一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池，從下到上依次包括背面Ag電極、背面Al電場、P型硅、N型發(fā)射極、氧化硅層、氮化硅層、正面Ag電極，所述氧化硅層的折射率為2.35-2.45，厚度為1-5nm；所述氮化硅層的折射率為2.10-2.15，厚度為75-85nm。采用本發(fā)明，高折射率氧化硅-高折射率氮化硅的疊加結構可以在提高電池轉換效率的前提下，大幅提高了電池的抗電勢誘導衰減性能。
【專利說明】—種抗電勢誘導衰減的太陽能電池及其制備方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池【技術領域】，尤其涉及一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池及其制備方法。

【背景技術】
[0002]電位誘發(fā)衰減？10 (^01:6111:181 111(11106(1 06^8(181:1011)或稱取3 (把油乂011:叫68^688)是指光伏發(fā)電系統(tǒng)在高伏偏壓下，高溫高濕環(huán)境導致漏電流而引起輸出功率衰減的現象。一些電站實際使用表明，系統(tǒng)電壓似乎存在對晶體硅電池組件有持續(xù)的“電位誘發(fā)衰減”效應，通過封裝材料(通常是狐和玻璃的上表面)對組件邊框形成的回路所導致的漏電流，被確認為是引起上述效應的主要原因。它可以引起一塊組件功率衰減50%以上，從而影響整個電站的功率輸出。
[0003]電勢誘導衰減的原因主要歸結于在高電壓作用下，電池組件的封裝材料-玻璃以及上表面層與下表面層所出現的鈉離子遷移現象:玻璃內部的鈉離子往太陽能電池方向遷移，破壞電池的結，從而導致功率的衰減。目前抗電勢誘導衰減技術的熱點是氧化硅/氮化娃疊層復合膜技術，但是，現有的氧化娃/氮化娃疊層復合膜中，氧化娃層、氮化娃層的折射率均較低。低折射率的氧化硅層和氮化硅層較厚，使得電池的抗電勢誘導衰減性能較差。
[0004]現有技術中也有出現折射率高于2.0的二氧化硅膜，但是，二氧化硅層與其他減反射膜的光學匹配性不是很好，對于阻擋鈉離子的效果不甚理想，電池的抗電勢誘導衰減性能也不是很理想。
[0005]例如:⑶103296094八公開的《一種多晶硅太陽電池減反射膜及其制備方法》，包括三層膜，第一層為二氧化硅膜，第二層為在二氧化硅膜上沉積的氮氧化硅膜，第三層為在氮氧化硅膜上沉積的第二層氮氧化硅膜。其中，所述的二氧化硅厚度度為8-1211111，折射率為2.1-2.3，所述的第一層氮氧化硅厚度度為15-2511111，折射率為1.9-2.0，所述的第二層氮氧化硅厚度度為30-5011111，折射率為1.7-1.9。
[0006]又如心102916058 ^公開的《多晶硅太陽能電池用疊層減折射膜》，該疊層減折射膜從內至外依次為二氧化硅層和氮氧化硅層，其中，二氧化硅層為二氧化硅空心球薄膜，二氧化硅空心球薄膜的折射率為2.05，厚度為18-2011%氮氧化硅薄膜的折射率為1.5-1.8，厚度為 36-4011111。


【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術問題在于，提供一種可以有效阻擋鈉離子，大幅提高電池的抗電勢誘導衰減性能的太陽能電池。
[0008]為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池，從下到上依次包括背面^電極、背面八1電場、？型硅、~型發(fā)射極、氧化硅層、氮化硅層、正面八8電極，所述氧化硅層的折射率為2.35-2.45，厚度為1-511111；所述氮化硅層的折射率為2.10-2.15，厚度為 75-85nm。
[0009]作為上述方案的改進，所述氧化硅層的折射率為2.40-2.45 ；
所述氮化硅層的折射率為2.125-2.15。
[0010]作為上述方案的改進，所述氧化硅層的厚度為l_3nm ；
所述氮化硅層的厚度為75-80nm。
[0011]作為上述方案的改進，所述氧化硅層通過在硅片表面上，使用短波長的UV紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得，其中，反應溫度為50-60°C，氧氣流量為15-25L/min，氮氣流量為 10-20L/min，沉積時間 8_12s。
[0012]作為上述方案的改進，所述氮化硅層通過在硅片正面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4氣體制得。
[0013]作為上述方案的改進，所述氮化硅層的制備在溫度為400-450°C、壓強為1600-2000 mTor、等離子功率為6000-7000 Watt的反應腔內進行，包括:
通入反應氣體NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反應時間200-230 s形成第一層氮化娃薄膜；
改變NH3和SiH4流量，將NH3流量設定為4.5-6.5 slm、將SiH4流量設定為500-800sccm,反應時間390-410s,形成第二層氮化娃薄膜。
