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      一種油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:7065715閱讀:287來源:國知局
      一種油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),包括設(shè)置在所述絕緣筒和第一導(dǎo)電環(huán)的接觸面之間的第一耐高溫導(dǎo)電膠層、以及設(shè)置在所述絕緣筒和絕緣套管的接觸面之間且一一對應(yīng)地位于所述第一耐高溫導(dǎo)電膠層兩端的第二耐高溫導(dǎo)電膠層和第三耐高溫導(dǎo)電膠層,所述第一耐高溫導(dǎo)電膠層的兩端一一對應(yīng)地與所述第二耐高溫導(dǎo)電膠層和第三耐高溫導(dǎo)電膠層相連,本發(fā)明將耐高溫導(dǎo)電膠層設(shè)置在絕緣套管和絕緣筒之間,可有效防止耐高溫導(dǎo)電膠層的脫落,提高屏蔽效果和散熱效果。
      【專利說明】一種油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu)

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu)。

      【背景技術(shù)】
      [0002]常規(guī)的高壓油浸式熔斷器的底座包括基座、與基座相連的外殼、兩個接線片以及兩個分別固定在外殼的內(nèi)壁面上的導(dǎo)電環(huán),所述外殼呈圓筒形結(jié)構(gòu),由絕緣套管和采用環(huán)氧玻璃纖維纏繞在該絕緣套管的外壁面上形成的絕緣筒構(gòu)成,所述外殼的一端與所述基座相連,兩個導(dǎo)電環(huán)分別為第一導(dǎo)電環(huán)和第二導(dǎo)電環(huán),第一導(dǎo)電環(huán)位于外殼的中部,第二導(dǎo)電環(huán)位于外殼的不與基座相連的一端,第一導(dǎo)電環(huán)的中部的外壁面與絕緣筒的內(nèi)壁面接觸設(shè)置,第一導(dǎo)電環(huán)的兩端的外壁面與所述絕緣套管的內(nèi)壁面接觸設(shè)置,兩個接線片分別為第一接線片和第二接線片,第一接線片和第二接線片一一對應(yīng)地設(shè)置在外殼的與第一導(dǎo)電環(huán)和第二導(dǎo)電環(huán)相應(yīng)地位置,且第一接線片和第二接線片均位于絕緣筒的外部,第一接線片的一端沿絕緣筒的徑向穿透絕緣筒后與第一導(dǎo)電環(huán)相連,第二接線片與第二導(dǎo)電環(huán)相連。
      [0003]現(xiàn)有技術(shù)中,油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu)一般采用在絕緣筒的與第一導(dǎo)電環(huán)相應(yīng)的外壁面上涂設(shè)一層耐高溫導(dǎo)電漆,由于該耐高溫導(dǎo)電漆包覆在絕緣筒的外部,即外殼的外部,很容易在碰撞后脫落,且容易被油浸式高壓變壓器中的油污染,影響該耐高溫導(dǎo)電漆的屏蔽效果,容易被擊穿;另一方面,油浸式熔斷器底座使用時,第一接線片需要經(jīng)常彎折,容易造成耐高溫導(dǎo)電漆與接線片接觸不良,也會影響該耐高溫導(dǎo)電漆的屏蔽效果,容易被擊穿。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),在熔斷器底座內(nèi)部設(shè)置耐高溫導(dǎo)電膠層作為屏蔽層,解決屏蔽層在外殼外容易脫落的現(xiàn)象,提高熔斷器整體的屏蔽效果和散熱效果。
      [0005]本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:一種油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),所述熔斷器底座包括基座、與基座相連的外殼、兩個接線片以及兩個分別固定在外殼的內(nèi)壁面上的導(dǎo)電環(huán),所述外殼呈圓筒形結(jié)構(gòu),由絕緣套管和采用環(huán)氧玻璃纖維纏繞在該絕緣套管的外壁面上形成的絕緣筒構(gòu)成,所述外殼的一端與所述基座相連,兩個導(dǎo)電環(huán)分別為第一導(dǎo)電環(huán)和第二導(dǎo)電環(huán),所述第一導(dǎo)電環(huán)位于外殼的中部,所述第二導(dǎo)電環(huán)位于外殼的不與基座相連的一端,且所述第一導(dǎo)電環(huán)的中部的外壁面與絕緣筒的內(nèi)壁面接觸設(shè)置,所述第一導(dǎo)電環(huán)的兩端的外壁面與所述絕緣套管的內(nèi)壁面接觸設(shè)置,兩個接線片分別為第一接線片和第二接線片,所述第一接線片和第二接線片一一對應(yīng)地設(shè)置在外殼的與所述第一導(dǎo)電環(huán)和第二導(dǎo)電環(huán)相應(yīng)地位置,且所述第一接線片和第二接線片均位于絕緣筒的外部,所述第一接線片的一端沿絕緣筒的徑向穿透絕緣筒后與第一導(dǎo)電環(huán)相連,所述第二接線片與第二導(dǎo)電環(huán)相連,所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述絕緣筒和第一導(dǎo)電環(huán)的接觸面之間的第一耐高溫導(dǎo)電膠層、以及設(shè)置在所述絕緣筒和絕緣套管的接觸面之間且一一對應(yīng)地位于所述第一耐高溫導(dǎo)電膠層兩端的第二耐高溫導(dǎo)電膠層和第三耐高溫導(dǎo)電膠層,所述第一耐高溫導(dǎo)電膠層的兩端一一對應(yīng)地與所述第二耐高溫導(dǎo)電膠層和第三耐高溫導(dǎo)電膠層相連。
