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      用于芯片操作的機(jī)臺(tái)、系統(tǒng)以及方法

      文檔序號(hào):7065664閱讀:697來(lái)源:國(guó)知局
      用于芯片操作的機(jī)臺(tái)、系統(tǒng)以及方法
      【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及用于芯片操作的機(jī)臺(tái)、系統(tǒng)以及方法。一種機(jī)臺(tái)包括:平臺(tái);U形突起,其位于所述平臺(tái)之上,在所述U形突起的外側(cè)周?chē)O(shè)置有至少一個(gè)通氣孔;凹槽,其至少部分地位于所述U形突起之內(nèi);滑板,其設(shè)置于所述凹槽中并可受控沿著垂直于所述平臺(tái)表面的第一方向或平行于所述平臺(tái)表面的第二方向移動(dòng)。本發(fā)明的至少部分方案中,U形突起與芯片的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。本發(fā)明的至少部分方案中,滑板刮過(guò)芯片的下表面,漸進(jìn)式的動(dòng)作也降低了集中產(chǎn)生應(yīng)力而造成芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。
      【專(zhuān)利說(shuō)明】用于芯片操作的機(jī)臺(tái)、系統(tǒng)以及方法

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明大體上涉及芯片封裝。

      【背景技術(shù)】
      [0002]在芯片封裝過(guò)程中,根據(jù)制程的不同,可能包括將芯片與膠膜分離的工序。
      [0003]圖1示出了一種現(xiàn)有技術(shù)的示意圖。如圖所示,膠膜160粘附于相鄰的芯片150、151和152的下表面,例如但不限于位于一個(gè)操作平臺(tái)上。頂針121和122從下方將芯片150頂起,芯片151和152保持不動(dòng),膠膜160由于兩側(cè)的牽扯而從芯片150的邊緣剝離。因?yàn)轫斸樑c芯片接觸處應(yīng)力較高,容易導(dǎo)致芯片的破裂。在芯片日益小型化的趨勢(shì)下,該技術(shù)更容易造成芯片的破裂。
      [0004]因此,需要新的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片與膠膜的分離。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,揭示了一種用于芯片操作的機(jī)臺(tái),其特征在于,該機(jī)臺(tái)包括:平臺(tái)山形突起,其位于所述平臺(tái)之上,在所述I形突起的外側(cè)周?chē)O(shè)置有至少一個(gè)通氣孔;凹槽,其至少部分地位于所述V形突起之內(nèi);滑板,其設(shè)置于所述凹槽中并可受控沿著垂直于所述平臺(tái)表面的第一方向及平行于所述平臺(tái)表面的第二方向移動(dòng)。
      [0006]在上述機(jī)臺(tái)的一個(gè)具體實(shí)施例中,所述凹槽從所述II形突起的開(kāi)口處延伸到所述平臺(tái)的邊緣。
      [0007]在上述機(jī)臺(tái)的一個(gè)具體實(shí)施例中,機(jī)臺(tái)還包括設(shè)置于所述凹槽中靠近所述平臺(tái)的邊緣一側(cè)的楔形突起,所述滑板在所述第二方向移動(dòng)時(shí)其一側(cè)可經(jīng)由所述楔形突起的坡面抬高而使得所述滑板再次保持水平。
      [0008]在上述機(jī)臺(tái)的一個(gè)具體實(shí)施例中,所述V形突起經(jīng)配置為在初始狀態(tài)下承托待分離的芯片與膠膜。
      [0009]在上述機(jī)臺(tái)的一個(gè)具體實(shí)施例中,所述V形突起所包圍的面積在所述待分離的芯片的面積的60?90%的范圍之內(nèi)。
      [0010]在上述機(jī)臺(tái)的一個(gè)具體實(shí)施例中,所述V形突起所包圍的面積在所述待分離的芯片的面積的70?80%的范圍之內(nèi)。
      [0011]在上述機(jī)臺(tái)的一個(gè)具體實(shí)施例中,機(jī)臺(tái)還包括設(shè)置于所述I形突起內(nèi)側(cè)的至少一個(gè)通氣孔。
      [0012]在上述機(jī)臺(tái)的一個(gè)具體實(shí)施例中,所述II形突起為非連續(xù)的。
      [0013]在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中,揭示了一種用于分離芯片與膠膜的系統(tǒng),該系統(tǒng)包括前述的機(jī)臺(tái)以及與所述I形突起配合使用以吸住芯片的吸嘴。
