Ito透明導(dǎo)電膜的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種ITO透明導(dǎo)電膜，依次包括PET基材、第一IM層、第二IM層及ITO透明導(dǎo)電層，其中，第一IM層包括涂布在PET基材上的HC硬化層以及位于HC硬化層上第一匹配層，第一匹配層的折射率大于HC硬化層的折射率，第一匹配層的折射率為1.46～1.49，第一匹配層與HC硬化層構(gòu)成一對(duì)高低折射率匹配層；第二IM層包括位于第一IM層上的第二匹配層以及第三匹配層，第二匹配層的折射率大于第一匹配層的折射率，第二匹配層的折射率為2.2～2.4，第三匹配層的折射率小于第二匹配層的折射率，第三匹配層的折射率為1.46～1.49，第二匹配層與第三匹配層構(gòu)成一對(duì)高低折射率匹配層。本發(fā)明通過(guò)雙重折射率匹配與補(bǔ)償新技術(shù)，可以極大地消除ITO透明導(dǎo)電膜產(chǎn)品蝕刻紋明顯的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】ITO透明導(dǎo)電膜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光學(xué)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種ITO透明導(dǎo)電膜。

【背景技術(shù)】
[0002]觸摸屏是由背光模組、Touch Sensor (觸控感應(yīng)器)以及玻璃蓋板組成。當(dāng)前，市場(chǎng)上主流的Touch Sensor結(jié)構(gòu)為:G+2F，即玻璃上有兩片透明導(dǎo)電膜，兩片透明導(dǎo)電膜均由PET膜濺射頂層以及ITO層而成；兩片透明導(dǎo)電膜的ITO面均經(jīng)過(guò)刻蝕，從而分別形成了 ITO的X、y矩陣圖形，X、y矩陣之間形成電容，當(dāng)手指接觸玻璃蓋板時(shí)，會(huì)對(duì)接觸點(diǎn)的電容造成影響，這個(gè)影響信號(hào)通過(guò)Touch Sensor上的導(dǎo)線傳遞到電子設(shè)備的IC部分，從而定位出觸控點(diǎn)的位置。
[0003]Touch Sensor的光學(xué)性能優(yōu)劣直接決定了觸摸屏給人的視覺(jué)感受好壞。用戶(hù)會(huì)看到一些手機(jī)的觸摸屏里面有一條一條的反射細(xì)線，并且反射有很強(qiáng)的藍(lán)色，這種反射線與藍(lán)色譜即是比較明顯的蝕刻紋，它是因?yàn)門(mén)ouch Sensor結(jié)構(gòu)中的透明導(dǎo)電膜矩陣圖形的反射與被刻蝕掉的部位反射差異而產(chǎn)生的。
[0004]透明導(dǎo)電膜刻蝕前后的反射差異，也即AR，是考察一片透明導(dǎo)電膜性能好壞的重要參數(shù)。如果Λ R越接近0，則ITO膜的蝕刻紋越不可見(jiàn)；反之，如果Λ R偏離O越多，則透明導(dǎo)電膜的蝕刻紋越明顯。
[0005]用顏色來(lái)解釋蝕刻紋原因即為PET膜上ITO矩陣的色度同被刻蝕掉的部位色度產(chǎn)生色度及色譜差異造成。如果用Ib*來(lái)表示透明導(dǎo)電膜的色度，2b*來(lái)表示刻蝕后非ITO部分膜的色度，則lb*-2b* =Λ b*，A b*越接近于0，ITO透明導(dǎo)電膜的蝕刻紋越不可見(jiàn)；反之，如果Λ b*偏離O越多，則ITO透明導(dǎo)電膜蝕刻的色品差就越明顯。
[0006]而隨著高端大觸屏設(shè)備的興起以及OLED技術(shù)的前置自發(fā)光應(yīng)用，我們要求刻蝕紋與色差都不可見(jiàn)，但是制作Touch Sensor的ITO透明導(dǎo)電膜蝕刻紋很難完全消除，造成現(xiàn)在市場(chǎng)上某些手機(jī)等設(shè)備的刻蝕紋比較明顯，這便是現(xiàn)在的一些技術(shù)問(wèn)題。
[0007]因此，針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，有必要提供一種新的ITO透明導(dǎo)電膜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種ITO透明導(dǎo)電膜，其消除了 ITO透明導(dǎo)電膜產(chǎn)品蝕刻紋明顯的問(wèn)題。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:
[0010]一種ITO透明導(dǎo)電膜，所述ITO透明導(dǎo)電膜依次包括PET基材、第一頂層、第二頂層及ITO透明導(dǎo)電層，其中，
[0011]第一頂層包括涂布在所述PET基材上的HC硬化層以及位于所述HC硬化層上第一匹配層，所述第一匹配層的折射率大于HC硬化層的折射率，第一匹配層的折射率為1.46?1.49，所述第一匹配層與HC硬化層構(gòu)成一對(duì)高低折射率匹配層；
