一種基于soi的硅控整流器esd保護器件結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基于SOI的硅控整流器ESD保護器件結(jié)構(gòu)，包括SOI襯底；所述SOI襯底的頂層硅中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)中形成有P阱及N阱；其中：所述有源區(qū)表面形成有假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)，所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)周圍的有源區(qū)表面形成有金屬硅化物層。本發(fā)明利用假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)有源區(qū)中不同類型重?fù)诫s區(qū)以及阱區(qū)之間的金屬硅化物阻隔，其中，該假柵極可與SOI襯底上其它區(qū)域的正常柵極結(jié)構(gòu)同時制作，從而減少了一層硅化物阻擋層掩膜版，有利于節(jié)約生產(chǎn)成本；制作工藝與SOICMOS工藝完全兼容，具有很強的設(shè)計可行性；本發(fā)明的ESD保護器件結(jié)構(gòu)可以單獨使用，也可以結(jié)合其他外部電路或器件使用，達(dá)到更好的抗ESD保護效果。
【專利說明】—種基于301的硅控整流器60保護器件結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001〕 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，涉及一種基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]￡80 (￡1601:1-0-81:81:10 (11，靜電放電)是一種電荷的快速中和過程。由于靜電電壓很高，230會給集成電路帶來破壞性的后果，造成集成電路的失效。因此，為了保護集成電路免遭230的損害，￡30保護電路同時的設(shè)計于集成電路中，以防止集成電路因受到￡30而損壞。
[0003]隨著半導(dǎo)體工藝制程的日益先進，在X設(shè)計中，￡30保護受到越來越多設(shè)計者的關(guān)注。組成230保護電路的元器件包括電阻￠6810010, 二極管①丨乂一)、三極管
、柵極接地金氧半場效應(yīng)晶體管、柵極耦合金氧半場效應(yīng)晶體管(以麗)35210、娃控整流器(81110011 00111:1-0116(180? 等等。在眾多的 230 防護器件中，硅控整流器(3(?)由于其較低的維持電壓，使得在相同的面積下具有最好的￡30防護能力。
[0004]0108電路為了達(dá)到較低的功耗、較高的速度和集成度、較好的抗輻射性能等而采用301襯底。801襯底由于埋氧層(80?的存在，使得301器件的導(dǎo)熱性較體硅器件變差，大大降低301器件和電路抗￡30保護的能力。并且301器件由于不存在縱向？冊~結(jié)構(gòu)，因此801器件不存在天然的3(^(硅控整流器)結(jié)構(gòu)。目前，801 801？器件較常用的以通03 ((?七661-01111(16(1 16'，柵極接地金屬氧化物半導(dǎo)體)器件具有更高的抗230保護的能力。
[0005]傳統(tǒng)501 30？器件結(jié)構(gòu)通常采用版圖設(shè)計技術(shù)實現(xiàn)。在傳統(tǒng)的301 30？器件設(shè)計中，由于需要阻斷不同摻雜類型有源區(qū)表面金屬硅化物，以避免各區(qū)之間短路，而會多增加一層掩膜版，相應(yīng)的，在301 801？的制備過程中，于金屬娃化物制作之前，需要在各摻雜類型有源區(qū)之間形成掩膜層(通常為光刻膠)，該掩膜層阻斷該區(qū)域金屬硅化物的形成，并在后續(xù)過程中被去除。該掩膜層通常稱為硅化物阻擋層。由于需要額外增加一層掩膜版，使得801 30？的生產(chǎn)成本提高。
[0006]因此，提供一種基于301的新型硅控整流器￡30保護器件結(jié)構(gòu)，以與301 0108工藝兼容，實現(xiàn)良好的抗230保護能力，并降低生產(chǎn)成本，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個重要技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的301 30？在制備時需要額外增加掩膜版，導(dǎo)致生廣成本提聞的問題。