      [0014]在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中,揭示了一種用于芯片操作的方法,其特征在于,所述方法包括:經(jīng)由I形突起承托待分離的芯片與膠膜;經(jīng)由吸嘴從上方吸住所述芯片;經(jīng)由設(shè)置于所述V形突起外側(cè)周?chē)闹辽僖粋€(gè)通氣孔抽氣以吸附所述膠膜;抬升位于所述V形突起中的滑板以使得其高于所述U形突起的上沿;水平移動(dòng)所述滑板以刮過(guò)所述芯片的下表面,在所述滑板的向上支撐和通過(guò)所述至少一個(gè)通氣孔抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳暮狭ψ饔孟率沟盟瞿z膜從所述芯片剝離。
      [0015]本發(fā)明的至少部分方案中,U形突起與芯片的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。本發(fā)明的至少部分方案中,滑板刮過(guò)芯片的下表面,漸進(jìn)式的動(dòng)作也降低了集中產(chǎn)生應(yīng)力而造成芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。

      【專(zhuān)利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0016]結(jié)合附圖,以下關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明將更易于理解。本發(fā)明以舉例的方式予以說(shuō)明,并非受限于附圖,附圖中類(lèi)似的附圖標(biāo)記指示相似的元件。
      [0017]圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)的示意圖;
      [0018]圖2示出了一個(gè)實(shí)施例的機(jī)臺(tái)200的局部立體示意圖;
      [0019]圖3示出了機(jī)臺(tái)200在操作時(shí)的俯視示意圖;
      [0020]圖4A和圖4B分別示出了機(jī)臺(tái)200在兩個(gè)不同工作狀態(tài)下沿圖3中箭頭A-A方向的剖面示意圖,圖4C示出了機(jī)臺(tái)200在一個(gè)工作狀態(tài)下沿圖3中箭頭B-B方向的剖面示意圖;
      [0021]圖5A示出了另一個(gè)實(shí)施例的機(jī)臺(tái)500在操作時(shí)的俯視示意圖,圖5B示出了機(jī)臺(tái)500在一個(gè)工作狀態(tài)下沿圖5A中箭頭B-B方向的剖面示意圖;
      [0022]圖6A示出了另一個(gè)實(shí)施例的機(jī)臺(tái)600在操作時(shí)的俯視示意圖,圖6B示出了機(jī)臺(tái)600在一個(gè)工作狀態(tài)下沿圖6A中箭頭B-B方向的剖面示意圖;
      [0023]圖7A和圖7B示出了另一個(gè)實(shí)施例的機(jī)臺(tái)700在兩種不同操作狀態(tài)時(shí)的垂直剖視示意圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0024]附圖的詳細(xì)說(shuō)明意在作為本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例的說(shuō)明,而非意在代表本發(fā)明能夠得以實(shí)現(xiàn)的僅有形式。應(yīng)理解的是,相同或等同的功能可以由意在包含于本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的不同實(shí)施例完成。
      [0025]圖2示出了一個(gè)實(shí)施例的機(jī)臺(tái)200的局部立體示意圖。該機(jī)臺(tái)200包括一個(gè)平臺(tái)202,在正常工作時(shí),平臺(tái)202的所示表面大體上保持水平。在平臺(tái)202上具有U形突起204以及凹槽210。凹槽210大部分位于U形突起204之內(nèi),并從U形突起204的開(kāi)口處延伸到平臺(tái)202的邊緣。在凹槽210中設(shè)置有滑板208,滑板208可以經(jīng)操控以在凹槽210中沿垂直于平臺(tái)表面和水平于平臺(tái)表面的兩個(gè)方向活動(dòng),圖中箭頭G大體上示出了滑板208可活動(dòng)的水平方向。在U形突起204的外側(cè)設(shè)置有若干通氣孔206。在進(jìn)行芯片與膠膜的分離時(shí),芯片朝上膠膜朝下的擱置于U形突起204上,通過(guò)通氣孔206向下抽氣以產(chǎn)生膠膜上下兩側(cè)的壓強(qiáng)差,從而對(duì)膠膜產(chǎn)生向下的牽引力。