[0012]第二頂層包括位于第一頂層上的第二匹配層以及第三匹配層，所述第二匹配層的折射率大于第一匹配層的折射率，第二匹配層的折射率為2.2?2.4，所述第三匹配層的折射率小于第二匹配層的折射率，第三匹配層的折射率為1.46?1.49，所述第二匹配層與第三匹配層構(gòu)成一對(duì)高低折射率匹配層。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一匹配層和第三匹配層的材料為S1x或MgF2,第二匹配層的材料為NbOx。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一匹配層和第三匹配層的折射率為1.47，第二匹配層的折射率為2.3。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一匹配層的厚度為8?15nm，第二匹配層的厚度為8?1nm,第三匹配層的厚度為20?30nm。
[0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述ITO透明導(dǎo)電層的折射率為2.0?2.2。
[0017]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述ITO透明導(dǎo)電層的折射率為2.1。
[0018]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述ITO透明導(dǎo)電層的厚度為18?25nm。
[0019]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0020]在M轉(zhuǎn)移到PET基材內(nèi)部的基礎(chǔ)上進(jìn)行濺射添加二次頂補(bǔ)償，這種雙重折射率匹配與補(bǔ)償?shù)娜录夹g(shù)便是D-1M技術(shù)。它以光學(xué)薄膜優(yōu)化設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，通過(guò)調(diào)整PET鍍膜的工藝參數(shù)，可以生產(chǎn)出Λ R與Δ b*盡可能接近O甚至等于O的ITO透明導(dǎo)電膜。對(duì)這種濺射與涂布雙重整合的ITO透明導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，刻蝕紋與反射色譜不可見(jiàn)。通過(guò)雙重折射率匹配與補(bǔ)償新技術(shù)(即D-頂技術(shù))，可以極大地消除ITO透明導(dǎo)電膜產(chǎn)品蝕刻紋明顯的問(wèn)題。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)I中使用HC+PET所得到的ITO透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為現(xiàn)有技術(shù)2中使用HC+S-M+PET所得到的ITO透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3為本發(fā)明使用PET+D-M+IT0所得到的ITO透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為現(xiàn)有技術(shù)2中使用HC+S-M+PET所得到的ITO透明導(dǎo)電膜的光學(xué)曲線圖；
[0026]圖5為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中使用PET+D-M+IT0所得到的ITO透明導(dǎo)電膜的光學(xué)曲線圖；
[0027]圖6a為本發(fā)明中ITO透明導(dǎo)電膜刻蝕前后的反射率曲線對(duì)比圖；圖6b為本發(fā)明中ITO透明導(dǎo)電膜鍍膜過(guò)程的矢量控制圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0029]現(xiàn)有技術(shù)中，ITO透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)工藝為:以卷繞式真空磁控濺射鍍膜機(jī)為生產(chǎn)設(shè)備，選用特定的PET薄膜作為基材，通過(guò)光學(xué)膜系設(shè)計(jì)，首先將特定的材料濺射到PET薄膜表面形成多個(gè)復(fù)合膜層，隨后將ITO濺射到復(fù)合膜層材料上，從而形成具有導(dǎo)電性能的ITO透明導(dǎo)電膜。
[0030]在透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)工藝中，“PET薄膜基材”和“光學(xué)膜系設(shè)計(jì)”是決定產(chǎn)品性能的核心技術(shù)，不同PET薄膜基材搭配不同光學(xué)膜層設(shè)計(jì)，從而產(chǎn)生了不同的工藝。
