有機el 裝置和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供降低了因功能層的膜厚變動引起的亮度不均的有機EL裝置及電子設(shè)備。該有機EL裝置具備：包含基板的基底層；隔壁部，形成在基底層上，相互地劃分相鄰的第1膜形成區(qū)域(7a)和第2膜形成區(qū)域(7b)；有機EL元件(20G)，形成在基底層上俯視下與第1膜形成區(qū)域重合的位置；有機EL元件(20B)，形成在基底層上俯視下與第2膜形成區(qū)域重合的位置；第1驅(qū)動電路部，形成在基底層，對有機EL元件(20G)的驅(qū)動進行控制；和第2驅(qū)動電路部，形成在基底層，對有機EL元件(20B)的驅(qū)動進行控制；第1驅(qū)動電路部的至少一部分及第2驅(qū)動電路部的至少一部分被配置成俯視下與第1膜形成區(qū)域重合。
【專利說明】有機EL裝置和電子設(shè)備
[0001]本申請是 申請人:為“精工愛普生株式會社”、發(fā)明名稱為“有機EL裝置、有機EL裝置的制造方法、電子設(shè)備”、申請日為“2009年10月13日”、申請?zhí)枮椤?00910175778.5”這一母案申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及具有發(fā)光元件的有機EL裝置、有機EL裝置的制造方法、電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003]作為上述有機EL裝置，已知有一種下述的發(fā)光裝置:在由隔壁劃分的近似矩形狀的開口區(qū)域具有包含發(fā)光層的功能層，在開口區(qū)域中，長邊部之間的寬度被縮窄而形成的狹窄部，設(shè)置在長邊部的長度方向的中央部(專利文獻I)。
[0004]另外，作為其他的有機EL裝置，已知有下述的發(fā)光裝置:具有將不同發(fā)光色的像素之間劃分的第I隔壁、和將同一發(fā)光色的像素間部分地分隔的第2隔壁，同一發(fā)光色的鄰接的像素中形成的有機功能層彼此通過第2隔壁的非形成區(qū)域而連接(專利文獻2)。
[0005]上述專利文獻I及上述專利文獻2的發(fā)光裝置都在隔壁的形狀與配置上下進行了研究，可降低在由隔壁劃分的區(qū)域中形成的有機功能層的膜厚的偏差。另外，有機功能層中包含的發(fā)光層，通過由液滴噴出法(噴墨法)將包含發(fā)光層形成材料的液狀組成物向由上述隔壁劃分的區(qū)域噴出、使其固化而形成。
[0006][專利文獻I]特開2OO7- 103032號公報
[0007][專利文獻2]特開2007- 227127號公報
[0008]上述專利文獻I及上述專利文獻2所公開的發(fā)光裝置是有源驅(qū)動型的發(fā)光裝置，基板上層疊形成有在驅(qū)動電路上具有有機功能層的發(fā)光元件。驅(qū)動電路至少由兩個薄膜晶體管、保持電容、和與它們連接的布線構(gòu)成。
[0009]因此，由于在基板上配置有這些電氣構(gòu)成要素，所以由隔壁劃分的區(qū)域的表面并不一定平坦，會產(chǎn)生階梯差。因而，尤其在使用液滴噴出法(噴墨法)形成有機功能層時，噴出的液狀組成物容易集中在階梯差最低的部分，在干燥后有可能不一定得到均勻的膜厚。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010]本發(fā)明為了解決上述課題的至少一部分而提出，可作為以下的方式或應(yīng)用例而實現(xiàn)。而且，在以下的方式或應(yīng)用例中，“上”表示從基板觀察，配置了有機EL元件的方向，表示記載為“在〇〇上”的情況、與〇〇的上方相接配置的情況、或隔著其他構(gòu)成物配置在〇〇的上方的情況、或者一部分與〇〇的上方相接配置而一部分隔著其他構(gòu)成物配置的情況。
[0011][應(yīng)用例I]本應(yīng)用例的有機EL裝置，其特征在于，具有:包含基板的基底層；隔壁部，形成在前述基底層上，相互地劃分相鄰的第I膜形成區(qū)域和第2膜形成區(qū)域；第I有機EL元件，形成在前述基底層上俯視下與前述第I膜形成區(qū)域重合的位置；第2有機EL元件，形成在前述基底層上俯視下與前述第2膜形成區(qū)域重合的位置；第I驅(qū)動電路部，形成在前述基底層，對前述第I有機EL元件的驅(qū)動進行控制；和第2驅(qū)動電路部，形成在前述基底層，對前述第2有機EL元件的驅(qū)動進行控制；前述第I驅(qū)動電路部的至少一部分及前述第2驅(qū)動電路部的至少一部分，被配置成俯視時與前述第I膜形成區(qū)域重合。
[0012]有機EL元件的包含驅(qū)動電路部的基底層的表面容易產(chǎn)生凹凸。根據(jù)該構(gòu)成，隔壁部將第I膜形成區(qū)域劃分成至少包含兩個有機EL元件的驅(qū)動電路部的至少一部分。因此，與第I膜形成區(qū)域相比，第2膜形成區(qū)域中的基底層的表面難以產(chǎn)生凹凸，相互的凹凸水準(狀態(tài))不同。因此，在第2膜形成區(qū)域中的第2有機EL元件的形成中，至少發(fā)光層不易受到凹凸的影響，可以形成膜厚偏差較少的發(fā)光層。所以，能夠提供至少在第2有機EL元件中可得到穩(wěn)定的亮度的發(fā)光的有機EL裝置。
[0013][應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，前述第I驅(qū)動電路部及前述第2驅(qū)動電路部分別具有薄膜晶體管和保持電容，前述第I驅(qū)動電路部及前述第2驅(qū)動電路部分別具有的前述薄膜晶體管，被配置在俯視與前述第I膜形成區(qū)域重合的位置，前述第I驅(qū)動電路部及前述第2驅(qū)動電路部分別具有的前述保持電容，被配置在俯視與前述第2膜形成區(qū)域重合的位置。
[0014]根據(jù)該構(gòu)成，與設(shè)置有薄膜晶體管的第I膜形成區(qū)域的基底層相比，設(shè)置有保持電容的第2膜形成區(qū)域的基底層的表面容易變得平坦。因此，在形成于第2膜形成區(qū)域的第2有機EL元件的至少發(fā)光層中，可使膜厚偏差變小。
[0015]而且，與將對應(yīng)于至少兩個有機EL元件的保持電容和薄膜晶體管一起配置在第I膜形成區(qū)域的情況相比，提高了保持電容在設(shè)計上的自由度。
[0016][應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，前述第I驅(qū)動電路部及前述第2驅(qū)動電路部分別具有薄膜晶體管和保持電容，前述第I驅(qū)動電路部及前述第2驅(qū)動電路部分別具有的前述薄膜晶體管及前述保持電容，被配置在俯視與前述第I膜形成區(qū)域重合的位置。
[0017]根據(jù)該構(gòu)成，由于在第I膜形成區(qū)域的基底層集中配置了成為凹凸的主要原因的薄膜晶體管和保持電容，所以容易使第2膜形成區(qū)域的基底層的表面更平坦。因此，在形成于第2膜形成區(qū)域的第2有機EL元件的至少發(fā)光層中，可進一步使膜厚偏差變小。
[0018][應(yīng)用例4]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，前述第I有機EL元件所具有的第I發(fā)光層及前述第2有機EL元件所具有的第2發(fā)光層，分別通過涂敷法形成。
[0019]根據(jù)該構(gòu)成，設(shè)置第I發(fā)光層的第I膜形成區(qū)域的基底層、和設(shè)置第2發(fā)光層的第2膜形成區(qū)域的基底層被隔壁部劃分，各個基底層的表面的凹凸水準不同。因此，與跨越基底層的表面的凹凸水準不同的區(qū)域利用涂敷法形成同一的發(fā)光層的情況相比，在第I發(fā)光層和第2發(fā)光層各自中，可使膜厚偏差變小。
[0020][應(yīng)用例5]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，與前述第I膜形成區(qū)域俯視下重合的區(qū)域的前述基底層的表面上的凹凸偏差，比與前述第2膜形成區(qū)域俯視下重合的區(qū)域的前述基底層的凹凸偏差大，前述第I發(fā)光層的發(fā)光壽命比前述第2發(fā)光層的發(fā)光壽命長。
[0021]根據(jù)該構(gòu)成，使用涂敷法在第I膜形成區(qū)域形成的第I發(fā)光層的膜厚偏差，由于受到其基底層的凹凸的偏差的影響，所以與在第2膜形成區(qū)域形成的第2發(fā)光層相比，容易變大。若是同一發(fā)光層，貝1J具有膜厚偏差越大、發(fā)光壽命越短的傾向，但由于第I發(fā)光層的發(fā)光壽命比第2發(fā)光層長,所以可使第I發(fā)光層和第2發(fā)光層之間的發(fā)光壽命之差變小。SP,能夠提供取得了發(fā)光壽命的平衡的有機EL裝置。
[0022]其中，發(fā)光壽命是指使發(fā)光層的平面面積、膜厚、流過其的驅(qū)動電流等大致一定，通過持續(xù)的通電使初期的發(fā)光亮度達到規(guī)定的水準(例如減半)為止的通電累積時間。
[0023][應(yīng)用例6]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，前述第I有機EL元件能發(fā)出第I色光，前述第2有機EL元件能發(fā)出與前述第I色不同的第2色光，前述第I有機EL元件所具有的第I發(fā)光層和前述第2有機EL元件所具有的第2發(fā)光層通過不同的成膜方法形成。
[0024]根據(jù)該構(gòu)成，對于基底層的凹凸水準不同的第I膜形成區(qū)域和第2膜形成區(qū)域，使用了不同的成膜方法形成第I發(fā)光層和第2發(fā)光層。因此，可選擇與基底層的凹凸水準對應(yīng)的成膜方法，與使用同一成膜方法的情況相比，可使各自的膜厚偏差變小。
[0025][應(yīng)用例7]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，與前述第I膜形成區(qū)域俯視下重合的區(qū)域的前述基底層的表面上的凹凸的偏差，比與前述第2膜形成區(qū)域俯視下重合的區(qū)域的前述基底層的凹凸的偏差大。
[0026]根據(jù)該構(gòu)成，即使使用不同的成膜方法形成第I發(fā)光層和第2發(fā)光層，也不易受到第I膜形成區(qū)域和第2膜形成區(qū)域的基底層的表面的凹凸偏差的影響，可抑制各自的膜厚偏差。
[0027][應(yīng)用例8]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，在前述第2發(fā)光層上，形成有通過與形成前述第I發(fā)光層同一工藝形成、且由與前述第I發(fā)光層相同的材料構(gòu)成的層。
[0028]根據(jù)該構(gòu)成，采用了不僅在第I膜形成區(qū)域，而且在第2膜形成區(qū)域中也在第2發(fā)光層上層疊形成第I發(fā)光層的同一工藝。因此，可省去只在第I膜形成區(qū)域選擇性地形成第I發(fā)光層的例如遮擋(遮蔽)第2膜形成區(qū)域的做法。
[0029][應(yīng)用例9]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，前述隔壁部劃分前述第I膜形成區(qū)域及前述第2膜形成區(qū)域和相鄰的第3膜形成區(qū)域，具有:第3有機EL元件，形成在前述基底層上俯視下與前述第3膜形成區(qū)域重合的位置，并且能發(fā)出與前述第I色光及前述第2色光不同的第3色的光；第3驅(qū)動電路部，形成在前述基底層，對前述第3有機EL元件的驅(qū)動進行控制；和第I數(shù)據(jù)線及第2數(shù)據(jù)線，俯視下配置在前述第2膜形成區(qū)域與前述第3膜形成區(qū)域之間，并且被配置成橫穿前述第I膜形成區(qū)域；前述第3有機EL元件所具有的第3發(fā)光層通過與前述第I有機EL元件所具有的第I發(fā)光層不同的成膜方法形成，前述第3驅(qū)動電路部的至少一部分被配置成俯視下與前述第I膜形成區(qū)域重合，前述第I數(shù)據(jù)線與前述第I驅(qū)動電路部、前述第2驅(qū)動電路部及前述第3驅(qū)動電路部的任意一個驅(qū)動電路部電連接，前述第2數(shù)據(jù)線與前述第I驅(qū)動電路部、前述第2驅(qū)動電路部及前述第3驅(qū)動電路部中任意一個驅(qū)動電路部中，除了與前述第I數(shù)據(jù)線電連接的驅(qū)動電路部以外的驅(qū)動電路部電連接。
[0030]根據(jù)該構(gòu)成，能得到不同發(fā)光色的至少三個有機EL元件的驅(qū)動電路的至少一部分包含在第I膜形成區(qū)域的基底層。因此，與第I膜形成區(qū)域相比，第2膜形成區(qū)域及第3膜形成區(qū)域的基底層的表面的凹凸水準不同。因此，可使形成在第2膜形成區(qū)域的第2有機EL元件的至少第2發(fā)光層、和形成在第3膜形成區(qū)域的第3有機EL元件的至少第3發(fā)光層的膜厚偏差變小。所以，可提供至少在第2有機EL元件和第3有機EL元件中能得到穩(wěn)定的亮度發(fā)光的有機EL裝置。例如若將各發(fā)光色設(shè)為紅色、綠色、藍色，則可提供能全色的顯示且觀感良好的作為顯示裝置的有機EL裝置。
[0031][應(yīng)用例10]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，前述第I驅(qū)動電路部、前述第2驅(qū)動電路部及前述第3驅(qū)動電路部分別具有薄膜晶體管和保持電容，前述第I驅(qū)動電路部、前述第2驅(qū)動電路部及前述第3驅(qū)動電路部分別具有的前述薄膜晶體管及前述保持電容，被配置在俯視下與前述第I膜形成區(qū)域重合的位置。
[0032]根據(jù)該構(gòu)成，由于在第2膜形成區(qū)域和第3膜形成區(qū)域，不含有使基底層的表面產(chǎn)生凹凸的主要因素，所以可使第2有機EL元件的至少第2發(fā)光層和第3有機EL元件的至少第3發(fā)光層的膜厚偏差變小。
[0033][應(yīng)用例11]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，前述第I驅(qū)動電路部、前述第2驅(qū)動電路部及前述第3驅(qū)動電路部分別具有薄膜晶體管和保持電容，前述第I驅(qū)動電路部、前述第2驅(qū)動電路部及前述第3驅(qū)動電路部分別具有的前述薄膜晶體管，被配置在俯視下與前述第I膜形成區(qū)域重合的位置，前述第I驅(qū)動電路部所具有的前述保持電容被配置在俯視下與前述第I膜形成區(qū)域重合的位置，前述第2驅(qū)動電路部所具有的前述保持電容被配置在俯視下與前述第2膜形成區(qū)域重合的位置，前述第3驅(qū)動電路部所具有的前述保持電容被配置在俯視下與前述第3膜形成區(qū)域重合的位置。
