一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板和顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效果差的問題，提高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效果。該薄膜晶體管包括：有源層、源極和漏極，還包括：歐姆接觸層，其中：所述歐姆接觸層設(shè)置在有源層與所述源極之間和所述有源層與所述漏極之間的位置處；歐姆接觸層的材料為氮化鋅。本發(fā)明應用于顯示器的制作技術(shù)中。
【專利說明】一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板和 顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著需求的不斷提高，顯示器的制作工藝越來越多，各種不同的制作工藝中可能 包含有多種復雜的反應機制?，F(xiàn)有的常用的半導體有源層的材料為金屬氧化物半導體材 料，但是該金屬氧化物半導體材料不能很好的適用各種不同工藝的生產(chǎn)條件，會出現(xiàn)電子 遷移率低、歐姆接觸性差等問題。同時受不同制作工藝的生產(chǎn)環(huán)境、電漿處理、污染處理等 過程的影響，破壞半導體有源層的性能，甚至使得半導體有源層失去半導體的特性。
[0003] 為了解決該問題，現(xiàn)有技術(shù)中采用氮氧化鋅替代金屬氧化物作為半導體有源層的 材料。但是，氮氧化鋅的歐姆接觸性能較差，用氮氧化鋅形成的半導體有源層與源、漏極的 歐姆接觸效果較差，通電時會出現(xiàn)源、漏極與半導體有源層電連接效果不好，造成信號的延 遲，影響顯示器的畫面的顯示效果。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板和顯示裝置，解決 了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效果差的問題，提高 了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效果。
[0005] 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0006] 第一方面，提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層、源極和漏極，還包 括：歐姆接觸層，其中：
[0007] 所述歐姆接觸層設(shè)置在所述有源層與所述源極之間和所述有源層與所述漏極之 間的位置處；
[0008] 所述歐姆接觸層的材料為氮化鋅。
[0009] 可選的，所述薄膜晶體管還包括：柵絕緣層和柵極，其中：
[0010] 所述有源層設(shè)置在所述基板上；
[0011] 所述柵絕緣層設(shè)置在所述有源層上使得所述有源層部分裸露的位置處；
[0012] 所述柵極設(shè)置在所述柵絕緣層上與所述柵絕緣層對應的位置處；
[0013] 所述源極和漏極設(shè)置在所述歐姆接觸層上。
[0014] 可選的，所述有源層的材料為氮氧化鋅。
[0015] 可選的，所述薄膜晶體管還包括：修飾層，其中：
[0016] 所述修飾層設(shè)置在所述歐姆接觸層上，且所述修飾層上與所述源極和所述漏極對 應的位置處設(shè)置有過孔；
[0017] 所述修飾層的材料為金屬或者非金屬氮化物。
[0018] 可選的，所述有源層的厚度為200?1500人；
[0019] 可選的，所述源極和漏極的厚度均為50?丨00人。
[0020] 可選的，所述歐姆接觸層的厚度小于50人。
[0021] 可選的，所述修飾層的厚度為30?300人。
[0022] 第二方面，提供一種薄膜晶體管的制作方法，所述方法包括：形成有源層、源極和 漏極，還包括：
[0023] 在所述有源層與所述源極之間和所述有源層與所述漏極之間形成歐姆接觸層；
[0024] 所述歐姆接觸層的材料為氮化鋅。
[0025] 可選的，所述方法還包括：
[0026] 采用氮氧化鋅材料在所述基板上形成有源層；
[0027] 在所述有源層上形成使得所述有源層部分裸露的柵絕緣層；
[0028] 在所述柵絕緣層上形成覆蓋所述柵絕緣層的柵極；
[0029] 在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極。
[0030] 可選的，所述在所述有源層與所述源極之間和所述有源層與所述漏極之間形成歐 姆接觸層，包括：
[0031] 采用金屬氮化物或者非金屬氮化物材料在所述有源層與所述源漏極之間的位置 處形成氮化物薄膜，以便于所述氮化物薄膜中的氮化物與所述有源層中的氮氧化鋅反應形 成所述歐姆接觸層。
[0032] 可選的，所述方法還包括：
[0033] 通過一次構(gòu)圖工藝形成所述柵絕緣層和所述柵極。
[0034] 第三方面，提供一種顯示基板，所述顯示基板包括第一方面所述的任一薄膜晶體 管。
[0035] 第四方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第三方面所述的顯示基板。