[0031]目前，生產(chǎn)ITO膜所用的PET薄膜基材有HC (Hard Coating)+PET、HC+IM+PET兩種，后者與前者的差別在于PET薄膜基材內(nèi)部存在了一個(gè)光學(xué)調(diào)整層(IM層)。具體為:
[0032]1、使用HC+PET所得到的ITO透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)參圖1所示，從下至上依次包括:PET基材、NbOx層、S1x層、ITO透明導(dǎo)電層。ITO透明導(dǎo)電層下方的S1x層和NbOx層構(gòu)成一個(gè)高低折射率匹配體系(即頂體系)；
[0033]2、使用HC+S-M+PET所得到的ITO透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)參圖2所示，從下至上依次包括:PET基材、S1x層、ITO透明導(dǎo)電層，PET基材上涂布有HC硬化層。HC硬化層和S1x層構(gòu)成一個(gè)高低折射率匹配體系。
[0034]如上技術(shù)I所示，因?yàn)樵摷夹g(shù)所采用的基材為不含有折射率匹配層的PET，故PET基材上要鍍一個(gè)NbOx與S1x的折射率匹配層，這樣才能保證最終得到的ITO膜不可見(jiàn)；另夕卜，與PET基材接觸的S1x層的作用為粘結(jié)PET和它上面的膜層。使用該工藝所生產(chǎn)出的ITO透明導(dǎo)電膜Λ R為0.18%，Ab*為0.4。
[0035]如上技術(shù)2所示，由于該技術(shù)所采用的PET基材中已經(jīng)含有了預(yù)涂的IM匹配層，故PET基材上直接鍍低折射率的S1x層，使其與HC硬化層(含IM預(yù)涂層)構(gòu)成一個(gè)高低折射率匹配體系。參圖4所示為“HC+S-M+PET”結(jié)構(gòu)的光學(xué)曲線圖，其中，B-A-A表示產(chǎn)出全寬幅薄膜后端(Back,分前中后)結(jié)晶之后(After Annealing) ;B_E表示產(chǎn)出全寬幅薄膜后端(Back，分前中后)先結(jié)晶后將ITO刻蝕之后(Etch)。使用該工藝所生產(chǎn)出的ITO透明導(dǎo)電膜Λ R為-0.5%，Ab*為1.6。
[0036]本發(fā)明提供了一種基于PET+D-M+IT0透明導(dǎo)電膜，D-1M即Double IndexMatching的縮寫(xiě)，即二次折射率匹配與補(bǔ)償。該技術(shù)的前提是ITO透明導(dǎo)電膜采用的PET基材含有IM涂布結(jié)構(gòu)。
[0037]D-1M技術(shù)的應(yīng)用方式為:選用涂布有IM層的PET薄膜作為必選基材，采用復(fù)雜條件下光學(xué)膜系優(yōu)化設(shè)計(jì)軟件支持，以卷繞式多靶位真空磁控濺射鍍膜機(jī)作為生產(chǎn)設(shè)備，在PET表面濺射光學(xué)復(fù)合膜層優(yōu)化后形成PET+IM多層膜結(jié)構(gòu)。由于其中經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光學(xué)復(fù)合膜層同PET基材上涂布的IM高折射率層構(gòu)成了兩對(duì)折射率匹配層，所以稱(chēng)此結(jié)構(gòu)為D型折射率匹配層(即D-M技術(shù))。隨后將ITO透明導(dǎo)電膜濺射到PET材料上，從而形成D-M+IT0這一特殊結(jié)構(gòu)。
[0038]參圖3所示，本發(fā)明中ITO透明導(dǎo)電膜從下至上依次包括PET基材10、第一匹配層20、第二匹配層30、第三匹配層40、ITO透明導(dǎo)電層50，其中:
[0039]PET基材10上涂布有HC硬化層(未圖示)，本發(fā)明中所使用的PET基材，除對(duì)預(yù)涂的光學(xué)調(diào)整層有特殊指標(biāo)要求外，還要求PET具有很好的防眩防彩虹等光學(xué)性能。PET基材的總厚度可以為125um, 10um, 50um等。
[0040]第一匹配層20的折射率大于HC硬化層的折射率，本發(fā)明中第一匹配層20的材料為S1x。此層的折射率記為L(zhǎng)，即低折射率層，折射率η為1.46?1.49，厚度為8?15nm，第一匹配層20與HC硬化層構(gòu)成一對(duì)高低折射率匹配層，即第一頂層。
[0041]進(jìn)一步地，第一匹配層20還同時(shí)作為粘結(jié)過(guò)渡層，作為直接濺鍍?cè)谕坎加蠬C硬化層的PET基材上的第一個(gè)S1x層，這一層材料還可以用作粘結(jié)過(guò)渡層外。