[0034]根據(jù)該構(gòu)成，與設(shè)置有薄膜晶體管和保持電容的第I膜形成區(qū)域的基底層相比，分別設(shè)置有保持電容的第2膜形成區(qū)域及第3膜形成區(qū)域的基底層的表面容易平坦。因此，在第2有機EL元件的至少第2發(fā)光層及第3有機EL元件的至少第3發(fā)光層中，可使膜厚偏差變小。
[0035]而且，與將對應(yīng)于至少三個有機EL元件的保持電容和薄膜晶體管一起配置在第I膜形成區(qū)域的情況相比，提高了保持電容在設(shè)計上的自由度。
[0036][應(yīng)用例12]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置中，前述第I有機EL元件所具有的前述第I發(fā)光層通過蒸鍍法或旋涂法形成，前述第2有機EL元件所具有的前述第2發(fā)光層通過液滴噴出法形成。
[0037]根據(jù)該構(gòu)成，對于基底層的平坦性與第2膜形成區(qū)域相比降低了的第I膜形成區(qū)域，通過被覆性優(yōu)良的蒸鍍法或旋涂法形成第I發(fā)光層。而且，在平坦性比第I膜形成區(qū)域良好的第2膜形成區(qū)域使用液滴噴出法，形成第2發(fā)光層。因此，能分別得到膜厚偏差降低了的第I發(fā)光層及第2發(fā)光層。
[0038][應(yīng)用例13]本應(yīng)用例的有機EL裝置的制造方法，是在基板的上方具有第I有機EL元件和第2有機EL元件的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，具有:驅(qū)動電路形成工序，在前述基板的上方，形成對前述第I有機EL元件的驅(qū)動進行控制的第I驅(qū)動電路部、和對前述第2有機EL元件的驅(qū)動進行控制的第2驅(qū)動電路部；形成隔壁部的隔壁部形成工序，所述隔壁部形成在包含前述第I驅(qū)動電路部及前述第2驅(qū)動電路部的基底層上，相互劃分相鄰的第I膜形成區(qū)域和第2膜形成區(qū)域；和有機EL元件形成工序，在前述基底層上俯視下與前述第I膜形成區(qū)域重合的位置形成前述第I有機EL元件，并且，在前述基底層上俯視下與前述第2膜形成區(qū)域重合的位置，形成前述第2有機EL元件；前述驅(qū)動電路形成工序?qū)⑶笆龅贗驅(qū)動電路部的至少一部分及前述第2驅(qū)動電路部的至少一部分形成為俯視下與前述第I膜形成區(qū)域重合。
[0039]根據(jù)該方法，在驅(qū)動電路形成工序中按照至少兩個有機EL元件的驅(qū)動電路部的至少一部分，包含在由隔壁部劃分的第I膜形成區(qū)域的基底層的方式，形成驅(qū)動電路部。因此，與第I膜形成區(qū)域相比，第2膜形成區(qū)域中的基底層的表面難以產(chǎn)生凹凸，相互的凹凸水準(狀態(tài))不同。由此，在有機EL元件形成工序的第2有機EL元件的形成中，至少發(fā)光層的形成不受凹凸的影響，可以形成膜厚偏差少的發(fā)光層。所以，能夠制造至少在第2有機EL元件中可得到穩(wěn)定的亮度的發(fā)光的有機EL裝置。
[0040][應(yīng)用例14]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置的制造方法中，優(yōu)選前述第I有機EL元件能發(fā)出第I色光，前述第2有機EL元件能發(fā)出與前述第I色不同的第2色光，前述第I有機EL元件所具有的第I發(fā)光層和前述第2有機EL元件所具有的第2發(fā)光層通過不同的成膜方法形成。
[0041]根據(jù)該方法，對于基底層的凹凸水準不同的第I膜形成區(qū)域和第2膜形成區(qū)域，使用不同的成膜方法形成第I發(fā)光層和第2發(fā)光層。因此，可選擇與基底層的凹凸水準對應(yīng)的成膜方法，與使用同一成膜方法的情況相比，可使各自的膜厚偏差變小。
[0042][應(yīng)用例15]在上述應(yīng)用例的有機EL裝置的制造方法中，前述有機EL元件形成工序具有:通過蒸鍍法或旋涂法形成前述第I發(fā)光層的第I發(fā)光層形成工序、和通過液滴噴出法形成前述第2發(fā)光層的第2發(fā)光層形成工序。
[0043]根據(jù)該方法，在第I發(fā)光層形成工序中，使用被覆性優(yōu)良的蒸鍍法或旋涂法，在第I膜形成區(qū)域形成第I發(fā)光層。而且，在與第I膜形成區(qū)域相比平坦性良好的第2膜形成區(qū)域，使用液滴噴出法形成第2發(fā)光層。因此，能分別得到膜厚偏差降低了的第I發(fā)光層及第2發(fā)光層。
[0044][應(yīng)用例16]本應(yīng)用例的電子設(shè)備具備上述應(yīng)用例所述的有機EL裝置。
[0045]根據(jù)該構(gòu)成，由于具備至少在第2有機EL元件中能得到穩(wěn)定的亮度的有機EL裝置，所以可提供觀感良好的電子設(shè)備。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0046]圖1是表示實施方式I的有機EL裝置的示意俯視圖。
[0047]圖2是實施方式I的有機EL裝置的等效電路圖。
[0048]圖3是表示實施方式I的有機EL裝置的發(fā)光像素的構(gòu)成的示意俯視圖。
[0049]圖4是表示實施方式I的有機EL裝置的發(fā)光像素的詳細構(gòu)成的俯視圖。
[0050]圖5是表示以圖4的A — A’線切開的發(fā)光像素的構(gòu)造的剖面圖。
[0051]圖6是表示比較例的有機EL裝置的發(fā)光像素的構(gòu)成的俯視圖。
[0052]圖7是表示以圖6的B — B’線切開的比較例的發(fā)光像素的構(gòu)造的剖面圖。
[0053]圖8 (a)及圖8 (b)是表示有機EL裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0054]圖9 (C)是表示有機EL裝置的制造方法的概略俯視圖，圖9 (d)是表示有機EL裝置的制造方法的概略剖面圖。
[0055]圖10(e)?(g)是表示有機EL裝置的制造方法的概略剖面圖。
[0056]圖11是表示實施方式2的有機EL裝置的示意俯視圖。
[0057]圖12是表示實施方式3的實施例1的有機EL裝置的電氣構(gòu)成的等效電路圖。
[0058]圖13是表示實施方式3的實施例1的發(fā)光單位和發(fā)光控制單位的配置的概略俯視圖。
[0059]圖14是表示實施方式3的實施例1的發(fā)光控制單位中的驅(qū)動電路部的概略俯視圖。
[0060]圖15是以圖14的C 一 C’線切開的發(fā)光單位和發(fā)光控制單位的概略剖面圖。
[0061]圖16是表示實施方式3的實施例1的有機EL裝置的制造方法的流程圖。
[0062]圖17(a)?(C)是表示實施例1的有機EL裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0063]圖18(d)?(f)是表示實施例1的有機EL裝置的制造方法的概略剖面圖。
[0064]圖19(g)?⑴是表示實施例1的有機EL裝置的制造方法的概略剖面圖。
[0065]圖20是表示實施方式3的實施例2的有機EL裝置中的發(fā)光控制單位和發(fā)光單位的配置的概略俯視圖。
[0066]圖21是以圖20的D — D’線切開的概略剖面圖。
[0067]圖22是表示實施方式3的實施例3的有機EL裝置中的發(fā)光控制單位和發(fā)光單位的配置的概略俯視圖。
[0068]圖23是表示實施方式3的實施例3的發(fā)光控制單位中的驅(qū)動電路部的構(gòu)成和膜形成區(qū)域的配置的概略俯視圖。
[0069]圖24是表示實施方式3的實施例4的有機EL裝置中的發(fā)光控制單位和發(fā)光單位的配置的概略俯視圖。
[0070]圖25是表示實施方式3的實施例4的發(fā)光控制單位中的驅(qū)動電路部的構(gòu)成和膜形成區(qū)域的配置的概略俯視圖。
[0071]圖26是表示與實施方式3的實施例4對應(yīng)的變形例的驅(qū)動電路部的配置的概略俯視圖。
[0072]圖27是表示作為電子設(shè)備的移動式電話的立體圖。
[0073]圖28是表示變形例的發(fā)光控制單位中的驅(qū)動電路部的構(gòu)成、和膜形成區(qū)域的配置的概略俯視圖。
[0074]附圖標記說明:1…作為基板的元件基板，10、40、100、200、300、400、500…有機EL
裝置，7a…第I膜形成區(qū)域，7b…第2膜形成區(qū)域，7c…第3膜形成區(qū)域，11、12…薄膜晶體管(TFT)，13、13h、13j…保持電容，19...隔壁部，20、20B、20G、20R…有機 EL 元件，23、23b、23g、23r…像素電極，24、24b、24g、24r…功能層，26b…藍色的發(fā)光層，26g...綠色的發(fā)光層，261■…紅色的發(fā)光層，27...共用電極，31...掃描線，41...數(shù)據(jù)線，42...電源線，1000...作為電子設(shè)備的移動式電話，Lu…發(fā)光控制單位。
【具體實施方式】
[0075]下面，按照附圖，對將本發(fā)明具體化了的實施方式進行說明。其中，為了使說明的部分成為能夠認識的狀態(tài)，將所使用的附圖進行了適當放大或縮小而顯示。
[0076](實施方式I)
[0077]〈有機EL裝置〉
[0078]首先，參照圖1?圖7，對本實施方式的有機EL裝置進行說明。圖1是表示有機EL裝置的示意俯視圖，圖2是有機EL裝置的等效電路圖，圖3是表示發(fā)光像素的構(gòu)成的示意俯視圖，圖4是表示發(fā)光像素的詳細構(gòu)成的俯視圖，圖5是表示以圖4的A — A’線切開的發(fā)光像素的構(gòu)造的剖面圖，圖6是表示比較例的有機EL裝置的發(fā)光像素的構(gòu)成的俯視圖，圖7是表示以圖6的B — B’線切開的比較例的發(fā)光像素的構(gòu)造的剖面圖。
[0079]如圖1所示，本實施方式的有機EL裝置10具有能得到紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的發(fā)光(發(fā)光色)的發(fā)光像素7。發(fā)光像素7為近似矩形狀，在發(fā)光區(qū)域(表示區(qū)域)6中以矩陣狀配置。能得到同色發(fā)光的發(fā)光像素7在附圖上沿水平方向(行方向或發(fā)光像素的長邊方向)排列，不同發(fā)光色的發(fā)光像素7在附圖上沿垂直方向(列方向或發(fā)光像素的短邊方向)以G、B、R的順序排列。即，不同發(fā)光色的發(fā)光像素7以條紋方式配置。
[0080]若將這樣的有機EL裝置10作為顯示裝置使用，則以能得到不同發(fā)光色的三個發(fā)光像素7作為一個顯示像素單位，各個發(fā)光像素7被電氣控制。由此，可實現(xiàn)全色顯示。
[0081]如圖2所示,有機EL裝置10是使用了薄膜晶體管(Thin Film Transistor,以下簡稱為TFT)作為驅(qū)動發(fā)光像素7的開關(guān)元件的有源矩陣型有機EL裝置。
[0082]有機EL裝置10具備:與掃描線驅(qū)動部3連接的多個掃描線31、與數(shù)據(jù)線驅(qū)動部4連接的多個數(shù)據(jù)線41、和與各掃描線31并排設(shè)置的多個電源線42。由與相互絕緣交叉的掃描線31和數(shù)據(jù)線41所劃分的區(qū)域?qū)?yīng)而設(shè)置的驅(qū)動電路部，進行發(fā)光像素7的發(fā)光控制。
[0083]驅(qū)動電路部具備:經(jīng)由掃描線31將掃描信號向柵電極供給的開關(guān)用TFT11、對經(jīng)由該TFTll從數(shù)據(jù)線41供給的像素信號進行保持的保持電容13、由該保持電容13保持的像素信號被向柵電極供給的驅(qū)動用TFT12。具有在經(jīng)由該驅(qū)動用TFT12與電源線42電連接時從該電源線42流入驅(qū)動電流的像素電極23、和在該像素電極23與共用電極27之間夾持的功能層24。
[0084]若掃描線31被驅(qū)動、開關(guān)用TFTll成為導(dǎo)通狀態(tài)，則此時的數(shù)據(jù)線41的電位被保持電容13保持，與該保持電容13的狀態(tài)對應(yīng)，決定驅(qū)動用TFT12的接通/斷開狀態(tài)。而且，經(jīng)由驅(qū)動用TFT12，從電源線42向像素電極23流過電流，進而經(jīng)由功能層24向共用電極27流過電流。功能層24對應(yīng)于流過其的電流量而發(fā)光。即，由像素電極23、共用電極27和功能層24，構(gòu)成了作為發(fā)光單位的有機EL元件20。
[0085]接著，參照圖3及圖4，對有機EL裝置10中的各構(gòu)成在基板上的配置進行說明。
[0086]如圖3所示，與以柵格狀配置且相互絕緣的掃描線31和數(shù)據(jù)線41所劃分的區(qū)域?qū)?yīng)，按照與上述驅(qū)動電路部一一對應(yīng)的方式，設(shè)有發(fā)光控制單位Lu。各發(fā)光控制單位Lu如前述那樣具有兩個TFTl1、12、保持電容13、和與它們連接的布線。
[0087]跨越沿著掃描線31而相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的區(qū)域，根據(jù)在基板上設(shè)置了驅(qū)動電路部之后的表面的階梯差(凹凸)，被劃分為包含作為驅(qū)動電路部的一部分的TFTl1,12的第I膜形成區(qū)域7a、包含同樣作為驅(qū)動電路部的一部分的保持電容13的第2膜形成區(qū)域7b、和包含除了 TFT11U2及保持電容13以外的驅(qū)動電路部的第3膜形成區(qū)域7c0
[0088]在第I膜形成區(qū)域7a，設(shè)置有具有能得到綠色(G)發(fā)光的功能層24g的有機EL元件20G (第I有機EL元件)，在第2膜形成區(qū)域7b，設(shè)置有具有能得到藍色⑶發(fā)光的功能層24b的有機EL元件20B (第2有機EL元件)，在第3膜形成區(qū)域7c，設(shè)置有具有能得到紅色(R)發(fā)光的功能層24r的有機EL元件20R(第3有機EL元件)。換言之，能得到不同發(fā)光色的三個有機EL元件20G、20B、20R分別遍布相同數(shù)量的發(fā)光控制單位Lu而設(shè)置。其中，在對這些有機EL元件20G、20B、20R共用的內(nèi)容進行說明的情況下，有時也稱為有機EL元件20。
[0089]電源線42在基板上被設(shè)置于設(shè)有掃描線31與數(shù)據(jù)線41的層、和設(shè)有有機EL元件20的層之間。而且，沿著掃描線31，并且遍及第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c而設(shè)置。
[0090]具體而言，如圖4所示，TFT11U2被設(shè)置在掃描線31與數(shù)據(jù)線41的附近。在TFT11U2上分別設(shè)置有與掃描線31和數(shù)據(jù)線41、保持電容13連接的布線、以及將TFTlK漏極)和TFT12(柵極)連接的布線。
