高效率射頻ldmos器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種射頻LDMOS器件，包括重?fù)诫s漏極，在重?fù)诫s漏極上具有漏極金屬電極；所述漏極金屬電極的底部與重?fù)诫s漏極相接觸并將重?fù)诫s漏極電性引出。本發(fā)明還公開了所述射頻LDMOS器件的制造方法。本發(fā)明的射頻LDMOS器件中，在重?fù)诫s漏極中不再形成漏極金屬硅化物，因此抬高了重?fù)诫s漏極的上表面，并基本不消耗重?fù)诫s漏極的硅。這樣便可以盡量增大柵極金屬硅化物的厚度以減小柵極電阻，而不會影響漏端區(qū)域的功能，從而減小射頻RFLDMOS反向擊穿時漏電流并確保擊穿電壓穩(wěn)定。本發(fā)明的射頻LDMOS器件中，在重?fù)诫s漏極中不再形成漏極金屬硅化物，還可以減小重?fù)诫s漏極的寬度，從而降低源漏電容Cds，提高器件的效率及非線性度。
【專利說明】高效率射頻LDMOS器件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及一種半導(dǎo)體集成電路器件，特別是涉及LDM0S(Lateral DifTused Metal Oxide Semicon化ctor，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 射頻功率器件是半導(dǎo)體微電子集成電路技術(shù)與微波電子技術(shù)融合起來的新一代 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，W其線性度好、增益高、耐壓高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹 配性能好等方面的優(yōu)勢，已經(jīng)成為通信基站、雷達(dá)應(yīng)用的最具競爭力的功率器件。為了滿 足通信基站等應(yīng)用領(lǐng)域不斷提高的標(biāo)準(zhǔn)，射頻LDM0S器件對效率及線性度的要求也越來越 商，
[0003] 請參閱圖1，該是一種現(xiàn)有的射頻LDM0S器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在P型娃襯底1 上具有P型外延層2。在部分的P型外延層2上具有柵氧化層3。柵氧化層3僅將源極金 屬娃化物1化、漏極金屬娃化物11c、襯底金屬電極15d的位置暴露出來。在部分的柵氧化 層3上具有多晶娃柵極4。多晶娃柵極4 一側(cè)下方的P型外延層2中具有n型輕慘雜注入 區(qū)6,多晶娃柵極4另一側(cè)下方的外延層2中具有P型溝道區(qū)7。在n型輕慘雜注入?yún)^(qū)6中 具有n型重慘雜漏極8c。在P型溝道區(qū)7中具有側(cè)面相鄰的n型重慘雜源極8b和P型重 慘雜注入?yún)^(qū)9。在部分的柵氧化層3上具有娃化物阻擋層10。娃化物阻擋層10在多晶娃 柵極4的兩側(cè)形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)，但暴露出金屬娃化物11a、1化、11c和襯底金屬電極15d的位 置。在多晶娃柵極4上具有柵極金屬娃化物11a。在部分的n型重慘雜源極8b和部分的P 型重慘雜注入?yún)^(qū)9上具有源極金屬娃化物1化。在部分的n型重慘雜源漏極8c上具有漏 極金屬娃化物11c。整個射頻LDM0S器件均被金屬前介質(zhì)層12所覆蓋。源極金屬電極15b 貫穿金屬前介質(zhì)層12,底部在源極金屬娃化物Ub的上表面或內(nèi)部。漏極金屬電極15c貫 穿金屬前介質(zhì)層12,底部在漏極金屬娃化物11c的上表面或內(nèi)部。襯底金屬電極15d貫穿 金屬前介質(zhì)層12、娃化物阻擋層10、柵氧化層3、P型重慘雜注入?yún)^(qū)9、P型溝道區(qū)7、P型外 延層2,底部在P型娃襯底1的上表面或內(nèi)部。
