薄膜晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜晶體管，包括柵極、源極和漏極，所述源極和所述漏極并列設(shè)置在所述柵極的上方，所述源極包括第一邊，所述漏極包括第二邊，所述第一邊與所述第二邊相對(duì)設(shè)置，所述第一邊和所述第二邊之間形成溝道。所述第一邊與所述第二邊均呈非直線狀，所述溝道之沿著所述第一邊和所述第二邊的延伸的方向上的尺寸為所述溝道的寬度，在所述溝道的寬度方向上，所述溝道由中間向兩端漸收縮變窄。本發(fā)明能夠使得薄膜晶體管溝道的各部分透光率一致，提高薄膜晶體管的品質(zhì)。
【專利說(shuō)明】
薄膜晶體管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶裝置中的薄膜晶體管元件。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大尺寸TFT-LCD中薄膜晶體管的源極和漏極是平行正對(duì)的設(shè)計(jì)，薄膜晶體管包括柵極(未圖示)、源極20和漏極40，請(qǐng)參閱圖1，源極20和漏極40并列設(shè)于柵極的上方，且源極20和漏極40彼此相對(duì)的邊緣相互平行，也就是說(shuō)源極20和漏極40之間形成直形的溝道60。源極20和漏極40之間有溝道60為半透膜結(jié)構(gòu)，源極20和漏極40區(qū)域均是完全不透光的，溝道60處半透光，溝道60包括溝道寬度W和溝道長(zhǎng)度L。光是從溝道的兩側(cè)照入，由于溝道兩端受光面積大于中間，在曝光后，導(dǎo)致兩端的光阻被曝開(kāi)，形成弧狀，請(qǐng)參閱圖2，此時(shí)溝道60的溝道寬度W變小了，影響了薄膜晶體管的充電率，嚴(yán)重時(shí)，溝道60會(huì)被打穿，也就是溝道寬度W為0，這樣就形成了開(kāi)路，使得薄膜晶體管報(bào)廢。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種薄膜晶體管，在曝光過(guò)程中，能夠改善溝道寬度變小的情況，保證薄膜晶體管的充電率，提高其品質(zhì)。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式提供如下技術(shù)方案:
[0005]本發(fā)明供了一種薄膜晶體管，包括柵極、源極和漏極，所述源極和所述漏極并列設(shè)置在所述柵極的上方，所述源極包括第一邊，所述漏極包括第二邊，所述第一邊與所述第二邊相對(duì)設(shè)置，所述第一邊和所述第二邊之間形成溝道，所述第一邊與所述第二邊均呈非直線狀，所述溝道之沿著所述第一邊和所述第二邊的延伸的方向上的尺寸為所述溝道的寬度，在所述溝道的寬度方向上，所述溝道由中間向兩端漸收縮變窄。
[0006]其中，所述第一邊包括依次連接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段對(duì)稱設(shè)置在所述第二段的兩側(cè)，所述第一段包括連接于所述第二段的連接端和遠(yuǎn)離所述第二段的自由端，所述第一段從所述連接端到所述自由端逐漸靠近所述第二邊。
[0007]其中，所述第二邊與所述第一邊的形狀相同。
[0008]其中，所述第二段呈直線狀。
[0009]其中，所述第一段和所述第三段均呈直線狀，且所述第一段與所述第二段之間的夾角及所述第三段與所述第二段之間的夾角均為鈍角。
[0010]其中，所述第一段和所述第三段均呈弧形，且所述第一段與所述第二段之間及所述第三段與所述第二段之間均呈圓滑過(guò)渡。
[0011]其中，所述溝道之中間部分的溝道長(zhǎng)度為4.5um，所述溝道之兩端的溝道長(zhǎng)度大于
2.5um 且小于 4.5um。
[0012]本發(fā)明通過(guò)將源極和漏極之相對(duì)的邊做修改，即所述第一邊與所述第二邊均呈非直線狀，這樣使得在所述溝道的寬度方向上，所述溝道由中間向兩端漸收縮變窄。在曝光的過(guò)程中，溝道的兩端收縮變窄的設(shè)計(jì)使得薄膜晶體管之溝道兩端處所接受的光能量與中間位置接受的光能量相當(dāng)，即能夠使得薄膜晶體管溝道的各部分透光度一致，提高薄膜晶體管的品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管的源極和漏極的示意圖。
[0015]圖2是圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管在曝光后的情況示意圖。
[0016]圖3是本發(fā)明一種實(shí)施方式提供的薄膜晶體管的示意圖。
[0017]圖4是本發(fā)明一種實(shí)施方式提供的薄膜晶體管的另一示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0019]請(qǐng)參閱圖3和圖4，本發(fā)明供了一種薄膜晶體管100，包括柵極10、源極30和漏極50，所述源極30和所述漏極50并列設(shè)置在所述柵極10的上方。在本實(shí)施例中，柵極10設(shè)置于一基板(未圖不)上。基板為玻璃基板，其亦可由其他材質(zhì)制成，并可為一可撓性基板或一非可撓性基板。柵極10的材質(zhì)例如包含鑰(Mo)或鋁(Al)，其材質(zhì)亦可為其他金屬或金屬化合物或多層組合。