[0014]相應的，本發(fā)明還提供一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池的制備方法，包括: 在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進行擴散，形成N型發(fā)射極；
去除擴散過程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波長的UV紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.35-2.45，厚度為l_5nm的氧化硅層，其中，反應溫度為50-60°C，氧氣流量為15_25L/min，氮氣流量為10-20L/min，沉積時間 8_12s ；
在硅片正面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4氣體制得折射率為2.10-2.15，厚度為75-85nm的氮化娃層；
在所述硅片背面形成背面Al電場和背面Ag電極；
在所述硅片正面形成正面Ag電極；
將所述硅片進行燒結。
[0015]作為上述方案的改進，所述氧化硅層的折射率為2.40-2.45 ;所述氮化硅層的折射率為 2.125-2.15。
[0016]作為上述方案的改進，所述氧化硅層的厚度為l_3nm;所述氮化硅層的厚度為75_80nm。
[0017]作為上述方案的改進，所述氮化硅層的制備在溫度為400-450°C、壓強為1600-2000 mTor、等離子功率為6000-7000 Watt的反應腔內進行，包括:
通入反應氣體NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反應時間200-230 s形成第一層氮化娃薄膜；
改變NH3和SiH4流量，將NH3流量設定為4.5-6.5 slm、將SiH4流量設定為500-800sccm,反應時間390-410s,形成第二層氮化娃薄膜。
[0018]實施本發(fā)明，具有如下有益效果: 本發(fā)明提供了一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池，從下到上依次包括背面^電極、背面八1電場、？型硅、^型發(fā)射極、氧化硅層、氮化硅層、正面仏電極，氧化硅層的折射率為2.35-2.45，厚度為1-5110 ；氮化硅層的折射率為2.10-2.15，厚度為75-8511111。本發(fā)明采用二層薄膜(高折射率氧化硅，高折射率氮化硅)的疊加結構，當組件進行測試時，版1+離子穿透玻璃和2乂八向電池片正面運動；由于高折射率氧化硅厚度較薄，發(fā)射結電子可以隧穿高折射率氧化硅，往高折射率氮化硅(3104)減反膜移動；電子和版1+在313隊薄膜中和，從而消除版1—離子。高折射率氧化硅中殘留的011-離子也可中和版1—離子，高折射率氧化硅對電池正面反射率影響較小，具有一定的表面鈍化作用，同時能使得電池效率稍有提高。
[0019]因此，本發(fā)明在提高電池轉換效率的前提下，大幅提高了電池的抗電勢誘導衰減性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明抗電勢誘導衰減的太陽能電池的結構示意圖；
圖2是本發(fā)明抗電勢誘導衰減的太陽能電池的制備方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0021]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述。
[0022]參見圖1，本發(fā)明提供了一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池，從下到上依次包括背面八8電極1、背面八1電場2、？型娃3、^型發(fā)射極4、氧化娃層5、氮化娃層6、正面仏電極7。其中，氧化硅層5、氮化硅層6均設置為高折射率，氧化硅層5的折射率為2.35-2.45，厚度為1-5110 ；氮化硅層6的折射率為2.10-2.15厚度為75-8511111。
[0023]具體的，所述氧化硅層5 的折射率為 2.35,2.36,2.37,2.38,2.39,2.40,2.41、
2.42,2.43,2.44,2.45，但不限于此；更佳的，所述氧化硅層5的折射率為2.40-2.45。光子是透過空氣/氮化硅層/氧化硅層/再進入硅片表面，因此各膜層折射率與厚度必須匹配優(yōu)化，才能達到最佳減反射作用，經仿真分析與實驗結果顯示，氧化硅層5的折射率大于2.45或小于2.35均會影響減反射效果。
[0024]所述氮化硅層6的折射率為2.10,2.11,2.12,2.13,2.14,2.15，但不限于此。更佳的，所述氮化硅層6的折射率為2.125-2.15。光子是透過空氣/氮化硅層/氧化硅層/再進入硅片表面，因此各膜層折射率與厚度必須匹配優(yōu)化，才能達到最佳減反射作用，經仿真分析與實驗結果顯示，氮化硅層6的折射率大于2.15或小于2.10均會影響減反射效果。
[0025]所述氧化娃層5的厚度為1-511111。具體的,所述氧化娃層5的厚度為111111 ?
