一種晶片研磨方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種晶片研磨方法，通過(guò)塑料薄膜的使用可以研磨出具有微凹或者微凸等特殊形狀的晶片，滿足某些客戶的特定工藝需求。并且所選用的塑料薄膜的成本極低，生產(chǎn)操作簡(jiǎn)單，適于工業(yè)生產(chǎn)。同時(shí)可以根據(jù)客戶的不同需求選擇具有不同形狀和數(shù)量的塑料薄膜來(lái)改變晶片的凹凸程度，具有極大地靈活性。
【專利說(shuō)明】—種晶片研磨方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地是涉及一種晶片研磨方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前常規(guī)半導(dǎo)體晶片的后道生產(chǎn)加工多采用“機(jī)械研磨+化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)”工藝，即將晶片模板貼在陶瓷盤和晶片之間進(jìn)行研磨和拋光，此方法加工完成之后的晶片表面平整度一般在5微米之內(nèi)，晶片的最高點(diǎn)和最低點(diǎn)均在晶片邊緣，兩者均偏離晶片中心。而隨著半導(dǎo)體行業(yè)襯底材料長(zhǎng)外延技術(shù)的發(fā)展，對(duì)襯底晶片的要求越來(lái)越高。某些特定的長(zhǎng)外延工藝，要求襯底晶片主面中心的厚度高于或低于四周幾個(gè)微米，即晶片主面呈微凸或微凹形狀。
[0003]針對(duì)某些企業(yè)特殊工藝中要求晶片特定位置呈微凹或微凸的生產(chǎn)工藝，上述方法并不適用，因此亟需在現(xiàn)有工藝的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)一種新工藝，以便解決上述問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在提供一種針對(duì)具有微凹或者微凸等特殊形狀的晶片研磨方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:
[0006]一種晶片研磨方法，包括如下步驟:
[0007]S1:將η層厚度在微米級(jí)的塑料薄膜貼覆在陶瓷盤上，其中η為大于或者等于I的整數(shù)，所述塑料薄膜為圓形的；
[0008]S2:以所述塑料薄膜的圓心為中心貼上晶片模板；
[0009]S3:將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行研磨和拋光，其中所述晶片模板與所述晶片的直徑大小相等。
[0010]優(yōu)選地，所述塑料薄膜為圓形塑料薄膜，所述圓形塑料薄膜的直徑小于所述晶片的直徑。
[0011]優(yōu)選地，所述塑料薄膜為環(huán)形塑料薄膜，所述環(huán)形塑料薄膜的外圈直徑等于所述晶片的直徑。
[0012]優(yōu)選地，所述塑料薄膜為聚乙烯塑料薄膜。
[0013]優(yōu)選地，所述步驟S3中具體包括將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行手工研磨和機(jī)械拋光。
[0014]優(yōu)選地，所述步驟S3中具體包括將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行機(jī)械研磨和機(jī)械拋光。
[0015]優(yōu)選地，每一所述塑料薄膜的厚度為3-8微米。
[0016]優(yōu)選地，每一所述塑料薄膜的厚度為4微米。
[0017]采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少包括如下有益效果:
[0018]本發(fā)明所述的晶片研磨方法，通過(guò)塑料薄膜的使用可以研磨出具有微凹或者微凸等特殊形狀的晶片，滿足某些客戶的特定工藝需求。并且所述塑料薄膜的成本極低，生產(chǎn)操作簡(jiǎn)單，適于工業(yè)生產(chǎn)。同時(shí)可以根據(jù)客戶的不同需求選擇具有不同形狀和數(shù)量的塑料薄膜來(lái)改變晶片的凹凸程度，具有極大地靈活性。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本發(fā)明所述的晶片研磨方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
[0021]如圖1所示，為符合本發(fā)明的一種晶片研磨方法，包括如下步驟:
[0022]S1:將η層厚度在微米級(jí)的塑料薄膜貼覆在陶瓷盤上，其中η為大于或者等于I的整數(shù)，所述塑料薄膜為圓形的；
[0023]S2:以所述塑料薄膜的圓心為中心貼上晶片模板；
[0024]S3:將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行研磨和拋光，其中所述晶片模板與所述晶片的直徑大小相等。
[0025]本實(shí)施例主要針對(duì)某些客戶的特定工藝需求進(jìn)行的晶片研磨，特定工藝需求包括晶片特定位置呈微凹或微凸形狀。經(jīng)過(guò)本實(shí)施例所述的研磨方法后獲得所述晶片表面為鏡面，即表面平整度非常好。但是由于所述晶片的中心墊有η(η> I)層塑料薄膜，所述晶片中心可以呈現(xiàn)微凸?fàn)罨蛘呶紶罨蛘咂渌螤睢Ｈ缓髮⑺鼍瑥乃鼍０迳先∠潞?，所述晶片的中心由于微觀彈性形變的恢復(fù)，晶片表面可以呈現(xiàn)出客戶需要的特定形狀。
[0026]在一優(yōu)選實(shí)施例中所述塑料薄膜為圓形塑料薄膜，所述圓形塑料薄膜的直徑小于所述晶片的直徑。拋光之后的晶片表面為鏡面，表面平整度非常好，由于所述晶片的中心墊有n(n ^ I)層圓形塑料薄膜，所述晶片中心呈微凸?fàn)睢⑺鼍瑥乃鼍０迳先∠潞?，所述晶片中心由于微觀彈性形變的恢復(fù)，所述晶片的表面呈微凹形狀。
