一種oled及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種OLED及其制作方法，該制作方法包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)；在所述器件區(qū)形成OLED的以ITO為材料的第一電極；在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：金屬導(dǎo)電層以及覆蓋于所述金屬導(dǎo)電層表面的Al保護(hù)層，所述金屬導(dǎo)電層與ITO的接觸電阻小于Al與ITO的接觸電阻；對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連接，第二端用于與電路板連接；在所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層以及OLED的第二電極；剝離所述第二端用于和所述電路板連接的Al保護(hù)層。本發(fā)明技術(shù)方案能夠降低器件功耗，簡(jiǎn)化OLED走線結(jié)構(gòu)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】-種OLED及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體發(fā)光器件領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，設(shè)及一種0L邸及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在顯示技術(shù)中，有機(jī)電致發(fā)光二極管（0LED)因具有更薄、更輕、耐低溫、響應(yīng)速度 快的優(yōu)勢(shì)而備受人們的高度關(guān)注，不僅如此，0L邸顯示屏還不受外形限制，可彎曲任意形 狀，成本低廉，在顯示器市場(chǎng)更具有競(jìng)爭(zhēng)力，而且一直處于上升趨勢(shì)。其中，被動(dòng)式有機(jī)電致 發(fā)光二極管（PM-0LED)主要采用行掃描方式工作，制作工藝相對(duì)較為簡(jiǎn)單，在小尺寸、低分 辨率的點(diǎn)矩陣顯示屏中應(yīng)用廣泛。
[0003] PM-0LED的電阻主要包括器件的電阻和走線的電阻，由于PM-0L邸器件具有二 極管特性，即器件的電阻隨著外部電壓的上升而減小，因此，對(duì)于在較高電壓下工作的 PM-0L邸來(lái)說(shuō)，要想降低功耗，走線的電阻就顯得尤為重要。如果PM-0L邸的驅(qū)動(dòng)電路僅采 用氧化銅錫（IT0)做走線，由于IT0的面電阻較大，導(dǎo)致走線的電阻較大，從而增加了 0LED 器件的功耗。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中MoAlMo(鋼侶鋼）的走線結(jié)構(gòu)雖然能夠在一定程度上降低功耗，但是 走線的電阻率仍然較大，且走線結(jié)構(gòu)復(fù)雜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種0L邸及其制作方法，降低了 0L邸器件的功 耗，實(shí)現(xiàn)同步刻蝕，不會(huì)造成側(cè)蝕，降低工藝難度，簡(jiǎn)化工藝流程。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種0LED的制作方法，該0LED的制作方法包括；
[0007] 提供一透明基板，所述透明基板包括；器件區(qū)W及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)；
[000引在所述器件區(qū)形成0L邸的W IT0為材料的第一電極；
[0009] 在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括；金屬導(dǎo)電層W及覆蓋于所述金屬導(dǎo) 電層表面的A1保護(hù)層，所述金屬導(dǎo)電層與IT0的接觸電阻小于A1與IT0的接觸電阻；
[0010] 對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電 極連接，第二端用于與電路板連接；
[0011] 在所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層W及0LED的第二電極；
[0012] 剝離所述第二端用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層。
[0013] 優(yōu)選的，在上述0L邸的制作方法中，所述在所述走線區(qū)形成走線層包括：
[0014] 在所述走線區(qū)形成厚度范圍為1000A-6000A的所述金屬導(dǎo)電層，所述范圍包括 端點(diǎn)值；
[0015] 在所述金屬導(dǎo)電層表面形成厚度范圍為200A-1000A的A1保護(hù)層，所述范圍均 包括端點(diǎn)值。
[0016] 優(yōu)選的，在上述0L邸的制作方法中，所述金屬導(dǎo)電層為化、化合金層、Ag層或Ag 合金層。