[0036] 本發(fā)明的實施例提供的薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板和顯示裝置，通過在 有源層與源極之間和有源層與漏極之間的位置制作由氮化鋅材料形成的歐姆接觸層；相 比于現(xiàn)有技術(shù)方案中為了保證薄膜晶體管的性能必須使得柵極的面積大于有源層的面積， 本發(fā)明中由于增加了歐姆接觸層，柵極的面積相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中柵極的面積極大的減 小，進而可以有效的減小這樣形成的有源層的面積也減小，從而使得源漏極與柵極之間的 寄生電容減小，同時氮化鋅材料的歐姆接觸性能較好，因此用氮化鋅形成的歐姆接觸層使 得源漏極與有源層之間的歐姆接觸性較好，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的 有源層與源漏極的歐姆接觸效果差的問題，提高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時， 提高了顯示器的畫面的顯示效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0037] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0038]圖1為本發(fā)明的實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039] 圖2為本發(fā)明的實施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040] 圖3為本發(fā)明的實施例提供的又一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖4為本發(fā)明的實施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖；
[0042]圖5為本發(fā)明的實施例提供的另一種薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖；
[0043] 圖6為本發(fā)明的實施例提供的又一種薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖。
[0044] 附圖標記：1_基板；2-柵極；3-柵絕緣層；4_有源層；5-源極；6-漏極；7歐姆接 觸層；8 _修飾層。
【具體實施方式】
[0045] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0046] 本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管，參照圖1所示，該薄膜晶體管包括：基板1、 柵極2、柵絕緣層3、有源層4、源極5、漏極6和歐姆接觸層7,其中：
[0047] 歐姆接觸層7設(shè)置在有源層4與源極5之間和有源層4與漏極6之間的位置處。
[0048] 歐姆接觸層7的材料為氮化鋅。
[0049] 具體的，本實施例中的歐姆接觸層采用氮化鋅材料來形成，由于氮化鋅的歐姆接 觸性能較好，同時歐姆接觸層位于有源層與源漏極之間的位置處。氮化鋅可以產(chǎn)生大量的 電荷，具有較好的導電性能，這樣最終形成的薄膜晶體管中的有源層與源漏極的歐姆接觸 性能比現(xiàn)有技術(shù)中的只是源漏極與有源層接觸的結(jié)構(gòu)的源漏極與有源層之間的歐姆接觸 性能好，使得最終形成的顯示器件中不會產(chǎn)生很大的信號時延，避免出現(xiàn)顯示器的畫面的 顯示質(zhì)量不佳的問題。
[0050] 需要說明的是，本實施例中只是舉例說明薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖1中所示，實際 設(shè)計中只要保證薄膜晶體管中的源漏極與有源層之間具有氮化鋅材料的歐姆接觸層即可， 有源層可以是在源漏極的上面也可以是在源漏極的下面，薄膜晶體管可以柵極頂接觸類型 也可以是柵極底接觸類型。
[0051] 其中，基板可以是玻璃基板或石英基板等；柵極可以是采用金屬材料等形成的； 柵絕緣層可以是采用氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等形成的。
[0052] 本發(fā)明的實施例提供的薄膜晶體管，通過在有源層與源極之間和有源層與漏極之 間的位置制作由氮化鋅材料形成的歐姆接觸層；相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中為了保證薄膜晶體 管的性能必須使得柵極的面積大于有源層的面積，本發(fā)明中由于增加了歐姆接觸層，柵極 的面積相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中柵極的面積極大的減小，進而可以有效的減小這樣形成的有 源層的面積也減小，從而使得源漏極與柵極之間的寄生電容減小，同時氮化鋅材料的歐姆 接觸性能較好，因此用氮化鋅形成的歐姆接觸層使得源漏極與有源層之間的歐姆接觸性較 好，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效果差的問 題，提高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效果。
[0053] 進一步，參照圖2所示，該薄膜晶體管的有源層4設(shè)置在基板1上。
[0054] 柵絕緣層3設(shè)置在有源層4上使得有源層4部分裸露。
[0055] 柵極2設(shè)置在柵絕緣層3上與柵絕緣層3對應的位置處。
[0056] 源極5和漏極6設(shè)置在歐姆接觸層7上。
[0057] 其中，有源層的材料為氮氧化鋅，有源層的厚度為200?1500人。
[0058] 源極和漏極的厚度均為50?100人。
[0059] 歐姆接觸層的厚度小于50人。
[0060] 其中，歐姆接觸層可以是通過在有源層與源漏極之間形成的金屬氮化物或者非金 屬氮化物薄膜與有源層中的材料氮氧化鋅發(fā)生反應后得到的。