[0091]TFT12的3個端子(柵極、源極、漏極)中的一個(源極)與電源線42連接，控制從電源線42流入有機EL元件20的電流，與進行有機EL元件20的開關(guān)的TFTll相比，從耐電流、耐電壓等的關(guān)系出發(fā)，具有更大的平面面積。
[0092]保持電容13俯視下為近似四邊形，設(shè)置在發(fā)光控制單位Lu的大致中央部分，占發(fā)光控制單位Lu的平面面積的大致1/3的大小。其中，保持電容13的電容考慮掃描信號中的幀頻率與驅(qū)動用TFT12的斷開(OFF)時泄漏電流、有機EL元件20的發(fā)光特性而設(shè)計。因此，實際上通過確定適當?shù)碾娙?，來決定保持電容13的平面面積。
[0093]遍及相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的設(shè)置有TFT11U2的區(qū)域、即第I膜形成區(qū)域7a，設(shè)置有能得到綠色(G)發(fā)光的有機EL元件20G的像素電極23g。像素電極23g與沿著掃描線31排列的三個發(fā)光控制單位Lu中的右端的發(fā)光控制單位Lu的TFT12 (漏極)連接。
[0094]遍及相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的設(shè)置有保持電容13的區(qū)域、即第2膜形成區(qū)域7b，設(shè)置有能得到藍色(B)發(fā)光的有機EL元件20B的像素電極23b。像素電極23b與沿著掃描線31排列的三個發(fā)光控制單位Lu中的左端的發(fā)光控制單位Lu的TFT12 (漏極)連接。
[0095]遍及相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的未設(shè)置TFTl1、12或保持電容13的區(qū)域、SP第3膜形成區(qū)域7c，設(shè)置有能得到紅色(R)發(fā)光的有機EL元件20R的像素電極23r。像素電極23r與沿著掃描線31排列的三個發(fā)光控制單位Lu中的中央的發(fā)光控制單位Lu的TFT12(漏極)連接。
[0096]實際上為了布線的方便，像素電極23b、23i■分別與設(shè)置在相對于三個發(fā)光控制單位Lu，沿著數(shù)據(jù)線41而相鄰的其他三個發(fā)光控制單位Lu中的TFT12(漏極)連接。另外，像素電極23b、23g、23r與TFT12的連接方法并不限定于此。
[0097]接著，參照圖5，對有機EL裝置10的厚度方向的構(gòu)造進行說明。
[0098]如圖5所示，發(fā)光控制單位Lu、和各發(fā)光色的有機EL元件20 (分別稱為有機EL元件20B、有機EL元件20G、有機EL元件20R)層疊形成在作為基板的元件基板I上。換言之，在設(shè)置有發(fā)光控制單位Lu的基底層上，設(shè)置有各有機EL元件20B、20G、20R。
[0099]在本實施方式中，基底層包含:元件基板1、發(fā)光控制單位Lu、反射層21、絕緣膜17。
[0100]元件基板I采用了透明的玻璃或樹脂等基板、或者不透明的硅等基板。首先，在元件基板I的表面分別以島狀設(shè)置例如由多晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層lla、12a、13a。半導(dǎo)體層Ila構(gòu)成TFT11，半導(dǎo)體層12a構(gòu)成TFT12。半導(dǎo)體層13a構(gòu)成保持電容13，成為一方的電極。因此,有時也稱為一方的電極13a。
[0101]以覆蓋島狀的半導(dǎo)體層lla、12a的外緣及柵極、和除了半導(dǎo)體層13a的一部分的大致整個面的方式設(shè)置有柵極絕緣膜la。覆蓋半導(dǎo)體層13a的柵極絕緣膜Ia作為電介質(zhì)層發(fā)揮功能。柵極絕緣膜Ia的厚度約為50nm?lOOnm。
[0102]在柵極絕緣膜Ia上，設(shè)置有例如Al (鋁)、Ta(鉭)、W(鎢)、或它們的金屬化合物等低電阻金屬布線層，通過將其圖案化，構(gòu)成了掃描線31、數(shù)據(jù)線41 (省略圖示)、TFT11、12的各柵電極lld、12d。并且，構(gòu)成了與保持電容13的另一方的電極13b或一方的電極13a連結(jié)的布線13c。而且，以覆蓋它們的方式設(shè)置有層間絕緣膜14。該低電阻金屬布線層的厚度約為500nm?600nm。層間絕緣膜14的厚度也約為500nm?600nm。
[0103]在層間絕緣膜14中，設(shè)置有用于實現(xiàn)與TFT11U2的源極和漏極連接的接觸孔14a、14b、14c、14d。而且，設(shè)置有用于實現(xiàn)保持電容13和電源線42及TFT12的連接的接觸孔(省略圖示)。
[0104]在層間絕緣膜14上設(shè)置有例如Al、Ta、W、或它們的金屬化合物等低電阻金屬布線層，通過將其圖案化，構(gòu)成了將電源線42或接觸孔14b、14c之間連結(jié)的布線、將電源線42和接觸孔14d之間連結(jié)的布線等。該低電阻金屬布線層的厚度約為500nm?600nm。
[0105]而且，以覆蓋電源線42與層間絕緣膜14的方式設(shè)置有保護膜15，進而以覆蓋保護膜15的方式設(shè)置有平坦化層16。上述的柵極絕緣膜la、層間絕緣膜14、保護膜15例如由SiN或Si0、Si02或者這些硅化合物等無機混合物構(gòu)成。保護膜15的厚度約為200nm?300nm。平坦化層16例如由丙烯酸類或環(huán)氧樹脂類的有機樹脂構(gòu)成,厚度約為I μ m?2 μ m。
[0106]即使這樣地設(shè)置比低電阻金屬布線層或?qū)娱g絕緣膜14等厚的平坦化層16，也會在元件基板I上的平坦化層16的表面產(chǎn)生階梯差。特別是設(shè)置有TFT11U2的第I膜形成區(qū)域7a的表面，因用于與TFT11、12實現(xiàn)連接的接觸孔14a、14b、14c、14d或布線的形成，與設(shè)置有保持電容13的第2膜形成區(qū)域7b或第3膜形成區(qū)域7c相比，具有更多的凹凸。
[0107]該情況下，對于平坦化層16上的平坦性而言，沒有半導(dǎo)體層或與其連結(jié)的低電阻金屬布線層的第3膜形成區(qū)域7c最好，按凹凸變多的第2膜形成區(qū)域7b、第I膜形成區(qū)域7a的順序降低。
[0108]與這樣的元件基板I中的驅(qū)動電路部的階梯差(凹凸水準或狀態(tài))對應(yīng)，設(shè)置有不同發(fā)光色的有機EL元件20B、20G、20R。具體而言，在第I膜形成區(qū)域7a設(shè)置有有機EL元件20G，在第2膜形成區(qū)域7b設(shè)置有有機EL元件20B，在第3膜形成區(qū)域7c設(shè)置有有機EL元件20R。
[0109]設(shè)置于第I膜形成區(qū)域7a的有機EL元件20G包含按順序?qū)盈B形成在平坦化層16上的反射層21、絕緣膜17、像素電極23g、功能層24g、共用電極27。其他的有機EL元件20B、20R也同樣。
[0110]其中，在由具有反射性的部件構(gòu)成像素電極23的情況下，由于不需要反射層21和絕緣膜17，所以有機EL元件20基本上由像素電極23、功能層24、共用電極27構(gòu)成。
[0111]反射層21例如由Al - Nd的反射性金屬材料構(gòu)成，厚度約為50nm?lOOnm。覆蓋反射層21的絕緣膜17由SiN或S1等透明的無機材料構(gòu)成，厚度約為50nm?lOOnm。像素電極 23b、23g、23r 是 ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZincOxide)等的透明導(dǎo)電膜，厚度約為50nm?lOOnm。
[0112]實質(zhì)上將各像素電極23b、23g、23r劃分的是以覆蓋各像素電極23b、23g、23r的外緣的方式形成的絕緣膜18、和設(shè)置在絕緣膜18上的隔壁部19。絕緣膜18由S12等無機絕緣材料構(gòu)成，厚度約為50nm?lOOnm。隔壁部19由苯酚類或聚酰亞胺類的樹脂材料構(gòu)成，厚度約為I μ m?2 μ m。
[0113]能得到不同發(fā)光色的功能層24g、24b、24i■，通過在實質(zhì)上由隔壁部19劃分的第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c上，涂敷包含功能性材料的液狀體，并使其固化而形成。對于詳細情況，將在后述的有機EL裝置10的制造方法中描述。
[0114]共用電極27被設(shè)置成覆蓋隔壁部19和各功能層24g、24b、24r。共用電極27是ITO、IZO等的透明導(dǎo)電膜，厚度約為50nm?lOOnm。
[0115]有機EL裝置10將設(shè)置有發(fā)光控制單位Lu和各有機EL元件20B、20G、20R的元件基板1，與由透明的玻璃等構(gòu)成的密封基板(省略圖示)接合，被密封成水分或氧等氣體不會從外部侵入到功能層24b、24g、24r。
[0116]各功能層24b、24g、24r的發(fā)光被反射層21反射，能夠效率良好地從密封基板側(cè)取出。另外，有機EL元件20B、20G、20R的構(gòu)成并不限于此。例如，為了提高各發(fā)光色的亮度，也可在各功能層24b、24g、24r與反射層21之間導(dǎo)入光共振構(gòu)造。
[0117]接著，參照圖6及圖7，對比較例的有機EL裝置進行說明。其中，對于與本實施方式的有機EL裝置10相同的構(gòu)成部分，標注相同的附圖標記，并省略詳細的說明。
[0118]如圖6所示，比較例的有機EL裝置30相對于有機EL裝置10而言，包含兩個TFT11、12、保持電容13和將它們連結(jié)的布線的發(fā)光控制單位Lu的配置是相同的，但有機EL元件20B、20G、20R的平面配置是不同的。具體而言，按設(shè)置有發(fā)光控制單位Lu的近似矩形狀的每個區(qū)域(膜形成區(qū)域)，設(shè)置有近似矩形狀的有機EL元件20 (20B、20G、20R)。一個有機EL元件20被設(shè)置成不跨越多個發(fā)光控制單位Lu。
[0119]如圖7所示，例如能夠得到紅色發(fā)光的功能層24ι■遍及具有由隔壁部19劃分的發(fā)光控制單位Lu的膜形成區(qū)域而設(shè)置。特別是在通過向膜形成區(qū)域涂敷包含功能性材料的液狀體而形成功能層24r的情況下，被涂敷的液狀體容易流入到成為最低的階梯差的部分、即未設(shè)置TFT11U2或保持電容13的部分。因此，若使所涂敷的液狀體固化，則跨越階梯差而形成的功能層24r根據(jù)場所而膜厚變動。
[0120]若在這樣的功能層24r中流過電流而使其發(fā)光，則產(chǎn)生因膜厚偏差而引起的亮度不均。并且，在可靠性品質(zhì)方面，有容易向膜厚最薄的部分集中流動電流、發(fā)光壽命變短的可能性。
[0121 ] 相對于比較例的有機EL裝置30，本實施方式的有機EL裝置10按與元件基板I上的平坦化層16的階梯差(凹凸水準或狀態(tài))對應(yīng)地被劃分的第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c，設(shè)置了有機EL元件20。因此，可抑制各功能層24b、24g、24r的膜厚的變動，實現(xiàn)亮度不均降低了的有機EL裝置10。
[0122]特別優(yōu)選在具有TFT11U2的第I膜形成區(qū)域7a中，設(shè)置綠色的功能層24g。即使功能層24g的膜厚因第I膜形成區(qū)域7a中的表面的凹凸而變動，由于綠色的功能層24g的發(fā)光壽命比其他的長，所以即便為了降低亮度不均而流過多余的電流，也不會導(dǎo)致作為有機EL裝置10的發(fā)光壽命降低。
[0123]<有機EL裝置的制造方法>
[0124]接著，參照圖8?圖10，對本實施方式的有機EL裝置10的制造方法進行說明。圖8(a)及(b)、圖9(c)及(d)、圖10(e)?(g)是表示有機EL裝置的制造方法的概略圖。
[0125]本實施方式的有機EL裝置10的制造方法具備:在元件基板I上形成驅(qū)動電路部的驅(qū)動電路形成工序、在驅(qū)動電路部上形成反射層21的反射層形成工序、與驅(qū)動電路部電連接地形成像素電極23b、23g、23r的像素電極形成工序、對包含像素電極23b、23g、23r的膜形成區(qū)域進行劃分地形成隔壁部19的隔壁部形成工序、在由隔壁部19劃分的膜形成區(qū)域形成功能層24b、24g、24r的功能層形成工序、以及覆蓋隔壁部19和功能層24b、24g、24r地形成共用電極27的共用電極形成工序。
[0126]在驅(qū)動電路形成工序中，首先如圖8 (a)所示，在元件基板I上形成多晶硅膜，通過光刻法將各半導(dǎo)體層lla、12a、13a形成為島狀。作為多晶硅膜的形成方法，可使用公知的技術(shù)，例如可以舉出減壓CVD法等。
[0127]然后，在與TFTl 1、12對應(yīng)的半導(dǎo)體層I la、12a中，將源極及漏極側(cè)掩模，在半導(dǎo)體層13a中，以遮掩了電氣連接部的狀態(tài)，按照覆蓋元件基板I的方式形成柵極絕緣膜la。作為柵極絕緣膜Ia的形成方法，例如可舉出以SiN或S1作為靶、按照膜厚約為50nm?10nm的方式在真空中成膜的濺射法等。
[0128]接著，在柵極絕緣膜Ia上同樣通過濺射法等進行成膜，例如將由Al構(gòu)成的低電阻金屬膜形成為厚度約為500nm?600nm。通過光刻法將其圖案化，如圖8 (b)所示，形成了掃描線31、數(shù)據(jù)線41、從掃描線31延伸到半導(dǎo)體層Ila上而成為柵電極Ild的布線31a、從半導(dǎo)體層12a上延伸到半導(dǎo)體層13a的連接部的布線13c (包含柵電極12d)、和保持電容13的另一方的電極13b。此時，相對于數(shù)據(jù)線41正交延伸的掃描線31被預(yù)先形成為，暫時將數(shù)據(jù)線41上的部分缺省。
[0129]接著，以覆蓋元件基板I的大致整個面的方式形成層間絕緣膜14。作為形成層間絕緣膜14的方法，同樣使用濺射法，將SiN或S1作為靶，在真空中成膜，使膜厚約為500nm?600nm。此時,在隨后的電源線形成工序形成電源線42以外的布線的部分,預(yù)先使用感光性樹脂材料等被遮掩。若在形成了層間絕緣膜14后去除被遮掩的部分，則圖9(c)所示，可形成接觸孔 14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h。
[0130]接著，再次同樣地通過濺射法等，在層間絕緣膜14上成膜由Al構(gòu)成的低電阻金屬膜，使其厚度約為500nm?600nm。通過光刻法將其圖案化，如圖9 (c)所示，形成電源線42和各種布線。例如，可通過利用低電阻金屬膜將接觸孔14d和接觸孔14f填埋，形成將數(shù)據(jù)線41和TFTll的源極連結(jié)的布線lie?？赏ㄟ^利用低電阻金屬膜將接觸孔14c和接觸孔14e填埋，形成將TFTll的漏極和TFT12的柵極連結(jié)的布線Ilf?？赏ㄟ^利用低電阻金屬膜將兩個接觸孔Hg之間填埋，形成將中斷的掃描線31在數(shù)據(jù)線41上電連接的布線31c?？赏ㄟ^利用低電阻金屬膜填埋接觸孔14b和接觸孔14h，形成將電源線42和TFT12的源極及保持電容13的另一方的電極13b連結(jié)的布線12f。
