具防電磁波干擾鍍膜披覆的晶片封裝構(gòu)造的制作方法
【專利摘要】本實用新型是一種具防電磁波干擾鍍膜披覆的晶片封裝構(gòu)造，主要是在一晶片封裝體單元的相對外側(cè)依序形成有一鍍膜接著層、一鍍膜導(dǎo)電層與一鍍膜保護層；其中，該鍍膜接著層可提高晶片封裝體單元與鍍膜導(dǎo)電層間的接著力，該鍍膜導(dǎo)電層可產(chǎn)生電磁屏蔽而防止電磁干擾，該鍍膜保護層可防止鍍膜導(dǎo)電層被氧化或腐蝕，通過在晶片封裝體單元外側(cè)形成多層的金屬鍍膜層，利用金屬鍍膜層的厚度薄、重量輕、低電阻與電磁屏蔽效果好的優(yōu)點，解決了現(xiàn)有電子產(chǎn)品的晶片使用金屬制外蓋產(chǎn)生的制造成本高、體積大與重量重的問題。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及一種晶片封裝構(gòu)造，尤指一種具防電磁波干擾鍍膜披覆的晶片封 裝構(gòu)造。 具防電磁波干擾鍍膜披覆的晶片封裝構(gòu)造

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)今科技蓬勃發(fā)展，許多使用集成電子元件或晶片的電子產(chǎn)品相繼問世，同時也 充斥在人們的生活當(dāng)中，例如電腦、筆記本電腦（或平板電腦）、移動電話等不勝枚舉，但伴 隨著電子產(chǎn)品的廣泛利用，電子產(chǎn)品使用時產(chǎn)生的高頻電磁波對人體與其它電子產(chǎn)品的危 害也增加了。為防止電子產(chǎn)品產(chǎn)生的電磁波對人體造成危害或干擾其它電子產(chǎn)品，目前許 多電子產(chǎn)品在電子元件的外殼或在晶片封裝時進行電磁屏蔽的處理，除可減少本身的電磁 波外漏，也可進一步減少外界電磁波的干擾。
[0003] 請參閱圖3與4所示，現(xiàn)有晶片封裝的防電磁波干擾對策是在一晶片封裝體80外 側(cè)設(shè)置一截面呈π型的外蓋90,該晶片封裝體80包含有一基板81、一晶片82與一封裝體 83,該晶片82設(shè)于基板81的表面上，該封裝體83形成于基板81的表面上并且包覆該晶片 82,該外蓋90與基板81的表面接觸并完整包覆該封裝體83,該封裝體83隔開該晶片82與 該外蓋90并產(chǎn)生電性絕緣，利用該金屬制的外蓋90形成電磁屏蔽以保護該晶片82不受外 界的電磁波干擾。然而采用覆蓋金屬制的外蓋90的隔離方式，需事先以模具壓制金屬片形 成該外蓋90,且因壓制的金屬片需有一定厚度（0. 1mm至數(shù)mm)，故現(xiàn)有使用金屬制外蓋90 的屏蔽隔離方式會有制造成本高、體積大與重量重的問題。 實用新型內(nèi)容
[0004] 如前揭所述，現(xiàn)有電子產(chǎn)品的晶片封裝防電磁波干擾對策所使用的金屬制外蓋會 有制造成本高、體積大、重量重的問題，因此本實用新型的主要目的在于提供一具防電磁波 干擾鍍膜披覆的晶片封裝構(gòu)造，主要是在晶片封裝構(gòu)造的相對外側(cè)以鍍膜方式形成一個以 上的金屬鍍膜層，該金屬鍍膜層使用的金屬材料較少，具有制造成本低、厚度薄與重量輕的 優(yōu)點，解決了現(xiàn)有使用金屬外蓋防止電磁波干擾所造成的問題。
[0005] 為達成前述目的，所采取的主要技術(shù)手段是令前述具防電磁波干擾鍍膜披覆的晶 片封裝構(gòu)造包含有：
[0006] -晶片封裝體單元，其包含一基板、一晶片與一封裝體，該晶片設(shè)于基板的其中一 面上，該封裝體形成于基板上并包覆該晶片；
[0007] -鍍膜接著層，其形成于該封裝體的相對外側(cè)；
[0008] -鍍膜導(dǎo)電層，其形成于該鍍膜接著層的相對外側(cè)；以及
[0009] -鍍膜保護層，其形成于該鍍膜導(dǎo)電層的相對外側(cè)。
[0010] 利用前述元件組成的具防電磁波干擾鍍膜披覆的晶片封裝構(gòu)造，主要是在該晶片 封裝體單元的相對外側(cè)依序形成該鍍膜接著層、該鍍膜導(dǎo)電層與該鍍膜保護層，該鍍膜接 著層可提高封裝體與鍍膜導(dǎo)電層間的接著力，該鍍膜導(dǎo)電層可產(chǎn)生電磁屏蔽而防止電磁干 擾，又鍍膜保護層可防止鍍膜導(dǎo)電層產(chǎn)生氧化腐蝕，利用鍍膜方式形成多層的金屬鍍膜層， 使用的金屬材料較金屬外蓋少，并具有厚度薄、重量輕、低電阻與電磁屏蔽效果好的優(yōu)點， 解決了現(xiàn)有電子產(chǎn)品的晶片封裝體使用金屬制外蓋產(chǎn)生的制造成本高、體積大與重量重的 問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1是本實用新型一優(yōu)選實施例的剖面圖。
[0012] 圖2是本實用新型一優(yōu)選實施例的局部立體剖面圖。
[0013] 圖3是現(xiàn)有晶片封裝構(gòu)造的剖面圖。
[0014] 圖4是現(xiàn)有晶片封裝構(gòu)造的局部立體剖面圖。
[0015] 附圖標(biāo)號說明
[0016] 10晶片封裝體單元11基板
[0017] 12晶片 13封裝體
[0018] 20鍍膜接著層 30鍍膜導(dǎo)電層