[0020]所述源極30包括第一邊32，所述漏極50包括第二邊52，所述第一邊32與所述第二邊52相對(duì)設(shè)置，所述第一邊32和所述第二邊52之間形成溝道70，所述第一邊32與所述第二邊52均呈非直線狀，所述溝道70之沿著所述第一邊32和所述第二邊52的延伸的方向上的尺寸為所述溝道70的寬度，即圖3中標(biāo)注為W的尺寸，在所述溝道70的寬度方向上，所述溝道70由中間向兩端漸收縮變窄。
[0021]本發(fā)明通過(guò)將源極30和漏極50之相對(duì)的邊(即第一邊32和第二邊52)做修改，即所述第一邊32與所述第二邊52均呈非直線狀，這樣使得在所述溝道70的寬度方向上，所述溝道70由中間向兩端漸收縮變窄。在曝光的過(guò)程中，溝道70的兩端收縮變窄的設(shè)計(jì)使得薄膜晶體管之溝道70兩端處所接受的光能量與中間位置接受的光能量相當(dāng)，即能夠使得薄膜晶體管溝道70的各部分透光度一致，提高薄膜晶體管的品質(zhì)。
[0022]所述第一邊32與所述第二邊52均呈非直線狀的設(shè)計(jì)，具體的實(shí)施方式中，可以將第一邊32及第二邊52設(shè)計(jì)為由多條線段組成，也可以將第一邊32及第二邊52設(shè)計(jì)呈弧形，或者可以將第一邊32及第二邊52設(shè)計(jì)為由直線段和弧形線組成。本發(fā)明不限制第一邊32和第二邊52的具體的形狀，只要能滿足所述第一邊32與所述第二邊52均呈非直線狀，且所述溝道70由中間向兩端漸收縮變窄，即能實(shí)現(xiàn)使得薄膜晶體管溝道70的各部分透光充一致，提聞薄I旲晶體管的品質(zhì)。
[0023]具體而言，如圖4所示，所述第一邊32包括依次連接的第一段322、第二段324和第三段326，所述第一段322和所述第三段326對(duì)稱設(shè)置在所述第二段324的兩側(cè)，所述第一段322包括連接于所述第二段324的連接端和遠(yuǎn)離所述第二段324的自由端，所述第一段322從所述連接端到所述自由端逐漸靠近所述第二邊52。也就是說(shuō)，在所述自由端的位置處，第一邊32和第二邊52之間的距離最小。
[0024]本實(shí)施方式中，所述第二邊52與所述第一邊32的形狀相同。所述第二邊52與所述第一邊32對(duì)稱分布在溝道70的兩側(cè)。
[0025]本實(shí)施方式中，所述第二段324呈直線狀。
[0026]一種實(shí)施方式中，所述第一段322和所述第三段326均呈直線狀，且所述第一段322與所述第二段324之間的夾角及所述第三段326與所述第二段324之間的夾角均為鈍角。
[0027]另一種實(shí)施方式中，所述第一段322和所述第三段326均呈弧形，且所述第一段322與所述第二段324之間及所述第三段326與所述第二段324之間均呈圓滑過(guò)渡。
[0028]具體而言，所述溝道70之中間部分的溝道70長(zhǎng)度為4.5um,所述溝道70之兩端的溝道70長(zhǎng)度大于2.5um且小于4.5um。
[0029]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括柵極、源極和漏極，所述源極和所述漏極并列設(shè)置在所述柵極的上方，所述源極包括第一邊，所述漏極包括第二邊，所述第一邊與所述第二邊相對(duì)設(shè)置，所述第一邊和所述第二邊之間形成溝道，其特征在于，所述第一邊與所述第二邊均呈非直線狀，所述溝道之沿著所述第一邊和所述第二邊的延伸的方向上的尺寸為所述溝道的寬度，在所述溝道的寬度方向上，所述溝道由中間向兩端漸收縮變窄。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一邊包括依次連接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段對(duì)稱設(shè)置在所述第二段的兩側(cè)，所述第一段包括連接于所述第二段的連接端和遠(yuǎn)離所述第二段的自由端，所述第一段從所述連接端到所述自由端逐漸靠近所述第二邊。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二邊與所述第一邊的形狀相同。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二段呈直線狀。
5.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一段和所述第三段均呈直線狀，且所述第一段與所述第二段之間的夾角及所述第三段與所述第二段之間的夾角均為鈍角。
6.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一段和所述第三段均呈弧形，且所述第一段與所述第二段之間及所述第三段與所述第二段之間均呈圓滑過(guò)渡。
7.如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道之中間部分的溝道長(zhǎng)度為4.5um，所述溝道之兩端的溝道長(zhǎng)度大于2.5um且小于4.5um。
【文檔編號(hào)】H01L29/08GK104409509SQ201410558127
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月20日
【發(fā)明者】衣志光 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司