鋰微電池的制造方法
【專利摘要】由多個層的堆疊來實施的鋰微電池的制造方法，所述多個層依次包括：由第一材料制成的第一層(11)，由第二材料制成的第二層(12)，固體電解質(zhì)層(13)和第一電極(14)。該方法還包括蝕刻形成由第一材料制成的第一圖案(M1)以及由第二材料制成的第二圖案(M2)，該第二圖案限定了該電解質(zhì)層(13)的覆蓋區(qū)域(13”)以及非覆蓋區(qū)域(13’)。然后用第二圖案(M2)作為蝕刻掩模來蝕刻非覆蓋區(qū)域(13’)。在蝕刻該第一圖案(M1)之后，在第二圖案(M2)上形成了鋰基層，該鋰基層和該第二圖案形成了第二鋰基電極。
【專利說明】鋰微電池的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及圖案化固體電解質(zhì)層，具體涉及一種鋰微電池的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]鋰微電池是一種利用Li+離子的電化學(xué)蓄電池并具有多個薄層構(gòu)成的活性堆疊?；钚远询B由固體電解質(zhì)分隔的兩個電極形成，一個是正極而另一個是負(fù)極。
[0003]固體電解質(zhì)是具有高度離子傳導(dǎo)性的電絕緣體。該固體電解質(zhì)通常具有由鋰化組件形成的基體。而且，正極為鋰嵌入材料，例如鋰化金屬氧化物。
[0004]稱為“鋰金屬”微電池的鋰微電池包括由金屬化鋰構(gòu)成的負(fù)極。而且，稱為“鋰金屬”微電池的鋰微電池包括由鋰嵌入或插入材料形成的負(fù)極。
[0005]鋰微電池由于其高的質(zhì)量密度和低毒性而特別有優(yōu)勢。但鋰微電池對空氣和潮氣非常敏感。
[0006]鋰基層實際上非常易反應(yīng)，化學(xué)性質(zhì)非常不穩(wěn)定。出現(xiàn)在形成鋰微電池的薄層中的鋰以及某些情況下的硫，這使得這些層在空氣中具有高度吸濕性和化學(xué)不穩(wěn)定性。這種類型的薄層，尤其是固體電解質(zhì)層，實際上難以圖案化。
[0007]因此，在制造和封裝鋰微電池的各個步驟上必須特別注意。
[0008]為了實現(xiàn)微電池的制造，常規(guī)技術(shù)包括連續(xù)沉積微電池的薄層，特別是通過真空沉積技術(shù)。
[0009]通常用陰影掩模板實施固體電解質(zhì)層的圖案化。通過具有凹槽的掩模板可實施真空沉積，例如PVD(物理氣相沉積)。掩模放置在基底上并且在整個沉積過程中固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。然后移除掩模板，基底具有了所需的圖案。
[0010]這種掩模技術(shù)產(chǎn)生顆粒污染并且掩模板也會劃傷其所放置在的膜，從而容易損傷微電池。而且當(dāng)微電池的尺寸很小時，陰影掩模板會產(chǎn)生邊緣或陰影效應(yīng)，這不利于實現(xiàn)微電池合格地工作。
[0011]國際專利申請W02012173874還公開了一種鋰微電池的制造方法，采用通過激光燒蝕(laser ablat1n)對由鋰和磷氮氧化合物(LiPON)制成的電解質(zhì)層進(jìn)行圖案化的技術(shù)。采用通過陰影掩模板的沉積，用傳統(tǒng)方法制造形成電極的薄層和集流體。而且在不采用陰影掩模板的情況下沉積固體電解質(zhì)，采用Imm2尺寸的脈沖激光束對后者實施圖案化。激光束必須對其上形成微電池的基底的整個有用表面進(jìn)行掃描。
[0012]此外，這種技術(shù)非常依賴于所用的基底和沉積在下層的層的性能。該方法還需要采用不同的設(shè)備，這增加了固體電解質(zhì)層暴露在空氣和濕氣中的風(fēng)險。因此，這種制造方法的實施緩慢且復(fù)雜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的目的是提供一種鋰微電池的制造方法，該方法容易實施、成本低廉并且與微電子領(lǐng)域中所實施的技術(shù)兼容。
