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      使用壽命長的太陽能電池板的制作方法

      文檔序號:7065584閱讀:466來源:國知局
      使用壽命長的太陽能電池板的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開一種使用壽命長的太陽能電池板,所述的使用壽命長的太陽能電池板包括最上層的光伏材料層、中間層的保護(hù)膜層和最下層的基層組合而成,所述光伏材料層為砷化鎵,所述保護(hù)膜層為聚氟乙烯復(fù)合膜,所述的光伏材料層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的32%-34%,所述的保護(hù)膜層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的24%-28%,所述的基層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的39%-43%。本發(fā)明提供一種使用壽命長的太陽能電池板,具有光電轉(zhuǎn)換效率高、成本低和使用壽命長優(yōu)點(diǎn)。
      【專利說明】使用壽命長的太陽能電池板

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001 ] 本發(fā)明涉及一種使用壽命長的太陽能電池板。

      【背景技術(shù)】
      [0002]當(dāng)如,晶體娃材料(包括多晶娃和單晶娃)是最主要的光伏材料,其市場占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中,形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。多晶硅的需求主要來自于半導(dǎo)體和太陽能電池。按純度要求不同,分為電子級和太陽能級。其中,用于電子級多晶娃占55%左右,太陽能級多晶娃占45%,隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展,預(yù)計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。1994年全世界太陽能電池的總產(chǎn)量只有69MW,而2004年就接近1200MW,在短短的10年里就增長了 17倍。專家預(yù)測太陽能光伏產(chǎn)業(yè)在二十一世紀(jì)前半期將超過核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。太陽能電池板的使用壽命由電池片,鋼化玻璃,EVA, TPT等的材質(zhì)決定,一般會用好一點(diǎn)材料的廠家做出來的電池板使用壽命可以達(dá)到25年,但隨著環(huán)境的影響,太陽能電池板的材料會隨著時間的變化而老化。一般情況下用到20年功率會衰減30%,用到25年功率會衰減70%。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明提供一種具有光電轉(zhuǎn)換效率高、成本低和使用壽命長優(yōu)點(diǎn)的使用壽命長的太陽能電池板。
      [0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種使用壽命長的太陽能電池板,所述的使用壽命長的太陽能電池板包括最上層的光伏材料層、中間層的保護(hù)膜層和最下層的基層組合而成,所述光伏材料層為砷化鎵,所述保護(hù)膜層為聚氟乙烯復(fù)合膜,所述的光伏材料層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的32%-34%,所述的保護(hù)膜層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的24%-28%,所述的基層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的39%-43%。
      [0005]在本發(fā)明一個較佳實施例中,所述基層為鋼化玻璃。
      [0006]在本發(fā)明一個較佳實施例中,所述的光伏材料層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的32%,所述的保護(hù)膜層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的26%,所述的基層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的42%。
      [0007]本發(fā)明的一種使用壽命長的太陽能電池板,具有光電轉(zhuǎn)換效率高、成本低和使用壽命長優(yōu)點(diǎn)。

      【具體實施方式】
      [0008]下面對本發(fā)明的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
      [0009]其中,所述的使用壽命長的太陽能電池板包括最上層的光伏材料層、中間層的保護(hù)膜層和最下層的基層組合而成,所述光伏材料層為砷化鎵,所述保護(hù)膜層為聚氟乙烯復(fù)合膜,所述的光伏材料層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的32%-34%,所述的保護(hù)膜層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的24%-28%,所述的基層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的39%-43%。
      [0010]進(jìn)一步說明,所述基層為鋼化玻璃,所述的光伏材料層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的32%,所述的保護(hù)膜層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的26%,所述的基層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的42%。光伏材料能產(chǎn)生電流是因為光生伏特效應(yīng),即如果光線照射在太陽能電池上并且光在界面層被吸收,具有足夠能量的光子能夠在P型硅和N型硅中將電子從共價鍵中激發(fā),以致產(chǎn)生電子一空穴對。界面層附近的電子和空穴在復(fù)合之前,將通過空間電荷的電場作用被相互分離。電子向帶正電的N區(qū)和空穴向帶負(fù)電的P區(qū)運(yùn)動。通過界面層的電荷分離,將在P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生一個向外的可測試的電壓。此時可在硅片的兩邊加上電極并接入電壓表。對晶體硅太陽能電池來說,開路電壓的典型數(shù)值為0.5?0.6V。通過光照在界面層產(chǎn)生的電子一空穴對越多,電流越大。界面層吸收的光能越多,界面層即電池面積越大,在太陽能電池中形成的電流也越大。砷化鎵一種重要的半導(dǎo)體材料。屬III一 V族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65父10-10111,熔點(diǎn)12371:,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、Y光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5?6倍,故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外,還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件——體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中,兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小,導(dǎo)熱性差,不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能,但由于它在高溫下分解,故要生產(chǎn)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料,技術(shù)上要求比較高。
      [0011]在進(jìn)一步說明,聚氟乙烯復(fù)合膜至少應(yīng)該有三層結(jié)構(gòu):外層保護(hù)層PVF具有良好的抗環(huán)境侵蝕能力,中間層為聚脂薄膜具有良好的絕緣性能,內(nèi)層PVF需經(jīng)表面處理和EVA具有良好的粘接性能。封裝用Tedlar必須保持清潔,不得沾污或受潮,特別是內(nèi)層不得用手指直接接觸,以免影響EVA的粘接強(qiáng)度。太陽電池的背面覆蓋物一氟塑料膜為白色,對陽光起反射作用,因此對組件的效率略有提高,并因其具有較高的紅外發(fā)射率,還可降低組件的工作溫度,也有利于提高組件的效率。當(dāng)然,此氟塑料膜首先具有太陽電池封裝材料所要求的耐老化、耐腐蝕、不透氣等基本要求。本發(fā)明提供一種使用壽命長的太陽能電池板,具有光電轉(zhuǎn)換效率高、成本低和使用壽命長優(yōu)點(diǎn)。
      [0012]本發(fā)明的【具體實施方式】,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種使用壽命長的太陽能電池板,其特征在于:所述的使用壽命長的太陽能電池板包括最上層的光伏材料層、中間層的保護(hù)膜層和最下層的基層組合而成,所述光伏材料層為砷化鎵,所述保護(hù)膜層為聚氟乙烯復(fù)合膜,所述的光伏材料層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的32%-34%,所述的保護(hù)膜層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的24%-28%,所述的基層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的39%-43%。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用壽命長的太陽能電池板,其特征在于:所述基層為鋼化玻璃。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用壽命長的太陽能電池板,其特征在于:所述的光伏材料層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的32%,所述的保護(hù)膜層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的26%,所述的基層占使用壽命長的太陽能電池板總體分量的42%。
      【文檔編號】H01L31/049GK104465839SQ201410808772
      【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月23日
      【發(fā)明者】施旸 申請人:蘇州費(fèi)米光電有限公司
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