[0008]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，包括自下而上依次為背襯底、埋氧層及頂層硅的301襯底；所述頂層硅中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)中形成有？阱及~阱；其中:
[0009]所述有源區(qū)表面形成有假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)，所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)周圍的有源區(qū)表面形成有金屬硅化物層；
[0010]所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)包括第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線，其中:
[0011]所述第一、第二、第三假柵極線依次平行間隔排列；所述第二假柵極線覆蓋所述？阱與~阱的交界線，所述第一假柵極線外側(cè)自左向右分別形成有第一 ？型重?fù)诫s區(qū)、第三~型重?fù)诫s區(qū)及第二 ？型重?fù)诫s區(qū)；所述第三假柵極線外側(cè)自左向右分別形成有第一 ~型重?fù)诫s區(qū)、第三？型重?fù)诫s區(qū)及第二 ~型重?fù)诫s區(qū)；
[0012]所述第四、第五假柵極線分別垂直連接于所述第一假柵極線外側(cè)，且所述第四假柵極線覆蓋所述第一 ？型重?fù)诫s區(qū)與第三~型重?fù)诫s區(qū)的交界區(qū)域，所述第五假柵極線覆蓋所述第三~型重?fù)诫s區(qū)與第二 ？型重?fù)诫s區(qū)的交界區(qū)域；
[0013]所述第六、第七假柵極線分別垂直連接于所述第三假柵極線外側(cè)，且所述第六假柵極線覆蓋所述第一 ~型重?fù)诫s區(qū)與第三？型重?fù)诫s區(qū)的交界區(qū)域，所述第七假柵極線覆蓋所述第三？型重?fù)诫s區(qū)與第二 ~型重?fù)诫s區(qū)的交界區(qū)域；
[0014]所述第一？型重?fù)诫s區(qū)與第二？型重?fù)诫s區(qū)通過引線相連作為230保護器件的陽極；所述第一 ~型重?fù)诫s區(qū)與第二 ~型重?fù)诫s區(qū)通過引線相連作為230保護器件的陰極；
[0015]所述第三~型重?fù)诫s區(qū)上的金屬硅化物層表面形成有~阱接觸部；所述第三？型重?fù)诫s區(qū)上的金屬硅化物層表面形成有？阱接觸部。
[0016]可選地，所述頂層硅為？型摻雜層，所述頂層硅的部分區(qū)域直接作為所述？阱。
[0017]可選地，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線均包括柵氧化層、形成于柵氧化層上的多晶硅層及形成于所述柵氧化層及多晶硅層兩側(cè)的側(cè)墻。
[0018]可選地，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線均電懸空。
[0019]可選地，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線均接地。
[0020]可選地，所述？阱接觸部或~阱接觸部作為外部電路或器件的觸發(fā)點。
[0021]可選地，所述外部電路或器件包括二極管、以通03或％觸發(fā)網(wǎng)絡(luò)中的至少一種。
[0022]可選地，所述？阱接觸部與所述陽極相連，所述~阱接觸部與所述陰極相連。
[0023]可選地，位于所述第一、第二及第三假柵極線的間隔中的？阱表面及~阱表面也形成有金屬娃化物層。
[0024]可選地，所述金屬硅化物為鑰硅化物、鎳硅化物或鈦硅化物。
[0025]如上所述，本發(fā)明的基于301的硅控整流器￡30保護器件結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:(1)本發(fā)明中采用假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)，利用假柵極((111.7側(cè)墻形成的自然隔離結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)有源區(qū)中不同類型重?fù)诫s區(qū)以及阱區(qū)之間的金屬硅化物阻隔，其中，該假柵極可與301襯底上其它區(qū)域的正常柵極結(jié)構(gòu)同時制作，從而減少了一層硅化物阻擋層掩膜版，有利于節(jié)約生產(chǎn)成本；(2)本發(fā)明與301 0103工藝完全兼容，具有很強的設(shè)計可行性；(3)本發(fā)明對于深亞微米級或納米級的工藝更具吸引力；(4)本發(fā)明的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)可以單獨使用，也可以結(jié)合其他外部電路或器件使用，達(dá)到更好的抗230保護效果，從而可以應(yīng)用于多種301 280保護電路的設(shè)計。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1顯示為本發(fā)明的基于301的硅控整流器￡30保護器件結(jié)構(gòu)的俯視布局示意圖。