[0061] 具體的，本發(fā)明實施例中通過采用如圖2中所示的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，有源層設(shè) 置在與基板接觸的位置，然后依次形成柵絕緣層、柵極，將源極和漏極設(shè)置在歐姆接觸有源 層上與柵絕緣層接觸的位置，同時由于歐姆接觸層是有源層中的材料氮氧化鋅與氮化物薄 膜發(fā)生反應形成的，并沒有額外的增加膜層厚度，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中的薄膜晶體管的 結(jié)構(gòu)，本發(fā)明中的薄膜晶體管的溝道區(qū)域的寬度減小，同時保證提高了薄膜晶體管的有源 層與源漏極之間的歐姆接觸性，極大的縮小了薄膜晶體管的尺寸，節(jié)省了生產(chǎn)成本。同時制 作過程中采用一次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層和柵極，減少了生產(chǎn)工藝和生產(chǎn)流程。
[0062] 進一步，參照圖3所示，該薄膜晶體管還包括：修飾層8,其中：
[0063] 修飾層8設(shè)置在歐姆接觸層7上，且修飾層8上與源極5和漏極6對應的位置處 設(shè)置有過孔。
[0064] 修飾層8的材料為金屬或者非金屬氮化物，優(yōu)選的修飾層的材料為氮化鋁。
[0065] 修飾層8的厚度為30?300人，優(yōu)選的修飾層8的厚度為30?120人。
[0066] 具體的，初始形成修飾層時是在整個柵極上制作一層覆蓋基板、柵極和有源層的 氮化物薄膜，由于氮化物薄膜與有源層直接接觸，這樣形成修飾層的金屬或者非金屬氮化 物薄膜與形成有源層的氮氧化鋅會發(fā)生化學反應產(chǎn)生氮化鋅，形成為歐姆接觸層。因此最 終形成的薄膜晶體管中的修飾層不與歐姆接觸層所在的位置對應。即歐姆接觸層是通過氮 化物薄膜與有源層接觸位置處反應后形成的。當然，歐姆接觸層也可以是采用磁控濺射的 方法在柵極上形成一層氮化鋅薄膜，然后使用掩膜板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工 藝處理后在與有源層對應的位置形成的。
[0067] 本發(fā)明的實施例提供的薄膜晶體管，通過在有源層與源極之間和有源層與漏極之 間的位置制作由氮化鋅材料形成的歐姆接觸層；相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中為了保證薄膜晶體 管的性能必須使得柵極的面積大于有源層的面積，本發(fā)明中由于增加了歐姆接觸層，柵極 的面積相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中柵極的面積極大的減小，進而可以有效的減小這樣形成的有 源層的面積也減小，從而使得源漏極與柵極之間的寄生電容減小，同時氮化鋅材料的歐姆 接觸性能較好，因此用氮化鋅形成的歐姆接觸層使得源漏極與有源層之間的歐姆接觸性較 好，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效果差的問 題，提高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效果。
[0068] 本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，參照圖4所示，該方法包括以 下步驟：
[0069] 101、在基板上形成有源層、源極和漏極。
[0070] 具體的，可以利用化學汽相沉積法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉積厚度 200?1500人氮氧化鋅材料的薄膜，然后對該氮氧化鋅薄膜進行一次構(gòu)圖工藝形成有源 層，或者沉積一層金屬薄膜，該金屬薄膜通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅 等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。通過構(gòu)圖工藝處理在一定區(qū)域形成源 極、漏極，最終形成的源極和漏極的厚度在5 0~ 100人。
[0071]需要說明的是，本實施例中形成有源層和形成源漏極沒有先后順序之分，可以是 先形成有源層之后再形成源漏極，也可以是先形成源漏極之后再形成有源層。
[0072] 102、在有源層與源極之間和有源層與漏極之間形成歐姆接觸層。
[0073] 具體的，可以采用磁控濺射的方法在基板上沉積一層厚度小于50人的氮化鋅材 料薄膜。然后，用掩模板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在基板的一定區(qū)域上 形成歐姆接觸層。
[0074] 本發(fā)明的實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過采用氮化鋅材料在有源層與 源極之間和有源層與漏極之間的位置制作歐姆接觸層，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中為了保證薄 膜晶體管的性能必須使得柵極的面積大于有源層的面積，本發(fā)明中由于增加了歐姆接觸 層，柵極的面積相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中柵極的面積極大的減小，進而可以有效的減小這樣 形成的有源層的面積也減小，從而使得源漏極與柵極之間的寄生電容減小，同時氮化鋅材 料的歐姆接觸性能較好，因此用氮化鋅形成的歐姆接觸層使得源漏極與有源層之間的歐姆 接觸性較好，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效 果差的問題，提高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效 果。
[0075] 本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法。參照圖2所示，該方法包括以 下步驟：
[0076]201、采用氮氧化鋅材料在基板上形成有源層。
[0077] 具體的，可以利用化學汽相沉積法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉積厚度 200?1500人氮氧化鋅材料的薄膜，然后對該氮氧化鋅薄膜進行一次構(gòu)圖工藝形成有源 層，即在光刻膠涂覆后，用掩模板對基板進行曝光、顯影、刻蝕形成有源層即可。
