一種多mosfet集成六橋臂封裝模塊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，屬于半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。其特征在于多MOSFET晶片在敷銅基板上封裝成六個(gè)橋臂，集成為三相全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，一組MOSFET的源極與另一組MOSFET的漏極連接時(shí)共用一塊敷銅，相同輸出引線的兩個(gè)MOSFET共用一片敷銅。上述一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，通過(guò)合理排布MOSFET管芯在敷銅基板上的布局，大大減小敷銅基板的使用面積，使得整個(gè)開(kāi)關(guān)元件體積大大縮小，降低成本；通過(guò)設(shè)計(jì)新型封裝方法減少了熱量的中間傳導(dǎo)層，使得散熱效率有了很大提高，進(jìn)而提高控制器的可靠性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，具體為一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]多MOSFET集成封裝模塊最主要是在直接敷銅基板(DBC)上布局MOSFET芯片、二極管芯片、功率端子。在對(duì)這種模塊中的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，要考慮熱設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)應(yīng)力設(shè)計(jì)、EMC設(shè)計(jì)和電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，此還同時(shí)要考慮設(shè)計(jì)產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。現(xiàn)有的多MOSFET集成封裝模塊設(shè)計(jì)中存在的主要問(wèn)題是產(chǎn)品的可靠性低、生產(chǎn)工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于設(shè)計(jì)提供一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊的技術(shù)方案，結(jié)合MOSFET晶元的三相、正負(fù)、空間結(jié)構(gòu)、電流強(qiáng)度、散熱等方面綜合考慮，其合理布線，減少鋁鍵合線的使用，增強(qiáng)并聯(lián)晶元的開(kāi)斷一致性，縮小整個(gè)功率器件體積。
[0004]所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于多MOSFET晶片在敷銅基板上封裝成六個(gè)橋臂，集成為三相全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，一組MOSFET的源極與另一組MOSFET的漏極連接時(shí)共用一塊敷銅，相同輸出引線的兩個(gè)MOSFET共用一片敷銅。
[0005]所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于每組MOSFET的柵極引出敷銅線設(shè)置成衣架形狀，且在柵極引出敷銅線中間設(shè)置焊接點(diǎn)。
[0006]所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于敷銅基板上設(shè)置一組測(cè)溫組件。
[0007]所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于每組MOSFET中設(shè)置一組并聯(lián)的電阻。
[0008]上述一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，通過(guò)合理排布MOSFET管芯在敷銅基板上的布局，大大減小敷銅基板的使用面積，使得整個(gè)開(kāi)關(guān)元件體積大大縮小，降低成本；通過(guò)設(shè)計(jì)新型封裝方法減少了熱量的中間傳導(dǎo)層，使得散熱效率有了很大提高，進(jìn)而提高控制器的可靠性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2為本發(fā)明的電路原理圖；
[0011]圖中:1-M0SFET的漏極、2-M0SFET的柵極、3-焊接點(diǎn)、4-敷銅基板、5-電阻、
6-M0SFET的源極、7-測(cè)溫組件。
【具體實(shí)施方式】
[0012]以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。[0013]如圖1所示，多MOSFET晶片在敷銅基板4上封裝成六個(gè)橋臂，集成為三相全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。本發(fā)明在敷銅基板4進(jìn)行刻蝕時(shí)，根據(jù)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的使用場(chǎng)合進(jìn)行設(shè)計(jì)，一組MOSFET的源極6與另一組MOSFET的漏極I連接時(shí)共用一塊敷銅，相同輸出引線的兩個(gè)MOSFET共用一片敷銅，減小敷銅使用面積，縮小體積，降低成本。每組MOSFET的柵極2引出敷銅線設(shè)置成衣架形狀，且在柵極引出敷銅線中間設(shè)置焊接點(diǎn)3，減小布線的電感影響，使得每組內(nèi)MOSFET的開(kāi)通關(guān)斷時(shí)刻盡量一致，減小MOSFET的發(fā)熱量，進(jìn)而提高控制器的可靠性。敷銅基板4上根據(jù)發(fā)熱區(qū)域合理布局了多個(gè)測(cè)溫組件7。每組MOSFET中設(shè)置一組并聯(lián)的電阻5。