      [0026]圖3示出了機(jī)臺(tái)200在操作時(shí)的俯視示意圖。虛線(xiàn)框250-253示出了相鄰芯片的相對(duì)位置。如圖所示,芯片250大體上居中地?cái)R置于U形突起204上,U形突起204略小于芯片250。例如但不限于,U形突起204所包圍的面積不小于芯片250面積的60%。具體地,U形突起204所包圍的面積在芯片250面積的60?90%范圍之內(nèi)。更具體地,U形突起204所包圍的面積在芯片250面積的70?80%范圍之內(nèi)。通過(guò)通氣孔206抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳κ沟媚z膜從芯片250的邊緣剝離。由于U形突起204與芯片250的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)?;?08可以經(jīng)操控以在垂直和水平(箭頭G所示方向)兩個(gè)方向活動(dòng)。
      [0027]圖4A和圖4B分別示出了機(jī)臺(tái)200在兩個(gè)不同工作狀態(tài)下沿圖3中箭頭A-A方向的剖面示意圖。圖4C示出了機(jī)臺(tái)200在一個(gè)工作狀態(tài)下沿圖3中箭頭B-B方向的剖面示意圖。
      [0028]如圖4A所示,吸嘴265從上方吸住芯片250,U形突起204在下方托住膠膜260和芯片250。由通氣孔206抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳κ沟媚z膜260從芯片250的邊緣剝離,也使得U形突起204周?chē)哪z膜保持貼附于平臺(tái)202上,以避免膠膜260從芯片250的剝離影響到周?chē)渌酒??;?08可在支撐桿212的作用下沿垂直方向活動(dòng),圖4A中所示狀態(tài)下,滑板208低于U形突起204的上沿。
      [0029]如圖4B所示,滑板208在支撐桿212的作用下向上活動(dòng)直到滑板208高于U形突起204的上沿。膠膜260在滑板208的向上支撐和通過(guò)通氣孔206產(chǎn)生的向下?tīng)恳暮狭ψ饔孟逻M(jìn)一步從芯片250剝離。由于滑板208與芯片250的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。
      [0030]如圖4C所示,滑板208進(jìn)一步受控沿箭頭G所示方向水平移動(dòng),刮過(guò)芯片250的下表面,膠膜260逐漸從芯片250剝離。
      [0031]圖5A示出了另一個(gè)實(shí)施例的機(jī)臺(tái)500在操作時(shí)的俯視示意圖。虛線(xiàn)框550-553示出了相鄰芯片的相對(duì)位置。如圖所示,芯片550大體上居中地?cái)R置于U形突起504上,U形突起504略小于芯片550。例如但不限于,U形突起504所包圍的面積不小于芯片550面積的60%。具體地,U形突起204所包圍的面積在芯片250面積的60?90%范圍之內(nèi)。更具體地,U形突起504所包圍的面積在芯片550面積的70?80%范圍之內(nèi)。U形突起504的外側(cè)設(shè)置有若干通氣孔506,內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干通氣孔507。通過(guò)通氣孔506和507抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳κ沟媚z膜從芯片550的邊緣剝離。由于U形突起504與芯片550的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。滑板508可以經(jīng)操控以在垂直和水平(箭頭G所示方向)兩個(gè)方向活動(dòng)。
      [0032]圖5B示出了機(jī)臺(tái)500在一個(gè)工作狀態(tài)下沿圖5A中箭頭B-B方向的剖面示意圖。吸嘴565從上方吸住芯片550。在圖5B所示之前的工作狀態(tài),U形突起504在下方托住膠膜560和芯片550。由通氣孔506抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳κ沟媚z膜560從芯片550的邊緣剝離,也使得U形突起504周?chē)哪z膜保持貼附于平臺(tái)502上,以避免膠膜560從芯片550的剝離影響到周?chē)渌酒??;?08可在支撐桿512的作用下沿垂直方向活動(dòng),且在圖5B所示之前的工作狀態(tài)下,滑板508低于U形突起504的上沿。然后,滑板508在支撐桿512的作用下向上活動(dòng)直到滑板508高于U形突起504的上沿。膠膜560在滑板508的向上支撐和通過(guò)通氣孔506、507產(chǎn)生的向下?tīng)恳暮狭ψ饔孟逻M(jìn)一步從芯片550剝離。由于滑板508與芯片550的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。如圖5B所示,滑板508進(jìn)一步受控沿箭頭G所示方向水平移動(dòng),刮過(guò)芯片550的下表面。在通氣孔507(未標(biāo)示)向下抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳Φ淖饔孟?,U形突起504和滑板508之間的膠膜部分至少部分地貼附于U形突起504中的凹槽中,膠膜560逐漸從芯片550剝離。
