一種新型貼蠟裝置及其加工方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型貼蠟裝置，包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的陶瓷盤，所述陶瓷盤的上方設(shè)置有可移動(dòng)的平膠墊，所述平膠墊下固定設(shè)置有真空密封圈，所述真空密封圈側(cè)邊設(shè)置有多個(gè)真空孔，所述真空孔連接真空管的一端，所述真空管的另一端與真空泵連接，所述真空管上還設(shè)置有閥門，本發(fā)明采用抽真空方式，使晶片受力均勻，避免晶片破損，提高成品率；真空方式抽取密封圈內(nèi)空氣，保障蠟與晶片完全貼合，避免晶片貼蠟出現(xiàn)氣泡現(xiàn)象，徹底去除晶片貼蠟工藝過程中出現(xiàn)的氣泡，保證晶片平整度，提高晶片成品率；適合薄片工藝，保證晶片的厚度精確度。
【專利說明】一種新型貼蠟裝置及其加工方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型貼蠟裝置及其加工方法，屬于半導(dǎo)體晶片貼蠟拋光領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體行業(yè)晶片貼蠟工藝中，需經(jīng)過貼蠟前加熱、上蠟貼片、下蠟三個(gè)步驟，晶片貼蠟工藝中陶瓷盤蠟融化后，需將晶片稍微壓實(shí)，便于晶片的表面全面覆蓋上蠟，即晶片貼蠟。晶片均勻分布于陶瓷盤外圍，傳統(tǒng)晶片貼蠟工藝采用氣囊貼蠟的方式。陶瓷盤上蠟熔化后將晶片置于蠟上，氣囊置于晶片上部，氣囊在氣缸推力的作用下緩慢將晶片壓實(shí)，便于蠟均勻的覆蓋晶片表面。但是，氣囊為半球形，首先是氣囊最底部先接觸晶片，且晶片中心部受力最大，易造成晶片破碎；蠟熔化后，利用氣缸壓力推動(dòng)氣囊壓實(shí)晶片時(shí)，晶片周圍空氣易造成上蠟氣泡，壓實(shí)晶片過程中會(huì)在晶片表面產(chǎn)生氣泡；因此，氣囊式貼蠟方式不利于晶片貼蠟成品率，增加企業(yè)成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:為克服上述問題，提供一種采用真空抽取的新型貼蠟裝置及其加工方法。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0005]一種新型貼蠟裝置，包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的陶瓷盤，所述陶瓷盤的上方設(shè)置有可在三維空間移動(dòng)的平膠墊，所述平膠墊下固定設(shè)置有真空密封圈，所述真空密封圈側(cè)邊設(shè)置有多個(gè)真空孔，所述真空孔連接真空管的一端，所述真空管的另一端與真空泵連接，所述真空管上還設(shè)置有閥門，所述真空密封圈的直徑比晶片大1±0.5cm，所述真空密封圈的高度為500 + 50 μ n1
[0006]優(yōu)選地，所述平膠墊上側(cè)與氣缸的活塞桿頂端固定連接。
[0007]優(yōu)選地，所述平膠墊的直徑與所述密封圈尺寸相同。
[0008]優(yōu)選地，所述陶瓷盤下側(cè)的中心點(diǎn)連接驅(qū)轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出端。
[0009]一種采用以上所述新型貼蠟裝置的加工方法，包括以下步驟:
[0010](I)當(dāng)所述陶瓷盤上放置的蠟熔化形成一層液態(tài)臘層時(shí)，將晶片輕置于所述蠟層上；
[0011](2)所述平膠墊向下移動(dòng)，使所述真空密封圈完全覆蓋住晶片；
[0012](3)打開所述真空管上的閥門，利用所述真空泵抽真空，抽走所述晶片周圍的空氣，形成真空空間；
[0013](4)在抽真空的同時(shí)，所述平膠墊繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng)，使平膠墊與晶片完全貼合，使晶片與蠟層充分接觸；
[0014](5) 2-4秒后所述平膠墊帶動(dòng)所述真空密封圈向上運(yùn)動(dòng)；
[0015](6)所述驅(qū)轉(zhuǎn)電機(jī)帶動(dòng)陶瓷盤旋轉(zhuǎn)一個(gè)工位，使下一個(gè)晶片置于所述真空密封圈下，重復(fù)步驟(1)-(5)。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，采用抽真空方式，使晶片受力均勻，避免晶片破損，提高成品率；真空方式抽取晶片周圍空氣，避免晶片貼蠟出現(xiàn)氣泡現(xiàn)象，保障晶片與蠟完全貼合，徹底去除晶片貼蠟工藝過程中出現(xiàn)的氣泡，保證晶片平整度，提高晶片成品率；適合所有晶片上蠟工藝，特別是薄片工藝。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0018]圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的主視圖；
[0019]圖2是本發(fā)明所述真空密封圈的剖視圖。
[0020]圖中標(biāo)記:1_陶瓷盤，2_臘層,3_晶片，4_真空密封圈,5_平I父塾，6_氣缸，7_真空泵，8-真空管，41-真空孔。

【具體實(shí)施方式】
[0021]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。
