一種半導(dǎo)體芯片的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，該半導(dǎo)體芯片包括襯底、N型半導(dǎo)體層、有源層、P型半導(dǎo)體層、透明導(dǎo)電層、P型電極、N型電極、絕緣層。在本發(fā)明的方法中，使用紫外線固化膠來制造絕緣層，包括以下步驟：涂覆并烘烤紫外線固化膠；將紫外線掩板放置在紫外線固化膠上方，并使用紫外線照射紫外線固化膠以固化紫外線固化膠；除去未固化的紫外線固化膠。使用本發(fā)明的方法制造的半導(dǎo)體芯片的絕緣層的絕緣性能良好，尤其當(dāng)半導(dǎo)體芯片用于免打線封裝時(shí)，具有優(yōu)良的絕緣效果，提高了產(chǎn)品良率。
【專利說明】一種半導(dǎo)體芯片的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體芯片的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體芯片中，絕緣層用以對半導(dǎo)體進(jìn)行電絕緣，防止半導(dǎo)體層處的漏電，確保電流按照正確的路徑流動，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的例如發(fā)光等的功能。另外，在發(fā)光半導(dǎo)體芯片中，該絕緣層必須可透光。
[0003]在目前的半導(dǎo)體芯片的制造中，通常使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、電子束轟擊蒸發(fā)鍍膜或者濺射鍍膜等方法來將二氧化硅沉積在半導(dǎo)體層上，從而制造出二氧化硅的絕緣層。
[0004]但是，這樣的二氧化硅絕緣層與半導(dǎo)體材料的接觸性不佳，容易脫落，不能得到良好的絕緣效果。特別是，在對這種芯片進(jìn)行免打線封裝時(shí)，由于導(dǎo)電膠不僅覆蓋住電極，而且還覆蓋了部分半導(dǎo)體層，因此若半導(dǎo)體層處的絕緣層性能不好，則半導(dǎo)體層會與導(dǎo)電膠電接觸。這樣，來自P型電極的電流會不流經(jīng)N型電極而直接從半導(dǎo)體層流出，導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的例如發(fā)光等功能無法實(shí)現(xiàn)。也就是說，特別是在免打線封裝時(shí)，這種具有二氧化硅絕緣層的半導(dǎo)體芯片的漏電良率較低。另外，沉積二氧化硅的設(shè)備和原料昂貴，工藝繁瑣，且生產(chǎn)率低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，其能夠提高絕緣性能，甚至在免打線封裝時(shí)也能實(shí)現(xiàn)良好的絕緣，提高了免打線封裝時(shí)的漏電良率。另外，本發(fā)明旨在提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，其不需要昂貴復(fù)雜的設(shè)備，操作簡單，生產(chǎn)率高。
[0006]根據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導(dǎo)體芯片的制造方法。所述方法包括以下步驟:
[0007]a)在襯底上依次層疊N型半導(dǎo)體層、有源層、P型半導(dǎo)體層從而制備外延片；
[0008]b)在所述外延片上沉積透明導(dǎo)電層；
[0009]c)通過對所述透明導(dǎo)電層、所述P型半導(dǎo)體層、所述有源層進(jìn)行區(qū)域蝕刻從而分別漏出P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；
[0010]d)在漏出的透明導(dǎo)電層上制造P型電極、在漏出的N型半導(dǎo)體層上制造N型電極；
[0011]e)在上述步驟所得到的結(jié)構(gòu)體上制造絕緣層。
[0012]其中，在制造絕緣層的步驟包括以下步驟:
[0013]el)涂覆并烘烤紫外線固化膠；
[0014]e2)將紫外線掩板放置在紫外線固化膠上方，并使用紫外線照射紫外線固化膠以固化紫外線固化膠；
[0015]e3)除去未固化的紫外線固化膠。
[0016]其中，制造外延片的方法可采用現(xiàn)有【技術(shù)領(lǐng)域】的方法，在此不再復(fù)述。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，在外延片上沉積透明導(dǎo)電層的方法可以選自磁控濺射法或電子束蒸發(fā)法等，透明導(dǎo)電層的材料為氧化銦錫。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，對透明導(dǎo)電層、P型半導(dǎo)體層、有源層中的任意一個(gè)進(jìn)行蝕刻可采用干法蝕刻或濕法蝕刻。
