一種可調(diào)單層電容的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可調(diào)單層電容，其特征是，包括主電容、位于所述主電容周圍的電容調(diào)試塊和連接所述主電容與電容調(diào)試塊的鍵合線；所述電容調(diào)試塊設(shè)置有若干個(gè)電容調(diào)試塊。本發(fā)明所達(dá)到的有益效果：在主電容旁設(shè)置多個(gè)電容調(diào)試塊，可以方便更改單層電容的容值。當(dāng)所需電容值大于主電容的值時(shí)，可以利用鍵合線將電容調(diào)試塊與主電容連接，就可以實(shí)現(xiàn)增加單片電容容值的功能。極大的減少了微波器件與模塊調(diào)試所需的工時(shí)，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。
【專利說明】—種可調(diào)單層電容

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種可調(diào)單層電容，屬于微波器件【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]單層電容是微波器件和微波模組中常用的電容元器件，通常用鍵合線與其他器件連接以實(shí)現(xiàn)射頻匹配與過濾電源雜波的功能。在微波器件與模塊的調(diào)試中需要經(jīng)常改變單層電容的容值。之前主要是替換單層電容，非常耗費(fèi)工時(shí)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種可以實(shí)現(xiàn)增加單片電容容值功能的單層電容。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
一種可調(diào)單層電容，其特征是，包括主電容、位于所述主電容周圍的電容調(diào)試塊和連接所述主電容與電容調(diào)試塊的鍵合線；所述電容調(diào)試塊設(shè)置有若干個(gè)電容調(diào)試塊。
[0005]前述的一種可調(diào)單層電容，其特征是，所述電容調(diào)試塊的容值均不相等。
[0006]前述的一種可調(diào)單層電容，其特征是，所述鍵合線一端連接在主電容上，另一端用于與合適的所述電容調(diào)試塊相連接。
[0007]本發(fā)明所達(dá)到的有益效果:在主電容旁設(shè)置多個(gè)電容調(diào)試塊，可以方便更改單層電容的容值。當(dāng)所需電容值大于主電容的值時(shí)，可以利用鍵合線將電容調(diào)試塊與主電容連接，就可以實(shí)現(xiàn)增加單片電容容值的功能。極大的減少了微波器件與模塊調(diào)試所需的工時(shí)，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中附圖標(biāo)記的含義:
1-主電容，2-電容調(diào)試塊，3-鍵合線。

【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0011]本發(fā)明設(shè)計(jì)的單層電容，包括主電容1、電容調(diào)試塊2和鍵合線3。如圖1，電容調(diào)試塊2分布在主電容I的周圍。電容調(diào)試塊2電容調(diào)試塊設(shè)置有若干個(gè)電容調(diào)試塊2。所有電容調(diào)試塊2的容值均不相等，以便于增加容值時(shí)的選擇，不過也可以對(duì)較為常用的電容調(diào)試塊2多設(shè)置一個(gè)以備用。主電容I和電容調(diào)試塊2均設(shè)置有與鍵合線3相匹配的連接孔。
[0012]鍵合線3—端連接在主電容I上，另一端用于與合適的電容調(diào)試塊2相連接。這樣就可以實(shí)現(xiàn)增加單片電容容值的功能。極大的減少了微波器件與模塊調(diào)試所需的工時(shí)，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。
[0013]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變形，這些改進(jìn)和變形也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種可調(diào)單層電容，其特征是，包括主電容、位于所述主電容周圍的電容調(diào)試塊和連接所述主電容與電容調(diào)試塊的鍵合線；所述電容調(diào)試塊設(shè)置有若干個(gè)電容調(diào)試塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可調(diào)單層電容，其特征是，所述電容調(diào)試塊的容值均不相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可調(diào)單層電容，其特征是，所述鍵合線一端連接在主電容上，另一端用于與合適的所述電容調(diào)試塊相連接。
【文檔編號(hào)】H01G5/38GK104465096SQ201410621730
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月7日
【發(fā)明者】多新中, 陳強(qiáng), 任春嶺, 張復(fù)才, 沈美根 申請(qǐng)人:江蘇博普電子科技有限責(zé)任公司