[0019] 40鍍膜保護層
[0020] 80晶片封裝體 81基板
[0021] 82晶片 83封裝體
[0022] 90 外蓋

【具體實施方式】
[0023] 以下配合附圖及本實用新型的優(yōu)選實施例，進一步闡述本實用新型為達成預(yù)定實 用新型目的所采取的技術(shù)手段。
[0024] 關(guān)于本實用新型的一優(yōu)選實施例，請參閱圖1所示，主要是在一晶片封裝體單元 10的相對外側(cè)以金屬鍍膜方式依序形成有多層的金屬鍍膜層，該等金屬鍍膜層分別為一鍍 膜接著層20、一鍍膜導(dǎo)電層30與一鍍膜保護層40,其中，該晶片封裝體單元10包含有一基 板11、一晶片12與一封裝體13,該基板11是一薄形的片體并具一表面，該晶片12為集成 電路（1C)且設(shè)于該基板11的表面上，該封裝體13形成于基板11的表面上并包覆該晶片 12,該封裝體13具有電性絕緣的特點。
[0025] 該晶片封裝體單元10欲進行外覆金屬鍍膜之前需利用一電漿（Plasma)系統(tǒng)的射 頻（RF)電源產(chǎn)生射頻電漿，在一真空室通入反應(yīng)氣體后產(chǎn)生高能量的離子去撞擊晶片封 裝體單元10的封裝體13的表面，以對該封裝體13的表面進行改質(zhì)、活化、親水性及粗化等 處理，使接下來形成的金屬鍍膜層可以得到較好的附著性。
[0026] 該鍍膜接著層20為一濺鍍金屬膜或一蒸鍍金屬膜，是以不銹鋼（Sus)、鈦（Ti)、鎳 (Ni)、鉻（Cr)或鎳鉻（Ni-Cr)等金屬或其合金材料制成，以濺鍍或蒸鍍的鍍膜方式附著于 該封裝體13的相對外側(cè)，由于前述金屬或合金材料具有高接著力，因此可減少濺鍍或蒸鍍 的金屬膜層的厚度。
[0027] 該鍍膜導(dǎo)電層30為一濺鍍金屬膜或一蒸鍍金屬膜，是以銅（Cu)或銀（Ag)等高導(dǎo) 電性金屬材料制成，以濺鍍或蒸鍍的鍍膜方式附著于該鍍膜接著層20的相對外側(cè)，該鍍膜 導(dǎo)電層30為殼狀的高導(dǎo)電性的金屬薄膜，其阻抗在形成的殼體內(nèi)側(cè)對角線處是小于5歐姆 (Ω )，于是該高導(dǎo)電性的鍍膜導(dǎo)電層30可防止晶片封裝體單元10內(nèi)部產(chǎn)生的電磁波發(fā)散 至外界或是防止外界的電磁波干擾該晶片封裝體單元10。
[0028] 該鍍膜保護層40為一濺鍍金屬膜或一蒸鍍金屬膜，是以不銹鋼（Sus)、鈦（Ti)、鎳 (Ni)、鉻（Cr)或鎳鉻（Ni-Cr)等金屬或其合金材料制成，以濺鍍或蒸鍍的鍍膜方式附著于 該鍍膜導(dǎo)電層30的相對外側(cè)，由于前述金屬或合金材料具有高抗氧化性，因此可以有效保 護并防止該鍍膜導(dǎo)電層30氧化或腐蝕。
[0029] 由上述可知，本實用新型是在該晶片封裝體單元10的外側(cè)以金屬鍍膜方式依序 形成有鍍膜接著層20、鍍膜導(dǎo)電層30與鍍膜保護層40,該等金屬鍍膜層分別提供高接著 力、電磁屏蔽及抗氧化腐蝕的功能，同時該等金屬鍍膜層具有厚度薄（0.1 μ m至數(shù)μ m)、重 量輕、低電阻與電磁屏蔽效果好的優(yōu)點，可解決現(xiàn)有電子產(chǎn)品的晶片封裝體使用金屬制外 蓋產(chǎn)生的制造成本高、體積大與重量重的問題。
[0030] 以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并非對本實用新型做任何形式上的 限制，雖然本實用新型已以優(yōu)選實施例披露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何本領(lǐng) 域的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)，應(yīng)當(dāng)可以利用上述揭示的技術(shù)內(nèi) 容作出些許改變或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案的內(nèi) 容，依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍 屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種具防電磁波干擾鍍膜披覆的晶片封裝構(gòu)造，其特征在于包含有： 一晶片封裝體單元，其包含一基板、一晶片與一封裝體，該晶片設(shè)于基板的其中一面 上，該封裝體形成于基板上并包覆該晶片； 一鍍膜接著層，其形成于該封裝體的相對外側(cè)； 一鍍膜導(dǎo)電層，其形成于該鍍膜接著層的相對外側(cè)；以及 一鍍膜保護層，其形成于該鍍膜導(dǎo)電層的相對外側(cè)。
2. 如權(quán)利要求1所述的具防電磁波干擾鍍膜披覆的晶片封裝構(gòu)造，其特征在于，該鍍 膜接著層、鍍膜導(dǎo)電層與鍍膜保護層為濺鍍金屬膜或蒸鍍金屬膜。
【文檔編號】H01L23/552GK203895448SQ201420144418
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月27日
【發(fā)明者】林忠炫 申請人:友威科技股份有限公司