[0131]接著，以覆蓋如此形成的驅(qū)動電路部的方式，形成保護膜15。作為保護膜15的形成方法，例如以SiN為靶，同樣通過濺射法等成膜，使厚度為200nm?300nm。進而，以覆蓋保護膜15的方式形成平坦化層16。作為平坦化層16的形成方法，可舉出利用旋涂或輥涂等方法以約I μ m?2 μ m的厚度涂敷感光性的丙烯酸類樹脂并使其固化，然后利用光刻法將其圖案化的方法。進行圖案化的主要是與實現(xiàn)各像素電極23b、23g、23i■和TFT12的漏極之間的連接的接觸孔14a連通的接觸孔16a。或者，可以在將該接觸孔16a的部分遮掩之后，涂敷平坦化層形成材料。
[0132]接著，如圖9(d)所示，在反射層形成工序中，按與平坦化層16上的階梯差(凹凸水準或狀態(tài))對應(yīng)地被劃分的第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c，形成反射層21。作為反射層21的形成方法，可舉出利用濺射法成膜作為前述的反射層形成材料的Al — Nd、使其厚度約為50nm?10nm的方法。然后，通過光刻法形成具有比像素電極23b、23g、23r稍稍大的平面面積的反射層21。接著，以覆蓋反射層21的方式形成絕緣膜17。絕緣膜17的形成方法可舉出以SiN或S1為靶、在真空中成膜以使膜厚約為50nm?10nm的派射法等。
[0133]在像素電極形成工序中，通過濺射法等在絕緣膜17上形成ITO膜、使其厚度約為lOOnm。然后，通過光刻法將其圖案化，在反射層21的上方形成各像素電極23b、23g、23r。而且，利用ITO膜將接觸孔16a填埋，使像素電極23b、23g、23i■和TFT12(漏極)連接。該情況下，各像素電極23b、23g、23r的平面面積大致同等。
[0134]接著，以覆蓋各像素電極23b、23g、23r的外緣部的方式形成絕緣膜18。作為絕緣膜18的形成方法，可舉出在將各像素電極23b、23g、23r的外緣部以外遮蔽的狀態(tài)下，將SiN或S1作為祀實施派射,按照厚度為50nm?10nm的方式進行成膜的方法。
[0135]進而，在隔壁部形成工序中，向元件基板I的表面涂敷苯酚類或聚酰亞胺類的感光性樹脂材料并使其固化，以使厚度為I μ m?2 μ m，并通過曝光、顯影，在絕緣膜18上形成隔壁部19。由此，如圖9(d)所示，隔壁部19實質(zhì)上劃分第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c。第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c的平面面積也大致同等。
[0136]接著，對功能層形成工序進行說明。本實施方式的功能層形成工序包含:涂敷包含空穴注入輸送層形成材料的液狀體并使其固化，形成空穴注入輸送層的空穴注入輸送層形成工序；和涂敷包含發(fā)光層形成材料的液狀體并使其固化，形成發(fā)光層的發(fā)光層形成工序。
[0137]在空穴注入輸送層形成工序中，如圖9(d)所示，使用能夠從噴嘴噴出液狀體的噴出頭(噴墨頭)50，向第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c每一個，以液滴方式涂敷規(guī)定量的液狀體60。液狀體60是如下所述的溶液:例如含有二甘醇和水(純水)作為溶劑，作為空穴注入輸送層形成材料，含有0.5%重量比的向聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物中添加了作為摻雜劑的聚對苯乙烯磺酸(PSS)的混合物(PEDPT/PSS)。調(diào)整溶劑的比例，以使粘度約為20mPa.s以下。
[0138]另外，作為PEDPT/PSS以外的空穴注入輸送層形成材料，可舉出聚苯乙烯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔或其衍生物。
[0139]通過利用例如燈退火等方法將被涂敷了液狀體60的元件基板I進行加熱干燥、使溶劑蒸發(fā)，如圖10 (e)所示，在第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c每一個中，形成空穴注入輸送層25。另外，也可以在涂敷液狀體60之前，對元件基板I實施表面處理，該表面處理是指對像素電極23b、23g、23r的表面進行親液處理，并且對隔壁部19的表面進行疏液處理。親液處理可舉出將氧作為處理氣體來進行等離子處理的方法，疏液處理可舉出將氟類氣體作為處理氣體來進行等離子處理的方法。這樣，滴落在像素電極23b.23g.23r上的液狀體60會均勻地濡濕擴展。
[0140]在發(fā)光層形成工序中，如圖9(d)所示，向不同的噴出頭50G、50B、50R中分別填充不同的液狀體70G、70B、70R，以液滴方式對分別對應(yīng)的第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c進行涂敷。
[0141]液狀體70G、70B、70R使用了例如含有環(huán)己基苯作為溶劑、含有0.7 %重量比的能得到紅色、綠色、藍色發(fā)光的聚芴衍生物(PF)作為發(fā)光層形成材料的物質(zhì)。粘度約為14mPa.S。另外,作為PF以外的發(fā)光層形成材料,可使用聚對苯撐乙炔衍生物(PPV)、聚亞苯基衍生物(PP)、聚對苯撐衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、PEDOT等聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等。此外，也可以使用在這些高分子材料中，摻雜了二萘嵌苯類色素、香豆素類色素、若丹明類色素等的高分子材料、或紅熒烯、二萘嵌苯、9，10—二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮等低分子材料的物質(zhì)。
[0142]作為被涂敷的液狀體70G、70B、70R的干燥方法(固化方法)，使用了與一般的加熱干燥相比能使溶劑成分比較均勻地干燥的減壓干燥法。由此，如圖10(f)所示，在空穴注入輸送層25上可沒有不均地形成發(fā)光層26g、26b、26r。這樣形成了包含空穴注入輸送層25和發(fā)光層26g的功能層24g。其他的功能層24b、24r也同樣。
[0143]另外，功能層形成工序中的功能層24b、24g、24r的形成方法并不限定于此。例如，也可以在以PEDPT/PSS為主體的空穴注入層和以PF為主體的發(fā)光層26b、26g、26r之間，形成中間層。作為含有中間層形成材料的液狀體，例如可舉出含有環(huán)己基苯作為溶劑、含有0.1%左右重量比的三苯胺類聚合物作為中間層形成材料的物質(zhì)。
[0144]中間層具有使空穴相對于發(fā)光層26b、26g、26r的輸送性(注入性)提高、并且抑制電子從發(fā)光層侵入到空穴注入層的功能。即，可改善發(fā)光層26b、26g、26r中的空穴與電子的復(fù)合實現(xiàn)的發(fā)光的效率。
[0145]接著，在共用電極形成工序中，如圖10(g)所示，以覆蓋隔壁部19和各功能層24b、24g、24r的方式，形成共用電極27。由此，完成有機EL元件20。
[0146]作為共用電極27的材料，優(yōu)選組合使用ITO和Ca、Ba、Al等金屬或LiF等氟化物。特別優(yōu)選在接近功能層24b、24g、24r的一側(cè),形成功函數(shù)小的Ca、Ba、LiF的膜,在遠離功能層24b、24g、24r的一側(cè)，形成功函數(shù)大的ΙΤ0。另外，也可以在共用電極27之上層疊Si02、SiN等保護層。這樣，可防止共用電極27的氧化。作為共用電極27的形成方法，可舉出蒸鍍法、濺射法、CVD法等。尤其在防止功能層24b、24g、24r的因熱引起的損傷方面，優(yōu)選采用蒸鍍法。
[0147]接著，通過將形成了發(fā)光控制單位Lu和有機EL元件20的元件基板1、與密封基板接合，完成了有機EL裝置10。
[0148]根據(jù)這樣的有機EL裝置10的制造方法，可成品率良好地形成有助于發(fā)光的部分的平面面積大致同等且膜厚偏差降低了的功能層24b、24g、24i■。即，能夠成品率良好地制造不同發(fā)光色之間的亮度均衡、且亮度不均降低了的頂部發(fā)光型有機EL裝置10。
[0149](實施方式2)
[0150]接著，參照圖11，對本實施方式的其他有機EL裝置進行說明。圖11是表示實施方式2的有機EL裝置的像素的構(gòu)成的示意圖。其中，對與實施方式I的有機EL裝置10相同的構(gòu)成部分，賦予相同的附圖標記來進行說明。
[0151]如圖11所示，實施方式2的有機EL裝置40具有:相互絕緣且以柵格狀配置的掃描線31及數(shù)據(jù)線41、和沿著掃描線31配置的電源線42。而且，在由掃描線31和數(shù)據(jù)線41劃分的區(qū)域具有發(fā)光控制單位Lu。即，發(fā)光控制單位Lu的構(gòu)成和配置與有機EL裝置10相同。
[0152]沿著掃描線31排列的相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu，與在基板上形成的驅(qū)動電路部的階梯差(凹凸水準或狀態(tài))對應(yīng)，被劃分成包含半導(dǎo)體元件部(TFT11U2)的第I膜形成區(qū)域7a、分別包含保持電容的兩個膜形成區(qū)域、即第2膜形成區(qū)域7b和第4膜形成區(qū)域7d。
[0153]第I膜形成區(qū)域7a遍布三個發(fā)光控制單位Lu，第2膜形成區(qū)域7b遍布左端和中央的發(fā)光控制單位Lu。第4膜形成區(qū)域7d遍布中央和右端的發(fā)光控制單位Lu。
[0154]相對于近似矩形狀的第I膜形成區(qū)域7a，正四邊形的第2膜形成區(qū)域7b及第4膜形成區(qū)域7d具有實質(zhì)上大致同等的平面面積。
[0155]在第I膜形成區(qū)域7a中，設(shè)置有作為能得到綠色發(fā)光的發(fā)光單位的有機EL元件20G，構(gòu)成了發(fā)光像素7。在第2膜形成區(qū)域7b中，設(shè)置有作為能得到藍色發(fā)光的發(fā)光單位的有機EL元件20B，構(gòu)成了發(fā)光像素7。在第4膜形成區(qū)域7d中，設(shè)置有作為能得到紅色發(fā)光的發(fā)光單位的有機EL元件20R，構(gòu)成了發(fā)光像素7。
[0156]在具有反射層的頂部發(fā)光型的情況下，由于驅(qū)動電路部的構(gòu)成形成在反射層的下層，所以可進行比較自由的配置。因此，如圖11所示，若與配置有電源線42的區(qū)域?qū)?yīng)，形成對保持電容或階梯差進行緩和的虛擬布線層，則可將第2膜形成區(qū)域7b和第4膜形成區(qū)域7d在高度大致同等的階梯差內(nèi)進行劃分。
[0157]由此，能得到不同發(fā)光的發(fā)光像素7的配置不限定于實施方式I的有機EL裝置10那樣的條紋方式，也可以為實施方式2的有機EL裝置40那樣的模擬三角形方式的配置。
[0158]有機EL裝置40的制造方法，可經(jīng)過與實施方式I的有機EL裝置10的制造方法相同的工序來進行制造。只要與各膜形成區(qū)域?qū)?yīng)地形成將像素電極和像素電極劃分的隔壁部即可。
[0159](實施方式3)
[0160]接著，利用實施例1?實施例4，對其他實施方式的有機電致發(fā)光(EL)裝置及其制造方法進行說明。其中，對于與上述實施方式I的有機EL裝置10相同的構(gòu)成，標注相同的附圖標記并進行說明。
[0161](實施例1)
[0162]<有機EL裝置>
[0163]圖12是表示實施例1的有機EL裝置的電氣構(gòu)成的等效電路圖，圖13是表示實施例I的發(fā)光單位和發(fā)光控制單位的配置的概略俯視圖，圖14是表示實施例1的發(fā)光控制單位中的驅(qū)動電路部的概略俯視圖，圖15是以圖14的C 一 C’線切開的發(fā)光單位和發(fā)光控制單位的概略剖面圖。
[0164]如圖12所示，實施例1的有機EL裝置100是使用了薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,以下簡稱為TFT)作為開關(guān)元件的有源矩陣型顯示裝置，所述開關(guān)元件對作為發(fā)光單位的有機EL元件20進行驅(qū)動。
[0165]有機EL裝置100具備:與掃描線驅(qū)動部3連接的多個掃描線31、與數(shù)據(jù)線驅(qū)動部4連接的多個數(shù)據(jù)線41、和與各掃描線31并排設(shè)置的多個電源線42。通過與相互絕緣并交叉的掃描線31和數(shù)據(jù)線41所劃分的區(qū)域?qū)?yīng)地設(shè)置的發(fā)光控制單位Lu，進行有機EL元件20的發(fā)光控制。
[0166]各發(fā)光控制單位Lu具備驅(qū)動電路部，所述驅(qū)動電路部包括:經(jīng)由掃描線31將掃描信號向柵電極供給的開關(guān)用TFT11、對經(jīng)由該TFTll從數(shù)據(jù)線41供給的像素信號進行保持的保持電容13、將由該保持電容13保持的像素信號向柵電極供給的驅(qū)動用TFT12。
[0167]作為發(fā)光單位的有機EL元件20具有:在借助驅(qū)動用TFT12與電源線42電連接時從該電源線42流入驅(qū)動電流的像素電極23、和在該像素電極23與共用電極27之間夾持的功能層24。
[0168]將與這些TFTl1、12連接的掃描線31和數(shù)據(jù)線41統(tǒng)稱為信號線。
[0169]若掃描線31被驅(qū)動、開關(guān)用TFTll成為接通狀態(tài)，則此時的數(shù)據(jù)線41的電位被保持電容13保持，與該保持電容13的狀態(tài)對應(yīng)，決定驅(qū)動用TFT12的接通/斷開狀態(tài)。而且，經(jīng)由驅(qū)動用TFT12，從電源線42向像素電極23流過電流，進而經(jīng)由功能層24向共用電極27流過電流。功能層24對應(yīng)于流過其的電流量而發(fā)光。
[0170]接著，參照圖13及圖14，對有機EL裝置10中的各構(gòu)成在基板上的配置進行說明。
[0171]如圖13所示，與以柵格狀配置且相互絕緣的掃描線31和數(shù)據(jù)線41所劃分的區(qū)域?qū)?yīng)，設(shè)有發(fā)光控制單位Lu。各發(fā)光控制單位Lu如前述那樣，具有兩個TFTl1、12、保持電容13、與它們連結(jié)的布線。