[0017] 優(yōu)選的，在上述OL邸的制作方法中，當(dāng)所述金屬導(dǎo)電層為Ag層或Ag合金層時(shí)，所 述對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕包括：
[0018] 在所述A1保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層；
[0019] 利用第一刻蝕液對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，所述第一刻蝕液為硝酸、磯酸、醋酸和水 的混合液；
[0020] 其中，所述硝酸的濃度為70%，其在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1% -10% ;所 述磯酸的濃度為85%，其在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為58% -78% ;所述醋酸的濃度為 100%，其在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% -20%，所述水在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 10% -30%。
[0021] 優(yōu)選的，在上述0L邸的制作方法中，當(dāng)所述金屬導(dǎo)電層為化層或化合金層時(shí)，所 述對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕包括：
[0022] 在所述A1保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層；
[0023] 利用第二刻蝕液對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，所述第二刻蝕液為水、磯酸W及過(guò)硫酸 鋼的混合液；
[0024] 其中，所述第二刻蝕液中，水的含量為1L ;所述磯酸含量為30ml，其濃度為85% ; 所述過(guò)硫酸鋼含量為40g。
[0025] 優(yōu)選的，在上述0LED的制作方法中，所述剝離所述第二端用于和所述電路板連接 的A1保護(hù)層包括：
[0026] 利用設(shè)定的水洗刻蝕液去掉所述第二端用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層，所 述水洗刻蝕液為水、磯酸與醋酸的混合液；
[0027] 其中，磯酸在第二刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3 %，其濃度為85 % ;醋酸在第二刻蝕液 中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%，其濃度為100%。
[002引優(yōu)選的，在上述0L邸的制作方法中，所述第二電極為反射式電極。
[0029] 本發(fā)明還提供一種0L邸，包括：
[0030] 透明基板，包括；器件區(qū)W及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)；
[0031] 設(shè)置在所述器件區(qū)的0L邸結(jié)構(gòu)，包括；位于所述器件區(qū)的第一電極、位于所述第 一電極表面的有機(jī)發(fā)光功能層W及位于所述有機(jī)發(fā)光功能層表面的第二電極，所述第一電 極材料為IT0 ;
[0032] 設(shè)置在所述走線區(qū)的走線，所述走線的第一端與第一電極連接，第二端用于與電 路板連接，所述走線包括；金屬導(dǎo)電層W及覆蓋于所述金屬導(dǎo)電層表面的A1保護(hù)層；
[0033] 其中，所述金屬導(dǎo)電層與IT0的接觸電阻小于A1與IT0的接觸電阻；所述第二端 用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層被剝離去除。
[0034] 優(yōu)選的，在上述0L邸中，所述金屬導(dǎo)電層的厚度為1000A-6000A，包括端點(diǎn)值； 所述A1保護(hù)層的厚度為200A-1000A，包括端點(diǎn)值。
[0035] 優(yōu)選的，在上述0LED中，所述金屬導(dǎo)電層為化、化合金層、Ag層或Ag合金層。
[0036] 通過(guò)上述描述可知，本發(fā)明提供了一種0L邸的制作方法，包括：提供一透明基板， 所述透明基板包括；器件區(qū)W及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)；在所述器件區(qū)形成0L邸的W IT0為材料的第一電極；在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括；金屬導(dǎo)電層W及覆蓋 于所述金屬導(dǎo)電層表面的A1保護(hù)層，所述金屬導(dǎo)電層與ITO的接觸電阻小于A1與ITO的接 觸電阻；對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電極 連接，第二端用于與電路板連接；在所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層W及0L邸 的第二電極；剝離所述第二端用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層。
