一種提高led集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括：基板；所述基板上的線路層；所述基板上的GaN?LED芯片陣列；以及GaN?LED芯片陣列之間、且存在于GaN?LED芯片陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠層、所述線路層；其特征在于，面向所述GaN?LED芯片陣列的所述絕緣層表面形成為斜坡墻。實現(xiàn)了改變LED集成光源中光路，使得硅膠中水平行走的光，穿出硅膠到達空氣中，從而大大提高光通量輸出。
【專利說明】一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及一種LED結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種提高LED集成光源光通量輸出的 結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] GaN LED芯片，也可以理解為發(fā)光二極管，其粘結(jié)在基板（鋁基，銅基或陶瓷等）的 上表面。所述芯片的正負極通過金屬導(dǎo)線（金線，鋁線等）相互串聯(lián)或并聯(lián)，并且串聯(lián)的首 尾通過金屬導(dǎo)線連接到鋁基板的正負電極線路層。這樣陣列GaN LED芯片就構(gòu)成能夠承載 一定電壓（串聯(lián)電壓的相加）、一定電流（并聯(lián)電流相加）的電器件。GaN LED芯片上面覆 蓋有硅膠（包括混有熒光粉硅膠），硅膠周圍被圍壩硅膠圍欄。當(dāng)這樣構(gòu)成的器件通上電流 和電壓的時候，陣列GaN LED芯片構(gòu)成了藍光LED集成光源。如果硅膠中混有熒光粉成為 熒光粉膠的時候，部分GaN LED發(fā)出的藍光激發(fā)熒光粉產(chǎn)生黃光。這種光組合就構(gòu)成了白 光LED集成光源，如圖1和圖2所示。
[0003] 當(dāng)前的技術(shù)中，GaN LED芯片發(fā)出藍光，藍光射到熒光粉顆粒，顆粒被激發(fā)后發(fā)出 光，到達線路層的垂直墻后被反射，反射光有些不能到達硅膠和空氣的界面，如圖3的光線 1和光線2 ;有些反射光即使到達硅膠和空氣的界面，如光線3,也由于它對界面的入射角大 于界面全反射臨界角，還是不能走出硅膠到達空氣中。類似的光線由于不能走出硅膠到達 空氣中而最終被硅膠吸收，轉(zhuǎn)換成熱能。所以，線路層的有垂直墻的結(jié)構(gòu)的LED集成光源， 由部分結(jié)構(gòu)造成的光通量損失，如圖3所示。 實用新型內(nèi)容
[0004] 為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供了一種提高LED集成光源光通量 輸出的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括：基板；所述基板上的線路層；所述基板上的GaN LED芯片陣列；以 及GaN LED芯片陣列之間、且存在于GaN LED芯片陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；圍壩 膠鄰接于熒光粉硅膠層、所述線路層；所述線路層包括所述基板上的絕緣層、所述絕緣層上 的導(dǎo)電銅層以及阻焊層，其特征在于，面向所述GaN LED芯片陣列的所述絕緣層表面形成為 斜坡墻。
[0005] 進一步地，所述圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠層、導(dǎo)電銅層和阻焊層。
[0006] 進一步地，存在多個金屬導(dǎo)線，一部分金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN LED芯 片的正極，另一部分金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN LED芯片的負極，另一部分金屬導(dǎo) 線連接一 GaN LED芯片的正極和另一 GaN LED芯片的負極。
[0007] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：
[0008] 本實用新型實現(xiàn)了改變LED集成光源中光路，使得硅膠中水平行走的光，走出硅 膠，到達空氣中，從而提高光通量輸出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種線路層上有垂直反射墻的LED集成光源結(jié)構(gòu)。
[0010] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中和本實用新型技術(shù)中的一種LED集成光源頂視圖。
[0011] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的LED集成光源結(jié)構(gòu)的光路圖。
[0012] 圖4為本實用新型的一種線路層上有斜坡反射墻的LED集成光源結(jié)構(gòu)。
[0013] 圖5為本實用新型的LED集成光源結(jié)構(gòu)的光路圖。

【具體實施方式】
[0014] 如圖4所示，本實用新型公開了一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)。該結(jié) 構(gòu)包括：基板；所述基板上的線路層；所述基板上的GaN LED芯片陣列；以及GaN LED芯片 陣列之間、且存在于GaN LED芯片陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；其中，所述線路層包 括所述基板上的絕緣層、所述絕緣層上的導(dǎo)電同層以及阻焊層，圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠 層、導(dǎo)電銅層和阻焊層，面向所述GaN LED芯片陣列的所述絕緣層表面形成為斜坡墻。存在 多個金屬導(dǎo)線，一部分金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)電銅層和一GaN LED芯片的正極，另一部分金屬導(dǎo)線 連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN LED芯片的負極，另一部分金屬導(dǎo)線連接一 GaN LED芯片的正 極和另一 GaN LED芯片的負極。
[0015] 所述GaN LED芯片發(fā)出藍光，藍光出射到熒光粉顆粒，顆粒被激發(fā)后發(fā)出光，到達 線路層的斜坡墻后被反射，光線的線路被改變。值得注意的是，本實用新型的斜坡墻結(jié)構(gòu)被 調(diào)整為小于界面臨界角的光線，從而使得光線能夠順利穿出硅膠到達空氣中。如圖5所示， 采用該結(jié)構(gòu)的LED集成光源，改變了 LED集成光源中光路，使得硅膠中水平行走的光穿出了 硅膠，到達空氣中，從而大大提高了光通量輸出。
[0016] 以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，對于本 領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則 之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種提高LED集成光源光通量輸出的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括：基板；所述基板上的線路 層；所述基板上的GaN LED芯片陣列；以及GaN LED芯片陣列之間、且存在于GaN LED芯片 陣列與線路層之間的熒光粉硅膠層；圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠層、所述線路層；所述線路 層包括所述基板上的絕緣層、所述絕緣層上的導(dǎo)電銅層以及阻焊層，其特征在于，面向所述 GaN LED芯片陣列的絕緣層表面形成為斜坡墻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述圍壩膠鄰接于熒光粉硅膠層、導(dǎo)電銅 層和阻焊層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于：存在多個金屬導(dǎo)線，一部分金屬導(dǎo)線 連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN LED芯片的正極，另一部分金屬導(dǎo)線連接導(dǎo)電銅層和臨近的GaN LED芯片的負極，另一部分金屬導(dǎo)線連接一 GaN LED芯片的正極和另一 GaN LED芯片的負 極。
【文檔編號】H01L33/62GK203850297SQ201420108433
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月11日
【發(fā)明者】楊人毅 申請人:易美芯光（北京）科技有限公司