和N型電極金屬合金層(23),其中N型電極光穿透層ITO薄膜(191)為階梯結(jié)構(gòu),階梯結(jié)構(gòu)下部與芯片兩側(cè)的N型層(3)暴露區(qū)連接;階梯結(jié)構(gòu)上部與N型電極金屬合金層(23)、金屬層(11)以及絕緣介質(zhì)膜(16)連接,其中N型電極金屬合金層(23)位于階梯結(jié)構(gòu)上部的上方,金屬層(11)和絕緣介質(zhì)膜(16 )位于階梯結(jié)構(gòu)上部的下方;P型電極主要包括P型電極金屬合金層(24)和P型電極光穿透層ITO薄膜(192),P型電極光穿透層ITO薄膜(192)上方與P型電極金屬合金層(24)連接,P型電極光穿透層ITO薄膜(192)四周向下延伸至光穿透層(9)并且將金屬層(11)和二氧化硅層(10)限制于其中;N型電極金屬合金層(23)與P型電極金屬合金層(24)位于同一水平面。
[0014]進(jìn)一步,所述絕緣介質(zhì)膜(16)與階梯結(jié)構(gòu)的中間部分和下部相平行,起到隔離N型電極光穿透層ITO薄膜(191)的作用。
[0015]進(jìn)一步,在所述襯底(I)中形成一層凹凸面(12)。
[0016]進(jìn)一步,所述環(huán)狀N型電極和所述P型電極通過(guò)各自的PCB板與散熱結(jié)構(gòu)(26 )連接。
[0017]該高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片具有以下有益效果:
(I)本發(fā)明由于芯片結(jié)構(gòu)包括N型電極和P型電極,使得PN電極層面積最大,得到最大注入電流,提升發(fā)光效率。
[0018](2)本發(fā)明由于N型電極采用了階梯結(jié)構(gòu),只要求去掉很小一部分有源區(qū),確保了光反射層面積的最大化,得到最佳發(fā)光效率。
[0019](3 )本發(fā)明由于環(huán)形N型電極層包圍P型電極層,達(dá)到最均勻電流,發(fā)光區(qū)最均勻。
[0020](4)本發(fā)明還由于N型電極層與P型電極層處于同一平面,封裝良率高。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟I示意圖;
圖2:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟2示意圖;
圖3:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟3示意圖;
圖4:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟4示意圖;
圖5:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟5示意圖;
圖6:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟6示意圖;
圖7:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟7示意圖;
圖8:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟8示意圖;
圖9:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟9示意圖;
圖10:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟10示意圖;
圖11:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟11示意圖;
圖12:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟12示意圖;
圖13:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟13示意圖;
圖14:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟14示意圖;
圖15:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟15示意圖;
圖16:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟16示意圖;
圖17:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟17示意圖;
圖18:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟18示意圖;
圖19:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟19示意圖;
圖20:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟20示意圖;
圖21:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟21示意圖;
圖22:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟22示意圖;