[0078] 202、在有源層上形成使得有源層部分裸露的柵絕緣層。
[0079] 203、在柵絕緣層上形成覆蓋柵絕緣層的柵極。
[0080] 具體的，可以利用化學汽相沉積法或者磁控濺射的方法在有源層上沉積絕緣薄 膜，該絕緣層薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
[0081] 進而，可以采用磁控濺射的方法在絕緣薄膜上沉積一層金屬薄膜，該金屬薄膜通 ?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的 組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等一次構(gòu)圖工藝處理該絕緣薄膜和金 屬薄膜，在有源層上的一定區(qū)域形成使得有源層部分裸露的柵絕緣層和柵極。
[0082] 204、采用金屬氮化物或者非金屬氮化物材料在有源層與源漏極之間的位置處形 成氮化物薄膜，以便于氮化物薄膜中的氮化物與有源層中的氮氧化鋅反應形成歐姆接觸 層。
[0083] 具體的，可以采用磁控濺射的方法在柵極上沉積一層覆蓋基板、柵極和有源層的 厚度在人的氮化物材料薄膜。然后，氮化物薄膜與有源層中的氮氧化鋅發(fā)生反應， 在有源層的一定區(qū)域上形成厚度小于50人氮化鋅薄膜即為歐姆接觸層。
[0084] 205、在歐姆接觸層上形成源極和漏極。
[0085] 具體的，采用和制作柵極類似的方法在歐姆接觸層上沉積厚度在：5〇~1〇〇人的金 屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝處理在一定區(qū)域形成源極、漏極。
[0086] 本發(fā)明的實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過采用氮化鋅材料在有源層與 源極之間和有源層與漏極之間的位置制作歐姆接觸層，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中為了保證薄 膜晶體管的性能必須使得柵極的面積大于有源層的面積，本發(fā)明中由于增加了歐姆接觸 層，柵極的面積相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中柵極的面積極大的減小，進而可以有效的減小這樣 形成的有源層的面積也減小，從而使得源漏極與柵極之間的寄生電容減小，同時氮化鋅材 料的歐姆接觸性能較好，因此用氮化鋅形成的歐姆接觸層使得源漏極與有源層之間的歐姆 接觸性較好，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效 果差的問題，提高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效 果。
[0087] 本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，參照圖3所示，該方法包括以 下步驟：
[0088] 301、在基板上形成柵極。
[0089] 具體的，可以采用磁控濺射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉積一層金 屬薄膜，該金屬薄膜通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用 上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處 理，在基板的一定區(qū)域上形成柵極。
[0090] 302、在柵極上形成柵絕緣層。
[0091] 具體的，可以利用化學汽相沉積法在玻璃基板上沉積柵電極絕緣層薄膜。該柵絕 緣層薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
[0092] 303、在柵絕緣層上形成有源層。
[0093] 具體的，可以在柵絕緣層上沉積一層厚度在200?1500人的氮氧化鋅材料，然后 通過構(gòu)圖工藝處理形成有源層。
[0094] 304、在有源層上與源極和漏極對應的位置處形成歐姆接觸層。
[0095] 具體的，可以通過構(gòu)圖工藝在有源層上制作厚度在3〇?300人覆蓋有源層歐姆接 觸區(qū)域的金屬或者非金屬氮化物薄膜，優(yōu)選的為氮化鋁。然后氮化物薄膜與有源層中的氮 氧化鋅發(fā)生反應在有源層與源極和漏極接觸的位置處形成厚度小于5G人的氮化鋅薄膜即 為歐姆接觸層。
[0096] 305、在歐姆接觸層上形成源極和漏極。
[0097] 采用和制作柵金屬層類似的方法，在基板上沉積一層類似于柵金屬的厚度在 50?100人金屬薄膜。通過構(gòu)圖工藝處理在一定區(qū)域形成源極和漏極。
[0098] 本發(fā)明的實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過采用氮化鋅材料在有源層與 源極之間和有源層與漏極之間的位置制作歐姆接觸層，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中為了保證薄 膜晶體管的性能必須使得柵極的面積大于有源層的面積，本發(fā)明中由于增加了歐姆接觸 層，柵極的面積相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中柵極的面積極大的減小，進而可以有效的減小這樣 形成的有源層的面積也減小，從而使得源漏極與柵極之間的寄生電容減小，同時氮化鋅材 料的歐姆接觸性能較好，因此用氮化鋅形成的歐姆接觸層使得源漏極與有源層之間的歐姆 接觸性較好，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效 果差的問題，提高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效 果。