[0014]通過提供一種鋰微電池的制造方法實現(xiàn)了該目的，該制造方法具有以下連續(xù)步驟:
[0015]提供多個層的堆疊，該堆疊依次包括:
[0016]由第一材料制成的第一層；
[0017]由構(gòu)造為與鋰原子結(jié)合的第二材料制成的第二層；
[0018]固體電解質(zhì)層；
[0019]第一電極；
[0020]蝕刻該第一和第二材料以形成由第一材料制成的第一圖案以及由第二材料制成的第二圖案，該第二圖案限定該電解質(zhì)層的覆蓋區(qū)域以及非覆蓋區(qū)域；
[0021]用第二圖案作為蝕刻掩模來蝕刻電解質(zhì)層的非覆蓋區(qū)域，并且消除該第一圖案；
[0022]在第二圖案上形成鋰基層，該第二材料構(gòu)造得使鋰原子擴(kuò)散到第二圖案中，鋰基層和第二圖案形成鋰基第二電極。
[0023]在優(yōu)選方式中，形成第一圖案和第二圖案包括如下步驟:
[0024]蝕刻第一材料，以限定由設(shè)置在第二層上的第一材料制成的第一圖案；
[0025]采用第一圖案作為蝕刻掩模蝕刻第二材料，以形成第二圖案。
[0026]而且，優(yōu)選同時實施蝕刻電解質(zhì)層的非覆蓋區(qū)域以及蝕刻第一圖案。
[0027]優(yōu)選，采用電解質(zhì)層作為蝕刻停止層，通過等離子體蝕刻來實施第二材料的蝕刻。
[0028]而且，根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，本發(fā)明的技術(shù)方案具有其他優(yōu)點和非限定性特征:
[0029]鋰基層和第一圖案的第一材料經(jīng)歷熱處理，該熱處理被配置為使鋰原子擴(kuò)散到第二圖案中；
[0030]第二電極具有至少90%的鋰原子濃度；
[0031]通過選自LiP0N、LiSiP0N、硫代-LiSiCON(Th1-LiSiCON)或 LiBON 的材料形成電解質(zhì)層；
[0032]通過選自S1、Ge、Sn、C、Au或Pt的材料形成第二層；
[0033]通過選自Al、A1203、T1、N1、Cr或LiPON的材料形成第一層；
[0034]通過在第一層上沉積光阻層，隨后對第一材料進(jìn)行光刻步驟以及蝕刻步驟來形成第一圖案。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]通過本發(fā)明的僅出于非限定性示例目的給出的并在附圖中表示的具體實施例的下文說明，本發(fā)明的其他優(yōu)點和特征將會變得更加明顯，其中:
[0036]圖1至5以示意方式以截面圖的形式表示了根據(jù)一個實施例的微電池的制造步驟；
[0037]圖6以示意方式以截面圖的形式表示了根據(jù)一個實施例的微電池的制造步驟的變形例；
[0038]圖7以示意方式以截面圖的形式表示了根據(jù)一個實施例的微電池的另一制造步驟的變形例。

【具體實施方式】
[0039]根據(jù)圖1至5所描述的第一實施例，該方法包括設(shè)置堆疊10，該堆疊10依次包括由第一材料制成的第一層11，由第二材料制成的第二層12,固體電解質(zhì)層13和第一電極14。特別地，薄層12至14被設(shè)計為形成鋰微電池。
[0040]薄膜11至14可以通過傳統(tǒng)微電子工業(yè)技術(shù)連續(xù)沉積在基底15上，例如通過物理氣相沉積(PVD)、真空蒸發(fā)沉積或化學(xué)氣相沉積(CVD)。薄層11至14的厚度在幾納米至幾十微米之間變化。
[0041]基底15 —般為能夠包括集成電路的硅晶片，該基底還可以由玻璃或陶瓷制成?；?5可以由鈍化層覆蓋，該鈍化層通常由氧化硅形成，或通過由氧化物層和氮化硅層形成的雙層形成?；?5也可以形成第一電極14。
[0042]而且，第一電極14 一般是產(chǎn)生Li+離子或包含鋰嵌入材料的電極。用作第一電極14的活性材料的材料可以是非鋰化材料，例如氧化釩(VxOy)或硫氧化鈦(T1xSy)。電極14的材料還可以是鋰化材料，例如鋰鈷氧化物(LiCoO2)或鋰鎳氧化物(LiN12)等。