[0037] 本發(fā)明中提供的金屬導(dǎo)電層的電阻率比A1低，能夠降低器件功耗，而且其與IT0 的接觸電阻比A1與IT0之間的接觸電阻更小，所W無(wú)需增加金屬M(fèi)o來(lái)降低接觸電阻，在結(jié) 構(gòu)上去掉了傳統(tǒng)制作0L邸技術(shù)中用來(lái)降低金屬導(dǎo)電層與IT0層接觸電阻的緩沖層，簡(jiǎn)化走 線結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)技術(shù)方案簡(jiǎn)化了 0L邸的結(jié)構(gòu)W及制作方法。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[003引為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可W根據(jù) 提供的附圖獲得其他的附圖。
[0039] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中常見(jiàn)的一種MoAlMo走線的側(cè)視圖；
[0040] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0L邸制作方法流程圖；
[0041] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED走線層的側(cè)視圖；
[0042] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0L邸基板的俯視圖；
[0043] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED走線側(cè)視圖；
[0044] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種設(shè)置在器件區(qū)的0L邸結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0045] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046] 請(qǐng)參考圖1，傳統(tǒng)的PM-0LED通常選用輔助金屬M(fèi)oAlMo來(lái)制作走線。首先在玻璃 基板101的表面形成一定厚度的導(dǎo)電金屬I(mǎi)T0102,之后在導(dǎo)電金屬口0102的表面依次形 成一層金屬M(fèi)o層103、金屬A1層104和金屬M(fèi)o層105,形成W金屬A1層104為中間層的 S明治結(jié)構(gòu)，其中，起主要導(dǎo)電作用的是金屬A1層104,底層的金屬M(fèi)o層103作為緩沖層， 起到降低金屬A1層104和口0102之間的接觸電阻的作用，頂層的金屬M(fèi)o層105作為保護(hù) 層，制作過(guò)程中防止金屬A1層104被氧化和腐蝕。然而，由于輔助金屬M(fèi)oAlMo的面電阻過(guò) 高，導(dǎo)致器件的功耗較大，由于A1與IT0接觸電阻較大，必須使用Mo做緩沖層來(lái)降低接觸 電阻，導(dǎo)致走線結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
[0047] 為解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種0L邸的制作方法，參考圖2,圖2為本 發(fā)明實(shí)施例提供的一種0L邸制作方法流程圖，所述制作方法包括：
[0048] 步驟S1 ;提供一透明基板，所述透明基板包括；器件區(qū)W及包圍所述器件區(qū)的走 線區(qū)。透明基板可W為透明玻璃基板，當(dāng)0L邸發(fā)光時(shí)，用于透光。
[0049] 步驟S2 ;在所述器件區(qū)形成0L邸的W IT0為材料的第一電極。
[0化0] 可w通過(guò)物理氣相沉積或者真空鍛膜等方式在所述器件區(qū)形成一層ITO層，通過(guò) 位于器件區(qū)的IT0層進(jìn)行刻蝕形成第一電極。
[0051] 步驟S3 ;參考圖3,在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括；金屬導(dǎo)電層301 W及覆蓋于所述金屬導(dǎo)電層301表面的A1保護(hù)層302,所述金屬導(dǎo)電層301與IT0的接觸 電阻小于A1與IT0的接觸電阻。
[0化2] 為了保證走線與第一電極通過(guò)搭接實(shí)現(xiàn)電連接，在步驟S2中形成第一電極時(shí)，形 成在透明基板101的器件區(qū)的IT0層102也覆蓋走線區(qū)，走線層形成在位于走線區(qū)的口0 層102的表面。
[0化3] 在該步驟中，優(yōu)選的，在走線區(qū)通過(guò)物理氣相沉積或者真空鍛膜的方式形成厚度 范圍為1000A-6000A的金屬導(dǎo)電層301，所述范圍包括端點(diǎn)值，在優(yōu)選的厚度范圍內(nèi)，器 件的導(dǎo)電性能優(yōu)良；在金屬導(dǎo)電層301表面通過(guò)物理氣相沉積或者真空鍛膜的方式形成厚 度范圍為200A-1OOOA的A1保護(hù)層302,所述范圍均包括端點(diǎn)值，在此厚度范圍內(nèi)，能夠 更好的保護(hù)金屬導(dǎo)電層301不被氧化和腐蝕。