      [0033]圖6八示出了另一個(gè)實(shí)施例的機(jī)臺(tái)600在操作時(shí)的俯視示意圖。虛線(xiàn)框650-653示出了相鄰芯片的相對(duì)位置。如圖所示,芯片650大體上居中地?cái)R置于V形突起604上,口形突起604略小于芯片650。例如但不限于,[形突起604所包圍的面積不小于芯片650面積的60%。具體地,[形突起604所包圍的面積在芯片650面積的60?90%范圍之內(nèi)。更具體地,[形突起604所包圍的面積在芯片650面積的70?80%范圍之內(nèi)。V形突起604的外側(cè)設(shè)置有若干通氣孔606。通過(guò)通氣孔606抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳κ沟媚z膜從芯片650的邊緣剝離。由于I形突起604與芯片650的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)?;?08可以經(jīng)操控以在垂直和水平(箭頭6所示方向)兩個(gè)方向活動(dòng)。
      [0034]圖68示出了機(jī)臺(tái)600在一個(gè)工作狀態(tài)下沿圖6八中箭頭8-8方向的剖面示意圖。吸嘴665從上方吸住芯片650。在圖68所示之前的工作狀態(tài),V形突起604在下方托住膠膜660和芯片650。由通氣孔606抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳κ沟媚z膜660從芯片650的邊緣剝離,也使得V形突起604周?chē)哪z膜保持貼附于平臺(tái)602上,以避免膠膜660從芯片650的剝離影響到周?chē)渌酒?。滑?08可在支撐桿612的作用下使得其一側(cè)翹起,且在圖68所示之前的工作狀態(tài)下,滑板608低于V形突起604的上沿。然后,滑板608遠(yuǎn)離V形突起604開(kāi)口的那一側(cè)在支撐桿612的作用下向上翹起直到高于V形突起604的上沿。膠膜660在滑板608 —側(cè)的向上支撐和通過(guò)通氣孔606產(chǎn)生的向下?tīng)恳暮狭ψ饔孟逻M(jìn)一步從芯片650剝離。由于滑板608與芯片650的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。如圖68所示,滑板608進(jìn)一步受控沿箭頭所示方向水平移動(dòng),其翹高側(cè)刮過(guò)芯片650的下表面,促使膠膜660逐漸從芯片650剝離。
      [0035]圖7八和圖78示出了另一個(gè)實(shí)施例的機(jī)臺(tái)700在兩種不同操作狀態(tài)時(shí)的垂直剖視示意圖。如圖所示4形突起704的外側(cè)設(shè)置有若干通氣孔706。通過(guò)通氣孔706抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳κ沟媚z膜760從芯片750的邊緣剝離。由于V形突起704與芯片750的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)?;?08可以經(jīng)操控以在垂直和水平(箭頭6所示方向)兩個(gè)方向活動(dòng)。吸嘴765從上方吸住芯片750。在圖7八和圖78所示之前的工作狀態(tài),I形突起704在下方托住膠膜760和芯片750。由通氣孔706抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳κ沟媚z膜760從芯片750的邊緣剝離,也使得V形突起704周?chē)哪z膜保持貼附于平臺(tái)702上,以避免膠膜760從芯片750的剝離對(duì)周?chē)渌酒挠绊?。滑?08可在支撐桿712的作用下使得其一側(cè)翹起,且在圖7八和圖78所示之前的工作狀態(tài)下,滑板708低于V形突起704的上沿。然后,滑板708遠(yuǎn)離V形突起704開(kāi)口的那一側(cè)在支撐桿712的作用下向上翹起直到高于V形突起704的上沿。膠膜760在滑板708 —側(cè)的向上支撐和通過(guò)通氣孔706產(chǎn)生的向下?tīng)恳暮狭ψ饔孟逻M(jìn)一步從芯片750剝離。由于滑板708與芯片750的接觸面較大,應(yīng)力分布產(chǎn)生的壓強(qiáng)較小,從而降低甚至避免了芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)。如圖所示,滑板708進(jìn)一步受控沿箭頭所示方向水平移動(dòng),其高側(cè)刮過(guò)芯片750的下表面,促使膠膜760逐漸從芯片750剝離。在V形突起704中的凹槽的開(kāi)口側(cè)還設(shè)置有楔形突起717。當(dāng)滑板708繼續(xù)沿水平方向移動(dòng),其低側(cè)經(jīng)由楔形突起717的坡面而被抬高,直至滑板708再次大體上呈水平,貼合著芯片750而刮過(guò)其下表面。在V形突起704內(nèi)側(cè)通氣孔(未標(biāo)示)向下抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳Φ淖饔孟拢琁形突起704和滑板708之間的膠膜部分至少部分地貼附于I形突起704中的凹槽中,膠膜760逐漸從芯片750剝離。