[0043]基底15還可以具有其他薄層，優(yōu)選形成微電池的集流體的層。通常，這些集流體由金屬層形成，例如由鉬、鉻、金、鈦等制成。這些集流體的制造步驟獨立于堆疊10的形成步驟。換句話說，微電池的集流體可以在堆疊10的形成步驟之前、期間或之后被制造。
[0044]如圖1所示，固體電解質(zhì)層13設(shè)置在第一電極14上。固體電解質(zhì)13是可滲透鋰離子的層，優(yōu)選鋰基。換句話說，電解質(zhì)13構(gòu)造成能夠傳導(dǎo)鋰Li+離子。優(yōu)選地，固體電解質(zhì)13的材料是電絕緣材料。固體電解質(zhì)13可由鋰硼氮氧化合物(LiBON)、鋰硅磷氮氧化合物(LiSiPON)等制成。在優(yōu)選方式中，固體電解質(zhì)13由鋰磷氮氧化合物(LiPON)制成，表示為 “l(fā)ipon”。
[0045]堆疊10還包括設(shè)置在固體電解質(zhì)13上的雙層。該雙層由設(shè)置在由第二材料制成的第二層12上的由第一材料制成的第一層11形成。該雙層設(shè)計成形成用以具體圖案化固體電解質(zhì)層13的蝕刻掩模。
[0046]第一層11為犧牲層，并可由鋁(Al)、氧化鋁(Al2O3)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)等形成。
[0047]第二層12優(yōu)選由一種材料構(gòu)成，該材料構(gòu)造成與鋰原子結(jié)合，或至少使鋰原子在第二層12中具有擴(kuò)散性。該第二材料可以由硅(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)、碳(C)、金(Au)、鉬(Pt)等形成。第二層12構(gòu)造為形成極性與第一電極14相反的第二電極16。
[0048]層11和12的厚度在幾納米至幾十納米之間,優(yōu)選在5nm和10nm之間。
[0049]一種鋰微電池的制造方法還包括蝕刻第一和第二材料以形成第一圖案Ml和第二圖案M2的步驟，如圖2所示。
[0050]第一圖案Ml由第一材料制成。第二圖案M2由第二材料制成并構(gòu)造為限定固體電解質(zhì)層13的覆蓋區(qū)域13”和非覆蓋區(qū)域13’。在實施完成微電池的不同步驟時，第二層12，尤其是第二圖案M2，有利地保護(hù)電解質(zhì)層13，特別是固體電解質(zhì)13和第二材料之間的界面。
[0051]通過已知方式執(zhí)行第一材料和第二材料的蝕刻，例如通過與第一材料和第二材料兼容的微電子領(lǐng)域采用的傳統(tǒng)技術(shù)。
[0052]在優(yōu)選方式中，通過在第一步驟中蝕刻第一材料以限定由設(shè)置在第二層13上的第一材料制成的第一圖案Ml來形成第一圖案Ml和第二圖案M2。如圖6所不,形成第一圖案M1，而通過第二層12保護(hù)固體電解質(zhì)13。然后將第一圖案Ml用作蝕刻掩模，通過蝕刻第二材料來形成第二圖案M2。
[0053]如圖7所示，有利地通過將光阻層18沉積在第一層11上，然后進(jìn)行光刻步驟和蝕刻步驟來形成第一圖案Ml。光阻層以及蝕刻步驟容易實施，與多種待蝕刻材料兼容，使得能夠非常精確地限定圖案。
[0054]根據(jù)一個示例性實施例，第一層11由鋁制成并具有20nm的厚度。第二層12由硅制成并具有1nm的厚度。根據(jù)這個實施例,通過沉積例如Shipley制造的S1818型光阻層18，來實現(xiàn)圖案Ml。然后如圖7所示執(zhí)行光刻步驟。換句話說，對光阻層18進(jìn)行曝光然后進(jìn)行顯影，以限定保護(hù)第一層11的一部分的圖案。相對于第二材料12，即硅，選擇性地去除未被光阻保護(hù)圖案18保護(hù)的由鋁制成的第一層11的區(qū)域?？梢酝ㄟ^濕法蝕刻在環(huán)境溫度下在“鋁蝕刻”商售溶液中實施這個去除工藝，其中“鋁蝕刻”商售溶液包括磷酸、硝酸和醋酸的混合物。蝕刻層11之后，通過噴射丙酮去除光阻層。