[0054] 優(yōu)選的，金屬導(dǎo)電層301可W為Cu、Cu合金層、Ag層或Ag合金層，Cu、Cu合金層、 Ag層或Ag合金層的電阻率低于傳統(tǒng)走線金屬A1層104的電阻率，使得器件具有最優(yōu)的導(dǎo) 電性能，進(jìn)而降低功耗。而且其與口0的接觸電阻小，無(wú)需在金屬導(dǎo)電層301和IT0層之間 增加降低接觸電阻的中間層，簡(jiǎn)化了走線結(jié)構(gòu)。
[0055] 由于在制作0LED過(guò)程中，金屬導(dǎo)電層301容易被氧化腐蝕，所W需要在金屬導(dǎo)電 層301的表面形成保護(hù)層。選用保護(hù)層材料時(shí)，最主要的是要考慮其與金屬導(dǎo)電層301所使 用的金屬的活潑性是否相近，只有二者的活潑性相近才能實(shí)現(xiàn)同步刻蝕，且不會(huì)發(fā)生側(cè)蝕， 簡(jiǎn)化制作流程。本申請(qǐng)實(shí)施例采用化、化合金層、Ag層或Ag合金層中的任一種作為導(dǎo)電 層，采用A1作為保護(hù)層，使得導(dǎo)電層與保護(hù)層的刻蝕速度相近，可進(jìn)行同步刻蝕，且不會(huì)發(fā) 生側(cè)蝕，簡(jiǎn)化制作流程，同時(shí)保證了產(chǎn)品質(zhì)量。
[0056] 如果使用氧化銅錫IT0或氧化銅鋒IZ0作為保護(hù)層，有較多的缺點(diǎn)，第一、瓣射IT0 或IZ0時(shí)，需要通〇2,容易造成導(dǎo)電層被氧化，走線電阻升高，導(dǎo)致器件的功耗增大；第二、 IT0或IZ0成本較高，且與柔性電路板FPC或集成電路板1C綁定時(shí)，二者的接觸電阻較大； 第S、IT0或IZ0與導(dǎo)電層活性相差較大，一步刻蝕時(shí)，金屬導(dǎo)電層與保護(hù)層不能同時(shí)進(jìn)行 刻蝕，容易導(dǎo)致側(cè)蝕。所W，選用IT0或者IZ0作為保護(hù)層不合適。因此，本發(fā)明選用成本 較低且與金屬導(dǎo)電層301活性相近的A1保護(hù)層302,在制程中雖然A1會(huì)被氧化，但會(huì)保護(hù) A1下表面的金屬導(dǎo)電層301不被氧化。
[0057] 步驟S4 ;如圖4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0L邸基板200的俯視圖， 對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線203,走線203的第一端與第一電極102連接， 第二端用于與電路板連接，例如1C電路板或FPC電路板，此外，在走線區(qū)202還包括用于和 0L邸第二電極連接的走線204,走線204的第二端用于與電路板連接。
[0化引在該步驟中，參考圖5,圖5為一種0L邸走線側(cè)視圖，即對(duì)走線層刻蝕之后形成走 線的側(cè)視圖。首先需要在A1保護(hù)層302的表面形成設(shè)定圖案的掩膜層，掩膜層可W為光刻 膠，利用光刻技術(shù)使光刻膠形成設(shè)定的圖案，即形成了設(shè)定圖案的掩膜層，此處利用光刻膠 保護(hù)走線層不被刻蝕液所刻蝕，對(duì)走線層進(jìn)行刻蝕時(shí)，未被光刻膠保護(hù)的走線層部分才會(huì) 得到刻蝕，最終形成金屬圖案，即走線203或者走線204。
[0059] 當(dāng)金屬導(dǎo)電層301為Ag層或Ag合金層時(shí)，利用第一刻蝕液對(duì)走線層進(jìn)行刻蝕，第 一刻蝕液為硝酸、磯酸、醋酸和水的混合液；其中，硝酸的濃度為70 %，其在第一刻蝕液中 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1% -10%;磯酸的濃度為85%，其在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為58% -78%; 醋酸的濃度為100%，其在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% -20%，水在第一刻蝕液中的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為10% -30%。
[0060] 當(dāng)金屬導(dǎo)電層301為化層或化合金層時(shí)，利用第二刻蝕液對(duì)走線層進(jìn)行刻蝕，第 二刻蝕液為水、磯酸W及過(guò)硫酸鋼的混合液；其中，第二刻蝕液中，水的含量為1L ;所述磯 酸含量為30ml，其濃度為85% ;過(guò)硫酸鋼含量為40g。
[0061] 根據(jù)金屬導(dǎo)電層301所選用的材料不同配套使用不同的刻蝕液，刻蝕液成分簡(jiǎn) 單，成本低廉，由于金屬導(dǎo)電層301與A1保護(hù)層302活性相近，能夠被設(shè)定的刻蝕液同時(shí)進(jìn) 行刻蝕，實(shí)現(xiàn)同步刻蝕，且不易發(fā)生側(cè)蝕，簡(jiǎn)化了制作流程。