[0019]在一個(gè)實(shí)施例中，制造P型或N型電極的材料可以是選自N1、Al、Cr、N1、Au等的一種或多種，制造P型或N型電極的方法可以是電子槍蒸鍍法等。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，掩板可以是鉻制成的板，有鏤空的圖案。掩板還可以由其他能夠遮擋紫外線的材料制成。
[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，涂覆所述紫外線固化膠的方法為:使用自動勻膠機(jī)來涂覆紫外線固化膠，以得到厚度均勻的涂層。在一個(gè)實(shí)施例中，涂覆的紫外線固化膠層的厚度約為500nm ?GOOOnm。
[0022]在另一個(gè)實(shí)施例中，紫外線固化膠可以是東莞寶明亮股份有限公司生產(chǎn)的型號為UV-512的產(chǎn)品，用于照射該紫外線固化膠的紫外線的波長為360?365nm，紫外線的曝光能量為3800?5500mj (兆焦耳)，紫外線的照射時(shí)間為6?10秒。
[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，使用乙醇來除去未固化的所述紫外線固化膠，可將紫外線固化膠浸泡在室溫乙醇中，浸泡時(shí)間優(yōu)選約為I?3分鐘。
[0024]通過使用紫外線固化膠來制造絕緣層，得到的絕緣層絕緣性優(yōu)良，從而提高了漏電良率，另外，對本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行免打線封裝時(shí)和傳統(tǒng)工藝相比，漏電良率得以提高。此外，使用紫外線固化膠來制造絕緣層，還具有制造工藝簡單、不易脫落的優(yōu)點(diǎn)。
[0025]另外，和使用化學(xué)氣相沉積等方法來制造S12絕緣層相比，根據(jù)本發(fā)明的方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片，制造紫外線固化膠的絕緣層具有工藝簡單，工序少，因此提高了生產(chǎn)效率的優(yōu)點(diǎn)。另外，由于使用紫外線固化膠來制造絕緣層不需要復(fù)雜昂貴的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，因此降低了生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖2是在實(shí)施例1和實(shí)施例2中制造絕緣層的流程圖。
[0028]圖3是在比較例中制造絕緣層的流程圖。
[0029]圖4是將半導(dǎo)體芯片用于打線封裝時(shí)的示意圖。
[0030]圖5是將半導(dǎo)體芯片用于免打線封裝時(shí)的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]以下將結(jié)合附圖來對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0032]根據(jù)本發(fā)明來制造半導(dǎo)體芯片100的實(shí)施方式包括以下步驟。
[0033]首先，在襯底I上依次層疊N型半導(dǎo)體層2、有源層3、P型半導(dǎo)體層4從而制備外延片。其中，制造所述外延片的方法可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的方法，例如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法。例如，所述襯底1、N型半導(dǎo)體層2、有源層3、P型半導(dǎo)體層4可由本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的材料制成。例如，襯底I可以是PSS(圖形化襯底)藍(lán)寶石襯底、Si襯底；半導(dǎo)體材料可以是GaN、GaAs等。
[0034]其次，在所述外延片上沉積透明導(dǎo)電層5。具體地，可以使用氧化錫銦(ITO)作為材料，使用電子束蒸發(fā)蒸鍍法或磁控濺射法等方法來制造透明導(dǎo)電層5。