[0055]而且，優(yōu)選通過等離子體蝕刻第二材料以形成第二圖案M2。優(yōu)選用固體電解質(zhì)層13作為蝕刻停止層來蝕刻第二材料。
[0056]根據(jù)示例性實施例，通過采用具有SFdP氬氣的ICP等離子體(ICP表示Inductively Coupled Plasma,電感稱合等離子體)的反應(yīng)性離子蝕刻實施對由娃制成的第二層12的蝕刻。在RIE(Reactive 1n Etching,反應(yīng)性離子蝕刻)反應(yīng)堆中在下述條件下實施蝕刻:5mTorr的壓力，200W的源功率，10V自偏壓，20°C的溫度，流速為20sCCm的SF6以及流速為1sccm的氬氣持續(xù)100s。例如通過等離子體的發(fā)光監(jiān)測電解質(zhì)層來實施蝕刻停止。
[0057]采用等離子體蝕刻第二層有利于防止固體電解質(zhì)層接觸水性溶液。由此防止或至少降低固體電解質(zhì)的劣化。盡管等離子體蝕刻會導(dǎo)致電解質(zhì)層的非覆蓋區(qū)域13’輕微劣化，特別是受到關(guān)注的粗糙度，這個區(qū)域13’后來會減小。因此，這個區(qū)域13’的粗糙度的劣化對于生產(chǎn)可用的鋰微電池不是瑕疵(redhibitory)，更何況作為電解質(zhì)13和第二層12之間的界面處于有利的保護(hù)下并不會被等離子體轟擊所影響。
[0058]在形成第二圖案M2之后，后者用作蝕刻掩模來蝕刻電解質(zhì)層13的非覆蓋區(qū)域13’。并且也蝕刻第一圖案Ml。
[0059]在優(yōu)選方式中，同時蝕刻第一圖案Ml和非覆蓋區(qū)域13’。在更優(yōu)選的實施例中，第一層11和電解質(zhì)13的材料選擇為通過同一技術(shù)同時蝕刻。
[0060]根據(jù)示例性實施例，第一層11由鋁制成并且電解質(zhì)層由Iipon制成，優(yōu)選采用單一水性溶液，例如具有由H3PO4形成的基質(zhì)，實施對于該兩種材料的蝕刻。
[0061]通過蝕刻溶液以及蝕刻電解質(zhì)層13的非覆蓋區(qū)域13’所需的時間，將第一層11的厚度進(jìn)一步固定為小于取決于第一材料的蝕刻速率的最大厚度。所述最大厚度實質(zhì)上等于蝕刻非覆蓋區(qū)域13’所需的時間乘以第一材料的蝕刻速率。換句話說，第一層的厚度選擇為使后者的蝕刻時間小于電解質(zhì)層的非覆蓋區(qū)域13’的蝕刻時間。
[0062]根據(jù)示例性實施例，電解質(zhì)層13具有約1.5 μ m的厚度?；旌?體積水和I體積H3PO4獲得的具有由H3PO4形成的基質(zhì)的酸性溶液，能夠用于同時蝕刻Iipon和第一圖案Ml的鋁。從而，鋁制的第一層11構(gòu)造成具有至少20nm的厚度。
[0063]微電池的制造方法還包括在蝕刻非覆蓋區(qū)域13’和第一圖案Ml之后在第二圖案M2上形成鋰基層16的步驟。第二材料構(gòu)造成使鋰原子在第二圖案M2中擴(kuò)散，由此鋰基層16和第二圖案M2形成鋰基第二電極17。
[0064]優(yōu)選層16是鋰層。層16還可以由鋰合金形成。而且，可以通過與微電池的不同層的材料、特別是第二層12的材料兼容的任何已知方式制造鋰基層16。例如，可以通過熱蒸發(fā)、濺射、或電沉積方法來制造層16。
[0065]優(yōu)選的,用局部方式在第二圖案M2上沉積含有鋰的層16。局部沉積的意思是只在第二圖案M2上沉積。這樣，我們能很好的避免采用圖案化步驟尤其是蝕刻步驟來形成結(jié)構(gòu)化圖案17。的確，所給定的富鋰層具有非常強(qiáng)的化學(xué)不穩(wěn)定性，如上所述，蝕刻這樣的富鋰層以獲得一個結(jié)構(gòu)化圖案，如果不是不可能的話，在技術(shù)上是很困難的。
[0066]鋰基層16優(yōu)選構(gòu)造成與圖案M2的第二材料反應(yīng)，以形成由富鋰合金制成的第二電極17。富鋰合金的意思是具有至少90%鋰原子的合金。