[0099] 本發(fā)明的實施例提供一種顯示基板，該顯示基板包括本發(fā)明的實施例中提供的薄 膜晶體管。
[0100] 本發(fā)明的實施例提供的顯示基板，通過采用氮化鋅材料在有源層與源極之間和有 源層與漏極之間的位置制作歐姆接觸層，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中為了保證薄膜晶體管的性 能必須使得柵極的面積大于有源層的面積，本發(fā)明中由于增加了歐姆接觸層，柵極的面積 相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中柵極的面積極大的減小，進而可以有效的減小這樣形成的有源層的 面積也減小，從而使得源漏極與柵極之間的寄生電容減小，同時氮化鋅材料的歐姆接觸性 能較好，因此用氮化鋅形成的歐姆接觸層使得源漏極與有源層之間的歐姆接觸性較好，解 決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效果差的問題，提 高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效果。
[0101] 本發(fā)明的實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明的實施例提供的顯示 基板。
[0102] 本發(fā)明的實施例提供的顯示裝置，通過采用氮化鋅材料在有源層與源極之間和有 源層與漏極之間的位置制作歐姆接觸層，相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中為了保證薄膜晶體管的性 能必須使得柵極的面積大于有源層的面積，本發(fā)明中由于增加了歐姆接觸層，柵極的面積 相比于現(xiàn)有技術(shù)方案中柵極的面積極大的減小，進而可以有效的減小這樣形成的有源層的 面積也減小，從而使得源漏極與柵極之間的寄生電容減小，同時氮化鋅材料的歐姆接觸性 能較好，因此用氮化鋅形成的歐姆接觸層使得源漏極與有源層之間的歐姆接觸性較好，解 決了現(xiàn)有的薄膜晶體管中的氮氧化鋅材料的有源層與源漏極的歐姆接觸效果差的問題，提 高了有源層與源漏極的歐姆接觸性能。同時，提高了顯示器的畫面的顯示效果。
[0103] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：有源層、源極和漏極，其特征在于，所述薄 膜晶體管還包括：歐姆接觸層，其中： 所述歐姆接觸層設(shè)置在所述有源層與所述源極之間和所述有源層與所述漏極之間的 位置處； 所述歐姆接觸層的材料為氮化鋅。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：柵絕緣層 和柵極，其中： 所述有源層設(shè)置在基板上； 所述柵絕緣層設(shè)置在所述有源層上使得所述有源層部分裸露的位置處； 所述柵極設(shè)置在所述柵絕緣層上與所述柵絕緣層對應的位置處； 所述源極和漏極設(shè)置在所述歐姆接觸層上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述有源層的材料為氮氧化鋅。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：修飾層， 其中： 所述修飾層設(shè)置在所述歐姆接觸層上，且所述修飾層上與所述源極和所述漏極對應的 位置處設(shè)置有過孔； 所述修飾層的材料為金屬或者非金屬氮化物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述有源層的厚度為200?1500人。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述源極和漏極的厚度均為50?100人。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述歐姆接觸層的厚度小于50人。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述修飾層的厚度為30?300人。
9. 一種薄膜晶體管的制作方法，所述方法包括：形成有源層、源極和漏極，其特征在 于，所述方法還包括： 在所述有源層與所述源極之間和所述有源層與所述漏極之間形成歐姆接觸層； 所述歐姆接觸層的材料為氮化鋅。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 采用氮氧化鋅材料在所述基板上形成有源層； 在所述有源層上形成使得所述有源層部分裸露的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成覆蓋所述柵絕緣層的柵極； 在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述有源層與所述源極之間和所 述有源層與所述漏極之間形成歐姆接觸層，包括： 采用金屬氮化物或者非金屬氮化物材料在所述有源層與所述源漏極之間的位置處形 成氮化物薄膜，以便于所述氮化物薄膜中的氮化物與所述有源層中的氮氧化鋅反應形成所 述歐姆接觸層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 通過一次構(gòu)圖工藝形成所述柵絕緣層和所述柵極。
13. -種顯示基板，其特征在在于，所述顯示基板包括權(quán)利要求1?8任一所述的薄膜 晶體管。
14. 一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求13所述的顯示基板。
【文檔編號】H01L29/45GK104362180SQ201410546475
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】辛龍寶, 劉鳳娟 申請人:京東方科技集團股份有限公司