[0035]之后，通過對所述透明導(dǎo)電層5、所述P型半導(dǎo)體層4、所述有源層3進(jìn)行區(qū)域蝕亥|J，從而分別暴露出P型半導(dǎo)體層4和N型半導(dǎo)體層2。具體地，首先通過黃光光刻在透明導(dǎo)電層5上制造一層掩膜。該掩膜能保護(hù)住透明導(dǎo)電層5中的不需要被蝕刻掉的部分。然后，通過干法蝕刻或濕法蝕刻對透明導(dǎo)電層5進(jìn)行腐蝕，從而露出P型半導(dǎo)體層4。接著，同樣地用黃光光刻在透明導(dǎo)電層5上制造另一層掩膜。隨后通過干法蝕刻腐蝕透P型半導(dǎo)體性4和有源層3，或者還可以部分腐蝕掉N型半導(dǎo)體層2，從而露出N型半導(dǎo)體層2。
[0036]然后，在漏出的P型半導(dǎo)體層上制造P型電極6、在漏出的N型半導(dǎo)體層2上制造N型電極7。其中，制造P型電極6或N型電極7的材料可以是選自N1、Al、Cr、N1、Au等的一種或多種，制造P型電極6或N型電極7的方法可以是電子槍蒸鍍法等。
[0037]最后，在經(jīng)過上述步驟所得到的結(jié)構(gòu)體上制造絕緣層8。根據(jù)本發(fā)明，在該步驟中使用紫外線固化膠來形成絕緣層8。通過使用紫外線固化膠來制造絕緣層，得到的絕緣層絕緣性優(yōu)良，從而提高了漏電良率，另外，對本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片100進(jìn)行免打線封裝時(shí)和傳統(tǒng)工藝相比，漏電良率得以提高。此外，使用紫外線固化膠來制造絕緣層，還具有制造工藝簡單、不易脫落的優(yōu)點(diǎn)。另外，和使用化學(xué)氣相沉積等方法來制造S12絕緣層相比，根據(jù)本發(fā)明的方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片100，制造紫外線固化膠的絕緣層8具有工藝簡單，工序少，因此提高了生產(chǎn)效率的優(yōu)點(diǎn)。另外，由于使用紫外線固化膠來制造絕緣層8不需要復(fù)雜昂貴的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，因此降低了生產(chǎn)成本。
[0038]具體地，該步驟可包括以下子步驟:涂覆并烘烤紫外線固化膠；將紫外線掩板放置在紫外線固化膠上方，并使用紫外線照射紫外線固化膠以固化紫外線固化膠；以及除去未固化的紫外線固化膠。
[0039]其中，涂覆的紫外線固化膠層的厚度范圍優(yōu)選為約500nm?3000nm。若厚度小于500nm,則形成的絕緣層過薄,不能起到良好的絕緣效果。若厚度大于3000nm,則形成的絕緣層8過厚，影響了有源層3產(chǎn)生的光線透過，使得半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的光的亮度降低。
[0040]對涂覆的紫外線固化膠進(jìn)行烘烤的目的是蒸發(fā)固化膠中的溶劑，降低紫外線固化膠的流動性和粘性。通過上述手段，可以防止在放置掩板時(shí)紫外線固化膠與掩板相粘接，因?yàn)槟軌虮苊鈱?dǎo)致紫外線固化膠固化結(jié)束后難以撤掉掩板的缺點(diǎn)。
[0041]烘烤紫外線固化膠的溫度的范圍優(yōu)選為80?90°C。若低于80°C，則烘烤過慢，降低了生產(chǎn)效率；若高于這個(gè)溫度，則一方面容易導(dǎo)致紫外線固化膠硬化，不利于曝光，且如果出現(xiàn)曝光后出現(xiàn)顯影不良(需要曝光區(qū)域的紫外線固化膠的固化效果不好，得到的圖案比與其的小)或過顯影(不需要固化的紫外線固化膠部分被固化，導(dǎo)致得到的圖案比預(yù)期的大)的情況，而導(dǎo)致需要清理掉紫外線固化膠然后再次重新制造絕緣層8時(shí)，由于紫外線固化膠太硬而導(dǎo)致很難將其從芯片上除掉。此外，提供過高的溫度會浪費(fèi)過多的能量。
[0042]當(dāng)烘烤溫為80?90°C時(shí)，烘烤的時(shí)間范圍優(yōu)選約為I?3分鐘。若小于3分鐘則時(shí)間過短，以至于不能烘干溶劑。若大于3分鐘則溶劑已經(jīng)完全揮發(fā)，繼續(xù)烘烤浪費(fèi)了能量且降低了生產(chǎn)效率。
[0043]另外，只要可以使紫外線固化膠中的溶劑蒸發(fā)，可在上述范圍內(nèi)任意選擇合適的烘烤溫度，并且根據(jù)烘烤溫度調(diào)整合適的烘烤時(shí)間。
[0044]其中，紫外線固化膠例如可以是東莞寶明亮股份有限公司生產(chǎn)的型號為UV-512的產(chǎn)品。此時(shí)，用于照射紫外線固化膠的所述紫外線的波長約為360?365nm，當(dāng)超出這個(gè)范圍，則紫外線固化膠內(nèi)的聚合物對紫外線不敏感，不能夠發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)而固化。