      [0006]上述的油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),其中,所述第一耐高溫導(dǎo)電膠層、第二耐高溫導(dǎo)電膠層和第三耐高溫導(dǎo)電膠層的材質(zhì)均為環(huán)氧導(dǎo)電膠,該環(huán)氧導(dǎo)電膠的耐高溫溫度大于或等于155°C。
      [0007]上述的油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),其中,所述第一導(dǎo)電環(huán)和所述絕緣套管的接觸面之間通過密封硅橡膠相連。
      [0008]上述的油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),其中,所述第二導(dǎo)電環(huán)和所述絕緣套管的內(nèi)壁面通過密封硅橡膠相連。
      [0009]本發(fā)明的油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),將所有的耐高溫導(dǎo)電膠層設(shè)置在內(nèi)部,可有效防止耐高溫導(dǎo)電膠層的脫落,并防止油浸式高壓變壓器中的油污染耐高溫導(dǎo)電膠層,提高屏蔽效果和散熱效果。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0010]圖1為本發(fā)明的油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0011]圖2為圖1中A部分的放大結(jié)構(gòu)圖。

      【具體實施方式】
      [0012]為了能更好地對本發(fā)明的技術(shù)方案進行理解,下面通過具體的實施例并結(jié)合附圖進行詳細地說明。
      [0013]請參閱圖1和圖2,熔斷器底座包括基座1、與基座I相連的外殼2、兩個接線片以及兩個分別固定在外殼的內(nèi)壁面上的導(dǎo)電環(huán),外殼2呈圓筒形結(jié)構(gòu),由絕緣套管21和采用環(huán)氧玻璃纖維纏繞在該絕緣套管21的外壁面上形成的絕緣筒22構(gòu)成,外殼2的一端與基座I相連,兩個導(dǎo)電環(huán)分別為第一導(dǎo)電環(huán)41和第二導(dǎo)電環(huán)42,第一導(dǎo)電環(huán)41位于外殼的2中部,第二導(dǎo)電環(huán)42位于外殼2的不與基座I相連的一端,且第一導(dǎo)電環(huán)41的中部的外壁面與絕緣筒22的內(nèi)壁面接觸設(shè)置,第一導(dǎo)電環(huán)41的兩端的外壁面與絕緣套管21的內(nèi)壁面接觸設(shè)置,且第一導(dǎo)電環(huán)41和絕緣套管21的接觸面之間通過密封硅橡膠6相連。第二導(dǎo)電環(huán)42和絕緣套管21的內(nèi)壁面通過密封硅橡膠相連。
      [0014]兩個接線片分別為第一接線片31和第二接線片32,第一接線片31和第二接線32 對應(yīng)地設(shè)置在外殼I的與第一導(dǎo)電環(huán)41和第二導(dǎo)電環(huán)42相應(yīng)地位置,且第一接線片
      31和第二接線片32均位于絕緣筒22的外部,第一接線片31的一端沿絕緣筒22的徑向穿透絕緣筒22后與第一導(dǎo)電環(huán)41相連,第二接線片32與第二導(dǎo)電環(huán)42相連。
      [0015]再請參閱圖2,油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在絕緣筒22和第一導(dǎo)電環(huán)41的接觸面之間的第一耐高溫導(dǎo)電膠層51、以及設(shè)置在絕緣筒22和絕緣套管21的接觸面之間且對應(yīng)地位于第一耐高溫導(dǎo)電膠層51兩端的第二耐高溫導(dǎo)電膠層52和第三耐高溫導(dǎo)電膠層53,第一耐高溫導(dǎo)電膠層51的兩端對應(yīng)地與第二耐高溫導(dǎo)電膠層52和第三耐高溫導(dǎo)電膠層53相連。
      [0016]第一耐高溫導(dǎo)電膠層51、第二耐高溫導(dǎo)電膠層52和第三耐高溫導(dǎo)電膠層53的材質(zhì)均為環(huán)氧導(dǎo)電膠,該環(huán)氧導(dǎo)電膠的耐高溫溫度大于或等于155°C。