[0172]跨越沿著掃描線31的相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的部分，被劃分為分別具有大致相同的平面面積的三個近似矩形狀的區(qū)域。從上到下按順序稱為第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c。
[0173]在第I膜形成區(qū)域7a中，設(shè)置有有機EL元件20B，該有機EL元件20B具有作為第I有機EL元件的能得到藍色(B)發(fā)光的功能層24b。在第2膜形成區(qū)域7b中，設(shè)置有有機EL元件20G，該有機EL元件20G具有作為第2有機EL元件的能得到綠色(G)發(fā)光的功能層24g。在第3膜形成區(qū)域7c中，設(shè)置有有機EL元件20R，該有機EL元件20R具有作為第3有機EL元件的能得到紅色(R)發(fā)光的功能層24r。換言之，作為能得到不同發(fā)光色的發(fā)光單位的三個有機EL元件20B、20G、20R，跨越沿著掃描線31的相鄰的同數(shù)量(三個)的發(fā)光控制單位Lu而設(shè)置。
[0174]而且，將這樣的三個有機EL元件20B、20G、20R作為一個顯示單位，以矩陣狀在基板上設(shè)置有多個顯示單位。其中，在對這些有機EL元件20B、20G、20R共用的內(nèi)容進行說明的情況下，記載為有機EL元件20。
[0175]電源線42沿著掃描線31，并且遍及相鄰的顯示單位的第I膜形成區(qū)域7a而設(shè)置。
[0176]更具體而言，如圖14所示，TFTl1、12被設(shè)置在掃描線31與數(shù)據(jù)線41的交叉點附近。在TFT11、12上設(shè)置有與掃描線31或數(shù)據(jù)線41、保持電容13連接的布線、和將TFTll (漏極)與TFT12(柵極)連結(jié)的布線。
[0177]TFT12是3個端子(柵極、源極、漏極)中的一個(源極)與電源線42連接，對從電源線42流入到有機EL元件20的電流進行控制的元件，與進行有機EL元件20的開關(guān)控制的TFTll相比，從耐電流、耐電壓等關(guān)系出發(fā)，具有更大的平面面積。
[0178]保持電容13俯視為近似四邊形，設(shè)置在TFT11U2的附近，占發(fā)光控制單位Lu的平面面積的大致1/6的大小。其中，保持電容13的電容考慮掃描信號中的幀頻率與驅(qū)動用TFT12的斷開(OFF)時泄漏電流、有機EL元件20的發(fā)光特性而設(shè)計。因此，實際上通過確定適當?shù)碾娙?，來決定保持電容13的平面面積。
[0179]遍及設(shè)置有相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的TFT11U2和保持電容13的區(qū)域、SP第I膜形成區(qū)域7a，設(shè)置有能得到藍色(B)發(fā)光的有機EL元件20B的像素電極23b。像素電極23b與沿著掃描線31排列的三個發(fā)光控制單位Lu中的右端的發(fā)光控制單位Lu的TFT12(漏極)連接。
[0180]遍及跨越相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的第2膜形成區(qū)域7b，設(shè)置有能得到綠色(G)發(fā)光的有機EL元件20G的像素電極23g。像素電極23g與沿著掃描線31排列的三個發(fā)光控制單位Lu中的左端的發(fā)光控制單位Lu的TFT12 (漏極)連接。
[0181]遍及跨越相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的第3膜形成區(qū)域7c，設(shè)置有能得到紅色(R)發(fā)光的有機EL元件20R的像素電極23r。像素電極23r與沿著掃描線31排列的三個發(fā)光控制單位Lu中的中央的發(fā)光控制單位Lu的TFT12 (漏極)連接。
[0182]實際上為了布線的方便，像素電極23g、23i■分別與相對于沿著掃描線31而相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu，設(shè)置在沿著數(shù)據(jù)線41而相鄰的其他發(fā)光控制單位Lu的TFT12(漏極)連接。另外，像素電極23b、23g、23r與TFT12的連接方法并不限定于此。
[0183]接著，參照圖15，對有機EL裝置100的厚度方向上的構(gòu)造進行說明。
[0184]如圖15所示，發(fā)光控制單位Lu、和各發(fā)光色的有機EL元件20 (分別稱為有機EL元件20B、有機EL元件20G、有機EL元件20R)層疊形成在作為基板的元件基板I上。成為發(fā)光控制單位Lu包含在作為發(fā)光單位的有機EL元件20的基底層的構(gòu)成。換言之，在設(shè)置有發(fā)光控制單位Lu的基底層上，設(shè)置有各有機EL元件20B、20G、20R。
[0185]而且，在本實施例中，基底層包含元件基板1、發(fā)光控制單位Lu、反射層21、絕緣膜17。
[0186]元件基板I使用了透明的玻璃或樹脂等基板、或者不透明的硅等基板。首先，在元件基板I的表面上分別以島狀設(shè)置例如由多晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層lla、12a、13a。半導(dǎo)體層Ila構(gòu)成TFT11，半導(dǎo)體層12a構(gòu)成TFT12。半導(dǎo)體層13a構(gòu)成保持電容13，成為一方的電極。因此，有時也稱為一方的電極13a。半導(dǎo)體層11a、12a、13a的膜厚約為50nm。
[0187]以覆蓋島狀的半導(dǎo)體層lla、12a的外緣及柵極、和除了半導(dǎo)體層13a的一部分的大致整個面的方式設(shè)置有柵極絕緣膜la。覆蓋半導(dǎo)體層13a的柵極絕緣膜Ia作為電介質(zhì)層發(fā)揮功能。柵極絕緣膜Ia的厚度約為50nm?lOOnm。
[0188]在柵極絕緣膜Ia上設(shè)置有例如由Al (鋁)、Ta (鉭)、W (鎢)、或它們的金屬化合物構(gòu)成的低電阻金屬布線層，通過將其圖案化，構(gòu)成了掃描線31、數(shù)據(jù)線41 (省略圖示)、TFTl1,12的各柵電極lld、12d。并且，構(gòu)成了與保持電容13的另一方的電極13b或一方的電極13a連結(jié)的布線(省略圖示)。而且，以覆蓋它們的方式設(shè)置有層間絕緣膜14。該低電阻金屬布線層的厚度約為500nm?600nm。層間絕緣膜14的厚度也約為500nm?600nm。
[0189]在層間絕緣膜14中，設(shè)置有用于實現(xiàn)與TFT11U2的源極或漏極連接的接觸孔14a、14b、14c、14d。而且，設(shè)置有用于實現(xiàn)保持電容13與電源線42及TFT12的連接的接觸孔(省略圖示)。
[0190]在層間絕緣膜14上設(shè)置有例如由Al、Ta、W、或它們的金屬化合物等的低電阻金屬布線層，通過將其圖案化，構(gòu)成了將電源線42和接觸孔14b、14c之間連結(jié)的布線、將電源線42和接觸孔14d之間連結(jié)的布線等。該低電阻金屬布線層的厚度約為500nm?600nm。
[0191]而且，以覆蓋電源線42和層間絕緣膜14的方式設(shè)置有保護膜15，進而以覆蓋保護膜15的方式設(shè)置有平坦化層16。上述的柵極絕緣膜la、層間絕緣膜14、保護膜15例如由SiN或Si0、Si02或者這些硅化合物等無機混合物構(gòu)成。保護膜15的厚度約為200nm?300nm。平坦化層16例如由丙烯酸類或環(huán)氧樹脂類有機樹脂構(gòu)成,厚度約為I μ m?2 μ m。
[0192]即使如此設(shè)置比低電阻金屬布線層或?qū)娱g絕緣膜14等厚的平坦化層16，也會在元件基板I上的平坦化層16的表面產(chǎn)生階梯差。特別是設(shè)置有TFT11U2的第I膜形成區(qū)域7a的表面，因用于與TFT11、12實現(xiàn)連接的接觸孔14a、14b、14c、14d和布線的形成，與其他的第2膜形成區(qū)域7b或第3膜形成區(qū)域7c相比，具有更多的凹凸。
[0193]該情況下，對于平坦化層16上的凹凸的偏差而言，具有TFT11U2或保持電容13、及與其連結(jié)的低電阻金屬布線層的第I膜形成區(qū)域7a最大。相對于此，不具有TFT11U2或保持電容13的第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c的平坦化層16上的凹凸的偏差減小。
[0194]這里所稱的凹凸的偏差，可由平坦化層16表面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)或平坦化層16表面的距基準面的高度的標準偏差來定義。另外，也可由發(fā)光時像素內(nèi)的亮度分布中的標準偏差定義。
[0195]其中，第I膜形成區(qū)域7a的表面的階梯差約為幾十nm?幾百nm。相對于此，第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c的表面的階梯差在圖15的剖面圖上幾乎不會發(fā)生。若硬要說明，則如圖14所示，由于以跨越相鄰的發(fā)光控制單位Lu中的數(shù)據(jù)線41的方式劃分第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c，所以是在跨越數(shù)據(jù)線41的部分產(chǎn)生稍稍的階梯差的程度。
[0196]對應(yīng)于這樣的元件基板I中的包含相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu的基底層的階梯差，在基底層的上層設(shè)置了不同發(fā)光色的有機EL元件20B、20G、20R。具體而言，在第I膜形成區(qū)域7a設(shè)置有機EL元件20B，在第2膜形成區(qū)域7b設(shè)置有機EL元件20G，在第3膜形成區(qū)域7c設(shè)置有機EL元件20R。
[0197]設(shè)置于第I膜形成區(qū)域7a的有機EL元件20B包含:在平坦化層16上依次層疊形成的反射層21、絕緣膜17、像素電極23b、功能層24b、共用電極27。其他的有機EL元件20G、20R也同樣。
[0198]另外，在由具有反射性的部件構(gòu)成像素電極23的情況下，由于不需要反射層21和絕緣膜17，所以有機EL元件20基本成為由像素電極23、功能層24、共用電極27構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。
[0199]反射層21例如由Al - Nd的反射性金屬材料構(gòu)成，厚度約為50nm?lOOnm。覆蓋反射層21的絕緣膜17由SiN或S1等透明的無機材料構(gòu)成，厚度約為50nm?lOOnm。像素電極 23b、23g、23r 是 ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZincOxide)等透明導(dǎo)電膜，厚度約為 50nm ?lOOnm。
[0200]實質(zhì)上劃分各像素電極23b、23g、23r的是，以覆蓋像素電極23b、23g、23r的外緣的方式形成的絕緣膜18、和設(shè)置在絕緣膜18上的隔壁部19。絕緣膜18由S12等無機絕緣材料構(gòu)成，厚度約為50nm?lOOnm。隔壁部19由苯酚類或聚酰亞胺類樹脂材料構(gòu)成，厚度(高度)約為I μ m?2 μ m。
[0201]功能層24g、24r中的作為第2發(fā)光層的發(fā)光層26g及作為第3發(fā)光層的發(fā)光層26r，通過使用對實質(zhì)上被隔壁部19劃分的第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c涂敷包含功能性材料的液狀體，使所涂敷的液狀體干燥來成膜的涂敷法而形成。
[0202]功能層24b的作為第I發(fā)光層的發(fā)光層26b，采用使功能性材料向第I膜形成區(qū)域7a蒸發(fā)并成膜的蒸鍍法而形成。而且，以覆蓋相鄰的第2膜形成區(qū)域7b (發(fā)光層26g)、第3膜形成區(qū)域7c (發(fā)光層26r)、和隔壁部19的方式形成。
[0203]并且，功能層24b、24g、24r在像素電極23b、23g、23r和發(fā)光層26b、26g、26r之間分別具有空穴注入輸送層25?？昭ㄗ⑷胼斔蛯?5使用涂敷法而形成。對于詳細情況，將在后述的有機EL裝置100的制造方法中描述。
[0204]共用電極27以覆蓋隔壁部19和各功能層24g、24b、24r的方式設(shè)置。共用電極27是ITO、IZO等透明導(dǎo)電膜，厚度約為50nm?lOOnm。
[0205]設(shè)置有發(fā)光控制單位Lu與各有機EL元件20B、20G、20R的元件基板1，和由透明的玻璃等構(gòu)成的密封基板(省略圖示)接合，并被密封成水分或氧等氣體不會從外部侵入到功能層 24b、24g、24r。
[0206]有機EL裝置100是使來自各功能層24b、24g、24r的發(fā)光被反射層21反射并從密封基板側(cè)取出的、采用了所謂頂部發(fā)光構(gòu)造的可全色顯示的顯示裝置。由于在反射層21的下層側(cè)設(shè)置有發(fā)光控制單位Lu，所以構(gòu)成驅(qū)動電路部的TFTl 1、12和保持電容13、及與它們連接的布線(掃描線31、數(shù)據(jù)線41、電源線42等)不會妨礙來自功能層24b、24g、24i■的發(fā)光的取出。因此，可在元件基板I上比較自由地配置這些驅(qū)動電路部的構(gòu)成要素。另外，有機EL元件20B、20G、20R的構(gòu)成并不限定于此。例如，為了提高各發(fā)光色的亮度，也可在各功能層24b、24g、24r和反射層21之間導(dǎo)入光諧振構(gòu)造。
[0207]<有機EL裝置的制造方法>
[0208]接著，參照圖16?圖19，對有機EL裝置100的制造方法進行說明。圖16是表示實施例1的有機EL裝置的制造方法的流程圖，圖17(a)?(c)是表示實施例1的有機EL裝置的制造方法的概略俯視圖，圖18(d)?(f)及圖19(g)?⑴是表示實施例1的有機EL裝置的制造方法的概略剖面圖。
[0209]如圖16所示，實施例1的有機EL裝置100的制造方法具備下述工序:在元件基板I上形成多個發(fā)光控制單位Lu的發(fā)光控制單位形成工序(步驟SI);按相鄰的三個發(fā)光控制單位Lu將基底層的表面劃分成三個膜形成區(qū)域，在每個膜形成區(qū)域形成反射層21的反射層形成工序(步驟S2);同樣在每個膜形成區(qū)域，按照與發(fā)光控制單位Lu電連接的方式形成像素電極23b、23g、23r的像素電極形成工序(步驟S3);形成分別劃分三個膜形成區(qū)域的隔壁部19的隔壁部形成工序(步驟S4);在像素電極23b、23g、23r上形成功能層24b、24g、24r的功能層形成工序(步驟S5);以覆蓋隔壁部19和功能層24b、24g、24r的方式形成共用電極27的共用電極形成工序(步驟S6);和將元件基板I與密封基板接合密封的密封工序(步驟S7)。其中，本實施方式中的有機EL元件形成工序至少包含:反射層形成工序、像素電極形成工序、功能層形成工序、共用電極形成工序。