[0045]所述紫外線的曝光能量優(yōu)選為3800?5500mj。若紫外線的曝光能量小于3800mj則由于能量不足，紫外線固化膠內(nèi)的預(yù)聚物的交聯(lián)反應(yīng)不好，導(dǎo)致顯影效果不佳(得到的圖案比預(yù)期的小)。若紫外線的曝光能量大于5500mj則不需要固化的地方也固化了，擴(kuò)大了圖案的范圍(過顯影)。
[0046]紫外線照射的時(shí)間范圍優(yōu)選為6?10秒。若小于6秒，則紫外線固化膠中的預(yù)聚物材料的交聯(lián)反應(yīng)不能完成。若大于10秒，則由于照射時(shí)間過程，導(dǎo)致預(yù)聚物材料老化，使得紫外線固化膠所形成的絕緣層與半導(dǎo)體層接觸不牢固，容易剝落，從而發(fā)生漏電現(xiàn)象。
[0047]其中，可使用乙醇、異丙醇溶劑等來除去未固化的紫外線固化膠，優(yōu)選的為乙醇溶齊U，因?yàn)橐掖荚谑覝叵录纯扇芙馕垂袒淖贤饩€固化膠，操作簡單，且乙醇具有價(jià)格便宜、容易儲存等優(yōu)點(diǎn)。其中，在所述室溫乙醇中的浸泡時(shí)間約為I?3分鐘。
[0048]以下，通過實(shí)施例1、實(shí)施例2以及比較例來說明本發(fā)明的效果。
[0049]實(shí)施例1
[0050]按照以下步驟生產(chǎn)實(shí)施例1的半導(dǎo)體芯片100:
[0051 ] a)通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法，在PSS藍(lán)寶石襯底I上依次生長N型GaN (氮化鎵)層2、有源層3、P型GaN層4 ;
[0052]b)采用電子束蒸發(fā)法蒸鍍氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電層5，其中，鍍膜速率為0.Snm/S，得到的鍍膜為210?240nm ；
[0053]c)首先，通過黃光光刻在氧化銦錫的透明導(dǎo)電層5上制造一層掩膜，具體為:將正性光刻膠型號為390的光刻膠均勻地涂覆在芯片上；接著對該光刻膠層進(jìn)行軟烤以固化光刻膠層，然后使用鉻材料制成的掩板蓋住一部分不需要蝕刻的區(qū)域僅露出在后面的步驟中需要制造N型電極7的區(qū)域和溝槽，使用波長為365nm的紫光來對該光刻膠層進(jìn)行曝光，而得到需要保護(hù)區(qū)域的掩膜。其次，使用濕法蝕刻等步驟腐蝕透明導(dǎo)電層5，漏出P型半導(dǎo)體層4。
[0054]接著，用同樣的方法，在上述已經(jīng)漏出P型半導(dǎo)體層4的芯片上通過黃光光刻制造一層掩膜。隨后，使用BCl3Xl2等蝕刻氣體來刻蝕P型GaN層4、有源層3、部分N型GaN(氮化鎵)層2 ;從而露出N型GaN層2。
[0055]接著，去除保護(hù)P型GaN層4的光刻膠。
[0056]d)通過負(fù)膠光刻在經(jīng)過步驟c處理后的芯片上形成一層掩膜，僅露出將要制造P型電極6和N型電極7的區(qū)域，以N1、Al、Cr、N1、Au為材料，通過電子槍蒸鍍法制作Ni/Al/Cr/Ni/Au的復(fù)合多層結(jié)構(gòu)的P型電極6和N型電極7。所制造的P型電極6和N型電極7的厚度為1500nm。隨后除去掩膜。
[0057]e)制造絕緣層8，包括以下步驟:
[0058]el)采用自動勻膠機(jī)將紫外線固化涂覆在上述步驟所得的結(jié)構(gòu)體上，厚度約為100?lOOOnm，烘烤的溫度可以約為80?90°C，烘烤時(shí)間可約為I?3分鐘。
[0059]e2)將鉻制成的紫外線掩板放置在紫外線固化膠上方，并使用365nm的紫外線以曝光能量3800-5500mj照射紫外線固化膠10秒以固化紫外線固化膠。
[0060]e3)將芯片在乙醇中浸泡3分鐘，從而清洗未固化的紫外線固化膠。
[0061]實(shí)施例2
[0062]實(shí)施例2與實(shí)施例1大致相同。不同之處在于，在步驟b中使用磁控濺射法，以
0.4nm/S的鍍膜速度形成IlOnm的鍍膜，以及在步驟c中腐蝕時(shí)間為I?2分鐘。
[0063]比較例
[0064]比較例的步驟a到d與實(shí)施例1中的相同，僅步驟e不同。具體地，該比較例中的步驟e包括以下步驟:
[0065]ell)清洗通過上述步驟所得到的結(jié)構(gòu)體，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)沉積 S12 層；