[0022]如圖1所示的本發(fā)明所述一種新型貼蠟裝置，包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的陶瓷盤1，所述陶瓷盤I采用現(xiàn)有的驅(qū)轉(zhuǎn)方法進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，所述陶瓷盤I的上方設(shè)置有在三維空間移動(dòng)的平膠墊5，所述平膠墊5的移動(dòng)為可控制的精確移動(dòng)，可通過常規(guī)的X軸、Y軸和Z軸導(dǎo)軌實(shí)現(xiàn)三維空間的運(yùn)動(dòng)，所述平膠墊5下固定設(shè)置有真空密封圈4，所述真空密封圈4側(cè)邊設(shè)置有多個(gè)真空孔41，如圖2所示，所述真空孔41連接真空管8的一端，所述真空管8的另一端與真空泵7連接，真空泵7用于將真空密封圈4里抽真空，所述真空管8上還設(shè)置有閥門，所述真空密封圈4的尺寸可根據(jù)晶片3尺寸設(shè)計(jì)，其直徑比相應(yīng)晶片3的直徑大1±0.5cm,晶片3的尺寸規(guī)格為現(xiàn)有的公知技術(shù)，所述真空密封圈4的高度為500±50μπι，在壓制時(shí)所述真空密封圈4可以將晶片3完全覆蓋住。
[0023]在優(yōu)選的實(shí)施方案中，所述平膠墊5上側(cè)與氣缸6的活塞桿頂端固定連接，通過氣缸6伸縮控制所述平膠墊5的上下移動(dòng)，但不限于使用氣缸6。
[0024]在優(yōu)選的實(shí)施方案中，所述平膠墊5的直徑與密封圈同尺寸。
[0025]在優(yōu)選的實(shí)施方案中，所述陶瓷盤I下側(cè)的中心點(diǎn)連接驅(qū)轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出端。
[0026]一種采用以上所述新型貼蠟裝置的加工方法，包括以下步驟:
[0027](I)將所述陶瓷盤I上放置的蠟熔化后，優(yōu)選地形成極薄的一層液態(tài)臘層2，再將晶片3置于所述蠟層上；
[0028](2)所述平膠墊5向下移動(dòng)，優(yōu)選的使用所述氣缸6推動(dòng)所述平膠墊5向下移動(dòng)，使所述真空密封圈4完全覆蓋住晶片3 ；
[0029](3)打開所述真空管8上的閥門，利用所述真空泵7抽真空，抽走所述晶片3周圍的空氣，形成真空空間；
[0030](4)在抽真空的同時(shí)，所述平膠墊5繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng)，使平膠墊5與晶片3完全貼合，使晶片3與蠟層充分接觸；
[0031](5)晶片3上蠟過程極短，約2?4秒，所述平膠墊5帶動(dòng)所述真空密封圈4向上運(yùn)動(dòng)；
[0032](6)所述驅(qū)轉(zhuǎn)電機(jī)帶動(dòng)陶瓷盤I旋轉(zhuǎn)一個(gè)工位，使下一個(gè)晶片3貼于熔化的蠟上置于所述真空密封圈4下，重復(fù)步驟(1)-(5)。
[0033]以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種新型貼蠟裝置，其特征在于，包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的陶瓷盤，所述陶瓷盤的上方設(shè)置有可在三維空間移動(dòng)的平膠墊，所述平膠墊下固定設(shè)置有真空密封圈，所述真空密封圈側(cè)邊設(shè)置有多個(gè)真空孔，所述真空孔連接真空管的一端，所述真空管的另一端與真空泵連接，所述真空管上還設(shè)置有閥門，所述真空密封圈的直徑比晶片大1±0.5cm，所述真空密封圈的高度為 500±50 μ m。
2.如權(quán)利要求1所述的新型貼蠟裝置，其特征在于，所述平膠墊上側(cè)與氣缸的活塞桿頂端固定連接。
3.如權(quán)利要求2所述的新型貼蠟裝置，其特征在于，所述平膠墊的直徑與所述密封圈尺寸相同。
4.如權(quán)利要求3所述的新型貼蠟裝置，其特征在于，所述陶瓷盤下側(cè)的中心點(diǎn)連接驅(qū)轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出端。
5.一種采用1-4任一項(xiàng)所述新型貼蠟裝置的加工方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)當(dāng)所述陶瓷盤上放置的蠟熔化形成一層液態(tài)臘層時(shí)，將晶片輕置于所述蠟層上； (2)所述平膠墊向下移動(dòng)，使所述真空密封圈完全覆蓋住晶片； (3)打開所述真空管上的閥門，利用所述真空泵抽真空，抽走所述晶片周圍的空氣，形成真空空間； (4)在抽真空的同時(shí)，所述平膠墊繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng)，使平膠墊與晶片完全貼合，使晶片與蠟層充分接觸； (5)2-4秒后所述平膠墊帶動(dòng)所述真空密封圈向上運(yùn)動(dòng)； (6)所述驅(qū)轉(zhuǎn)電機(jī)帶動(dòng)陶瓷盤旋轉(zhuǎn)一個(gè)工位，使下一個(gè)晶片置于所述真空密封圈下，重復(fù)步驟(1)-(5)。
【文檔編號(hào)】H01L21/683GK104332432SQ201410546463
【公開日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】易德福, 吳城 申請(qǐng)人:易德福