一種cmos硅片裂片的處理裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種cmos硅片裂片的處理裝置，所述處理裝置包括一承壓部、一擠壓部以及一銅棒，所述承壓部通過一連接件與擠壓部相連，所述承壓部從下到上依次設(shè)置有一彈性墊片、一第一PVC透明片以及一第一宣紙層，所述擠壓部從下到上依次設(shè)有一第二宣紙層以及一第二PVC透明片。本實(shí)用新型能夠大大提高硅片裂片的拆分效率，同時(shí)不劃傷硅片表面，且不會產(chǎn)生崩邊及摩擦產(chǎn)生靜電現(xiàn)象。
【專利說明】—種cmos硅片裂片的處理裝置
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種cmos硅片裂片的處理裝置。
【【背景技術(shù)】】
[0002]CMOS 是 Complementary Metal Oxide Semiconductor(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的縮寫。它是指制造大規(guī)模集成電路芯片用的一種技術(shù)或用這種技術(shù)制造出來的芯片。是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM芯片。因?yàn)榭勺x寫的特性，所以在電腦主板上用來保存BIOS設(shè)置完電腦硬件參數(shù)后的數(shù)據(jù)，這個(gè)芯片僅僅是用來存放數(shù)據(jù)的，其采用有硅片結(jié)構(gòu)。
[0003]現(xiàn)有硅片裂片的拆分一般是將制作好的帶有橫豎切割道的一整片硅片，人工按整片硅片上的切割道進(jìn)行滑動然后拆解下硅片裂片，效率十分的低，人工成本高，并且操作時(shí)容易劃傷硅片，且會產(chǎn)生崩邊及摩擦產(chǎn)生靜電現(xiàn)象。同時(shí)拆解下來的硅片裂片堆放無規(guī)律，挑片耗時(shí)長。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題，在于提供一種cmos硅片裂片的處理裝置，能夠大大提高硅片裂片的拆分效率，同時(shí)不劃傷硅片表面，且不會產(chǎn)生崩邊及摩擦產(chǎn)生靜電現(xiàn)象。
[0005]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)問題的:
[0006]一種cmos硅片裂 片的處理裝置，所述處理裝置包括一承壓部、一擠壓部以及一銅棒，所述承壓部通過一連接件與擠壓部相連，所述承壓部從下到上依次設(shè)置有一彈性墊片、一第一 PVC透明片以及一第一宣紙層，所述擠壓部從下到上依次設(shè)有一第二宣紙層以及一第二 PVC透明片。
[0007]進(jìn)一步地，所述彈性墊片、第一 PVC透明片、第一宣紙層、第二宣紙層以及第二 PVC透明片均為圓形。
[0008]本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0009]本實(shí)用新型處理裝置的最底部為一彈性墊片，能夠使拆分時(shí)的推壓力度得到緩沖，大大減小硅片的損傷；在接觸硅片的上下兩層宣紙層用冷媒濕潤，既能夠保護(hù)硅片表面，又能夠使得拆分后的硅片裂片固定，方便最后的挑選。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0010]下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0011]圖1為本實(shí)用新型的處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0012]請參閱圖1所示，對本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0013]本實(shí)用新型涉及一種cmos硅片裂片的處理裝置，所述處理裝置包括一承壓部1、一擠壓部2以及一銅棒(圖未示)，所述承壓部I通過一連接件3與擠壓部2相連，所述承壓部I從下到上依次設(shè)置有一彈性墊片11、一第一 PVC透明片12以及一第一宣紙層13，所述擠壓部2從下到上依次設(shè)有一第二宣紙層21以及一第二 PVC透明片22。
[0014]所述彈性墊片11、第一PVC透明片12、第一宣紙層13、第二宣紙層21以及第二 PVC透明片22均為圓形。
[0015]所述處理裝置的使用方式如下:
[0016]步驟10、將處理裝置的承壓部I和擠壓部2打開，即承壓部I在下，擠壓部2在上，往第一宣紙層13和第二宣紙層21滴冷媒；
[0017]步驟20、將整片硅片的正面朝下放置于第一宣紙層13上，然后蓋下擠壓部2 ;
[0018]步驟30、將銅棒放于擠壓部2的上方，并沿整片硅片的橫向切割道方向推壓一次，再沿縱向切割道方向推壓一次，同時(shí)用力均勻，最后形成硅片裂片；
[0019]步驟40、將整個(gè)處理裝置翻轉(zhuǎn)，使得承壓部I在上，擠壓部2在下，則硅片裂片的正面均朝上打開承壓部，再挑選合格的硅片裂片。
[0020]本實(shí)用新型處理裝置的最底部為一彈性墊片11，能夠使拆分時(shí)的推壓力度得到緩沖，大大減小硅片的損傷；在接觸硅片的上下兩層宣紙層用冷媒濕潤，既能夠保護(hù)硅片表面，又能夠使得拆分后的硅片裂片固定，方便最后的挑選，且不會產(chǎn)生崩邊及摩擦產(chǎn)生靜電現(xiàn)象。
[0021]雖然以上描述了本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但是熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，我們所描述的具體的實(shí)施例只是說明性的，而不是用于對本實(shí)用新型的范圍的限定，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在依照本實(shí)用新型的精神所作的等效的修飾以及變化，都應(yīng)當(dāng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求所保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種cmos硅片裂片的處理裝置，其特征在于:所述處理裝置包括一承壓部、一擠壓部以及一銅棒，所述承壓部通過一連接件與擠壓部相連，所述承壓部從下到上依次設(shè)置有一彈性墊片、一第一 PVC透明片以及一第一宣紙層，所述擠壓部從下到上依次設(shè)有一第二宣紙層以及一第二 PVC透明片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種cmos硅片裂片的處理裝置，其特征在于:所述彈性墊片、第一 PVC透明片、第一宣紙層、第二宣紙層以及第二 PVC透明片均為圓形。
【文檔編號】H01L21/8238GK203746819SQ201420080953
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月25日
【發(fā)明者】黃福仁, 林勇, 陳輪興 申請人:福建安特微電子有限公司