[0042]第二匹配層30的折射率大于第一匹配層20的折射率，本發(fā)明中第二匹配層30的材料為NbOx。此層的折射率記為H，即高折射率層，折射率η為2.2?2.4，厚度為8?10nm。
[0043]第三匹配層40的折射率小于第二匹配層30的折射率，本發(fā)明中第三匹配層40的材料為S1x。此層的折射率記為L(zhǎng)，即低折射率層，折射率η為1.46?1.49，厚度為20?30nm，第三匹配層40與第二匹配層30構(gòu)成一對(duì)高低折射率匹配層，即第二頂層。
[0044]ITO透明導(dǎo)電層50，此層折射率η為2.0?2.2，厚度為18?25nm。
[0045]在上述結(jié)構(gòu)中，HC硬化層與S1x構(gòu)成一個(gè)高低折射率匹配層HL, NbOx與S1x構(gòu)成另外一個(gè)高低折射率匹配層HL，總共有兩個(gè)高低折射率匹配層進(jìn)行匹配與補(bǔ)償，記為(HL) ~2，因此將最終產(chǎn)品結(jié)構(gòu)記為PET+UM+2M+IT0，即“PET+D-M+IT0”。
[0046]進(jìn)一步地，第一匹配層和第三匹配層的材料也可以用MgF2替換S1x，其結(jié)構(gòu)、光學(xué)等參數(shù)基本相同，在此不再進(jìn)行贅述。
[0047]優(yōu)選地，在本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中，第一匹配層20 S1x的折射率為1.47，第二匹配層30 NbOx的折射率為2.3，第三匹配層40 S1x的折射率為1.47，ITO透明導(dǎo)電層50的折射率為2.1，參圖5所示為本實(shí)施方式中“PET+D-1M+IT0”結(jié)構(gòu)的光學(xué)曲線圖，其中，B-A-A表示產(chǎn)出全寬幅薄膜后端(Back,分前中后)結(jié)晶之后(After Annealing)表示產(chǎn)出全寬幅薄膜后端(Back,分前中后)結(jié)晶之前(Before Annealing) ;B_E表示產(chǎn)出全寬幅薄膜后端(Back，分前中后)先結(jié)晶后將ITO刻蝕之后(Etch)。其主要測(cè)試參數(shù)如下:透過(guò)率為 90%，Λ R 為-0.11%,Δ b* = 0.21-0.25 = -0.04。
[0048]相比PET+S-M+IT0 與 PET+D-M+ITO 的Λ R 和Λ b* 值，使用 PET+S-M+ITO 工藝所生產(chǎn)出的ITO透明導(dǎo)電膜Λ R為-0.5%，Ab*為1.6。而使用PET+D-M+IT0工藝所生產(chǎn)出的ITO透明導(dǎo)電膜Λ R為-0.11%,Ab* = -0.04?？梢悦黠@看出，后者的Λ R和Λ b*值要優(yōu)于前者。
[0049]進(jìn)一步地，以下對(duì)本發(fā)明中PET+D-M+IT0結(jié)構(gòu)的光學(xué)復(fù)合膜系優(yōu)化設(shè)計(jì)思路作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0050]采用專(zhuān)用軟件進(jìn)行模擬，模擬內(nèi)容為光學(xué)曲線、鍍膜矢量、產(chǎn)品色度差，如圖6a、圖6b所示。
[0051 ] 模擬材料結(jié)構(gòu)與上述具體實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)圖相同。
[0052]兩光學(xué)模擬圖所示，圖6a為PET+D-M+IT0刻蝕前后的反射率曲線對(duì)比圖，其中橫坐標(biāo)為波長(zhǎng)，縱坐標(biāo)為反射率，曲線I為PET+D-M+IT0結(jié)晶后的反射率曲線，曲線2為經(jīng)過(guò)刻蝕后反射率的曲線，兩曲線反射率平均值I之差，即Λ R非常小幾乎接近于0.00值。
[0053]而曲線I所代表的PET+D-M+IT0結(jié)晶后的色品Ib*與曲線2所代表的PET+D-1M+IT0刻蝕后的色品2b*之間的色差見(jiàn)模擬圖所示“先前色品和當(dāng)前色品”，即此時(shí)的色差是色度差，而不存在色品差，故認(rèn)定為Λ b* = O。
[0054]圖6b為鍍膜過(guò)程中的矢量控制圖，橫坐標(biāo)為膜層厚度，縱坐標(biāo)為實(shí)時(shí)反射率，最后一段曲線代表的是PET濺鍍過(guò)程中反射率與厚度的關(guān)系。從最后一段曲線可以看出，控制ITO厚度，使得當(dāng)ITO濺鍍前后兩點(diǎn)的反射率相同(換一種說(shuō)法即為:當(dāng)ITO濺鍍到一半厚度時(shí)，整個(gè)導(dǎo)電膜的反射率正好在極小值)，那么此時(shí)ITO膜刻蝕前后反射差非常小，幾乎不可見(jiàn)，即AR = 0.0。