311111?4 11111、511111，但不限于此。更佳的,所述氧化娃層5的厚度為1-311111。光子是透過空氣/氮化硅層/氧化硅層/再進入硅片表面，因此各膜層折射率與厚度必須匹配優(yōu)化，才能達到最佳減反射作用，經仿真分析與實驗結果顯示，氧化硅層5的厚度大于5=0或小于I！?。。?！均會影響減反射效果。
[0026]所述氮化娃層6的厚度為75-8511111。具體的，所述氮化娃層6的厚度為75 11111 ?76 11111?77 11111?78 11111?79 11111?80 11111?82 11111、8511111，但不限于此。所述氮化娃層 6 的厚度為75-80=1光子是透過空氣/氮化硅層/氧化硅層/再進入硅片表面，因此各膜層折射率與厚度必須匹配優(yōu)化，才能達到最佳減反射作用，經仿真分析與實驗結果顯示，氮化硅層6的厚度大于85nm或小于75nm均會影響減反射效果。
[0027]因此，光子是透過空氣/氮化硅層/氧化硅層/再進入硅片表面，因此各膜層折射率與厚度必須匹配優(yōu)化，才能達到最佳減反射作用，經仿真分析與實驗結果顯示，在本發(fā)明折射率和厚度的范圍之外的，太高或太低均會影響減反射效果。
[0028]進一步，所述高折射率的氧化硅層5通過在硅片表面上，使用短波長的UV紫外線輻射，通入氧氣與氮氣來實現，反應溫度為50-60°C，氧氣流量為15-25L/min，氮氣流量為10-20L/min，沉積時間 8_12s。
[0029]所述高折射率氮化硅層6通過在硅片表面上，使用PECVD方式，通入NH3和SiH4氣體，再與硅片表面形成氮化硅來實現。
[0030]具體的，所述氮化硅層的制備在溫度為400-450°C、壓強為1600-2000 mTor、等離子功率為6000-7000 Watt的反應腔內進行，包括:通入反應氣體NH3 3.5-4.5 slm和SiH4900-1100 sccm,反應時間200-230 s形成第一層氮化硅薄膜；改變NH3和SiH4流量，將NH3流量設定為4.5-6.5 slm、將SiH4流量設定為500-800 sccm,反應時間390_410s，形成第二層氮化娃薄膜。
[0031]需要說明的是，PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n )是指等離子體增強化學氣相沉積。PECVD設備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
[0032]本發(fā)明采用二層薄膜(高折射率氧化硅，高折射率氮化硅)的疊加結構，當組件進行PID測試時，Na+離子穿透玻璃和EVA向電池片正面運動；由于高折射率氧化硅厚度較薄，發(fā)射結電子可以隧穿高折射率氧化硅，往高折射率氮化硅(Si3N4)減反膜移動；電子和Na+在Si3N4薄膜中和，從而消除Na+離子。高折射率氧化硅中殘留的OH-離子也可中和Na+離子，高折射率氧化硅對電池正面反射率影響較小，具有一定的表面鈍化作用，同時能使得電池效率稍有提聞。因此，本發(fā)明在提聞電池轉換效率的如提下，大幅提聞了電池的抗電勢誘導衰減性能。
[0033]相應的，參見圖2，本發(fā)明提供一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池的制備方法，包括:
S101，在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅。
[0034]所述硅片的絨面采用HF和/或HNO3溶液制成，形成理想的絨面結構，降低反射率。
[0035]S102，在所述硅片正面進行擴散，形成N型發(fā)射極。
[0036]N型發(fā)射極可通過熱擴散或者離子注入等方法形成，其中，所述硅片的擴散優(yōu)選采用二氯氧憐。
[0037]S103，去除擴散過程形成的磷硅玻璃。
[0038]去除磷硅玻璃，有利于保證電池的光電轉換效率。
[0039]S104，在硅片正面使用短波長的UV紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.35-2.45,厚度為l_5nm的氧化娃層。
[0040]具體的，反應溫度為50-60°C，氧氣流量為15-25L/min，氮氣流量為10_20L/min，沉積時間8-128。