[0027]圖2顯示為本發(fā)明的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)中假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)的俯視布局示意圖。
[0028]圖3顯示為圖1中有源區(qū)部分的六-八向剖視圖。
[0029]圖4顯示為圖1中有源區(qū)部分的8-8向剖面圖。
[0030]元件標(biāo)號說明
[0031]1背襯底
[0032]2埋氧層
[0033]3有源區(qū)
[0034]4？阱
[0035]5X 阱
[0036]6假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)
[0037]601第一假柵極線
[0038]602第二假柵極線
[0039]603第三假柵極線
[0040]604第四假柵極線
[0041]605第五假柵極線
[0042]606第六假柵極線
[0043]607第七假柵極線
[0044]7金屬硅化物層
[0045]8第一 ？型重?fù)诫s區(qū)
[0046]9第二 ？型重?fù)诫s區(qū)
[0047]10第三？型重?fù)诫s區(qū)
[0048]11第一 X型重?fù)诫s區(qū)
[0049]12第二 X型重?fù)诫s區(qū)
[0050]13第三X型重?fù)诫s區(qū)
[0051]14?阱接觸部
[0052]15？阱接觸部
[0053]16柵氧化層
[0054]17多晶硅層
[0055]18側(cè)墻
[0056]61?阱接觸端
[0057]62？阱接觸端
[0058]1叱陰極和陽極之間的間距

【具體實施方式】
[0059]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。
[0060]請參閱圖1至圖4。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0061]本發(fā)明提供一種基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，請參閱圖1至圖4，其中，圖1顯示為本發(fā)明的基于301的硅控整流器￡30保護器件結(jié)構(gòu)的俯視布局示意圖，圖2顯示為所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)的俯視布局示意圖，圖3顯示為圖1中有源區(qū)部分的八-八向剖視圖，圖4顯示為圖1中有源區(qū)部分的8-8向剖面圖。如圖所示，所述基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)包括自下而上依次為背襯底1、埋氧層2及頂層硅的301襯底；所述頂層硅中定義有有源區(qū)3，所述有源區(qū)中形成有？阱4及~阱5 ；其中:所述有源區(qū)表面形成有假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)6，所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)6周圍的有源區(qū)表面形成有金屬娃化物層7。
[0062]本實施例中，301襯底的頂層硅本身為？型摻雜層，因此所述頂層硅的部分區(qū)域直接作為所述？阱4，而不用像所述?阱5 —樣額外進行阱注入。
[0063]所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)6包括第一假柵極線601、第二假柵極線602、第三假柵極線603、第四假柵極線604、第五假柵極線605、第六假柵極線606及第七假柵極線607，其中:
[0064]所述第一假柵極線601、第二假柵極線602及第三假柵極線603依次平行間隔排列；所述第二假柵極線602覆蓋所述？阱4與~阱5的交界線，所述第一假柵極線601外側(cè)自左向右分別形成有第一 ？型重?fù)诫s區(qū)8、第三~型重?fù)诫s區(qū)13及第二 ？型重?fù)诫s區(qū)9 ；所述第三假柵極線603外側(cè)自左向右分別形成有第一 ~型重?fù)诫s區(qū)11、第三？型重?fù)诫s區(qū)10及第二?型重?fù)诫s區(qū)12 ；