[0062] 步驟S5 ;參考圖6,圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種設(shè)置在器件區(qū)的OL邸結(jié)構(gòu)的 側(cè)視圖，在所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層401 W及OLED的第二電極402。
[0063] 在該步驟中，形成第二電極402之后，將走線204的第一端與第二電極402化搭接 的方式連接。當(dāng)?shù)谝浑姌O作為OL邸器件的陽(yáng)極時(shí)，在第一電極的表面可W依次形成空穴注 入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層W及電子注入層，該樣做有利于空穴和電子的注入， 五者共同構(gòu)成有機(jī)發(fā)光功能層401 ;在有機(jī)發(fā)光功能層401的表面W物理氣相沉積或者真 空鍛膜形成第二電極402。
[0064] 優(yōu)選的，第二電極為具有反射光作用的金屬，例如Ag、Al、化、In、Li與Mg等，目的 是提高發(fā)光效率。
[0065] 在形成OL邸的有機(jī)發(fā)光功能層與第二電極后，對(duì)器件區(qū)結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝。
[0066] 步驟S6 ;剝離所述第二端用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層302。
[0067] 當(dāng)上述封裝完成后，如果所述第一電極為ITO陽(yáng)極，此時(shí)第二電極可W優(yōu)選的為 A1陰極。此時(shí)，可W將所述第二端的被氧化的A1保護(hù)層與OL邸器件整版點(diǎn)亮所用搭接塊 處的第二電極A1同時(shí)去除。
[0068] 在該步驟中，利用設(shè)定的水洗刻蝕液去掉第二端用于和所述電路板連接的A1保 護(hù)層302,水洗刻蝕液為水、磯酸與醋酸的混合液；其中，磯酸在第二刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù) 為3%，其濃度為85% ;醋酸在第二刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%，其濃度為100%。
[0069] 此處剝離第二端用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層302的目的是防止在刻蝕過(guò) 程中被氧化的A1保護(hù)層302與柔性電路或者集成電路連接，導(dǎo)致接觸電阻增大，不利于電 流的通過(guò)。
[0070] 利用如上所述的一種OLED的制作方法，用電阻率較低的化、化合金、Ag、Ag合金 中的任何一種作為金屬導(dǎo)電層，都能夠降低OLED器件的功耗，而且化、化合金、Ag、Ag合金 與ITO的接觸電阻都比較低，在結(jié)構(gòu)上去掉了傳統(tǒng)走線中的緩沖層。此外，選用成本較低且 與金屬導(dǎo)電層活性相近的A1作為保護(hù)層，不僅能夠防止在制作OL邸過(guò)程中金屬導(dǎo)電層被 氧化腐蝕，而且實(shí)現(xiàn)了同步刻蝕，防止側(cè)蝕。由于使用了化、化合金、Ag、Ag合金作為金屬 導(dǎo)電層，A1作為保護(hù)層，所W在制作OL邸器件的過(guò)程中，配套使用的刻蝕液成分簡(jiǎn)單，成本 低廉，實(shí)現(xiàn)了金屬導(dǎo)電層與保護(hù)層的同步刻蝕，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了工藝難度。
[0071] 基于上述OL邸的制作方法，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種OL邸，請(qǐng)參考圖4、圖5 w 及圖6,所述0L邸包括透明基板200、設(shè)置在器件區(qū)201的0L邸結(jié)構(gòu)W及設(shè)置在走線區(qū)202 的走線203 W及走線204。
[007引透明基板200,如圖4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0L邸基板俯視圖，該 透明基板200包括；器件區(qū)201 W及包圍所述器件區(qū)201的走線區(qū)202 ;器件區(qū)201具有完 整的0L邸結(jié)構(gòu)，在器件區(qū)201形成0LED的W IT0為材料的第一電極102,器件區(qū)201與電 路連接，并加適當(dāng)電壓即可發(fā)光。
[0073] 設(shè)置在所述器件區(qū)201的0L邸結(jié)構(gòu)，如圖6所示，圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一 種設(shè)置在器件區(qū)的0L邸結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，該0L邸結(jié)構(gòu)包括；位于器件區(qū)201的第一電極102、 位于第一電極102表面的有機(jī)發(fā)光功能層401 W及位于有機(jī)發(fā)光功能層401表面的第二電 極402,第一電極102的材料為IT0,有機(jī)發(fā)光功能層401是0LED器件的核屯、部分，一般包 括空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層W及電子傳輸層等，根據(jù)有機(jī)發(fā)光層種類(lèi)的不同，可發(fā)出不同顏 色的光，第二電極402通常為具有反射光功能的金屬層，例如Ag、A1、化、In、Li與Mg等金 屬，增加器件的發(fā)光效率。