[0014]如圖2 所示，MOSFET QU MOSFET Q2、MOSFET Q3、MOSFET Q4、MOSFET Q5 的 2 腳連接在一起，并且與電源正極相連，MOSFET QU MOSFET Q2、MOSFET Q3、MOSFET Q4、MOSFETQ5的3腳連接在一起，并與電機(jī)U相相連，MOSFET Ql的I腳與電阻Rl相連，MOSFET Q2的I腳與電阻R2相連，MOSFET Q3的I腳與電阻R3相連，MOSFET Q4的I腳與電阻R4相連，MOSFET Q5的1腳與電阻1?5相連，電阻1?1，1?2，1?3，1?4，1?5的另一端連接在一起，并與U相上臂驅(qū)動(dòng)相連。MOSFET Q16, MOSFET Q17, MOSFET Q18, MOSFET Q19, MOSFET Q20 的 2 腳連接在一起，并且與電機(jī) U 相相連，MOSFET Q16, MOSFET Q17, MOSFET Q18, MOSFET Q19, MOSFETQ20的3腳連接在一起，并與電源負(fù)極相連，MOSFET Q16的I腳與電阻R16相連，MOSFETQ17的I腳與電阻R17相連，MOSFET Q18的I腳與電阻R18相連，MOSFET Q19的I腳與電阻R19相連，MOSFET Q20的I腳與電阻R20相連，電阻R16，R17，R18，R19，R20的另一端連接在一起，并與U相下臂驅(qū)動(dòng)相連。
[0015]MOSFET Q6、M0SFET Q7、M0SFET Q8、M0SFET Q9、M0SFET QlO 的 2 腳連接在一起，并且與電源正極相連，MOSFET Q6、MOSFET Q7、MOSFET Q8、MOSFET Q9、MOSFET QlO 的 3 腳連接在一起，并與電機(jī)V相相連，MOSFET Q6的I腳與電阻R6相連，MOSFET Q7的I腳與電阻R7相連，MOSFET Q8的I腳與電阻R8相連，MOSFET Q9的I腳與電阻R9相連，MOSFET QlO的I腳與電阻RlO相連，電阻R6，R7，R8，R9，RlO的另一端連接在一起，并與V相上臂驅(qū)動(dòng)相連。
[0016]MOSFET Q21、MOSFET Q22、MOSFET Q23、MOSFET Q24、MOSFET Q25 的 2 腳連接在一起，并且與電機(jī) V 相相連，MOSFET Q21、MOSFET Q22、MOSFET Q23、MOSFET Q24、MOSFET Q25的3腳連接在一起，并與電源負(fù)極相連，MOSFET Q21的I腳與電阻R21相連，MOSFET Q22的I腳與電阻R22相連，MOSFET Q23的I腳與電阻R23相連，MOSFET Q24的I腳與電阻R24相連，MOSFET Q25的I腳與電阻R25相連，電阻R21，R22，R23，R24，R25的另一端連接在一起，并與V相下臂驅(qū)動(dòng)相連。
[0017]MOSFET QlK MOSFET Q12, MOSFET Q13, MOSFET Q14, MOSFET Q15 的 2 腳連接在一起，并且與電源正極相連，MOSFET QlU MOSFET Q12, MOSFET Q13, MOSFET Q14, MOSFET Q15的3腳連接在一起，并與電機(jī)W相相連，MOSFET Qll的I腳與電阻Rll相連，MOSFET Q12的I腳與電阻R12相連，MOSFET Q13的I腳與電阻R13相連，MOSFET Q14的I腳與電阻R14相連，MOSFET Q15的I腳與電阻R15相連，電阻Rll，R12，R13，R14，R15的另一端連接在一起，并與W相上臂驅(qū)動(dòng)相連。
[0018]MOSFET Q26、MOSFET Q27、MOSFET Q28、MOSFET Q29、MOSFET Q30 的 2 腳連接在一起，并且與電機(jī) W 相相連，MOSFET Q26、MOSFET Q27、MOSFET Q28、MOSFET Q29、MOSFET Q30的3腳連接在一起，并與電源負(fù)極相連，MOSFET Q26的I腳與電阻R26相連，MOSFET Q27的I腳與電阻R27相連，MOSFET Q28的I腳與電阻R28相連，MOSFET Q29的I腳與電阻R29相連，MOSFET Q30的I腳與電阻R30相連，電阻R26，R27，R28，R29，R30的另一端連接在一起，并與W相下臂驅(qū)動(dòng)相連。
【權(quán)利要求】
1.一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于多MOSFET晶片在敷銅基板(4)上封裝成六個(gè)橋臂，集成為三相全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，一組MOSFET的源極(6)與另一組MOSFET的漏極(I)連接時(shí)共用一塊敷銅，相同輸出引線的兩個(gè)MOSFET共用一片敷銅。
2.如權(quán)利要求1所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于每組MOSFET的柵極(2)引出敷銅線設(shè)置成衣架形狀，且在柵極引出敷銅線中間設(shè)置焊接點(diǎn)(3)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于敷銅基板(4)上設(shè)置一組測(cè)溫組件(7)。
4.如權(quán)利要求1所述的一種多MOSFET集成六橋臂封裝模塊，其特征在于每組MOSFET中設(shè)置一組并聯(lián)的電阻(5)。
【文檔編號(hào)】H01L23/488GK203774296SQ201420113459
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月13日
【發(fā)明者】周華豐, 張文華, 馬關(guān)金 申請(qǐng)人:杭州明果教育咨詢(xún)有限公司