[0004] 圖1所示的射頻LDM0S器件中，為了獲得較小的柵極電阻，需要增大柵極金屬娃化 物11a的厚度。但是源極金屬娃化物1化和漏極金屬娃化物11c與柵極金屬娃化物11a是 同時淀積和高溫退火所形成的，如增大柵極金屬娃化物11a的厚度，勢必也將同時增加源 極金屬娃化物1化和漏極金屬娃化物11c的厚度。一旦源極金屬娃化物1化和漏極金屬娃 化物11c的厚度過大，就會大量消耗n型重慘雜源極8b和n型重慘雜漏極8c的娃（金屬 娃化物是由金屬與娃在高溫下反應(yīng)而形成的）。該將導(dǎo)致射頻RFLDM0S反向擊穿時有較大 的漏電流，擊穿電壓也不夠穩(wěn)定，從而導(dǎo)致器件可靠性的降低。
[0005] 請參閱圖2,該是圖1所示的射頻LDM0S器件的部分結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)版圖。圖2中沿 A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)就對應(yīng)著圖1。圖2中P型溝道區(qū)7的設(shè)計(jì)圖形可W與多晶娃柵極4 部分重疊，在形成P型溝道區(qū)7的離子注入時重疊部分受到多晶娃柵極4的阻擋，在離子注 入后的退火時P型溝道區(qū)7的最終圖形會與多晶娃柵極4部分重疊。類似地，n型重慘雜源 極8b的設(shè)計(jì)圖形可W與多晶娃柵極4部分重疊且與源極金屬電極巧b無重疊，在形成n型 重慘雜源極8b的離子注入時重疊部分受到多晶娃柵極4的阻擋，在離子注入后的退火時n 型重慘雜源極8b的最終圖形會與多晶娃柵極4部分重疊且與源極金屬電極巧b部分重疊。 圖1所示的射頻LDMOS器件的漏端區(qū)域中，漏極金屬電極15c的版圖區(qū)域 < 漏極金屬娃化 物11c的版圖區(qū)域< n型重慘雜漏極8c的版圖區(qū)域。一旦漏極金屬娃化物11c的厚度過 大，由于受到與內(nèi)側(cè)的漏極金屬電極15c的套刻規(guī)則、W及與外側(cè)的n型重慘雜漏極8c的 套刻規(guī)則的限制，決定了 n型重慘雜漏極8c的寬度d無法減小。該就使得源漏電容Cd,較 大，從而導(dǎo)致器件的效率及非線性度降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本申請所要解決的技術(shù)問題是提供一種射頻LDM0S器件，具有較高的效率。為此， 本申請還要提供所述射頻LDM0S器件的制造方法。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本申請高效率射頻LDM0S器件包括重慘雜漏極，在重慘雜 漏極上具有漏極金屬電極；所述漏極金屬電極的底部與重慘雜漏極相接觸并將重慘雜漏極 電性引出。
[0008] 本申請高效率射頻LDM0S器件的制造方法包括在重慘雜漏極上形成漏極金屬電 極，并由漏極金屬電極直接將重慘雜漏極電性引出。
[0009] 本申請高效率射頻LDM0S器件中，在重慘雜漏極中不再形成漏極金屬娃化物，因 此不消耗重慘雜漏極的娃，相對現(xiàn)有器件而言抬高了重慘雜漏極的上表面。該樣便可W盡 量增大柵極金屬娃化物的厚度W減小柵極電阻，而不會影響漏端區(qū)域的功能，可W減小射 頻RFLDM0S反向擊穿時漏電流并確保擊穿電壓穩(wěn)定。
[0010] 本申請高效率射頻LDM0S器件中，在重慘雜漏極中不再形成漏極金屬娃化物，因 此將現(xiàn)有器件的H層嵌套結(jié)構(gòu)改為兩層嵌套結(jié)構(gòu)。該可W減小重慘雜漏極的寬度，從而降 低源漏電容Cd,，提高器件的效率及非線性度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1是一種現(xiàn)有的射頻LDM0S器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012] 圖2是圖1所示的射頻LDM0S器件中部分結(jié)構(gòu)的版圖示意圖；