[0041]經過模擬分析與實驗結果，采用此制備工藝可得到均勻致密的氧化硅薄膜，其具有優(yōu)良的抗？10性能以及較好的表面鈍化效果，可提升電池抗？10能力及轉換效率。若反應溫度、氧氣流量、氮氣流量、沉積時間超出本發(fā)明限定的范圍，所述氧化硅薄膜的性能則較差。
[0042]8105,在硅片正面上，使用方式，通入順3和31?氣體制得折射率為
2.10-2.15，厚度為75-85110的氮化硅層。
[0043]具體的，所述氮化硅層的制備在溫度為400-4501、壓強為1600-2000抓。!'、等離子功率為6000-7000 ^11的反應腔內進行，包括:通入反應氣體順3 3.5-4.5 和31?900-1100 300111,反應時間200-230 8形成第一層氮化硅薄膜；改變見！3和31?流量，將8?流量設定為4.5-6.5 811將31?流量設定為500-800 300111,反應時間390-4108，形成第二層氮化娃薄膜。
[0044]經過模擬分析與實驗結果，采用此制備工藝可得到均勻致密的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜匹配氧化硅薄膜，可得到優(yōu)良的減反射效果以及較好的抗？10能力，提升電池抗？10性能及轉換效率。
[0045]3106，在所述硅片背面形成背面八1電場和背面仏電極。
[0046]3107，在所述硅片正面形成正面仏電極。
[0047]3108，將所述硅片進行燒結。
[0048]下面以具體實施例進一步闡述本發(fā)明實施例1
在硅片正面形成絨面，所述硅片為？型硅；
在所述硅片正面進行擴散，形成~型發(fā)射極；
去除擴散過程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波長的⑶紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.35，厚度為111111的氧化硅層，其中，反應溫度為501，氧氣流量為1517111111，氮氣流量為沉積時間88 ；
在硅片正面上，使用方式，首先通入反應氣體見！3 3.5 81111和31? 900800111,反應時間200 8形成第一層氮化硅薄膜；然后，改變冊！3和31?流量，將冊！3流量設定為4.581111、將31?流量設定為500 800111,反應時間3908，形成第二層氮化娃薄膜,第一層氮化娃薄膜和第二層氮化硅薄膜復合形成折射率為2.10，厚度為75=0的氮化硅層，其中，反應腔內的溫度為4001、壓強為1600抓。!'、等離子功率為60001社七；
在所述硅片背面形成背面八1電場和背面八8電極；
在所述硅片正面形成正面仏電極；
將所述硅片進行燒結。
[0049]實施例2
在硅片正面形成絨面，所述硅片為？型硅；
在所述硅片正面進行擴散，形成~型發(fā)射極；
去除擴散過程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波長的⑶紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.37，厚度為2nm的氧化硅層，其中，反應溫度為52°C，氧氣流量為17L/min，氮氣流量為12L/min，沉積時間9s ；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反應氣體NH3 3.7 slm和SiH4 950 sccm，反應時間205 s形成第一層氮化硅薄膜；然后，改變NH3和SiH4流量，將NH3流量設定為4.8slm、將SiH4流量設定為600 sccm,反應時間400s,形成第二層氮化娃薄膜,第一層氮化娃薄膜和第二層氮化硅薄膜復合形成折射率為2.11，厚度為76nm的氮化硅層，其中，反應腔內的溫度為410°C、壓強為1700 mTor、等離子功率為6200 Watt ；
在所述硅片背面形成背面Al電場和背面Ag電極；
在所述硅片正面形成正面Ag電極；
將所述硅片進行燒結。
[0050]實施例3
在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進行擴散，形成N型發(fā)射極；