[0065]所述第四假柵極線604及第五假柵極線605分別垂直連接于所述第一假柵極線601外側(cè)，且所述第四假柵極線604覆蓋所述第一 ？型重?fù)诫s區(qū)8與第三~型重?fù)诫s區(qū)13的交界區(qū)域，所述第五假柵極線605覆蓋所述第三~型重?fù)诫s區(qū)13與第二 ？型重?fù)诫s區(qū)9的交界區(qū)域；
[0066]所述第六假柵極線606及第七假柵極線607分別垂直連接于所述第三假柵極線603外側(cè)，且所述第六假柵極線606覆蓋所述第一 ~型重?fù)诫s區(qū)11與第三？型重?fù)诫s區(qū)10的交界區(qū)域，所述第七假柵極線607覆蓋所述第三？型重?fù)诫s區(qū)10與第二 ~型重?fù)诫s區(qū)12的交界區(qū)域。
[0067]具體的，在230保護器件結(jié)構(gòu)的制作過程中，各重?fù)诫s區(qū)于所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)6制作完畢之后形成。
[0068]具體的，所述第一 ？型重?fù)诫s區(qū)8與第二 ？型重?fù)诫s區(qū)9通過引線相連作為230保護器件的陽極；所述第一 ~型重?fù)诫s區(qū)11與第二 ~型重?fù)诫s區(qū)12通過引線相連作為230保護器件的陰極。
[0069]所述第三~型重?fù)诫s區(qū)13上的金屬硅化物層表面形成有~阱接觸部14 ；所述第三？型重?fù)诫s區(qū)10上的金屬硅化物層表面形成有？阱接觸部15，所述~阱接觸部14與？阱接觸部15分別具有一 ~阱接觸端以及？阱接觸端似。當(dāng)然，所述第一 ？型重?fù)诫s區(qū)8、第二 ？型重?fù)诫s區(qū)9、第一 ~型重?fù)诫s區(qū)11及第二 ~型重?fù)诫s區(qū)12上的金屬硅化物層表面也形成有接觸部(未標(biāo)號)，用于引出引線。
[0070]具體的，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線均包括柵氧化層
16、形成于柵氧化層16上的多晶硅層17及形成于所述柵氧化層16及多晶硅層17兩側(cè)的側(cè)墻18。
[0071]其中，所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)6可與301襯底上其它區(qū)域的正常柵極結(jié)構(gòu)同時制作，從而相對于現(xiàn)有技術(shù)減少了一層硅化物阻擋層掩膜版，有利于節(jié)約生產(chǎn)成本；且與3010103工藝完全兼容，具有很強的設(shè)計可行性。
[0072]所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)6可以將230保護器件的陽極和陰極以及~阱和？阱之間的金屬硅化物進行阻擋，以避免在器件正常工作下陽極和陰極之間短路。實際上，在所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)6中，主要是利用假柵極側(cè)墻形成的自然隔離結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)有源區(qū)中不同類型重?fù)诫s區(qū)以及阱區(qū)之間的金屬硅化物阻隔。
[0073]圖3中示出了陰極和陽極之間的間距、，其最小值約為31.+21^.，其中，為工藝最小柵長，135306為最小柵間距，隨著工藝節(jié)點的減小，最小的也可以達(dá)到更小的尺寸。從而本發(fā)明對于深亞微米級或納米級的工藝更具吸引力。當(dāng)然，為了減小301 30？器件在電路正常工作下的泄露電流(靜態(tài)功耗)以及使30？觸發(fā)后的保持電壓不至于過低，
避免采用最小尺寸。
[0074]需要指出的是，本發(fā)明的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)中，？阱4與~阱5的交界區(qū)域設(shè)置有三條平行間隔排列的假柵極線:第一假柵極線601、第二假柵極線602及第三假柵極線603。相對于僅采用一條較寬的假柵極線，本發(fā)明采用三條假柵極線的設(shè)置可以有效避免形成不必要的0103管導(dǎo)通，從而防止230保護器件結(jié)構(gòu)失效。以圖4所示區(qū)域為例，若僅采用一條較寬的假柵極線(未示出)，該較寬的假柵極覆蓋所述第二 ？型重?fù)诫s層9與所述第二 ~型重?fù)诫s層12之間的區(qū)域，則當(dāng)該較寬的假柵極上有意或無意接入電信號時，其下左側(cè)的管(第二？型重?fù)诫s層94阱5-？阱4)或右側(cè)的冊X管⑶阱5-？阱4-第二 ~型重?fù)诫s層12)可能導(dǎo)通，導(dǎo)致電路失效。而本發(fā)明中采用間隔設(shè)置的三條假柵極線，可以有效避免該問題。