[0066]el2)涂覆并烘烤光阻層；
[0067]el3)使用掩板遮住光阻層，并使用365nm的紫外線來進(jìn)行曝光；
[0068]el4)使用四甲基氫氧化氨顯影液(2.38%四甲基氫氧化氨水溶液)來清洗未曝光的光阻層；
[0069]el5)使用BOE溶液來腐蝕S12層，腐蝕時(shí)間為2?3分鐘；
[0070]el6)清洗光阻層，從而得到S12絕緣層。
[0071]圖4為通常將半導(dǎo)體芯片與電源相連所使用的打線封裝的示意圖，如圖4所示，金屬導(dǎo)線11將半導(dǎo)體芯片的暴露出的N型電極7與電源的負(fù)極相連，將P型電極6與電源的正極相連，從而給半導(dǎo)體芯片供電。另外還可以使用金屬導(dǎo)線11將一個(gè)半導(dǎo)體芯片的N型電極7與另一半導(dǎo)體芯片的P型電極6相連，從而根據(jù)實(shí)際電路來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的串聯(lián)或并聯(lián)。由于半導(dǎo)體芯片的尺寸過小，將金屬導(dǎo)線11剛好焊接在半導(dǎo)體的N型電極7和P型電極6上需要機(jī)器具有很高的精度。
[0072]因此，更優(yōu)選的方法是使用免打線封裝。但是，如果想要使用免打線封裝，則對絕緣層的絕緣性要求更好。圖5是對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行免打線封裝的示意圖。如圖5所示，使用導(dǎo)電膠12將半導(dǎo)體芯片的N型電極7與電源的負(fù)極相連，將P型電極與電源的正極相連，且一個(gè)芯片的N型電極7與另一個(gè)芯片的P型電極6相連以根據(jù)實(shí)際電路來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片100的串聯(lián)或并聯(lián)。在免打線封裝中，導(dǎo)電膠12不僅覆蓋住半導(dǎo)體芯片100的N型電極7和P型電極6，還會覆蓋住半導(dǎo)體芯片的如圖1虛線所示的區(qū)域。此時(shí)，對圖1中虛線區(qū)域10處的絕緣層的絕緣性能要求更高，這是因?yàn)閳D1中虛線區(qū)域10的任一點(diǎn)絕緣性不好，都會造成電流不流經(jīng)整個(gè)半導(dǎo)體層，而直接從P型半導(dǎo)體層4處流出，導(dǎo)致不能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的功能。因此，使用免打線封裝來封裝半導(dǎo)體時(shí)，需要半導(dǎo)體絕緣層有更好的絕緣性。
[0073]對于實(shí)施例1、實(shí)施例2以及比較例中的半導(dǎo)體芯片，使用惠特光電有限責(zé)任公司生產(chǎn)的型號為6001的點(diǎn)測儀器檢測導(dǎo)電性。具體地，將半導(dǎo)體芯片的P型電極6和N型電極7分別與點(diǎn)測儀器的正負(fù)極相接觸，給半導(dǎo)體芯片通反向5-8V的電壓，測試芯片的漏電情況，漏電小于0.0OluA則判斷絕緣性合格，漏電大于0.0OluA則判斷絕緣性不合格。對多個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行測量，求出芯片的漏電良率。此外，使用點(diǎn)測儀器還可以測試包括亮度、電壓、半導(dǎo)體發(fā)光的波長、芯片漏電、抗靜電能力等參數(shù)，判斷芯片合格與否，從而求出芯片的綜合良率。
[0074]對比較例中制造的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行測量，得出該芯片的綜合良率達(dá)到96.5%，打線封裝時(shí)漏電良率為98%，其他電性參數(shù)正常。用于免打線封裝時(shí)，比較例中的半導(dǎo)體芯片的漏電良率為30.6%。
[0075]對實(shí)施例1中制造的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行測量，得出該芯片的綜合良率達(dá)到97.6%，打線封裝時(shí)的漏電良率為99%，其他電性參數(shù)正常。用于免打線封裝時(shí)，實(shí)施例1中的半導(dǎo)體芯片的漏電良率達(dá)到95%以上，其他電性良率良好，與比較例相比，漏電良率提高了65%。