[0013] 圖3是本申請的高效率射頻LDM0S器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014] 圖4是圖3所示的射頻LDM0S器件中部分結(jié)構(gòu)的版圖示意圖；
[0015] 圖5是射頻LDM0S器件的最高效率與工作電壓的關(guān)系曲線（不同工作頻率下）；
[0016] 圖6是射頻LDM0S器件的簡化等效電路圖；
[0017] 圖7a至圖化是本申請的高效率射頻LDM0S器件的制造方法的各步驟示意圖。
[0018] 圖中附圖標(biāo)記說明：
[0019] 1為P型重慘雜娃襯底；2為P型輕慘雜外延層；3為柵氧化層；4為多晶娃柵極；5 為光刻膠；6為n型輕慘雜注入?yún)^(qū)；7為P型溝道區(qū)；8b為n型重慘雜源極；8c為n型重慘 雜漏極；9為P型重慘雜注入?yún)^(qū)；10為娃化物阻擋層；11a為柵極金屬娃化物；1化為源極金 屬娃化物；11c為漏極金屬娃化物；12為金屬前介質(zhì)層；13為下沉式通孔；14b為源極接觸 孔；14c為漏極接觸孔；巧b為源極金屬電極；15c為漏極金屬電極；15d為襯底金屬電極。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 請參閱圖3,該是本申請的射頻LDM0S器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在P型娃襯底1 上具有P型外延層2。在部分的P型外延層2上具有柵氧化層3。柵氧化層3僅將源極金 屬娃化物1化、漏極金屬電極15c、襯底金屬電極15d的位置暴露出來。在部分的柵氧化層 3上具有多晶娃柵極4。多晶娃柵極4 一側(cè)下方的P型外延層2中具有n型輕慘雜注入?yún)^(qū) 6,多晶娃柵極4另一側(cè)下方的外延層2中具有P型溝道區(qū)7。在n型輕慘雜注入?yún)^(qū)6中具 有n型重慘雜漏極8c。在P型溝道區(qū)7中具有側(cè)面相鄰的n型重慘雜源極8b和P型重慘 雜注入?yún)^(qū)9。在部分的柵氧化層3上具有娃化物阻擋層10。娃化物阻擋層10在多晶娃柵 極4的兩側(cè)形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)，但暴露出源極金屬娃化物1化、漏極金屬電極15c和襯底金屬電 極15d的位置。在多晶娃柵極4上具有柵極金屬娃化物11a。在部分的n型重慘雜源極8b 和部分的P型重慘雜注入?yún)^(qū)9上具有源極金屬娃化物1化。整個射頻LDM0S器件均被金屬 前介質(zhì)層12所覆蓋。源極金屬電極巧b貫穿金屬前介質(zhì)層12,底部在源極金屬娃化物11b 的上表面或內(nèi)部。漏極金屬電極15c貫穿金屬前介質(zhì)層12和柵氧化層3,底部在n型重慘 雜漏極8c的上表面或內(nèi)部。襯底金屬電極15d貫穿金屬前介質(zhì)層12、娃化物阻擋層10、柵 氧化層3、P型重慘雜注入?yún)^(qū)9、P型溝道區(qū)7、P型外延層2,底部在P型娃襯底1的上表面 或內(nèi)部。
[0021] W上僅W-個具體實(shí)施例介紹了本申請的高效率射頻LDM0S器件的結(jié)構(gòu)。在此基 礎(chǔ)上基于相同原理可W做出變形，例如將各部分的慘雜類型變?yōu)橄喾吹取?br> [0022] 與圖1所示的現(xiàn)有的射頻LDM0S器件相比，本申請省略了漏極金屬娃化物11c，而 由漏極金屬電極15c直接將n型重慘雜漏極8c對外引出。請參閱4,該是圖3所示的射頻 LDM0S器件的部分結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)版圖。圖4中沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)就對應(yīng)著圖3。