[0067]這樣，根據(jù)本發(fā)明的制造方法通過在沉積層16之前實施了所有的圖案化步驟，很好地避免了富鋰層16的蝕刻步驟并且避免了該層的劣化。
[0068]鋰基層16在第二圖案M2上的沉積技術(shù)構(gòu)造為使得鋰原子擴(kuò)散進(jìn)第二圖案的第二材料中。例如，沉積技術(shù)能使溫度升高，這能夠使鋰原子擴(kuò)散進(jìn)第二圖案M2中，以形成富鋰合金。在通過控制基底支撐體的溫度實施層16的沉積時，特別地在基底上實施熱處理。在一般方法中，擴(kuò)散機(jī)制控制了鋰-第二材料合金的形成。
[0069]在優(yōu)選方法中，在沉積鋰基層16的期間和/或之后實施熱處理，以加速或增進(jìn)層16的材料與圖案M2的第二材料的反應(yīng)。換句話說，層16和圖案M2經(jīng)歷使得層16的鋰原子擴(kuò)散進(jìn)第一圖案M2中的熱處理。
[0070]而且，第二層12的厚度小于鋰基層16的厚度。層12的厚度實際上選擇為使得能夠形成富鋰的鋰-第二材料合金。
[0071]根據(jù)示例性實施例，第二層12由硅制成并具有在50至10nm之間的厚度。在這些條件下，層16由鋰制成并且其厚度選擇為大于I μ m。
[0072]上述方法使得能夠?qū)腆w電解質(zhì)層進(jìn)行圖案化以形成微電池。
[0073]而且，鋰的存在使得這種類型的層在空氣中具有吸濕性和不穩(wěn)定性，這使得難以執(zhí)行后者的圖案化。
[0074]當(dāng)實施這種類型層的圖案化時，優(yōu)選防止或至少減少其中該層與光阻層或水性溶液例如顯影或清除溶液接觸的這些步驟。例如由Iipon制成的固體電解質(zhì)與這種產(chǎn)品的接觸實際上會通過鋰的氧化和/或水合改變電解質(zhì)的化學(xué)組成，并且還會通過體積膨脹和/或內(nèi)聚力的損失改變電解質(zhì)層的形態(tài)。
[0075]在鋰微電池中，鋰原子(Li+)的轉(zhuǎn)移發(fā)生在電解質(zhì)和負(fù)極的界面處。因此，界面的質(zhì)量是非常重要的。在實施電解質(zhì)層的圖案化實施時會出現(xiàn)在這個界面處的化學(xué)反應(yīng)，會導(dǎo)致在電解質(zhì)和布置在后者之上的負(fù)極層之間形成氧化物或其他相。如果不減慢鋰離子的擴(kuò)散，能夠防止位于微電池的這兩個活性層之間的這個相，從而在微電池中產(chǎn)生強(qiáng)的電荷轉(zhuǎn)移電阻以及所期望電化學(xué)性能的退化。
[0076]根據(jù)本發(fā)明的微電池的制造方法包括，在實施圖案化之前，在固體電解質(zhì)上設(shè)置第一層和第二層。優(yōu)選第二層與固體電解質(zhì)層接觸并且保護(hù)后者。第二層還設(shè)計成形成鋰基負(fù)極。從而，這種精確設(shè)置在微電池制造方法中能夠在保留電解質(zhì)/負(fù)極界面的同時使得固體電解質(zhì)圖案化。
[0077]有利的是，布置在固體電解質(zhì)上的第二層防止固體電解質(zhì)尤其是電解質(zhì)/負(fù)極界面與光阻樹脂的任何接觸。而且，該制造方法減小了電解質(zhì)層與水性溶液的接觸。
[0078]而且，布置在第二層上的第一層還保留了第二層的界面，鋰基層沉積于其上以形成所述微電池的負(fù)極。
[0079]根據(jù)本發(fā)明的制造方法還避免了機(jī)械掩模的使用，有利地防止了陰影和顆粒污染的影響。該方法還能使制成在單一基底上的鋰微電池的集成度增大，使得可以獲得具有精確對準(zhǔn)的圖案，同時保證固體電極的質(zhì)量。通過機(jī)械掩模沉積電解質(zhì)層實際上不能實現(xiàn)微米或納米尺寸的圖案，比如用在微電子領(lǐng)域中的傳統(tǒng)微影蝕刻技術(shù)。而且，通過掩模沉積還會產(chǎn)生陰影效應(yīng)，對所制造的微電池的緊湊性及其電化學(xué)性能產(chǎn)生負(fù)面影響。