      [0017]本發(fā)明的屏蔽結(jié)構(gòu),第一耐高溫導(dǎo)電膠層51由均勻涂覆在絕緣筒22和第一導(dǎo)電環(huán)41的接觸面之間的環(huán)氧導(dǎo)電膠組成,第二耐高溫導(dǎo)電膠層52和第三耐高溫導(dǎo)電膠層52由均勻涂覆在絕緣筒22和絕緣套管21的接觸面之間的環(huán)氧導(dǎo)電膠組成,第二耐高溫導(dǎo)電膠層52、第一耐高溫導(dǎo)電膠層51和第三耐高溫導(dǎo)電膠層52連續(xù)設(shè)置。
      [0018]采用本發(fā)明的屏蔽結(jié)構(gòu)的油浸式熔斷器底座,由于第一耐高溫導(dǎo)電膠層51位于絕緣筒22和第一導(dǎo)電環(huán)41的接觸面之間,第二耐高溫導(dǎo)電膠層52和第三耐高溫導(dǎo)電膠層53位于絕緣筒22和絕緣套管21的接觸面之間,可以有效防止耐高溫導(dǎo)電膠層的脫落,并防止油浸式高壓變壓器中的油污染耐高溫導(dǎo)電膠層,提高該屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽效果和散熱效果O
      [0019]以上實施例僅供說明本發(fā)明之用,而非對本發(fā)明的限制,有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以作出各種變換或變型,因此所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)該屬于本發(fā)明的范疇,應(yīng)由各權(quán)利要求所限定。
      【權(quán)利要求】
      1.一種油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),所述熔斷器底座包括基座、與基座相連的外殼、兩個接線片以及兩個分別固定在外殼的內(nèi)壁面上的導(dǎo)電環(huán),所述外殼呈圓筒形結(jié)構(gòu),由絕緣套管和采用環(huán)氧玻璃纖維纏繞在該絕緣套管的外壁面上形成的絕緣筒構(gòu)成,所述外殼的一端與所述基座相連,兩個導(dǎo)電環(huán)分別為第一導(dǎo)電環(huán)和第二導(dǎo)電環(huán),所述第一導(dǎo)電環(huán)位于外殼的中部,所述第二導(dǎo)電環(huán)位于外殼的不與基座相連的一端,且所述第一導(dǎo)電環(huán)的中部的外壁面與絕緣筒的內(nèi)壁面接觸設(shè)置,所述第一導(dǎo)電環(huán)的兩端的外壁面與所述絕緣套管的內(nèi)壁面接觸設(shè)置,兩個接線片分別為第一接線片和第二接線片,所述第一接線片和第二接線片一一對應(yīng)地設(shè)置在外殼的與所述第一導(dǎo)電環(huán)和第二導(dǎo)電環(huán)相應(yīng)地位置,且所述第一接線片和第二接線片均位于絕緣筒的外部,所述第一接線片的一端沿絕緣筒的徑向穿透絕緣筒后與第一導(dǎo)電環(huán)相連,所述第二接線片與第二導(dǎo)電環(huán)相連,其特征在于,所述屏蔽結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述絕緣筒和第一導(dǎo)電環(huán)的接觸面之間的第一耐高溫導(dǎo)電膠層、以及設(shè)置在所述絕緣筒和絕緣套管的接觸面之間且一一對應(yīng)地位于所述第一耐高溫導(dǎo)電膠層兩端的第二耐高溫導(dǎo)電膠層和第三耐高溫導(dǎo)電膠層,所述第一耐高溫導(dǎo)電膠層的兩端一一對應(yīng)地與所述第二耐高溫導(dǎo)電膠層和第三耐高溫導(dǎo)電膠層相連。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一耐高溫導(dǎo)電膠層、第二耐高溫導(dǎo)電膠層和第三耐高溫導(dǎo)電膠層的材質(zhì)均為環(huán)氧導(dǎo)電膠,該環(huán)氧導(dǎo)電膠的耐高溫溫度大于或等于155°C。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一導(dǎo)電環(huán)和所述絕緣套管的接觸面之間通過密封硅橡膠相連。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的油浸式熔斷器底座的屏蔽結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二導(dǎo)電環(huán)和所述絕緣套管的內(nèi)壁面通過密封硅橡膠相連。
      【文檔編號】H01H85/20GK104465259SQ201410820663
      【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月22日
      【發(fā)明者】王碧云, 錢勇杰, 楊立虹, 何靈均 申請人:上海電器陶瓷廠有限公司
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