圖4中P 型溝道區(qū)7的設(shè)計(jì)圖形可W與多晶娃柵極4部分重疊，在形成P型溝道區(qū)7的離子注入時 重疊部分受到多晶娃柵極4的阻擋，在離子注入后的退火時P型溝道區(qū)7的最終圖形會與 多晶娃柵極4部分重疊。類似地，n型重慘雜源極8b的設(shè)計(jì)圖形可W與多晶娃柵極4部分 重疊且與源極金屬電極巧b無重疊，在形成n型重慘雜源極8b的離子注入時重疊部分受到 多晶娃柵極4的阻擋，在離子注入后的退火時n型重慘雜源極8b的最終圖形會與多晶娃柵 極4部分重疊且與源極金屬電極巧b部分重疊。本申請的射頻LDM0S器件的漏端區(qū)域中， 只需滿足漏極金屬電極15c的版圖區(qū)域< n型重慘雜漏極8c的版圖區(qū)域即可，從而突破了 原有的H層嵌套結(jié)構(gòu)的套刻規(guī)則限制。該樣便可W減小n型重慘雜漏極8c的寬度山從而 降低源漏電容Cd,，提高器件的效率及非線性度。
[0023] 請參閱圖5,該是不同工作頻率下射頻LDM0S器件的工作電壓與最高效率的關(guān)系 圖?？蒞看出在工作電壓大于10V后，工作頻率越高則最高效率越低。
[0024] 請參閱圖6,該是射頻LDM0S器件的簡化等效電路圖。射頻LDM0S器件可可W簡 化等效為H條支路并聯(lián)；第一支路是一個M0S晶體管Q1的源極和漏極；第二支路是串聯(lián)的 源漏電容Cd,和電阻Rp ;第H支路是負(fù)載電阻RiMd。根據(jù)計(jì)算射頻LDM0S器件的效率的經(jīng)驗(yàn) 公式母T = 78,5%x 可知，源漏電容Cd,越小則器件效率越高。本申請的射頻 LDM0S器件正是由于降低了源漏電容Cd,從而提高了器件效率。
[00巧]下面將w-個具體實(shí)施例介紹本申請的高效率LDMOS器件的制造方法。
[0026] 第1步，請參閱圖7a和圖化，在P型娃襯底1上采用外延工藝生長P型外延層2。 在P型外延層2上采用熱氧化工藝生長柵氧化層3。在柵氧化層3上淀積多晶娃4。
[0027] 第2步，請參閱圖7c，采用光刻和干法刻蝕工藝將多晶娃4刻蝕出多晶娃柵極4。 光刻膠5覆蓋在多晶娃柵極4之上。
[0028] 第3步，請參閱圖7d和圖7e，采用光刻和n型離子注入工藝在多晶娃柵極4 一側(cè) 下方的P型外延層2中形成n型輕慘雜注入?yún)^(qū)6,采用光刻和P型離子注入工藝在多晶娃 柵極4另一側(cè)下方的P型外延層2中形成P型溝道區(qū)7,該兩步操作順序可W互換。形成P 型溝道區(qū)7的離子注入能量例如為50keV，P型離子注入劑量例如為1 X 1〇12?1 X 10"離 子每立方厘米。然后進(jìn)行退火，可W是高溫爐退火或快速熱退火（RTA)。
[0029] 第4步，請參閱圖7f和圖7g，采用光刻和n型離子注入工藝在n型輕慘雜注入?yún)^(qū) 6中形成n型重慘雜漏極8c，同時在P型溝道區(qū)7中形成n型重慘雜源極8b，采用光刻和P 型離子注入工藝在P型溝道區(qū)7中形成P型重慘雜注入?yún)^(qū)9。P型重慘雜注入?yún)^(qū)9包含了 部分原本是n型重慘雜源極8b的區(qū)域，因此在P型溝道區(qū)7中P型重慘雜注入?yún)^(qū)9和n型 重慘雜源極8b側(cè)面相接觸。然后進(jìn)行退火，可W是高溫爐退火或快速熱退火（RTA)。
[0030] 第5步，請參閱圖化和圖7i，采用自對準(zhǔn)工藝在多晶娃柵極4上形成柵極金屬娃 化物11a，同時在部分n型重慘雜源極8b和部分P型重慘雜注入?yún)^(qū)9形成源極金屬娃化物 1化。金屬娃化物11a和Ub的厚度例如為1000A。該步驟主要包括；淀積娃化物阻擋層10， 該是諸如氧化娃等介質(zhì)材料；采用干法等離子體刻蝕工藝反刻娃化物阻擋層10,從而在多 晶娃柵極4的兩側(cè)形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)（此時多晶娃柵極4上表面暴露出來）；采用光刻和刻蝕 工藝將準(zhǔn)備形成源極金屬娃化物區(qū)域的娃化物阻擋層10和柵氧化層3去除（此時部分的 n型重慘雜源極8b和部分的P型重慘雜注入?yún)^(qū)9的上表面暴露出來）；淀積用于形成金屬 娃化物的金屬，例如為鐵；進(jìn)行高溫退火，使金屬與娃形成金屬娃化物11a和Ub ;采用濕法 化學(xué)刻蝕工藝去除剩余的金屬。