[0080]前述方法還能夠同時圖案化固體電解質(zhì)的多個圖案，這減少了鋰微電池制造方法的制造時間，與采用激光燒蝕方法的固體電解質(zhì)圖案化技術(shù)不同。
[0081]將第一層和第二層用作蝕刻掩模利于微電池的制造，即使采用微電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)技術(shù)。從而，更容易將鋰微電池合成或集成在包括其他微電子器件或微系統(tǒng)的微部件上或者基底上。
【權(quán)利要求】
1.一種鋰微電池的制造方法，包括以下連續(xù)步驟: 設(shè)置多個層(10)的堆疊，其依次包括: 由第一材料制成的第一層(11); 由構(gòu)造為與鋰原子結(jié)合的第二材料制成的第二層(12)； 固體電解質(zhì)層(13)； 第一電極(14)； 蝕刻所述第一材料和所述第二材料以形成由所述第一材料制成的第一圖案(Ml)以及由所述第二材料制成的第二圖案(M2)，所述第二圖案限定所述電解質(zhì)層(13)的非覆蓋區(qū)域(13’ )以及覆蓋區(qū)域(13”)； 用所述第二圖案(M2)作為蝕刻掩模來蝕刻所述電解質(zhì)層(13)的非覆蓋區(qū)域(13’)，并且蝕刻所述第一圖案(Ml)； 以局部方式在所述第二圖案(M2)上形成鋰基層(16)，所述第二材料構(gòu)造成使得鋰原子擴(kuò)散到所述第二圖案(M2)中，所述鋰基層(16)和所述第二圖案(M2)形成鋰基第二電極(17)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，形成所述第一圖案和所述第二圖案(M1，M2)包括如下步驟: 蝕刻所述第一材料，以限定由設(shè)置在所述第二層(12)上的第一材料制成的第一圖案(Ml)； 采用所述第一圖案(Ml)作為蝕刻掩模蝕刻第二材料，以形成所述第二圖案(M2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，同時執(zhí)行蝕刻電解質(zhì)層(13)的非覆蓋區(qū)域(13’ )以及蝕刻所述第一圖案(Ml)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，采用所述電解質(zhì)層(13)作為蝕刻停止層，通過等離子體蝕刻所述第二材料來形成第二圖案(M2)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述鋰基層(16)和所述第一圖案(Ml)的第一材料經(jīng)歷熱處理，該熱處理被配置為使鋰原子擴(kuò)散到所述第一圖案(Ml)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述第二電極(17)具有至少90%的鋰原子濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述電解質(zhì)層(13)由選自LiPON、LiSiPON、硫代-LiSiCON或LiBON的材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述第二層(12)由選自S1、Ge、Sn、C、Au或Pt的材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述第一層(11)由選自Al、Al203、T1、N1、Cr或LiPON的材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，通過在所述第一層(11)上沉積光阻層(18)，隨后對第一材料進(jìn)行光刻步驟以及蝕刻步驟來形成第一圖案(Ml)。
【文檔編號】H01M10/058GK104393346SQ201410539657
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】S·歐卡希, A·巴金 申請人:原子能和代替能源委員會