一種半導(dǎo)體激光器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器，包括基板，所述基板上方設(shè)置有陰極，所述陰極兩端分別設(shè)置有絕緣體，所述絕緣體上設(shè)置有柵極，所述柵極之間，陰極上方中心設(shè)置有發(fā)射極，所述發(fā)射極與柵極之間分別設(shè)置有電子發(fā)射尖錐，所述發(fā)射極上方設(shè)置有磷光層，所述磷光層上方設(shè)置有玻璃板，所述玻璃板、基板、側(cè)板構(gòu)成封閉結(jié)構(gòu)。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低廉、發(fā)射率高、亮度均勻。
【專利說明】 一種半導(dǎo)體激光器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體激光器。

【背景技術(shù)】
[0002]場發(fā)射電極理論最早是在1928年由R.H.Eowler與L.ff.Nordheim共同提出，不過真正以半導(dǎo)體制程技術(shù)研發(fā)出場發(fā)射電極元件，開啟運用場發(fā)射電子做為顯示器技術(shù)，則是在1968年由C.A.Spindt提出，隨后吸引后續(xù)的研究者投入研發(fā)。
[0003]目前，半導(dǎo)體激光器取代傳統(tǒng)陰極發(fā)射管成為必然趨勢，但是半導(dǎo)體激光器仍然面臨諸多問題，例如結(jié)構(gòu)復(fù)雜、封裝困難、制造成本高、發(fā)射率低、亮度不均勻等問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低廉、發(fā)射率高、亮度均勻的半導(dǎo)體激光器。
[0005]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種半導(dǎo)體激光器，包括基板，所述基板上方設(shè)置有陰極，所述陰極兩端分別設(shè)置有絕緣體，所述絕緣體上設(shè)置有柵極，所述柵極之間，陰極上方中心設(shè)置有發(fā)射極，所述發(fā)射極與柵極之間分別設(shè)置有電子發(fā)射尖錐，所述發(fā)射極上方設(shè)置有磷光層，所述磷光層上方設(shè)置有玻璃板，所述玻璃板、基板、側(cè)板構(gòu)成封閉結(jié)構(gòu)。
[0006]外部給半導(dǎo)體激光器施加高壓，促使激光器內(nèi)部柵極與發(fā)射極之間形成高壓電場，所述高壓電場激發(fā)電子發(fā)射尖錐產(chǎn)生高能電子束，所述高能電子束打在磷光層上，所述磷光層電子、空穴發(fā)生高速碰撞產(chǎn)生突光效應(yīng)。
[0007]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進。
[0008]進一步，所述半導(dǎo)體激光器內(nèi)部處于高真空狀態(tài)，防止半導(dǎo)體激光器在高壓環(huán)境中產(chǎn)生電離。
[0009]進一步，所述電子發(fā)射尖錐為兩個或以上，所述多個電子發(fā)射尖錐有助于縮短半導(dǎo)體激光器內(nèi)激發(fā)時間，提高發(fā)射率。
[0010]進一步，所述側(cè)板為金屬材質(zhì)，有利于高壓電場的形成與保護，并且金屬材質(zhì)有利于半導(dǎo)體激光器的散熱。
[0011]本發(fā)明的有益效果是:結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低廉、發(fā)射率高、亮度均勻。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明一種半導(dǎo)體激光器裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:1、玻璃板，2、磷光層，3、柵極，4、絕緣體，5、電子發(fā)射尖錐，6、發(fā)射極，7、基板，8、陰極，9、側(cè)板。

【具體實施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0015]如圖1所示，一種半導(dǎo)體激光器，包括基板7，所述基板7上方設(shè)置有陰極8，所述陰極8兩端分別設(shè)置有絕緣體4，所述絕緣體4上設(shè)置有柵極3，所述柵極3之間，陰極8上方中心設(shè)置有發(fā)射極6，所述發(fā)射極6與柵極3之間分別設(shè)置有電子發(fā)射尖錐5，所述發(fā)射極6上方設(shè)置有磷光層2，所述磷光層2上方設(shè)置有玻璃板I，所述玻璃板1、基板7、側(cè)板9構(gòu)成封閉結(jié)構(gòu)。
[0016]外部給半導(dǎo)體激光器施加高壓，促使激光器內(nèi)部柵極3與發(fā)射極6之間形成高壓電場，所述高壓電場激發(fā)電子發(fā)射尖錐5產(chǎn)生高能電子束，所述高能電子束打在磷光層2上，所述磷光層2電子、空穴發(fā)生高速碰撞產(chǎn)生突光效應(yīng)。
[0017]所述半導(dǎo)體激光器內(nèi)部處于高真空狀態(tài)，防止半導(dǎo)體激光器在高壓環(huán)境中產(chǎn)生電離；所述電子發(fā)射尖錐5為兩個或以上，所述多個電子發(fā)射尖錐5有助于縮短半導(dǎo)體激光器內(nèi)激發(fā)時間，提高發(fā)射率；所述側(cè)板9為金屬材質(zhì)，有利于高壓電場的形成與保護，并且金屬材質(zhì)有利于半導(dǎo)體激光器的散熱。
[0018]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體激光器，其特征在于，包括基板，所述基板上方設(shè)置有陰極，所述陰極兩端分別設(shè)置有絕緣體，所述絕緣體上設(shè)置有柵極，所述柵極之間，陰極上方中心設(shè)置有發(fā)射極，所述發(fā)射極與柵極之間分別設(shè)置有電子發(fā)射尖錐，所述發(fā)射極上方設(shè)置有磷光層，所述磷光層上方設(shè)置有玻璃板，所述玻璃板、基板、側(cè)板構(gòu)成封閉結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光器內(nèi)部處于聞?wù)婵諣顟B(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述電子發(fā)射尖錐為兩個或以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述側(cè)板為金屬材質(zhì)。
【文檔編號】H01S5/04GK104242049SQ201410532984
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月30日
【發(fā)明者】聶成 申請人:聶成