去除擴散過程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波長的UV紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.40，厚度為3nm的氧化硅層，其中，反應溫度為55°C，氧氣流量為18L/min，氮氣流量為16L/min，沉積時間1s ；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反應氣體NH3 3.8 slm和SiH4 lOOOsccm，反應時間220 s形成第一層氮化硅薄膜；然后，改變NHjP SiH4流量，將MV流量設定為5 slm、將SiH4流量設定為600 sccm,反應時間400s,形成第二層氮化娃薄膜,第一層氮化娃薄膜和第二層氮化硅薄膜復合形成折射率為2.12，厚度為78nm的氮化硅層，其中，反應腔內的溫度為430°C、壓強為1800mTor、等離子功率為6400 Watt ；
在所述硅片背面形成背面Al電場和背面Ag電極；
在所述硅片正面形成正面Ag電極；
將所述硅片進行燒結。
[0051]實施例4
在硅片正面形成絨面，所述硅片為P型硅；
在所述硅片正面進行擴散，形成N型發(fā)射極；
去除擴散過程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波長的UV紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.42，厚度為4nm的氧化硅層，其中，反應溫度為57°C，氧氣流量為20L/min，氮氣流量為18L/min，沉積時間Ils ；
在硅片正面上，使用PECVD方式，首先通入反應氣體NH3 4.2 slm和SiH4 1000 sccm,反應時間215 s形成第一層氮化硅薄膜；然后，改變NH3和SiH4流量，將MV流量設定為5.5slm、將SiH4流量設定為700 sccm,反應時間405s,形成第二層氮化娃薄膜,第一層氮化娃薄膜和第二層氮化硅薄膜復合形成折射率為2.14，厚度為SOnm的氮化硅層，其中，反應腔內的溫度為420°C、壓強為1900mTor、等離子功率為6800 Watt ；
在所述硅片背面形成背面Al電場和背面Ag電極；
在所述硅片正面形成正面Ag電極； 將所述硅片進行燒結。
[0052]實施例5
在硅片正面形成絨面，所述硅片為？型硅；
在所述硅片正面進行擴散，形成~型發(fā)射極；
去除擴散過程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波長的⑶紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.43，厚度為511111的氧化硅層，其中，反應溫度為581，氧氣流量為2217111111，氮氣流量為沉積時間118 ；
在硅片正面上，使用？方式，首先通入反應氣體見！3 4.3810和31? 1050 8(^111，反應時間2208形成第一層氮化硅薄膜；然后，改變冊！3和31?流量，將冊！3流量設定為6將31?流量設定為700 800111,反應時間4108，形成第二層氮化娃薄膜,第一層氮化娃薄膜和第二層氮化硅薄膜復合形成折射率為2.15，厚度為80=0的氮化硅層，其中，反應腔內的溫度為4401、壓強為1900抓。!'、等離子功率為6900 I社七；
在所述硅片背面形成背面八1電場和背面仏電極；
在所述硅片正面形成正面仏電極；
將所述硅片進行燒結。
[0053]實施例6
在硅片正面形成絨面，所述硅片為？型硅；
在所述硅片正面進行擴散，形成~型發(fā)射極；
去除擴散過程形成的磷硅玻璃；
在硅片正面使用短波長的⑶紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.45，厚度為511111的氧化硅層，其中，反應溫度為601，氧氣流量為2517111111，氮氣流量為沉積時間128 ；
在硅片正面上，使用？方式，首先通入反應氣體見！3 4.5 81111和31? 1100 300111,反應時間230 8形成第一層氮化硅薄膜；然后，改變冊！3和31?流量，將冊！3流量設定為6.581111、將31?流量設定為800 800111,反應時間4108，形成第二層氮化娃薄膜,第一層氮化娃薄膜和第二層氮化硅薄膜復合形成折射率為2.15，厚度為85=0的氮化硅層，其中，反應腔內的溫度為4501、壓強為2000抓。!'、等離子功率為7000 ^11 ；
在所述硅片背面形成背面八1電場和背面仏電極；