圖23:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟23示意圖;
圖24:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟24示意圖;
圖25:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟25示意圖;
圖26:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟26示意圖;
圖27:本發(fā)明中的LED芯片制作工藝步驟27示意圖;
圖28:本發(fā)明高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖;
圖29:圖28的俯視圖;
圖30:圖28中光反射示意效果圖;
圖31:本發(fā)明LED芯片與散熱結(jié)構(gòu)連接示意圖;
圖32:現(xiàn)有技術(shù)中LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖;
圖33:圖32中電子流向示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記說(shuō)明: I一襯底;2—緩沖層;3 —N型層;4一N型分別限制層;5—發(fā)光區(qū)層;6 —P型分別限制層;7—P型層;8—P型歐姆接觸層;9一光穿透層;10—二氧化硅層;11一金屬層;12—凹凸面;13—第一光刻I父層;14一第二光刻I父層;15—第二光刻I父層;16—絕緣介質(zhì)膜;17—第四光刻膠層;18—第五光刻膠層;19一光穿透層ITO薄膜;191 一N型電極光穿透層ITO薄膜;192—P型電極光穿透層ITO薄膜;20—第六光刻膠層;21—金屬合金層;22—第七光刻膠層;23—N型電極金屬合金層;24—P型電極金屬合金層;25—PCB板;26—散熱結(jié)構(gòu);
30—襯底;31—N型材料層;32—發(fā)光區(qū);33 — P型材料層;34— P型電極;35 — P級(jí)焊錫層;36 —PCB板;37 —N型電極;38 —N級(jí)焊錫層;39 —PCB板;40—散熱板。
[0023]
【具體實(shí)施方式】
下面結(jié)合圖1至圖31,對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明:
如圖1所示,襯底I是載體,一般是藍(lán)寶石、碳化硅、硅、GaAs、AlN、ZnO或GaN等材料。
[0024]在襯底上,先以蝕刻形成一層凹凸面12,此凹凸面12可以減少光在芯片內(nèi)的全反射,增加出光率。
[0025]緩沖層2是一個(gè)過(guò)度層,在此基礎(chǔ)上生長(zhǎng)高質(zhì)量的N、P、量子阱等其它材料。
[0026]LED由pn結(jié)構(gòu)成,緩沖層2、N型層3層、N型分別限制層4、P型分別限制層6以及P型層7是為了形成制作LED所需的P和N型材料。發(fā)光區(qū)層5是LED的發(fā)光區(qū),光的顏色由有源區(qū)的材料決定。
[0027]P型歐姆接觸層8是材料生長(zhǎng)的最后一層,這一層的載流子攙雜濃度較高,目的是為制作較小的歐姆接觸電阻。
[0028]P型金屬歐姆接觸層不是由生長(zhǎng)形成的,而是通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射等方法形成的,目的之一是制作器件的電極,目的之二是為了封裝打線用。
[0029]再通過(guò)蒸鍍、濺射或其它薄膜制作方法,在P型歐姆接觸層8表面形成一層ITO薄膜,用于制作發(fā)光二極管的光穿透層9,ITO薄膜一般為氧化銦錫材質(zhì),是一種透明的半導(dǎo)體導(dǎo)電薄膜,一般可使LED的出光效率提高20% — 30%。再通過(guò)蒸鍍、濺射或其它薄膜制作方法,在光穿透層9形成二氧化硅層10和金屬層11多層結(jié)構(gòu)的全反射鏡,二氧化硅層10可以改進(jìn)發(fā)光區(qū)的電流擴(kuò)展,降低電流堆積效應(yīng),而金屬層11作為反射鏡可以降低P電極對(duì)光的吸收,增加藍(lán)寶石襯底邊光的提取,并可以做為芯片的導(dǎo)熱板;金屬依需求可選用鋁、銀或金等材料。
[0030]如圖2所示,在圖1結(jié)構(gòu)的金屬層11表面涂布第一光刻膠層13 (正膠或負(fù)膠),涂布速度在2500-5000轉(zhuǎn)/分,并對(duì)涂布溫度控制90攝氏度-100攝氏度之間,在烘箱里或鐵板表面烘烤,烘烤時(shí)間分別為30分鐘和2分鐘。
[0031]如圖3所示,LED芯片兩側(cè)的第一光刻膠層13通過(guò)曝光或顯影方式去除,并且形成兩側(cè)金屬層暴露區(qū)。
[0032]如圖4所示,利用干刻或化學(xué)腐蝕的方法,將暴露部分的N型分別限制層4、發(fā)光區(qū)層5、P型分別限制層6、P型層7、P型歐姆接觸層8、光穿透層9、二氧化硅層10、金屬層11以及部分的N型層3去除使得整個(gè)LED芯片形成雙階梯結(jié)構(gòu)。
[0033]如圖5所示,將LED芯片中間剩余的第一光刻膠層13全部去除。