[0074] 設(shè)置在走線區(qū)202的走線，包括走線203和走線204,走線203的第一端與第一 電極102連接，第二端用于與電路板連接，走線203為第一電極102的走線，主要作用是將 0LED的第一電極102與1C柔性電路板或者FPC集成電路板連接，另外，參考圖6,走線204 的第一端與器件區(qū)201中的第二電極402 W搭接的方式連接，其第二端用于與所述電路板 連接，走線204作為第二電極402的引線，目的是將第二電極402與1C電路板或者FPC電 路板連接，走線203和走線204作為連接第一電極102 W及第二電極402與電路板的橋梁， 目的是便于給0LED的兩個(gè)電極之間加一定的電壓，使得0LED發(fā)光。
[0075] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0L邸走線的側(cè)視圖，走線203或者走線204包括； 金屬導(dǎo)電層301 W及覆蓋于所述金屬導(dǎo)電層301表面的A1保護(hù)層302。其中，金屬導(dǎo)電層 301與第一電極102的接觸電阻小于A1與IT0的接觸電阻，接觸電阻小有利于電子或者空 穴進(jìn)行傳輸；走線203或走線204第二端用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層被剝離去除， 由于在制作0L邸器件的過(guò)程中A1保護(hù)層302被氧化腐蝕，導(dǎo)電性變差，為了防止走線的第 二端與電路板連接接觸時(shí)，導(dǎo)致接觸電阻增大，所W要去掉走線第二端的A1保護(hù)層，即只 去除與1C電路板或者FPC電路板接觸的走線上的A1保護(hù)層，其他部分的A1保護(hù)層可W不 用去除；優(yōu)選的情況下，金屬導(dǎo)電層301可W為化、化合金層、Ag層或Ag合金層，其中，金屬 導(dǎo)電層301的厚度為1000A-6000A，包括端點(diǎn)值;A1保護(hù)層302的厚度為200A-1000A, 包括端點(diǎn)值。
[0076] 如上述制作方法實(shí)施例所述，所述第二端的A1保護(hù)層可W在對(duì)器件區(qū)的結(jié)構(gòu)進(jìn) 行封裝后，在綁定1C電路板或是FPC電路之前，與第二電極用于綁定處的A1同時(shí)進(jìn)行剝離 去除。
[0077] 本發(fā)明提供的0L邸，其走線中的金屬導(dǎo)電層采用了材料電阻率較低的化、化合 金、Ag、Ag合金，降低了器件的功耗，在結(jié)構(gòu)上去除了用來(lái)降低金屬導(dǎo)電層與IT0接觸電阻 的緩沖層，將傳統(tǒng)走線中的S層結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化為兩層結(jié)構(gòu)，利用與金屬導(dǎo)電層活性相近的A1作 保護(hù)層，在制作過(guò)程中防止了金屬導(dǎo)電層被氧化腐蝕。
[007引對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)該些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的 一般原理可W在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明 將不會(huì)被限制于本文所示的該些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一 致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種OLED的制作方法，其特征在于，包括： 提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)； 在所述器件區(qū)形成0LED的以IT0為材料的第一電極； 在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：金屬導(dǎo)電層以及覆蓋于所述金屬導(dǎo)電層 表面的A1保護(hù)層，所述金屬導(dǎo)電層與IT0的接觸電阻小于A1與IT0的接觸電阻； 對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連 接，第二端用于與電路板連接； 在所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層以及0LED的第二電極； 剝離所述第二端用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層。
2. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述走線區(qū)形成走線層包括： 在所述走線區(qū)形成厚度范圍為1000人-6000人的所述金屬導(dǎo)電層，所述范圍包括端點(diǎn) 值； 在所述金屬導(dǎo)電層表面形成厚度范圍為200A-I000A的A1保護(hù)層，所述范圍均包括 端點(diǎn)值。
3. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)電層為Cu、Cu合金層、Ag層 或Ag合金層。
4. 如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，當(dāng)所述金屬導(dǎo)電層為Ag層或Ag合金層 時(shí)，所述對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕包括： 在所述A1保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層； 利用第一刻蝕液對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，所述第一刻蝕液為硝酸、磷酸、醋酸和水的混 合液； 其中，所述硝酸的濃度為70%，其在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1% -10% ;所述 磷酸的濃度為8 5 %，其在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5 8 % - 7 8 % ;所述醋酸的濃度為 100%，其在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% -20%，所述水在第一刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 10% -30%〇
5. 如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，當(dāng)所述金屬導(dǎo)電層為Cu層或Cu合金層 時(shí)，所述對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕包括： 在所述A1保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層； 利用第二刻蝕液對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，所述第二刻蝕液為水、磷酸以及過(guò)硫酸鈉的 混合液； 其中，所述第二刻蝕液中，水的含量為1L;所述磷酸含量為30ml，其濃度為85% ;所述 過(guò)硫酸鈉含量為40g。
6. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述剝離所述第二端用于和所述電路 板連接的A1保護(hù)層包括： 利用設(shè)定的水洗刻蝕液去掉所述第二端用于和所述電路板連接的A1保護(hù)層，所述水 洗刻蝕液為水、磷酸與醋酸的混合液； 其中，磷酸在第二刻蝕液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3 %，其濃度為85 % ;醋酸在第二刻蝕液中的 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%，其濃度為100%。
7. 如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二電極為反射式電極。
8. -種OLED，其特征在于，包括： 透明基板，包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)； 設(shè)置在所述器件區(qū)的OLED結(jié)構(gòu)，包括：位于所述器件區(qū)的第一電極、位于所述第一電 極表面的有機(jī)發(fā)光功能層以及位于所述有機(jī)發(fā)光功能層表面的第二電極，所述第一電極材 料為ITO; 設(shè)置在所述走線區(qū)的走線，所述走線的第一端與第一電極連接，第二端用于與電路板 連接，所述走線包括：金屬導(dǎo)電層以及覆蓋于所述金屬導(dǎo)電層表面的A1保護(hù)層； 其中，所述金屬導(dǎo)電層與ITO的接觸電阻小于A1與ITO的接觸電阻；所述第二端用于 和所述電路板連接的A1保護(hù)層被剝離去除。
9. 如權(quán)利要求8所述的OLED，其特征在于，所述金屬導(dǎo)電層的厚度為l〇〇〇A-600〇A， 包括端點(diǎn)值；所述A1保護(hù)層的厚度為200A-1000A，包括端點(diǎn)值。
10. 如權(quán)利要求8所述的OLED，其特征在于，所述金屬導(dǎo)電層為Cu、Cu合金層、Ag層或 Ag合金層。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104485428SQ201410837334
【公開(kāi)日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月29日
【發(fā)明者】周曉峰, 謝志生, 葉雁祥, 徐永尊, 丁濤, 蘇君海, 何基強(qiáng), 李建華 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司