[0031] 第6步，請參閱圖7 j，淀積金屬前介質(zhì)12覆蓋住所有結(jié)構(gòu)，采用平坦化工藝平整金 屬前介質(zhì)12的上表面。平坦化工藝可W是化學(xué)機(jī)械研磨（CMP)、干法等離子體刻蝕工藝反 刻等。
[0032] 第7步，請參閱圖化和圖3,采用光刻和刻蝕工藝在P型重慘雜注入?yún)^(qū)9的區(qū)域 內(nèi)形成至少一個下沉式通孔13。下沉式通孔13貫穿金屬前介質(zhì)12、娃化物阻擋層10、p型 重慘雜注入?yún)^(qū)9、P型溝道區(qū)7、P型外延層2,底部在P型娃襯底1的上表面或內(nèi)部。采用 光刻和刻蝕工藝在源極金屬娃化物1化上形成至少一個源極接觸孔14b，同時在n型重慘 雜漏極8c上形成至少一個漏極接觸孔14c。源極接觸孔14b的底部在源極金屬娃化物11b 的上表面或內(nèi)部。漏極接觸孔14c的底部在n型重慘雜源漏極8a的上表面或內(nèi)部。形成 下沉式通孔13和接觸孔14b和14c的兩步操作順序可W互換。淀積用于形成金屬電極的 金屬，例如為鶴；再采用平坦化工藝平整金屬的上表面直至與金屬前介質(zhì)層12的上表面齊 平，從而在下沉式通孔13中形成襯底金屬電極15d，同時在源極接觸孔14b中形成源極金屬 電極15b，同時在漏極接觸孔14c中形成漏極金屬電極15c。平坦化工藝可W是化學(xué)機(jī)械研 磨（CMP)、干法等離子體刻蝕工藝反刻等?？蛇x地，在淀積用于形成金屬電極的金屬前，可先 在下沉式通孔13和接觸孔14b和14c中進(jìn)行n型離子注入W降低接觸電阻。
[0033] 為了制造圖1所示的現(xiàn)有的射頻LDMOS器件，需要先在n型重慘雜漏極8c上形成 漏極金屬娃化物11c，再形成漏極金屬電極15c將漏極金屬娃化物11c電性引出。本申請的 高效率射頻LDM0S器件的制造方法與之相比，只需要在n型重慘雜漏極8c上形成漏極金屬 電極15c，由漏極金屬電極15c直接將n型重慘雜漏極8c電性引出。
[0034] W上僅為本申請的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本申請。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來 說，本申請可W有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同 替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種高效率射頻LDMOS器件，包括重慘雜漏極，其特征是，在重慘雜漏極上具有漏極 金屬電極；所述漏極金屬電極的底部與重慘雜漏極相接觸并將重慘雜漏極電性引出。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效率射頻LDM0S器件，其特征是，在娃襯底上具有外延層； 在部分外延層上具有柵氧化層；在部分柵氧化層上具有多晶娃柵極；多晶娃柵極一側(cè)下方 的外延層中具有輕慘雜注入?yún)^(qū)，多晶娃柵極另一側(cè)下方的外延層中具有溝道區(qū)；在輕慘雜 注入?yún)^(qū)中具有重慘雜漏極；在溝道區(qū)中具有側(cè)面接觸的重慘雜源極和重慘雜注入?yún)^(qū)；在部 分柵氧化層上具有娃化物阻擋層；在多晶娃柵極上具有柵極金屬娃化物；在部分重慘雜源 極和重慘雜注入?yún)^(qū)上具有源極金屬娃化物；整個器件均被金屬前介質(zhì)層所覆蓋；源極金屬 電極接觸源極金屬娃化物并將其電性引出；漏極金屬電極接觸n型重慘雜漏極并將其電性 引出；襯底金屬電極接觸娃襯底并將其電性引出； 所述娃襯底、外延層、溝道區(qū)、重慘雜注入?yún)^(qū)為第一慘雜類型； 所述輕慘雜注入?yún)^(qū)、重慘雜漏極、重慘雜源極為第二慘雜類型。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高效率射頻LDM0S器件，其特征是，所述漏極金屬電極的版圖 區(qū)域 < 重慘雜漏極的版圖區(qū)域。