[0034]如圖6所示,在圖5結(jié)構(gòu)的表面涂布第二光刻膠層14 (正膠或負(fù)膠),涂布速度在2500-5000轉(zhuǎn)/分,并對(duì)涂布溫度控制90攝氏度-100攝氏度之間,在烘箱里或鐵板表面烘烤,烘烤時(shí)間分別為30分鐘和2分鐘。
[0035]如圖7所示,將LED芯片中間靠?jī)蓚?cè)的第二光刻膠層14通過(guò)曝光或顯影方式去除,并且形成兩側(cè)金屬層暴露區(qū)。
[0036]如圖8所示,利用干刻或化學(xué)腐蝕的方法,將暴露部分的二氧化硅層10、金屬層11去除使得整個(gè)LED芯片靠?jī)蓚?cè)形成凹面結(jié)構(gòu)。
[0037]如圖9所示,將LED芯片中間及兩側(cè)剩余的第二光刻膠層14全部去除。
[0038]如圖10所示,在圖9中所得LED芯片結(jié)構(gòu)的表面涂布第三光刻膠層15(正膠或負(fù)膠),涂布速度在2500-5000轉(zhuǎn)/分,并對(duì)涂布溫度控制90攝氏度-100攝氏度之間,在烘箱里或鐵板表面烘烤,烘烤時(shí)間分別為30分鐘和2分鐘。
[0039]如圖11所示,將LED芯片表面的第三光刻膠層15通過(guò)曝光或顯影方式部份去除,并且形成兩側(cè)N型層3部分暴露區(qū)及上方靠?jī)蓚?cè)之光穿透層9部份暴露區(qū)。
[0040]如圖12所示,利用PECVD或其它鍍膜技術(shù),在圖11所示的結(jié)構(gòu)表面直接制備一層絕緣介質(zhì)膜16,絕緣介質(zhì)膜16材質(zhì)為二氧化硅層或其它透光性佳的絕緣介質(zhì),厚度在100nm-500nm之間。絕緣介質(zhì)膜16通過(guò)鍍膜的方式均勻地覆蓋在階梯結(jié)構(gòu)的LED芯片上及第三光刻膠層15表面。
[0041]如圖13所示,在圖12的LED結(jié)構(gòu)表面涂布第四光刻膠層17 (正膠或負(fù)膠),涂布速度在2500-5000轉(zhuǎn)/分,并對(duì)涂布溫度控制90攝氏度-100攝氏度之間,在烘箱里或鐵板表面烘烤,烘烤時(shí)間分別為30分鐘和2分鐘。
[0042]如圖14所示,將LED芯片表面的第四光刻膠層17通過(guò)曝光或顯影方式部份去除,并且形成兩側(cè)及中間絕緣介質(zhì)膜暴露區(qū)。
[0043]如圖15所示,利用干刻或化學(xué)腐蝕的方法,將LED芯片兩側(cè)暴露部分的絕緣介質(zhì)膜16完全去除以及芯片中間部分的絕緣介質(zhì)膜16進(jìn)行部分去除,LED芯片上方所剩下絕緣介質(zhì)膜16高度不低于金屬層11下方。
[0044]如圖16所示,將LED芯片中間及兩側(cè)剩余的第三光刻膠層15和第四光刻膠層17全部去除。
[0045]如圖17所示,在圖16芯片結(jié)構(gòu)的表面涂布第五光刻膠層18 (正膠或負(fù)膠),涂布速度在2500-5000轉(zhuǎn)/分,并對(duì)涂布溫度控制90攝氏度-100攝氏度之間,在烘箱里或鐵板表面烘烤,烘烤時(shí)間分別為30分鐘和2分鐘。
[0046]如圖18所示,將LED芯片上方靠?jī)蓚?cè)表面的第五光刻膠層18通過(guò)曝光或顯影方式部份去除,并且形成靠?jī)蓚?cè)絕緣介質(zhì)膜暴露區(qū)。
[0047]如圖19所示,利用干刻或化學(xué)腐蝕的方法,將芯片上方靠?jī)蓚?cè)暴露部分的絕緣介質(zhì)膜16完全去除。
[0048]如圖20所示,將LED芯片中間及兩側(cè)剩余的第五光刻膠層18全部去除。
[0049]如圖21所示,再通過(guò)蒸鍍、濺射或其它薄膜制作方法,在圖20芯片結(jié)構(gòu)上形成一層光穿透層ITO薄膜19,用于制作發(fā)光二極管的光穿透層及導(dǎo)電。
[0050]如圖22所示,在圖21芯片結(jié)構(gòu)的表面涂布第六光刻膠層20 (正膠或負(fù)膠),涂布速度在2500-5000轉(zhuǎn)/分,并對(duì)涂布溫度控制90攝氏度-100攝氏度之間,在烘箱里或鐵板表面烘烤,烘烤時(shí)間分別為30分鐘和2分鐘。
[0051]如圖23所示,將LED芯片上方的第六光刻膠層20通過(guò)曝光或顯影方式部份去除,并且形成光穿透層ITO薄膜暴露區(qū)。
[0052]如圖24所示,利用PECVD或其它鍍膜技術(shù),在圖23所示的芯片結(jié)構(gòu)表面制備一層金屬合金層21。
[0053]如圖25所示,在圖24結(jié)構(gòu)的表面涂布第七光刻膠層22 (正膠或負(fù)膠),涂布速度在2500-5000轉(zhuǎn)/分,并對(duì)涂布溫度控制90攝氏度-100攝氏度之間,在烘箱里或鐵板表面烘烤,烘烤時(shí)間分別為30分鐘和2分鐘。
[0054]如圖26所示,將LED芯片上方靠?jī)蓚?cè)表面的第七光刻膠層22通過(guò)曝光或顯影方式部份去除,并且形成靠?jī)蓚?cè)及上方靠?jī)蓚?cè)金屬合金層暴露區(qū)。圖26中可以看出,剩下的第七光刻膠層22分成三段,都位于LED芯片的臺(tái)階上,相鄰兩段第七光刻膠層22之間的金屬合金層暴露區(qū)用于形成P型電極和兩個(gè)N型電極進(jìn)行隔離。
[0055]如圖27所示,利用干刻或化學(xué)腐蝕的方法,將芯片上方靠?jī)蓚?cè)暴露部分的金屬合金層21完全去除,并將芯片臺(tái)階上方兩金屬合金層暴露區(qū)下方的金屬合金層21和光穿透層ITO薄膜19完全去除,但是原有的二氧化硅層10都予以保留。