[0075]此外，位于所述第一假柵極線601、第二假柵極線602及第三假柵極線603的間隔中的？阱4表面及~阱5表面也可以形成有金屬硅化物層7，由于金屬硅化層被三條假柵極線隔斷，因此不會引起短路，對230保護器件的性能無不良影響。同時，各假柵級的多晶硅層上方同樣可形成有金屬硅化物層(未圖示)，但是由于側(cè)墻上沒有金屬硅化物，因此，即使多晶硅層上方有金屬硅化物，也能和其他有源區(qū)的金屬硅化物阻斷，從而亦不會對230保護器件的性能產(chǎn)生不良影響。
[0076]所述金屬硅化物7可采用鑰硅化物、鎳硅化物或鈦硅化物等，制作方法為:在形成所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)6之后，在器件表面蒸鍍鈷(⑶“匕)、鎳或鈦(1:11:811111111)金屬，并進行熱處理，形成金屬娃化物層，并選擇性腐蝕掉多余的金屬。
[0077]在本發(fā)明的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)的使用過程中，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線可以均保持電懸空，也可以均接地。
[0078]另外，本發(fā)明的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)可以單獨使用來進行抗280保護，這種形式中，所述？阱接觸部15與所述陽極相連，所述~阱接觸部14與所述陰極相連。
[0079]本發(fā)明的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)也可以與其它外部電路或器件結(jié)合，從而設(shè)計成其它的保護網(wǎng)絡(luò)以達(dá)到更高的設(shè)計要求，達(dá)到更好的抗230保護效果。這種形式中，所述？阱接觸部15或~阱接觸部14作為外部電路或器件的觸發(fā)點。所述外部電路或器件包括二極管、以通03或％觸發(fā)網(wǎng)絡(luò)中的至少一種。因此，本發(fā)明可以應(yīng)用于多種301 ￡30保護電路的設(shè)計，具有廣泛的應(yīng)用前景。
[0080]需要指出的是，在實際應(yīng)用中，￡30保護器件結(jié)構(gòu)可以根據(jù)需求采用多叉指結(jié)構(gòu)，以增加器件的總寬度，即將圖1所示有源區(qū)區(qū)域在水平面的縱向上復(fù)制或鏡像復(fù)制至少一次，形成多個單元，相鄰單元之間共用？阱或~阱，各單元之間并聯(lián)。同時，每個叉指結(jié)構(gòu)可采用多個~阱和？阱的觸發(fā)點，相應(yīng)的，需要增加縱向上的假柵極線數(shù)量，即將圖1所示有源區(qū)區(qū)域在水平面的橫向上復(fù)制至少一次。此處不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護范圍。
[0081]綜上所述，本發(fā)明的基于301的硅控整流器￡30保護器件結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:(1)本發(fā)明中采用假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)，利用假柵極((111.7側(cè)墻形成的自然隔離結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)有源區(qū)中不同類型重?fù)诫s區(qū)以及阱區(qū)之間的金屬硅化物阻隔，其中，該假柵極可與301襯底上其它區(qū)域的正常柵極結(jié)構(gòu)同時制作，從而減少了一層硅化物阻擋層掩膜版，有利于節(jié)約生產(chǎn)成本；(2)本發(fā)明與301 0103工藝完全兼容，具有很強的設(shè)計可行性；(3)本發(fā)明對于深亞微米級或納米級的工藝更具吸引力；(4)本發(fā)明的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)可以單獨使用，也可以結(jié)合其他外部電路或器件使用，達(dá)到更好的抗230保護效果，從而可以應(yīng)用于多種301 ￡30保護電路的設(shè)計。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0082]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種基于301的硅控整流器￡30保護器件結(jié)構(gòu)，包括自下而上依次為背襯底、埋氧層及頂層硅的301襯底；所述頂層硅中定義有有源區(qū)，所述有源區(qū)中形成有？