[0210]在步驟SI的發(fā)光控制單位形成工序(驅(qū)動電路形成工序)中，首先如圖17(a)所示，在元件基板I上形成多晶硅膜，通過光刻法以島狀形成各半導(dǎo)體層lla、12a、13a。膜厚約為50nm。作為多晶硅膜的形成方法，可使用公知的技術(shù)，例如可舉出減壓CVD法等。
[0211 ] 然后，在與TFTl 1、12對應(yīng)的半導(dǎo)體層I la、12a中，將源極及漏極側(cè)遮蔽，在半導(dǎo)體層13a中，以將電連接部遮蔽的狀態(tài)，按照覆蓋元件基板I的方式形成柵極絕緣膜la。作為柵極絕緣膜Ia的形成方法，例如可舉出以SiN或S1為靶、在真空中按照膜厚約為50nm?10nm的方式進行成膜的濺射法等。
[0212]接著，在柵極絕緣膜Ia上同樣通過濺射法等形成例如由Al構(gòu)成的低電阻金屬膜，使其厚度約為500nm?600nm。通過光刻法將其圖案化，如圖17(b)所示，形成掃描線31、數(shù)據(jù)線41、從掃描線31延伸到半導(dǎo)體層Ila上而成為柵電極Ild的布線31a、從半導(dǎo)體層12a上延伸到半導(dǎo)體層13a的連接部為止的布線13c (包含柵電極12d)、和保持電容13的另一方的電極13b。此時，以相對于數(shù)據(jù)線41正交的方式延伸的掃描線31暫時形成為，數(shù)據(jù)線41上的部分缺省。
[0213]接著，以覆蓋元件基板I的大致整個面的方式形成層間絕緣膜14。作為形成層間絕緣膜14的方法，同樣使用濺射法，以SiN或S1為靶，在真空中成膜以使膜厚約為500nm?600nm。此時，形成電源線42以外的布線的部分預(yù)先使用感光性樹脂材料等進行遮蔽。若在形成層間絕緣膜14之后將遮蔽的部分去除，則如圖17(c)所示，可形成接觸孔14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h0
[0214]接著，再次同樣通過濺射法等在層間絕緣膜14上形成由Al構(gòu)成的低電阻金屬膜，使其厚度約為500nm?600nm。通過光刻法將其圖案化，如圖17(c)所示，形成電源線42和各種布線。例如，可通過利用低電阻金屬膜將接觸孔14d和接觸孔14f填埋，形成將數(shù)據(jù)線41和TFTll的源極連結(jié)的布線lie?？赏ㄟ^利用低電阻金屬膜將接觸孔14c和接觸孔14e填埋，形成將TFTll的漏極和TFT12的柵極連結(jié)的布線Ilf?？赏ㄟ^利用低電阻金屬膜將兩個接觸孔Hg之間填埋，形成將中斷的掃描線31在數(shù)據(jù)線41上電連接的布線31c?？赏ㄟ^利用低電阻金屬膜將接觸孔14b和接觸孔14h填埋，將電源線42和TFT12的源極及保持電容13的另一方的電極13b連結(jié)。
[0215]接著，以覆蓋這樣完成的驅(qū)動電路部的方式形成保護膜15。作為保護膜15的形成方法，例如以SiN為靶、同樣通過濺射法等成膜以使厚度為200nm?300nm。進而，以覆蓋保護膜15的方式形成平坦化層16。作為平坦化層16的形成方法，可舉出通過旋涂或輥涂等方法，以約I μ m?2 μ m的厚度涂敷感光性的丙烯酸類樹脂并使其固化，通過光刻法進行圖案化的方法。進行圖案化的主要是與實現(xiàn)各像素電極23b、23g、23i■和TFT12的漏極的連接的接觸孔14a連通的接觸孔16a?；蛘?，也可以在將該接觸孔16a的部分遮蔽后，涂敷平坦化層形成材料。
[0216]接著，在步驟S2的反射層形成工序中，如圖18(d)所示，按與平坦化層16上的階梯差對應(yīng)地被劃分的第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c形成反射層21。作為反射層21的形成方法，可舉出通過濺射法將作為前述反射層形成材料的Al -Nd形成為厚度約為50nm?10nm的方法。然后,通過光刻法形成具有比像素電極23b、23g、23ι■稍大的平面面積的反射層21。接著，以覆蓋反射層21的方式形成絕緣膜17。絕緣膜17的形成方法，可舉出以SiN或S1為靶在真空中成膜以使膜厚約為50nm?10nm的濺射法等。
[0217]在步驟S3的像素電極形成工序中，如圖18(d)所示，在絕緣膜17上通過濺射法等形成ITO膜，使其厚度約為lOOnm。然后，通過光刻法將其圖案化，在反射層21的上方形成各像素電極23b、23g、23r。而且，利用ITO膜將接觸孔16a填埋，使像素電極23b、23g、23r和TFT12(漏極)連接。該情況下，各像素電極23b、23g、23i■的平面面積大致相等。
[0218]接著，以覆蓋各像素電極23b、23g、23r的外緣部的方式形成絕緣膜18。作為絕緣膜18的形成方法，可舉出在將各像素電極23b、23g、23r的外緣部以外遮蔽的狀態(tài)下，以SiN或S1作為祀進行派射,將厚度形成為50nm?10nm的方法。
[0219]進而，在步驟S4的隔壁部形成工序中，按照厚度為I μ m?2 μ m的方式向元件基板I的表面涂敷苯酚類或聚酰亞胺類感光性樹脂材料并使其固化，通過曝光、顯影，在絕緣膜18上形成隔壁部19。由此，如圖18 (d)所示，隔壁部19實質(zhì)上劃分第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c。第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c的平面面積大致相同。
[0220]接著，對步驟S5的功能層形成工序進行說明。本實施方式的功能層形成工序包含:涂敷含有空穴注入輸送層形成材料的液狀體并使其固化，形成空穴注入輸送層25的空穴注入輸送層形成工序；在三個膜形成區(qū)域中的第I膜形成區(qū)域7a以外的第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c，使用涂敷法形成功能層24g、24r中的發(fā)光層26g、26r的第I發(fā)光層形成工序；和使用蒸鍍法在第I膜形成區(qū)域7a形成功能層24b中的發(fā)光層26b的第2發(fā)光層形成工序。
[0221]在空穴注入輸送層形成工序中，如圖18(d)所示，使用能夠從噴嘴噴出液狀體的噴出頭(噴墨頭)50，將含有空穴注入輸送層形成材料的規(guī)定量的液狀體60，以液滴方式向第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c的每個涂敷。液狀體60例如是含有二甘醇和水(純水)作為溶劑，含有0.5%重量比的向聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物中添加了作為摻雜劑的聚對苯乙烯磺酸(PSS)，來作為空穴注入輸送層形成材料的溶液。對溶劑的比例進行調(diào)整，以使粘度約為20mPa.s以下。
[0222]另外，作為PEDPT/PSS以外的空穴注入輸送層形成材料，可舉出聚苯乙烯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔或其衍生物。
[0223]通過用例如燈退火等方法將涂敷有液狀體60的元件基板I加熱干燥、使溶劑蒸發(fā)，如圖18 (e)所示，在第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c的每個，形成空穴注入輸送層25。另外，在涂敷液狀體60之前，可對元件基板I實施將像素電極23b.23g.23r的表面進行親液處理，并且對隔壁部19的表面進行疏液處理的表面處理。親液處理可舉出將氧作為處理氣體來進行等離子處理的方法，疏液處理可舉出將氟類氣體作為處理氣體來進行等離子處理的方法。這樣，滴落在像素電極23b、23g、23r上的液狀體60會均勻地潤濕擴展。
[0224]接著，在第I發(fā)光層形成工序中，如圖18(f)所示，將含有能得到綠色發(fā)光的發(fā)光層形成材料的液狀體70G、和含有能得到紅色發(fā)光的發(fā)光層形成材料的液狀體70R，分別填充到不同的噴出頭50 (噴出頭50G和噴出頭50R)中，以液滴方式向?qū)?yīng)的第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c涂敷。
[0225]液狀體70G、70R例如使用了含有環(huán)己基苯作為溶劑，含有0.7%重量比的能得到綠色、紅色發(fā)光的聚芴衍生物(PF)作為發(fā)光層形成材料的物質(zhì)。粘度為約14mPa*s。另外，作為PF以外的發(fā)光層形成材料，可使用聚對苯撐乙炔衍生物(PPV)、聚亞苯基衍生物(PP)、聚對苯撐衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、PED0T等聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等。此外，也可使用對這些高分子材料摻雜了二萘嵌苯類色素、香豆素類色素、若丹明類色素、紅熒烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮等低分子材料的物質(zhì)。
[0226]作為被涂敷的液狀體70G、70R的干燥方法(固化方法)，使用了與一般的加熱干燥相比能夠使溶劑成分比較均勻地干燥的減壓干燥法。由此，如圖19(g)所示，可在空穴注入輸送層25上形成發(fā)光層26g、26r。這樣形成了包含空穴注入輸送層25和發(fā)光層26g的功能層24g。而且，同樣地形成了包含空穴注入輸送層25和發(fā)光層26ι■的功能層24r。對第2膜形成區(qū)域7b及第3膜形成區(qū)域7c而言，形成了像素電極23g、23r的基底層的表面的凹凸的偏差，與第I膜形成區(qū)域7a相比都變小。因此，從噴出頭50G、50R噴出的液狀體70G、70R分別在對應(yīng)的第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c中均勻地潤濕擴展，干燥后形成了膜厚約為80nm的發(fā)光層26g、26r。
[0227]接著，在第2發(fā)光層形成工序中，如圖19(h)所示，通過蒸鍍法在第I膜形成區(qū)域7a的空穴注入輸送層25上形成發(fā)光層26b。此時，遍及其他的第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c形成發(fā)光層26b。因此,在發(fā)光層26g或發(fā)光層26r之上也層疊形成發(fā)光層26b。
[0228]作為發(fā)光層形成材料，可舉出例如在CBP等主體材料中混合了 FIrpic等摻雜劑材料的物質(zhì)。膜厚約為50nm。
[0229]由于使用蒸鍍法形成發(fā)光層26b，所以即使是基底層的表面具有幾十nm?幾百nm那樣的階梯差的第I膜形成區(qū)域7a，也會以膜厚偏差少的狀態(tài)在空穴注入輸送層25上形成發(fā)光層26b。
[0230]由此，分別完成了包含空穴注入輸送層25和發(fā)光層26b的功能層24b、包含空穴注入輸送層25和發(fā)光層26g及發(fā)光層26b的功能層24g、以及包含空穴注入輸送層25和發(fā)光層26r及發(fā)光層26b的功能層24r。
[0231]另外，功能層形成工序中的功能層24b、24g、24r的形成方法并不限定于此。例如，也可以在空穴注入輸送層25和發(fā)光層26b、26g、26r之間形成中間層。作為含有中間層形成材料的液狀體，例如可舉出含有環(huán)己基苯作為溶劑，含有0.1 %左右重量比的三苯胺類聚合物作為中間層形成材料的物質(zhì)。
[0232]中間層具有下述功能:使空穴相對于發(fā)光層26b、26g、26r的輸送性(注入性)提高，并且抑制電子從發(fā)光層26b、26g、26r向空穴注入輸送層25侵入。
[0233]另外，也可以在形成發(fā)光層26b、26g、26r之后，通過蒸鍍法層疊空穴阻擋層、電子輸送層。作為空穴阻擋層，可舉出BAlq、BCP等，作為電子輸送層可舉出Alq3等?？昭ㄗ钃鯇泳哂幸种瓶昭◤陌l(fā)光層26b、26g、26r漏出的功能。電子輸送層具有使電子相對于發(fā)光層26b、26g、26r的輸送性(注入性)提高的功能。
[0234]S卩，這些中間層、空穴阻擋層、電子輸送層改善了發(fā)光層26b、26g、26i■中的空穴與電子的復(fù)合而引起的發(fā)光的效率。
[0235]接著，在步驟S6的共用電極形成工序中，如圖19 (i)所示，以覆蓋遍及三個膜形成區(qū)域7a、7b、7c而形成的發(fā)光層26b的方式，形成共用電極27。由此，完成了有機EL元件20B、20G、20R。
[0236]作為共用電極27的材料，優(yōu)選組合使用ITO和Ca、Ba、Al等金屬或LiF等氟化物。特別優(yōu)選在接近功能層24b、24g、24r的一側(cè)形成功函數(shù)小的Ca、Ba、LiF的膜,在遠離一側(cè)形成功函數(shù)大的ΙΤ0。另外，也可以在共用電極27之上層疊Si02、SiN等保護層。這樣，可防止共用電極27的氧化。作為共用電極27的形成方法，可舉出蒸鍍法、濺射法、CVD法等。特別是在可以防止功能層24b、24g、24r因熱引起的損傷這一方面，優(yōu)選采用蒸鍍法。
[0237]接著，在步驟S7的密封工序中，通過將形成有發(fā)光控制單位Lu和有機EL元件20的元件基板1、與密封基板接合，完成了有機EL裝置100。作為元件基板I與密封基板的接合方法，可舉出在元件基板I和密封基板之間預(yù)先空出空間，以包圍多個有機EL元件20的方式配置粘接劑來進行接合的所謂罐密封方法；或在該空間中填充透明的樹脂來進行密接的方法。
[0238]根據(jù)這樣的將涂敷法和蒸鍍法區(qū)分使用的有機EL裝置100及其制造方法，與通過蒸鍍法對具有大致同等的平面面積的三個膜形成區(qū)域7a、7b、7c選擇性地形成所有的發(fā)光層26b、26g、26r的情況相比，不需要蒸鍍掩模，且可效率良好地形成膜厚不均被降低了的發(fā)光層26b、26g、26r。即，可實現(xiàn)不同發(fā)光色之間的亮度被均衡、且降低了亮度不均的頂部發(fā)光型的能夠進行全色顯示的有機EL裝置100，并且能夠效率良好地進行制造。
[0239]另外,在本實施例中，成為在發(fā)光層26g與發(fā)光層26r之上形成了發(fā)光層26b的構(gòu)成，但在形成發(fā)光層26b時，也可使用遮住第I膜形成區(qū)域7a以外的掩模，通過蒸鍍法形成發(fā)光層26b，從而僅在第I膜形成區(qū)域7a形成發(fā)光層26b。
[0240]而且，作為形成發(fā)光層26b的方法，除了蒸鍍法以外，也可使用旋涂法或浸潰法等。該情況下，即使在基底層的表面具有幾十nm?幾百nm左右的階梯差的情況下，也能夠以膜厚偏差少的狀態(tài)形成發(fā)光層26b。換言之，考慮到各膜形成區(qū)域7a、7b、7c中的基底層的凹凸的偏差,來選定不同的成膜方法,形成發(fā)光層26b、26g、26r。