[0056]原有的光穿透層ITO薄膜19將被分成N型電極光穿透層ITO薄膜191和P型電極光穿透層ITO薄膜192。
[0057]如圖28所示,將LED芯片中間及兩側(cè)剩余的第六光刻膠層20和第七光刻膠層22全部去除,并形成環(huán)狀N型電極和一個(gè)P型電極,P型電極被環(huán)狀N型電極包圍。
[0058]至圖28中的LED芯片為止,本發(fā)明高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片的主要制作步驟已經(jīng)完成。
[0059]該發(fā)明高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片的N型電極主要包括N型電極光穿透層ITO薄膜191和N型電極金屬合金層23,其中N型電極光穿透層ITO薄膜191為階梯結(jié)構(gòu),階梯結(jié)構(gòu)下部與芯片兩側(cè)的N型層3暴露區(qū)連接;階梯結(jié)構(gòu)上部與N型電極金屬合金層23、金屬層11以及絕緣介質(zhì)膜16連接,其中N型電極金屬合金層23位于階梯結(jié)構(gòu)上部的上方,金屬層11和絕緣介質(zhì)膜16位于階梯結(jié)構(gòu)上部的下方。
[0060]LED芯片的P型電極主要包括P型電極金屬合金層24和P型電極光穿透層ITO薄膜192,P型電極光穿透層ITO薄膜192上方與P型電極金屬合金層24連接,P型電極光穿透層ITO薄膜192四周向下延伸至光穿透層9并且將金屬層11和二氧化硅層10限制于其中;N型電極金屬合金層23與P型電極金屬合金層24位于同一水平面。
[0061]此外,可以看出包括透過(guò)大面積的金屬層11、N型電極金屬合金層23以及P型電極金屬合金層24,亦可達(dá)到散熱最大面積。
[0062]如圖29所示,N型電極包圍P型電極,達(dá)到最均勻電流,并且使得發(fā)光區(qū)和發(fā)光效果達(dá)到最均勻的理想狀態(tài)。
[0063]如圖30所示,從芯片上方及兩側(cè)四面出光及金屬層11反射,可以大大提升芯片發(fā)光效率。
[0064]如圖31所示,兩個(gè)N型電極金屬合金層23和P型電極金屬合金層24分別通過(guò)PCB板25與散熱結(jié)構(gòu)26進(jìn)行連接。由于兩個(gè)N型電極金屬合金層23和P型電極金屬合金層24位置在同一水平面上,使得它們與PCB板25錫焊時(shí),錫焊層的厚度可以進(jìn)行有效的控制,避免虛焊或脫焊。
[0065]上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了示例性的描述,顯然本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制,只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn),或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場(chǎng)合的,均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片,其層結(jié)構(gòu)依次包括襯底(I)、緩沖層(2)、N型層(3)、N型分別限制層(4)、發(fā)光區(qū)層(5)、P型分別限制層(6)、P型層(7)、P型歐姆接觸層(8)、光穿透層(9)、二氧化硅層(10)、金屬層(11),其特征在于:該芯片蝕刻成梯臺(tái)結(jié)構(gòu)并形成環(huán)狀N型電極和P型電極,P型電極被環(huán)狀N型電極包圍,所述環(huán)狀N型電極和所述P型電極與PCB板連接的焊錫面處于同一水平面;N型電極主要包括N型電極光穿透層ITO薄膜(191)和N型電極金屬合金層(23),其中N型電極光穿透層ITO薄膜(191)為階梯結(jié)構(gòu),階梯結(jié)構(gòu)下部與芯片兩側(cè)的N型層(3)暴露區(qū)連接;階梯結(jié)構(gòu)上部與N型電極金屬合金層(23)、金屬層(11)以及絕緣介質(zhì)膜(16)連接,其中N型電極金屬合金層(23)位于階梯結(jié)構(gòu)上部的上方,金屬層(11)和絕緣介質(zhì)膜(16)位于階梯結(jié)構(gòu)上部的下方;P型電極主要包括P型電極金屬合金層(24)和P型電極光穿透層ITO薄膜(192),P型電極光穿透層ITO薄膜(192)上方與P型電極金屬合金層(24)連接,P型電極光穿透層ITO薄膜(192)四周向下延伸至光穿透層(9)并且將金屬層(11)和二氧化硅層(10)限制于其中;N型電極金屬合金層(23)與P型電極金屬合金層(24)位于同一水平面;在所述襯底(I)中形成一層凹凸面(12)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高光效、低光衰以及高封裝良率LED芯片,其特征在于:所述絕緣介質(zhì)膜(16)與階梯結(jié)構(gòu)的中間部分和下部相平行,起到隔離N型電極光穿透層ITO薄膜(191)的作用。
【文檔編號(hào)】H01L33/38GK104241490SQ201410481659
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:義烏市運(yùn)拓光電科技有限公司