阱及~阱；其特征在于: 所述有源區(qū)表面形成有假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)，所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)周圍的有源區(qū)表面形成有金屬硅化物層； 所述假柵極型硅化物隔離結(jié)構(gòu)包括第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線，其中: 所述第一、第二、第三假柵極線依次平行間隔排列；所述第二假柵極線覆蓋所述？阱與^阱的交界線，所述第一假柵極線外側(cè)自左向右分別形成有第一 ？型重?fù)诫s區(qū)、第三~型重?fù)诫s區(qū)及第二 ？型重?fù)诫s區(qū)；所述第三假柵極線外側(cè)自左向右分別形成有第一 ~型重?fù)诫s區(qū)、第三？型重?fù)诫s區(qū)及第二 ~型重?fù)诫s區(qū)； 所述第四、第五假柵極線分別垂直連接于所述第一假柵極線外側(cè)，且所述第四假柵極線覆蓋所述第一 ？型重?fù)诫s區(qū)與第三~型重?fù)诫s區(qū)的交界區(qū)域，所述第五假柵極線覆蓋所述第三~型重?fù)诫s區(qū)與第二 ？型重?fù)诫s區(qū)的交界區(qū)域； 所述第六、第七假柵極線分別垂直連接于所述第三假柵極線外側(cè)，且所述第六假柵極線覆蓋所述第一 ~型重?fù)诫s區(qū)與第三？型重?fù)诫s區(qū)的交界區(qū)域，所述第七假柵極線覆蓋所述第三？型重?fù)诫s區(qū)與第二 ~型重?fù)诫s區(qū)的交界區(qū)域； 所述第一 ？型重?fù)诫s區(qū)與第二 ？型重?fù)诫s區(qū)通過引線相連作為230保護器件的陽極；所述第一 ~型重?fù)诫s區(qū)與第二 ~型重?fù)诫s區(qū)通過引線相連作為230保護器件的陰極； 所述第三~型重?fù)诫s區(qū)上的金屬硅化物層表面形成有~阱接觸部；所述第三？型重?fù)诫s區(qū)上的金屬硅化物層表面形成有？阱接觸部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述頂層硅為？型摻雜層，所述頂層硅的部分區(qū)域直接作為所述？阱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線均包括柵氧化層、形成于柵氧化層上的多晶硅層及形成于所述柵氧化層及多晶硅層兩側(cè)的側(cè)墻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線均電懸空。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七假柵極線均接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述？阱接觸部或~阱接觸部作為外部電路或器件的觸發(fā)點。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于301的硅控整流器￡30保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述外部電路或器件包括二極管、以通03或％觸發(fā)網(wǎng)絡(luò)中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述？阱接觸部與所述陽極相連，所述~阱接觸部與所述陰極相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于301的硅控整流器230保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:位于所述第一、第二及第三假柵極線的間隔中的？阱表面及~阱表面也形成有金屬硅化物層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于301的硅控整流器￡30保護器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所 述金屬硅化物為鑰硅化物、鎳硅化物或鈦硅化物。
【文檔編號】H01L27/02GK104392992SQ201410738258
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月5日
【發(fā)明者】寧冰旭, 張正選, 胡志遠(yuǎn), 鄒世昌 申請人:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所