[0027]在另一優(yōu)選實(shí)施例中所述塑料薄膜為環(huán)形塑料薄膜，所述環(huán)形塑料薄膜的外圈直徑等于所述晶片的直徑。拋光之后的晶片表面為鏡面，表面平整度非常好，由于所述晶片的中心墊有n(n ^ I)層環(huán)形塑料薄膜，所述晶片中心呈微凹狀。將所述晶片從所述晶片模板上取下后，所述晶片中心由于微觀彈性形變的恢復(fù)，所述晶片的表面呈微凸?fàn)睢?br> [0028]當(dāng)然所述塑料薄膜還可以定制為其他形狀，以滿足客戶對(duì)晶片特殊位置的特殊要求。由于所述塑料薄膜的形狀定制為現(xiàn)有技術(shù)手段，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以獲知，故此處不再贅述。
[0029]所述塑料薄膜優(yōu)選為聚乙烯塑料薄膜，更為優(yōu)選地是采用流延工藝制成的低密度聚乙烯塑料薄膜。聚乙烯塑料薄膜是一種半透明、有光澤、質(zhì)地較柔軟的薄膜，具有優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性、熱封性、耐水性和防潮性。而流延工藝制成的低密度聚乙烯塑料薄膜不僅具有上述特點(diǎn)，同時(shí)具有厚度均勻、價(jià)格較低等優(yōu)勢(shì)。其本身厚度均勻可以有效控制晶片凹凸形狀的精度，其價(jià)格較低可以降低整體生產(chǎn)成本。
[0030]優(yōu)選地，所述步驟S3中具體包括將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行手工研磨和機(jī)械拋光。通過(guò)手工方式進(jìn)行研磨可以保證在小批量加工時(shí)使用。其加工出的晶片質(zhì)量更為精細(xì)。由于所述手工研磨和機(jī)械拋光的加工方式為本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段，故此處不再贅述。
[0031]優(yōu)選地，所述步驟S3中具體包括將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行機(jī)械研磨和機(jī)械拋光。通過(guò)機(jī)械研磨和機(jī)械拋光可以批量獲得具有特定形狀的晶片，生產(chǎn)效率高，成本低。由于所述機(jī)械研磨和機(jī)械拋光的加工方式為本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段，故此處不再贅述。
[0032]優(yōu)選地，每一所述塑料薄膜的厚度為3-8微米。更為優(yōu)選地，每一所述塑料薄膜的厚度為4微米。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際的使用需求選擇不同厚度的塑料薄膜和塑料薄膜的層數(shù)，來(lái)改善所述晶片的凹凸程度。
[0033]本發(fā)明所述的晶片研磨方法，通過(guò)塑料薄膜的使用可以研磨出具有微凹或者微凸等特殊形狀的晶片，滿足某些客戶的特定工藝需求。并且所述塑料薄膜的成本極低，生產(chǎn)操作簡(jiǎn)單，適于工業(yè)生產(chǎn)。同時(shí)可以根據(jù)客戶的不同需求選擇具有不同形狀和數(shù)量的塑料薄膜來(lái)改變晶片的凹凸程度，具有極大地靈活性。
[0034]以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實(shí)施例，不能被認(rèn)為用于限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。凡依本發(fā)明申請(qǐng)范圍所作的任何等同變化，均應(yīng)仍處于本發(fā)明的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片研磨方法，其特征在于，包括如下步驟: 51:將η層厚度在微米級(jí)的塑料薄膜貼覆在陶瓷盤上，其中η為大于或者等于I的整數(shù)，所述塑料薄膜為圓形的； 52:以所述塑料薄膜的圓心為中心貼上晶片模板； S3:將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行研磨和拋光，其中所述晶片模板與所述晶片的直徑大小相等。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于:所述塑料薄膜為圓形塑料薄膜，所述圓形塑料薄膜的直徑小于所述晶片的直徑。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于:所述塑料薄膜為環(huán)形塑料薄膜，所述環(huán)形塑料薄膜的外圈直徑等于所述晶片的直徑。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的晶片研磨方法，其特征在于:所述塑料薄膜為聚乙烯塑料薄膜。
5.如權(quán)利要求1-4任一所述的晶片研磨方法，其特征在于:所述步驟S3中具體包括將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行手工研磨和機(jī)械拋光。
6.如權(quán)利要求1-4任一所述的晶片研磨方法，其特征在于:所述步驟S3中具體包括將晶片貼在所述晶片模板上，進(jìn)行機(jī)械研磨和機(jī)械拋光。
7.如權(quán)利要求1-6任一所述的晶片研磨方法，其特征在于:每一所述塑料薄膜的厚度為3-8微米。
8.如權(quán)利要求1-7任一所述的晶片研磨方法，其特征在于:每一所述塑料薄膜的厚度為4微米。
【文檔編號(hào)】H01L21/304GK104282545SQ201410546452
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】易德福, 吳城 申請(qǐng)人:易德福