[0241 ] 該情況下，與三個膜形成區(qū)域7a、7b、7c的設(shè)定相關(guān)聯(lián)的有機EL元件20B、20G、20R的實質(zhì)的發(fā)光面積也可以并不一定相同。
[0242]主要使用高分子的發(fā)光層形成材料的涂敷法，與使用低分子的發(fā)光層形成材料的蒸鍍法相比，現(xiàn)實情況是所形成的發(fā)光層的發(fā)光壽命存在較短的傾向。而且，發(fā)光層的發(fā)光峰值波長較長的一方，發(fā)光壽命具有較長的傾向。
[0243]另一方面，發(fā)光壽命依存于流過發(fā)光層的電流量，亮度依存于電流量和發(fā)光面積。因此，在能夠以穩(wěn)定的亮度得到各發(fā)光色的同時，實現(xiàn)了發(fā)光色之間的發(fā)光壽命的平衡(均衡)的觀點上，通過難以受到凹凸的影響且具有高的被覆性的蒸鍍法，在包含基底層的凹凸的偏差最大的部分的第I膜形成區(qū)域7a，形成具有所期望的膜厚的發(fā)光層。由此，能夠防止因膜厚偏差而引起電流局部集中流動、導(dǎo)致亮度不均或發(fā)光壽命變短的現(xiàn)象?？傊瑑?yōu)選使用蒸鍍法而形成的發(fā)光層，是紅(R)、綠(G)、藍(B) 3色發(fā)光色中發(fā)光峰值波長最短的藍色發(fā)光層26b。
[0244]進而，若將使用涂敷法形成的發(fā)光層26ι■(紅)和發(fā)光層26g(綠)進行比較，則有發(fā)光層26g(綠)的發(fā)光壽命變短的可能性。因此，優(yōu)選形成發(fā)光層261■的第3膜形成區(qū)域7c與形成發(fā)光層26g的第2膜形成區(qū)域7b相比，減小其平面面積。換言之，優(yōu)選在平面面積較大的膜形成區(qū)域形成發(fā)光壽命較短的發(fā)光層?？赏ㄟ^抑制流過發(fā)光壽命較短的發(fā)光層的電流量，來縮小發(fā)光色之間的發(fā)光壽命之差。
[0245]若進行總結(jié)，則
[0246]I)將基底層的凹凸的偏差變大的區(qū)域作為第I膜形成區(qū)域7a，使用蒸鍍法，形成發(fā)光峰值波長最短的藍色發(fā)光層26b。
[0247]2)其他的第2膜形成區(qū)域7b及第3膜形成區(qū)域7c被隔壁部19劃分成具有比第I膜形成區(qū)域7a高的平坦性，通過涂敷法(液滴噴出法)形成發(fā)光峰值波長比發(fā)光層26b長的發(fā)光層26g、26r。
[0248]3)第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c的平面面積、即有機EL元件20B、20G、20R的發(fā)光面積，考慮發(fā)光層26b、26g、26r的亮度和發(fā)光壽命被設(shè)定為在發(fā)光色之間取得平衡。
[0249]在以后的實施例2?實施例4中，也基于相同的技術(shù)思想將涂敷法和蒸鍍法區(qū)分使用。
[0250](實施例2)
[0251]接著，參照圖20及圖21，對實施例2的有機EL裝置及其制造方法進行說明。圖20是表示實施例2的有機EL裝置中的發(fā)光控制單位和發(fā)光單位的配置的概略俯視圖，圖21是以圖20的D— D’線切開的概略剖面圖。其中，與實施例1的有機EL裝置100相同的構(gòu)成，通過賦予相同的附圖標記，省略詳細的說明。
[0252]如圖20所示，實施例2的有機EL裝置200對應(yīng)于以柵格狀配置且相互絕緣的掃描線31和數(shù)據(jù)線41所劃分的區(qū)域，設(shè)置有發(fā)光控制單位Lu。各發(fā)光控制單位Lu與實施例1的有機EL裝置100同樣，具有兩個TFTl1、12、保持電容13、和與它們連結(jié)的布線。
[0253]而且，跨越沿著掃描線31相鄰配置的發(fā)光控制單位Lu的基底層，從上面起依次被劃分為第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c。在第I膜形成區(qū)域7a設(shè)置了具有像素電極23b的有機EL元件20B。在第2膜形成區(qū)域7b設(shè)置了具有像素電極23g的有機EL元件20G。在第3膜形成區(qū)域7c設(shè)置了具有像素電極23r的有機EL元件20R。
[0254]各像素電極23b、23g、23r相對于驅(qū)動用TFT12的電連接方式與實施例1相同。
[0255]在實施例2中，第2膜形成區(qū)域7b上設(shè)置有對有機EL元件20B、20G、20R進行驅(qū)動控制的發(fā)光控制單位Lu的保持電容13。換言之，第2膜形成區(qū)域7b的基底層包含三個保持電容13。
[0256]并且，電源線42遍及第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c而設(shè)置，且跨越沿著掃描線31配置的多個發(fā)光控制單位Lu而設(shè)置。S卩，實施例2相對于實施例1，改變了保持電容13及電源線42相對有機EL元件20B、20G、20R的相對配置。
[0257]更具體而言，如圖21所示，第I膜形成區(qū)域7a的基底層包含TFT11、12，第2膜形成區(qū)域7b的基底層包含保持電容13和電源線42，第3膜形成區(qū)域7c包含電源線42。因此，第I膜形成區(qū)域7a的基底層包含表面的凹凸偏差最大的部分。相對于此，第2膜形成區(qū)域7b的基底層雖然包含保持電容13，但由于保持電容13由隔著作為電介質(zhì)層的柵極絕緣膜Ia對置配置的一對電極13a、13b構(gòu)成，所以，其表面的階梯差變得比較小。由于第3膜形成區(qū)域7c的基底層在元件基板I上依次層疊有膜厚大致一定的柵極絕緣膜la、層間絕緣膜14、電源線42、保護膜15、平坦化層16，所以與其他的相比，具有最好的平坦性。
[0258]而且，與實施例1同樣，通過涂敷法(液滴噴出法)形成第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c中的發(fā)光層26g、26r，通過蒸鍍法形成第I膜形成區(qū)域7a中的發(fā)光層26b。
[0259]三個膜形成區(qū)域7a、7b、7c的平面面積大致相同，但實際上由于被設(shè)定為各種大小，所以需要在保持電容13和電源線42中確保所期望的電氣特性(即電容和電阻)。在這一點上，實施例2的有機EL裝置200與實施例1的有機EL裝置100相比，由于俯視下將設(shè)置保持電容13和電源線42的范圍放大，所以提高了用于確保所期望的電氣特性的設(shè)計上的自由度。換言之，實現(xiàn)了能夠從有機EL元件20B、20G、20R得到更穩(wěn)定的亮度的發(fā)光的有機EL裝置200。
[0260]這樣的有機EL裝置200的制造方法雖然放大了設(shè)置保持電容13或電源線42的范圍，但由于元件基板I上的各構(gòu)成要素及其層疊狀態(tài)與實施例1相同，所以可應(yīng)用有機EL裝置100的制造方法。另外，后述的實施例3及實施例4也同樣。
[0261](實施例3)
[0262]接著，參照圖22及圖23，對實施例3的有機EL裝置及其制造方法進行說明。圖22是表示實施例3的有機EL裝置中的發(fā)光控制單位和發(fā)光單位的配置的概略俯視圖，圖23是表示實施例3的發(fā)光控制單位中的驅(qū)動電路部的構(gòu)成和膜形成區(qū)域的配置的概略俯視圖。其中，與實施例1的有機EL裝置100相同的構(gòu)成被標注相同的附圖標記，而省略詳細的說明。而且，在圖23中表示了驅(qū)動電路部的構(gòu)成中主要的TFT11、12和保持電容13、電源線42的配置，省略了將它們連結(jié)的布線。
[0263]如圖22所示，實施例3的有機EL裝置300對應(yīng)于以柵格狀配置且相互絕緣的掃描線31和數(shù)據(jù)線41所劃分的區(qū)域，設(shè)置有發(fā)光控制單位Lu。各發(fā)光控制單位Lu與實施例1的有機EL裝置100同樣，具有兩個TFTl1、12、保持電容13、與它們連結(jié)的布線。
[0264]而且，跨越沿著掃描線31相鄰配置的發(fā)光控制單位Lu的基底層，在附圖上最上方的成為第I膜形成區(qū)域7a。到這里為止與實施例1同樣，但除了第I膜形成區(qū)域7a以外的其他基底層以不跨越數(shù)據(jù)線41的方式沿著掃描線31，被劃分為第4膜形成區(qū)域7d、第5膜形成區(qū)域7e、第6膜形成區(qū)域7f、第7膜形成區(qū)域7g這四個。
[0265]在第I膜形成區(qū)域7a設(shè)置有有機EL元件20B。跨越第4膜形成區(qū)域7d和第5膜形成區(qū)域7e設(shè)置有有機EL元件20R。跨越第6膜形成區(qū)域7f和第7膜形成區(qū)域7g設(shè)置有有機EL元件20G。
[0266]即，實施例3相對于實施例1,將包含相鄰的發(fā)光控制單位Lu的基底層的表面劃分成合計五個膜形成區(qū)域7a、7d、7e、7f、7g，并且改變了有機EL元件20R和有機EL元件20G的相對配置。
[0267]更具體而言，如圖23所示，第I膜形成區(qū)域7a的基底層包含TFTl1、12、保持電容13、像素電極23b、數(shù)據(jù)線41、電源線42。相對于此，第4膜形成區(qū)域7d、第5膜形成區(qū)域7e、第6膜形成區(qū)域7f、第7膜形成區(qū)域7g的基底層成為不含有掃描線31與數(shù)據(jù)線41、或電源線42等布線的構(gòu)成。特別是不包含以相互絕緣的狀態(tài)交叉而配置在元件基板I上的信號線的構(gòu)成，在確保平坦性上是優(yōu)選的。
[0268]另外，使用涂敷法(液滴噴出法)，向第4膜形成區(qū)域7d及第5膜形成區(qū)域7e，涂敷含有紅色的發(fā)光層形成材料的液狀體70R，形成發(fā)光層26r。同樣使用涂敷法(液滴噴出法)，向第6膜形成區(qū)域7f及第7膜形成區(qū)域7g，涂敷包含綠色的發(fā)光層形成材料的液狀體70G，形成發(fā)光層26g。然后，覆蓋這些發(fā)光層26g、26r，并且使用蒸鍍法在第I膜形成區(qū)域7a上形成發(fā)光層26b。
[0269]根據(jù)實施例3的有機EL裝置300及其制造方法，使用涂敷法形成發(fā)光層26g、26r的第4膜形成區(qū)域7d、第5膜形成區(qū)域7e、第6膜形成區(qū)域7f、第7膜形成區(qū)域7g，都成為其基底層不包含布線的構(gòu)成。因此，與實施例1或?qū)嵤├?相比，該基底層的表面具有高的平坦性。因此，發(fā)光層26g、26r的膜厚偏差被進一步降低。
[0270]另外，如在實施例1中說明的那樣，與五個膜形成區(qū)域7a、7d、7e、7f、7g的設(shè)定相關(guān)聯(lián)的有機EL元件20B、20G、20R的實質(zhì)的發(fā)光面積可以不必一定相同。
[0271](實施例4)
[0272]接著，參照圖24及圖25，對實施例4的有機EL裝置及其制造方法進行說明。圖24是表示實施例4的有機EL裝置中的發(fā)光控制單位和發(fā)光單位的配置的概略俯視圖，圖25是表示實施例4的發(fā)光控制單位中的驅(qū)動電路部的構(gòu)成和膜形成區(qū)域的配置的概略俯視圖。其中，與實施例1的有機EL裝置100相同的構(gòu)成被標注相同的附圖標記，省略詳細的說明。而且，在圖25中表示了驅(qū)動電路部的構(gòu)成中主要的TFT11、12和保持電容13、電源線42的配置，省略了將它們連結(jié)的布線。
[0273]如圖24所示，實施例4的有機EL裝置400相對于實施例3的有機EL裝置300，局部改變了數(shù)據(jù)線41的配置，并且與其之相隨，使相鄰的發(fā)光控制單位Lu中的驅(qū)動電路部的構(gòu)成要素的配置不同。
[0274]具體而言，兩根數(shù)據(jù)線41被設(shè)置成相鄰而延伸，兩個發(fā)光控制單位Lu隔著該兩根數(shù)據(jù)線41，沿著掃描線31配置。
[0275]包含兩個發(fā)光控制單位Lu的基底層被劃分為三個膜形成區(qū)域，所述三個膜形成區(qū)域由沿著掃描線31跨越兩個發(fā)光控制單位Lu的第I膜形成區(qū)域7a、設(shè)置有一方(附圖上為左側(cè))的發(fā)光控制單位Lu的范圍內(nèi)的第8膜形成區(qū)域7h、設(shè)置有另一方(附圖上為右側(cè))的發(fā)光控制單位Lu的范圍內(nèi)的第9膜形成區(qū)域7j構(gòu)成。
[0276]在第I膜形成區(qū)域7a設(shè)置有有機EL元件20B。在第8膜形成區(qū)域7h設(shè)置有有機EL元件20R。在第9膜形成區(qū)域7 j設(shè)置有有機EL元件20G。與實施例1同樣，有機EL元件20B具有使用蒸鍍法形成的發(fā)光層26b，有機EL元件20G (有機EL元件20R)具有使用涂敷法(液滴噴出法)形成的發(fā)光層26g(發(fā)光層26r)。
[0277]更具體而言，如圖25所示，在一方的發(fā)光控制單位Lu，配置有用于對兩個有機EL元件20B、20R進行驅(qū)動控制的驅(qū)動電路部的構(gòu)成(TFT11、12、保持電容13、電源線42等)。TFTl1,12及保持電容13以相對于沿著數(shù)據(jù)線41的方向的軸線對稱的狀態(tài)配置。
[0278]在另一方的發(fā)光控制單位Lu，配置有用于對有機EL元件20G進行驅(qū)動控制的驅(qū)動電路部的構(gòu)成。
[0279]電源線42對設(shè)置在第I膜形成區(qū)域7a內(nèi)的三個保持電容13進行覆蓋，并且沿著掃描線31延伸。
[0280]有機EL元件20B的像素電極23b與一方的發(fā)光控制單位Lu的一方TFT12 (漏極)連接，有機EL元件20R的像素電極23r與一方的發(fā)光控制單位Lu的另一方TFT12 (漏極)連接。有機EL元件20G的像素電極23g與另一方的發(fā)光控制單位Lu的TFT12(漏極)連接。
[0281 ] 根據(jù)實施例4的有機EL裝置400，在被劃分成不包含數(shù)據(jù)線41的第8膜形成區(qū)域7h和第9膜形成區(qū)域7j，以涂敷法(液滴噴出法)形成發(fā)光層26g、26r。由于不像實施例3那樣，將發(fā)光層26g、26r分別分割為兩個區(qū)域，所以可不使含有發(fā)光層形成材料的液狀體70G、70R的噴出(涂敷)變復(fù)雜地完成。而且，可較容易地遍及第8膜形成區(qū)域7h和第9膜形成區(qū)域7j。即，可確保基底層的平坦性，形成膜厚偏差更少的發(fā)光層26g、26r。
[0282]并且，可使三個膜形成區(qū)域7a、7h、7j的平面面積大致相同，也可使至少一個不同。特別是由于可不跨越兩根數(shù)據(jù)線41地分別設(shè)置像素電極23g、23r，所以能夠比較自由地調(diào)整像素電極23g、23r的大小、即有機EL元件20G、20R的發(fā)光面積。
[0283]另外，實施例4中的電源線42與保持電容13的配置并不限定于此。圖26是表示與實施例4對應(yīng)的變形例的驅(qū)動電路部的配置的概略俯視圖。