[0055]利用D-1M技術(shù)，選用涂布有IM層的PET薄膜作為必選基材，采用復(fù)雜條件下光學(xué)膜系優(yōu)化設(shè)計(jì)軟件支持，通過(guò)對(duì)中間膜層的多次優(yōu)化設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)ITO的厚度d變得更大，電阻值更低的效果。從而在保證了光學(xué)蝕刻指標(biāo)條件下同時(shí)獲得100 Ω/ □的ITO透明導(dǎo)電膜產(chǎn)品，從而為G+1F結(jié)構(gòu)的觸摸屏提供了導(dǎo)電膜材料。
[0056]綜上所述，本發(fā)明在頂轉(zhuǎn)移到PET基材內(nèi)部的基礎(chǔ)上進(jìn)行濺射添加二次頂補(bǔ)償，這種雙重折射率匹配與補(bǔ)償?shù)娜录夹g(shù)便是D-M技術(shù)。它以光學(xué)薄膜優(yōu)化設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，通過(guò)調(diào)整PET鍍膜的工藝參數(shù)，可以生產(chǎn)出Λ R與Δ b*盡可能接近O甚至等于O的ITO透明導(dǎo)電膜。對(duì)這種濺射與涂布雙重整合的ITO透明導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，刻蝕紋與反射色譜不可見(jiàn)。通過(guò)雙重折射率匹配與補(bǔ)償新技術(shù)(即D-1M技術(shù))，可以極大地消除ITO透明導(dǎo)電膜產(chǎn)品蝕刻紋明顯的問(wèn)題。
[0057]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0058]此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書(shū)的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書(shū)作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種ITO透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述ITO透明導(dǎo)電膜依次包括PET基材、第一頂層、第二頂層及ITO透明導(dǎo)電層，其中， 第一頂層包括涂布在所述PET基材上的HC硬化層以及位于所述HC硬化層上第一匹配層，所述第一匹配層的折射率大于HC硬化層的折射率，第一匹配層的折射率為1.46?1.49，所述第一匹配層與HC硬化層構(gòu)成一對(duì)高低折射率匹配層； 第二頂層包括位于第一 IM層上的第二匹配層以及第三匹配層，所述第二匹配層的折射率大于第一匹配層的折射率，第二匹配層的折射率為2.2?2.4，所述第三匹配層的折射率小于第二匹配層的折射率，第三匹配層的折射率為1.46?1.49，所述第二匹配層與第三匹配層構(gòu)成一對(duì)高低折射率匹配層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一匹配層和第三匹配層的材料為S1x或MgF2 ;第二匹配層的材料為NbOx。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ITO透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一匹配層和第三匹配層的折射率為1.47，第二匹配層的折射率為2.3。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ITO透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一匹配層的厚度為8?15nm,第二匹配層的厚度為8?1nm,第三匹配層的厚度為20?30nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述ITO透明導(dǎo)電層的折射率為 2.0 ?2.2。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ITO透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述ITO透明導(dǎo)電層的折射率為 2.1。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的ITO透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述ITO透明導(dǎo)電層的厚度為18 ?25nm。
【文檔編號(hào)】H01B5/14GK104240799SQ201410508251
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月28日
【發(fā)明者】于甄, 耿佳, 丁曉峰, 柯榮峰 申請(qǐng)人:張家港康得新光電材料有限公司