4. 一種高效率射頻LDM0S器件的制造方法，其特征是，包括在重慘雜漏極上形成漏極 金屬電極，并由漏極金屬電極直接將重慘雜漏極電性引出的步驟。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的高效率射頻LDM0S器件的制造方法，其特征是，包括如下步 驟： 第1步，在娃襯底上采用外延工藝生長外延層，在外延層上采用熱氧化工藝生長柵氧 化層，在柵氧化層上淀積多晶娃； 第2步，采用光刻和干法刻蝕工藝將多晶娃刻蝕出多晶娃柵極； 第3步，采用光刻和離子注入工藝在多晶娃柵極一側(cè)下方的外延層中形成輕慘雜注入 區(qū)，采用光刻和離子注入工藝在多晶娃柵極另一側(cè)下方的外延層中形成溝道區(qū)； 第4步，采用光刻和離子注入工藝在輕慘雜注入?yún)^(qū)中形成重慘雜漏極，同時在溝道區(qū) 中形成重慘雜源極，采用光刻和離子注入工藝在溝道區(qū)中形成重慘雜注入?yún)^(qū)，重慘雜注入 區(qū)和重慘雜源極側(cè)面接觸； 第5步，采用自對準(zhǔn)工藝在多晶娃柵極上形成柵極金屬娃化物，同時在部分重慘雜源 極和重慘雜注入?yún)^(qū)上形成源極金屬娃化物； 第6步，淀積金屬前介質(zhì)覆蓋住所有結(jié)構(gòu)，采用平坦化工藝平整金屬前介質(zhì)的上表面； 第7步，采用光刻和刻蝕工藝在重慘雜注入?yún)^(qū)的區(qū)域內(nèi)形成下沉式通孔，下沉式通孔 的底部在娃襯底的上表面或內(nèi)部；采用光刻和刻蝕工藝在源極金屬娃化物上形成源極接觸 孔，同時在重慘雜漏極上形成至少漏極接觸孔；淀積金屬填充下沉式通孔、源極接觸孔和漏 極接觸孔；再采用平坦化工藝平整金屬的上表面直至與金屬前介質(zhì)層的上表面齊平，從而 在下沉式通孔中形成襯底金屬電極，同時在源極接觸孔中形成源極金屬電極，同時在漏極 接觸孔中形成漏極金屬電極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的高效率射頻LDM0S器件的制造方法，其特征是，所述方法第3 步中，形成溝道區(qū)的離子注入能量為50keV，離子注入劑量為1 X 1〇12?1 X 10"離子每立方 厘米。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的高效率射頻LDM0S器件的制造方法，其特征是，所述方法第 5步具體包括；淀積娃化物阻擋層；采用干法等離子體刻蝕工藝反刻娃化物阻擋層，從而在 多晶娃柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)；采用光刻和刻蝕工藝將準(zhǔn)備形成源極金屬娃化物區(qū)域的 娃化物阻擋層和柵氧化層去除；淀積用于形成金屬娃化物的金屬并進(jìn)行高溫退火，使金屬 與娃形成金屬娃化物；采用濕法化學(xué)刻蝕工藝去除剩余的金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高效率射頻LDMOS器件的制造方法，其特征是，所述方法第7 步中，在淀積金屬前先在下沉式通孔和接觸孔中進(jìn)行離子注入W降低接觸電阻。
【文檔編號】H01L21/28GK104465772SQ201410628269
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月10日
【發(fā)明者】徐向明, 遇寒 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司