      [0036]盡管已經(jīng)闡明和描述了本發(fā)明的不同實(shí)施例,本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。僅在某些權(quán)利要求或?qū)嵤├谐霈F(xiàn)的技術(shù)特征并不意味著不能與其他權(quán)利要求或?qū)嵤├械钠渌卣飨嘟Y(jié)合以實(shí)現(xiàn)有益的新的技術(shù)方案。在不背離如權(quán)利要求書(shū)所描述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下,許多修改、改變、變形、替代以及等同對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是明顯的。
      【權(quán)利要求】
      1.一種用于芯片操作的機(jī)臺(tái),其特征在于,該機(jī)臺(tái)包括: 平臺(tái); U形突起,其位于所述平臺(tái)之上,在所述U形突起的外側(cè)周?chē)O(shè)置有至少一個(gè)通氣孔; 凹槽,其至少部分地位于所述u形突起之內(nèi); 滑板,其設(shè)置于所述凹槽中并可受控沿著垂直于所述平臺(tái)表面的第一方向及平行于所述平臺(tái)表面的第二方向移動(dòng)。
      2.如權(quán)利要求1所述的機(jī)臺(tái),其特征在于,所述凹槽從所述U形突起的開(kāi)口處延伸到所述平臺(tái)的邊緣。
      3.如權(quán)利要求2所述的機(jī)臺(tái),其特征在于,還包括設(shè)置于所述凹槽中靠近所述平臺(tái)的邊緣一側(cè)的楔形突起,所述滑板在所述第二方向移動(dòng)時(shí)其一側(cè)可經(jīng)由所述楔形突起的坡面抬高而使得所述滑板再次保持水平。
      4.如權(quán)利要求1所述的機(jī)臺(tái),其特征在于,所述U形突起經(jīng)配置為在初始狀態(tài)下承托待分離的芯片與膠膜。
      5.如權(quán)利要求4所述的機(jī)臺(tái),其特征在于,所述U形突起所包圍的面積在所述待分離的芯片的面積的60?90%的范圍之內(nèi)。
      6.如權(quán)利要求5所述的機(jī)臺(tái),其特征在于,所述U形突起所包圍的面積在所述待分離的芯片的面積的70?80%的范圍之內(nèi)。
      7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的機(jī)臺(tái),其特征在于,還包括設(shè)置于所述U形突起內(nèi)側(cè)的至少一個(gè)通氣孔。
      8.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的機(jī)臺(tái),其特征在于,所述U形突起為非連續(xù)的。
      9.一種用于分離芯片與膠膜的系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)包括如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的機(jī)臺(tái)以及與所述U形突起配合使用以吸住芯片的吸嘴。
      10.一種用于芯片操作的方法,其特征在于,所述方法包括: 經(jīng)由U形突起承托待分離的芯片與膠膜; 經(jīng)由吸嘴從上方吸住所述芯片; 經(jīng)由設(shè)置于所述U形突起外側(cè)周?chē)闹辽僖粋€(gè)通氣孔抽氣以吸附所述膠膜; 抬升位于所述U形突起中的滑板以使得其高于所述U形突起的上沿; 水平移動(dòng)所述滑板以刮過(guò)所述芯片的下表面,在所述滑板的向上支撐和通過(guò)所述至少一個(gè)通氣孔抽氣產(chǎn)生的向下?tīng)恳暮狭ψ饔孟率沟盟瞿z膜從所述芯片剝離。
      【文檔編號(hào)】H01L21/683GK104505362SQ201410817183
      【公開(kāi)日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月24日
      【發(fā)明者】李升樺 申請(qǐng)人:蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司
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