一種抗溫度沖擊的二極管的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種抗溫度沖擊的二極管，包括芯片、包覆所述芯片的環(huán)氧塑封體；所述芯片具有一大端面和一小端面，所述芯片的小端面電性連接凸頭引腳，所述芯片的大端面電性連接平頭引腳，所述平頭引腳和所述芯片的大端面接觸的表面面積不小于所述芯片的大端面的面積。本實用新型中芯片的大端面電性連接平頭引腳，所述平頭引腳和所述芯片的大端面接觸的表面面積不小于所述芯片的大端面的面積，保證了引腳與芯片大端面接觸面積，連接后芯片未懸空，在溫度沖擊時，芯片產(chǎn)品內部溫度變化更均勻，產(chǎn)品內部產(chǎn)生應力更小，芯片受產(chǎn)品內部產(chǎn)生的應力沖擊更均勻，芯片破裂失效的現(xiàn)象大大減少，產(chǎn)品抗溫度沖擊性能好。
【專利說明】一種抗溫度沖擊的二極管
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電子器件領域，具體涉及一種抗溫度沖擊的二極管。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的大尺寸GPP 二極管通常包括GPP芯片，包覆所述GPP芯片的環(huán)氧塑封體，GPP芯片具有一大端面和一小端面，所述GPP芯片的大端面和小端面均電性連接有凸頭引腳(見圖1)?，F(xiàn)有這種結構的引腳使用在大尺寸GPP芯片上時，由于引腳與芯片大端面接觸面積小，連接后造成芯片懸空較多，在溫度沖擊時(通過引腳焊接時或焊接到電路板上工作時電路發(fā)熱)，芯片產(chǎn)品溫度變化較大，這樣的溫度變化，在芯片產(chǎn)品內部會產(chǎn)生較大應力，內部應力作用使芯片破裂失效。
實用新型內容
[0003]本實用新型的發(fā)明目的在于:針對現(xiàn)有技術存在的問題，提供一種抗溫度沖擊性能好的二極管。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術方案為:
[0005]一種抗溫度沖擊的二極管，包括芯片、包覆所述芯片的環(huán)氧塑封體；所述芯片具有一大端面和一小端面，所述芯片的小端面電性連接凸頭引腳，所述芯片的大端面電性連接平頭引腳，所述平頭引腳和所述芯片的大端面接觸的表面面積不小于所述芯片的大端面的面積。
[0006]優(yōu)選的，所述平頭引腳包括橫向平面和與該橫向平面連接的引線；所述橫向平面與所述芯片的大端面連接；所述橫向平面包覆于所述環(huán)氧塑封體內；所述引線與該橫向平面連接的一端包覆于所述環(huán)氧塑封體內，另一端伸出所述環(huán)氧塑封體。
[0007]所述凸頭引腳連接所述芯片小端面的一端包覆于所述環(huán)氧塑封體內，另一端伸出所述環(huán)氧塑封體。
[0008]所述芯片為GPP芯片。
[0009]綜上所述，由于采用了上述技術方案，本實用新型的有益效果是:
[0010]本實用新型的抗溫度沖擊的二極管芯片的大端面電性連接平頭引腳，所述平頭引腳和所述芯片的大端面接觸的表面面積不小于所述芯片的大端面的面積，保證了引腳與芯片大端面接觸面積，連接后芯片未懸空，在溫度沖擊時，芯片產(chǎn)品內部溫度變化更均勻，產(chǎn)品內部產(chǎn)生應力更小，芯片受產(chǎn)品內部產(chǎn)生的應力沖擊更均勻，芯片破裂失效的現(xiàn)象大大減少，產(chǎn)品抗溫度沖擊性能好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是現(xiàn)有的GPP 二極管的結構示意圖。
[0012]圖2是本實用新型實施例的抗溫度沖擊的二極管的結構示意圖。
[0013]圖中標記:1_芯片，2-凸頭引腳，3-平頭引腳，301-橫向平面，302-引線，303-橫向固定桿，4-環(huán)氧塑封體。
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖，對本實用新型作詳細的說明。
[0015]為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0016]實施例:
[0017]如圖2所示，本實施例的一種抗溫度沖擊的二極管，包括芯片1、包覆所述芯片I的環(huán)氧塑封體4 ;所述芯片I具有一大端面和一小端面，所述芯片的小端面電性連接凸頭引腳2，所述芯片I的大端面電性連接平頭引腳3，所述平頭引腳3和所述芯片I的大端面接觸的表面面積不小于所述芯片I的大端面的面積。本實施例中優(yōu)選平頭引腳3和所述芯片I的大端面接觸的表面面積等于所述芯片I的大端面的面積。
[0018]具體的，所述平頭引腳3包括橫向平面301和與該橫向平面301連接的引線302 ；所述橫向平面301與所述芯片I的大端面連接；所述橫向平面301包覆于所述環(huán)氧塑封體4內；所述引線302與該橫向平面301連接的一端包覆于所述環(huán)氧塑封體4內，另一端伸出所述環(huán)氧塑封體4。其中，所述橫向平面301可以是圓形平面或方形平面，由金屬材料制成。為了保證引線302連接的牢固性，所述引線302包覆于環(huán)氧塑封體4內的部分設有一橫向固定桿303，橫向固定桿303該增大了引線302與環(huán)氧塑封體4的接觸面積，引線302連接更加牢固。所述凸頭引腳2連接所述芯片I小端面的一端包覆于所述環(huán)氧塑封體4內，另一端伸出所述環(huán)氧塑封體4。所述凸頭引腳2包覆于環(huán)氧塑封體4內的部分也設有一橫向固定桿。上述芯片均為GPP芯片。
`[0019]本發(fā)明人做了以下對比試驗:取現(xiàn)有的采用雙凸頭引腳的140mil GPP芯片產(chǎn)品50只，在-55…150°C溫度范圍，10次溫度循環(huán)，失效11只，解剖失效品，均是芯片破裂。取本實用新型的140mil GPP芯片產(chǎn)品50只，在-55…150°C溫度范圍，10次溫度循環(huán)，產(chǎn)品無失效品出現(xiàn)，繼續(xù)做到200次溫度循環(huán)未發(fā)現(xiàn)失效。由該試驗數(shù)據(jù)表明采用本實用新型的引腳結構的芯片產(chǎn)品抗溫度沖擊能力明顯高于現(xiàn)有產(chǎn)品。
[0020]本實用新型的抗溫度沖擊的二極管根據(jù)GPP芯片的結構，在芯片的大端面電性連接平頭引腳，所述平頭引腳和所述芯片的大端面接觸的表面面積不小于所述芯片的大端面的面積，保證了引腳與芯片大端面接觸面積，連接后芯片未懸空，在溫度沖擊時，芯片產(chǎn)品內部溫度變化更均勻，產(chǎn)品內部產(chǎn)生應力更小，芯片受產(chǎn)品內部產(chǎn)的應力沖擊更均勻，芯片破裂失效的現(xiàn)象大大減少，產(chǎn)品抗溫度沖擊性能好。
[0021]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種抗溫度沖擊的二極管，包括芯片、包覆所述芯片的環(huán)氧塑封體；所述芯片具有一大端面和一小端面，所述芯片的小端面電性連接凸頭引腳，其特征在于，所述芯片的大端面電性連接平頭引腳，所述平頭引腳和所述芯片的大端面接觸的表面面積不小于所述芯片的大端面的面積。
2.根據(jù)權利要求1所述的抗溫度沖擊的二極管，其特征在于，所述平頭引腳包括橫向平面和與該橫向平面連接的引線；所述橫向平面與所述芯片的大端面連接；所述橫向平面包覆于所述環(huán)氧塑封體內；所述引線與該橫向平面連接的一端包覆于所述環(huán)氧塑封體內，另一端伸出所述環(huán)氧塑封體。
3.根據(jù)權利要求1所述的抗溫度沖擊的二極管，其特征在于，所述凸頭引腳連接所述芯片小端面的一端包覆于所述環(huán)氧塑封體內，另一端伸出所述環(huán)氧塑封體。
4.根據(jù)權利要求1或2或3所述的抗溫度沖擊的二極管，其特征在于，所述芯片為GPP-H-* I I心/T O
【文檔編號】H01L23/48GK203644793SQ201420023618
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2014年1月15日 優(yōu)先權日:2014年1月15日
【發(fā)明者】周杰, 譚志偉 申請人:樂山無線電股份有限公司, 成都先進功率半導體股份有限公司