[0076]對實(shí)施例2中制造的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行測量，得出該芯片的綜合良率達(dá)到97.6%，打線封裝時(shí)的漏電良率為99%，其他電性參數(shù)正常。用于免打線封裝時(shí)，實(shí)施例2中的半導(dǎo)體芯片的漏電良率達(dá)到96.7%以上，其他電性良率良好，與比較例相比，漏電良率提高了66.3%。
[0077]由上述參數(shù)可以看出，用于免打線封裝時(shí)，和S12制造的絕緣層相比，使用紫外線固化膠制造的絕緣層的漏電良率得到提高。這是因?yàn)椋瑢τ诒容^例中制造的半導(dǎo)體芯片，由于使用S12制造的絕緣層和P型半導(dǎo)體層、有源層、N型半導(dǎo)體層的接合性不好，容易剝落，從而造成漏電，特別是在圖1所示的虛線部分，接合性更差，而本發(fā)明中使用紫外線固化膠可以得到良好的絕緣性。
[0078]圖2是實(shí)施例1和實(shí)施例2的步驟e的工藝流程圖，圖3為比較例中的步驟e的工藝流程圖。通過圖2和圖3的對比，可以看到，根據(jù)本發(fā)明使用紫外線固化膠來制造絕緣層簡化了工藝流程，且在制造過程中僅需要一次涂覆固化顯影。然而，當(dāng)使用S12來制造絕緣層時(shí)，為了蝕刻S12必須通過涂覆固化顯影光阻層，因此增加了工藝步驟。
[0079]在實(shí)際生產(chǎn)中，和比較例中使用S12來制造絕緣層相比，采用實(shí)施例1和實(shí)施例2中的使用紫外線固化膠來制造絕緣層方法每批次省時(shí)8小時(shí)以上，且很大程度上節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0080]雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個(gè)實(shí)施例中所提到的各項(xiàng)技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，包括以下步驟: 在襯底上依次層疊N型半導(dǎo)體層、有源層、P型半導(dǎo)體層從而制備外延片； 在所述外延片上沉積透明導(dǎo)電層； 對所述透明導(dǎo)電層、所述P型半導(dǎo)體層、所述有源層進(jìn)行區(qū)域蝕刻，從而分別暴露出P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層； 在所暴露出的P型半導(dǎo)體層上制造P型電極，并且在所暴露出的N型半導(dǎo)體層上制造N型電極； 在經(jīng)過上述步驟所得到的結(jié)構(gòu)體上制造絕緣層， 其特征在于，在所述制造絕緣層的步驟中使用了紫外線固化膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造絕緣層的步驟包括以下步驟: 涂覆并烘烤紫外線固化膠； 將紫外線掩板放置在紫外線固化膠上方，并使用紫外線照射紫外線固化膠以固化紫外線固化膠； 除去未固化的紫外線固化膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所涂覆的紫外線固化膠的厚度約為500?3000nmo
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述烘烤的溫度約為80?90°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述烘烤的時(shí)間約為I?3分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，用于照射紫外線固化膠的所述紫外線的波長約為360?370nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述紫外線的曝光能量為3800?5500mjο
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述紫外線的照射時(shí)間約為6?10秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，使用乙醇來除去未固化的所述紫外線固化膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，將所述紫外線固化膠在所述乙醇中浸泡約I?3分鐘。
【文檔編號】H01L33/00GK104409583SQ201410820428
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月25日
【發(fā)明者】田艷紅, 汪延明, 許順成, 馬歡 申請人:湘能華磊光電股份有限公司