在所述硅片正面形成正面仏電極；
將所述硅片進行燒結。
[0054]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池，從下到上依次包括背面^電極、背面八1電場、？型硅4型發(fā)射極、氧化硅層、氮化硅層、正面八8電極，其特征在于，所述氧化硅層的折射率為2.35-2.45，厚度為1-5110 ；所述氮化硅層的折射率為2.10-2.15，厚度為75-85咖。
2.如權利要求1所述的抗電勢誘導衰減的太陽能電池，其特征在于，所述氧化硅層的折射率為2.40-2.45 ； 所述氮化硅層的折射率為2.125-2.15。
3.如權利要求1所述的抗電勢誘導衰減的太陽能電池，其特征在于，所述氧化硅層的厚度為1-311111 ； 所述氮化硅層的厚度為75-8011111。
4.如權利要求1所述的抗電勢誘導衰減的太陽能電池，其特征在于，所述氧化硅層通過在硅片表面上，使用短波長的⑶紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得，其中，反應溫度為50-601，氧氣流量為15-2517111111，氮氣流量為10-2017111111，沉積時間8-128。
5.如權利要求1所述的抗電勢誘導衰減的太陽能電池，其特征在于，所述氮化硅層通過在硅片正面上，使用方式，通入見！3和31?氣體制得。
6.如權利要求5所述的抗電勢誘導衰減的太陽能電池，其特征在于，所述氮化硅層的制備在溫度為400-4501、壓強為1600-2000抓。!'、等離子功率為6000-7000 的反應腔內進行，包括: 通入反應氣體順3 3.5-4.5 810和31? 900-1100 8(^111，反應時間200-230 8形成第一層氮化娃薄膜； 改變順3和31?流量，將順3流量設定為4.5-6.5 811將31?流量設定為500-800800111,反應時間390-4108，形成第二層氮化娃薄膜。
7.一種抗電勢誘導衰減的太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括: 在硅片正面形成絨面，所述硅片為？型硅； 在所述硅片正面進行擴散，形成~型發(fā)射極； 去除擴散過程形成的磷硅玻璃； 在硅片正面使用短波長的⑶紫外線輻射，通入氧氣與氮氣制得折射率為2.35-2.45，厚度為1-511111的氧化硅層，其中，反應溫度為50-601，氧氣流量為15-2517111111，氮氣流量為10-2017111111，沉積時間 8-128 ； 在硅片正面上，使用方式，通入見！3和31?氣體制得折射率為2.10-2.15，厚度為75-8511111的氮化娃層； 在所述硅片背面形成背面八1電場和背面仏電極； 在所述硅片正面形成正面仏電極； 將所述硅片進行燒結。
8.如權利要求7所述的抗電勢誘導衰減的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氧化硅層的折射率為2.40-2.45 ；所述氮化硅層的折射率為2.125-2.15。
9.如權利要求7所述的抗電勢誘導衰減的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氧化娃層的厚度為1-311111 ；所述氮化娃層的厚度為75-8011111。
10.如權利要求7所述的抗電勢誘導衰減的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述氮化硅層的制備在溫度為400-4501、壓強為1600-2000抓。!'、等離子功率為6000-7000Watt的反應腔內進行,包括: 通入反應氣體NH3 3.5-4.5 slm和SiH4 900-1100 sccm，反應時間200-230 s形成第一層氮化娃薄膜； 改變NH3和SiH4流量，將NH3流量設定為4.5-6.5 slm、將SiH4流量設定為500-800sccm,反應時間390-410s,形成第二層氮化娃薄膜。
【文檔編號】H01L31/054GK104393058SQ201410595052
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權日:2014年10月30日
【發(fā)明者】秦崇德, 方結彬, 石強, 黃玉平, 何達能 申請人:廣東愛康太陽能科技有限公司