[0284]如圖26所示，變形例的有機EL裝置500相對于實施例4的有機EL裝置400，改變了電源線42和保持電容13的配置。
[0285]具體而言，以跨越第I膜形成區(qū)域7a和第8膜形成區(qū)域7h以及第9膜形成區(qū)域7j的方式設(shè)置了電源線42。特別是在第I膜形成區(qū)域7a中，避開設(shè)置有TFT11U2的區(qū)域，跨越相互鄰接的兩個數(shù)據(jù)線41地沿著電源線42設(shè)置了保持電容13。而且，在第8膜形成區(qū)域7h，以俯視與像素電極23r的大小大致相同的大小在與像素電極23r重合的位置設(shè)置了保持電容13h。同樣在第9膜形成區(qū)域7j，以俯視與像素電極23g的大小大致相同的大小在與像素電極23g重合的位置設(shè)置了保持電容13j。
[0286]通過采用這樣的電源線42及保持電容13、13h、13j的配置，可形成具有與各有機EL元件20B、20G、20R對應(yīng)的電容的保持電容13、13h、13 j。換言之，可提高保持電容在設(shè)計上的自由度。
[0287](實施方式4)
[0288]接著，以移動式電話機為例，對本實施方式的電子設(shè)備進行說明。圖27是表示作為電子設(shè)備的移動式電話機的立體圖。
[0289]如圖27所示，本實施方式的移動式電話機1000具備:具有操作按鈕1003的主體1002、和借助鉸鏈以折疊式安裝在主體1002上的顯示部1001。
[0290]在顯示部1001中搭載有上述實施方式的有機EL裝置10、40、100、200、300、400、500的任意一個。
[0291]因此，可提供因發(fā)光層26b、26g、26r的膜厚偏差引起的亮度不均被降低、且觀看性良好的可全色顯示的移動式電話機1000。
[0292]另外，搭載有上述有機EL裝置10、40、100、200、300、400、500的任意一個的電子設(shè)備并不限定為移動式電話機1000。例如，可舉出個人計算機或便攜式信息終端、導(dǎo)航設(shè)備、取景器等具有顯示部的電子設(shè)備。
[0293]除了上述實施方式之外，還可以考慮各種變形例。以下，舉出變形例進行說明。
[0294](變形例I)在實施方式I的有機EL裝置10及實施方式2的有機EL裝置40中，將相鄰的發(fā)光控制單位Lu劃分成俯視下不同的區(qū)域的方法并不限定為三個區(qū)域。例如，也可以劃分成包含凹凸最多的半導(dǎo)體元件部(TFT11U2)的第I膜形成區(qū)域7a、和除此以外的區(qū)域的至少兩個膜形成區(qū)域。而且，在各個膜形成區(qū)域設(shè)置能得到單色發(fā)光的有機EL元件。由此，可抑制因基板上的驅(qū)動電路部的階梯差(凹凸水準或狀態(tài))引起的功能層的膜厚變動，降低單色發(fā)光中的亮度不均。
[0295](變形例2)在實施方式I的有機EL裝置10及實施方式2的有機EL裝置40中，并不限定于第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c、第4膜形成區(qū)域7d的平面面積同等的情況。例如，鑒于TFT11U2與保持電容13的電氣所需要的特性，只要決定其配置或大小、形狀即可，可以使第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c、第4膜形成區(qū)域7d中至少一個的平面面積不同?；蚴瓜嗷サ钠矫婷娣e不同。由此，可以與能得到不同發(fā)光色的功能層24b、24g、24i■的發(fā)光特性(亮度、色度)對應(yīng)地調(diào)整發(fā)光面積。
[0296](變形例3)在上述變形例2中，希望在平面面積最大的膜形成區(qū)域，設(shè)置與其他相比發(fā)光壽命較短的功能層。具體而言，由于能得到紅色、綠色、藍色發(fā)光的功能層形成材料中，藍色與其他相比發(fā)光壽命較短，所以設(shè)置藍色的功能層24b。發(fā)光壽命與流過功能層的電流量成比例。因此，在各發(fā)光色之間的亮度大致相同的情況下，只要相對于規(guī)定的電流量在平面面積最大的膜形成區(qū)域形成的藍色功能層24b中，與其他相比流過較少的電流即可。結(jié)果，可延長有機EL裝置10或有機EL裝置40的發(fā)光壽命。
[0297]而且，希望在平面面積最小的膜形成區(qū)域，設(shè)置與其他相比發(fā)光壽命較長的功能層。具體而言，由于能得到紅色、綠色、藍色發(fā)光的功能層形成材料中，紅色、綠色與藍色相比發(fā)光壽命較長，所以設(shè)置紅色或綠色的功能層。特別是若將紅色和綠色比較，則綠色可見度較高。發(fā)光壽命與流過功能層的電流量成比例。因此，在各發(fā)光色之間的亮度大致相同的情況下，優(yōu)選相對于規(guī)定的電流量在平面面積最小的膜形成區(qū)域設(shè)置綠色的功能層24g。雖然與其他相比需要流過較多的電流，但由于綠色可見度較高，所以若以綠色為基準，則可抑制流過其他色功能層24b、24r的電流量。結(jié)果，可延長有機EL裝置10或有機EL裝置40的發(fā)光壽命。
[0298](變形例4)在實施方式I的有機EL裝置10的制造方法中，當?shù)贗膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c中的至少一個平面面積與其他不同時，在發(fā)光層形成工序中，平面面積越小，涂敷后的干燥越容易進行，有可能因干燥速度的不同而導(dǎo)致成膜后的膜形狀不穩(wěn)定。因此，優(yōu)選按平面面積大的順序涂敷液狀體70B、70G、70R。由此，可抑制第I膜形成區(qū)域?第3膜形成區(qū)域之間的干燥速度之差，形成穩(wěn)定的膜形狀的發(fā)光層26b、26g、26r。
[0299](變形例5)在實施方式I的有機EL裝置10的制造方法中，若在發(fā)光層形成工序中，對第I膜形成區(qū)域7a、第2膜形成區(qū)域7b、第3膜形成區(qū)域7c，分開涂敷不同種類的液狀體70B、70G、70R，則針對隨后涂敷的液狀體的膜形成區(qū)域的潤濕性降低。因此，優(yōu)選不同種類的液狀體70B、70G、70R，按照對膜形成區(qū)域的潤濕性低的順序進行涂敷。這樣，可穩(wěn)定地確保液狀體70B、70G、70R的各膜形成區(qū)域中的潤濕性，沒有不均地進行涂敷。
[0300](變形例6)在上述實施方式I的有機EL裝置10的制造方法中，優(yōu)選含有不同的發(fā)光層形成材料的液狀體70B、70G、70R中，例如含有因曝露于水分或氧中或受到加熱等而容易失去活性的發(fā)光層形成材料的液狀體，最后進行涂敷。由此，可使成品率提高。
[0301](變形例7)在上述實施方式I的有機EL裝置10的制造方法中，功能層形成工序并不限定于涂敷含有功能性材料的液狀體并使其固化的方法。例如，也可以使用蒸鍍法，形成低分子或高分子的有機薄膜作為功能層。即使使用這樣的蒸鍍法，也能期待上述實施方式I的作用、效果。
[0302](變形例8)搭載了上述實施方式的有機EL裝置10、40、100、200、300、400、500中任意一個的電子設(shè)備，并不限定于移動式電話機1000。例如，不限于能夠?qū)崿F(xiàn)全色的發(fā)光(顯示)，也可設(shè)為單色發(fā)光，在單色的情況下，可作為照明裝置使用。
[0303](變形例9)在上述實施方式3的實施例3中，基底層中的膜形成區(qū)域的劃分方法并不限于此。圖28是表示變形例的發(fā)光控制單位中的驅(qū)動電路部的構(gòu)成和膜形成區(qū)域的配置的概略俯視圖。例如，如圖28所示，變形例的有機EL裝置600以跨越沿著掃描線31配置的三個發(fā)光控制單位Lu的方式劃分了第I膜形成區(qū)域7a。夾著數(shù)據(jù)線41以跨越兩個發(fā)光控制單位Lu的方式分別劃分了第10膜形成區(qū)域7k和第11膜形成區(qū)域7L。在第I膜形成區(qū)域7a以具有高的被覆性的蒸鍍法形成發(fā)光層26b，在第10膜形成區(qū)域7k和第11膜形成區(qū)域7L上以涂敷法(液滴噴出法)分別形成了發(fā)光層26r、26g。
[0304]雖然第10膜形成區(qū)域7k和第11膜形成區(qū)域7L分別跨越數(shù)據(jù)線41而被劃分，但由于不像實施例3那樣分割形成發(fā)光層26g、26r的區(qū)域，某種程度上確保了平坦性，所以形成膜厚偏差少的發(fā)光層26r、26g。
[0305](變形例10)上述實施方式的有機EL裝置10、40、100、200、300、400、500并不限于能得到紅(R)、綠(G)、藍(B)這3色發(fā)光色的裝置，也可以具備能得到其他發(fā)光色的有機EL元件20。換言之，在一個顯示單位中形成發(fā)光層的膜形成區(qū)域的數(shù)量不限定為三個。可實現(xiàn)更高的色再現(xiàn)性。
[0306](變形例11)在上述實施方式3的有機EL裝置100的制造方法中，當在第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c中平面面積不同時，在發(fā)光層形成工序中，平面面積越小，涂敷后的干燥越容易進行，有可能因干燥速度的不同而導(dǎo)致成膜后的膜形狀不穩(wěn)定。因此，優(yōu)選按平面面積大的順序涂敷液狀體70G、70R。由此，可抑制第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c之間的干燥速度之差，形成穩(wěn)定的膜形狀的發(fā)光層26g、26r。
[0307](變形例12)在上述實施方式3的有機EL裝置100的制造方法中，若在發(fā)光層形成工序中，向第2膜形成區(qū)域7b和第3膜形成區(qū)域7c，分別涂敷不同種類的液狀體70G、70R，則相對于隨后涂敷的液狀體的膜形成區(qū)域的潤濕性降低。因此，優(yōu)選不同種類的液狀體70G、70R，按照對膜形成區(qū)域的潤濕性低的順序進行涂敷。這樣，可穩(wěn)定地確保液狀體70G、70R的各膜形成區(qū)域中的潤濕性，均勻地進行涂敷。
[0308](變形例13)在上述實施方式3的有機EL裝置100的制造方法中，優(yōu)選含有不同發(fā)光層形成材料的液狀體70G、70R中，例如含有因曝露于水分或氧中或受到加熱等而容易失去活性的發(fā)光層形成材料的液狀體，最后進行涂敷。由此，可使成品率提高。
【權(quán)利要求】
1.一種有機EL裝置，其特征在于， 包含基板的基底層； 隔壁部，形成在所述基底層上，相互地劃分相鄰的第I膜形成區(qū)域和第2膜形成區(qū)域； 第I有機EL元件，形成在所述基底層上俯視下與所述第I膜形成區(qū)域重合的位置； 第2有機EL元件，形成在所述基底層上俯視下與所述第2膜形成區(qū)域重合的位置； 第I驅(qū)動電路部，形成在所述基底層，對所述第I有機EL元件的驅(qū)動進行控制；和第2驅(qū)動電路部，形成在所述基底層，對所述第2有機EL元件的驅(qū)動進行控制；所述第I驅(qū)動電路部的至少一部分及所述第2驅(qū)動電路部的至少一部分被配置成俯視下與所述第I膜形成區(qū)域重合， 所述第I驅(qū)動電路部及所述第2驅(qū)動電路部分別具有薄膜晶體管和保持電容， 所述第I驅(qū)動電路部及所述第2驅(qū)動電路部分別具有的所述薄膜晶體管及所述保持電容，被配置在俯視下與所述第I膜形成區(qū)域重合的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL裝置，其特征在于， 所述第I有機EL元件能發(fā)出第I色光，所述第2有機EL元件能發(fā)出與所述第I色不同的第2色光， 所述第I有機EL元件所具有的第I發(fā)光層和所述第2有機EL元件所具有的第2發(fā)光層通過不同的成膜方法形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL裝置，其特征在于， 與所述第I膜形成區(qū)域俯視下重合的區(qū)域的所述基底層的表面上的凹凸的偏差，比與所述第2膜形成區(qū)域俯視下重合的區(qū)域的所述基底層的凹凸的偏差大。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL裝置，其特征在于， 在所述第2發(fā)光層上，形成有通過與形成所述第I發(fā)光層同一工藝形成、且由與所述第I發(fā)光層相同的材料構(gòu)成的層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL裝置，其特征在于， 所述隔壁部劃分所述第I膜形成區(qū)域及所述第2膜形成區(qū)域和相鄰的第3膜形成區(qū)域， 該有機EL裝置具有: 第3有機EL元件，形成在所述基底層上俯視下與所述第3膜形成區(qū)域重合的位置，并且能發(fā)出與所述第I色光及所述第2色光不同的第3色光； 第3驅(qū)動電路部，形成在所述基底層，對所述第3有機EL元件的驅(qū)動進行控制；和第I數(shù)據(jù)線及第2數(shù)據(jù)線，俯視下配置在所述第2膜形成區(qū)域和所述第3膜形成區(qū)域之間，并且被配置成橫穿所述第I膜形成區(qū)域； 所述第3有機EL元件所具有的第3發(fā)光層通過與所述第I有機EL元件所具有的第I發(fā)光層不同的成膜方法形成， 所述第3驅(qū)動電路部的至少一部分被配置成俯視下與所述第I膜形成區(qū)域重合，所述第I數(shù)據(jù)線與所述第I驅(qū)動電路部、所述第2驅(qū)動電路部及所述第3驅(qū)動電路部的任意一個驅(qū)動電路部電連接， 所述第2數(shù)據(jù)線與所述第I驅(qū)動電路部、所述第2驅(qū)動電路部及所述第3驅(qū)動電路部中的除了與所述第I數(shù)據(jù)線電連接的驅(qū)動電路部以外的任一個驅(qū)動電路部電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機EL裝置，其特征在于， 所述第3驅(qū)動電路部具有薄膜晶體管和保持電容， 所述第3驅(qū)動電路部具有的所述薄膜晶體管及所述保持電容，被配置在俯視下與所述第I膜形成區(qū)域重合的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL裝置，其特征在于， 所述第I有機EL元件所具有的所述第I發(fā)光層通過蒸鍍法或旋涂法形成，所述第2有機EL元件所具有的所述第2發(fā)光層通過液滴噴出法形成。
8.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1至7中任意一項所述的有機EL裝置。
【文檔編號】H01L27/32GK104362166SQ201410510082
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2009年10月13日 優(yōu)先權(quán)日:2008年10月17日
【發(fā)明者】北林厚史, 后藤正嗣, 三澤龍平 申請人:精工愛普生株式會社