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      一種oled顯示器的制造方法

      文檔序號:7072493閱讀:140來源:國知局
      一種oled顯示器的制造方法
      【專利摘要】本實用新型實施例提供了一種OLED顯示器,涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,可改善OLED顯示器的視角窄、在不同觀察角度光的強度和顏色也會不同的問題。該OLED顯示器包括多個子像素單元,每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第二電極;進一步所述子像素單元還包括:設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間的平坦層;其中,所述平坦層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀;所述第一電極包括不透明金屬層,所述第二電極為半透明金屬電極。用于需要改善視角窄、在不同觀察角度光的強度和顏色也會不同的問題的OLED顯示器及其制造。
      【專利說明】—種OLED顯示器
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種OLED顯示器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱0LED)是一種有機薄膜電致發(fā)光器件,其具有制備工藝簡單、成本低、易形成柔性結(jié)構(gòu)、視角寬等優(yōu)點;因此,利用有機發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。
      [0003]然而,不管是頂發(fā)射OLED顯示器還是底發(fā)射OLED顯示器,都會有不同程度的微腔效應(yīng),微腔效應(yīng)主要是指不同能態(tài)的光子密度被重新分配,使得只有特定波長的光在符合共振腔模式后,得以在特定的角度出射。其中,對于頂發(fā)射OLED顯示器,靠近襯底基板的電極其反射率很高,遠離襯底基板的電極通常采用半透明的金屬薄膜,半透明的金屬薄膜會增加光的反射,從而在兩電極之間形成多光子束的干涉,使得微腔效應(yīng)更為明顯。
      [0004]例如,如圖1所示,以頂發(fā)射OLED顯示器01為例,其包括依次設(shè)置在襯底基板10上的反射陽極11、有機材料功能層30、半透明金屬陰極12 ;其中,半透明金屬陰極12和有機材料功能層30的界面,反射陽極11和有機材料功能層30的界面均為平面,且所述反射陽極11、有機材料功能層30、半透明金屬陰極12構(gòu)成微腔。
      [0005]基于上述結(jié)構(gòu),由微腔效應(yīng)所形成的干涉光束的出射方向幾乎都是垂直的方向,這樣就帶來了視角窄、在不同觀察角度光的強度和顏色也會不同的問題。
      實用新型內(nèi)容
      [0006]本實用新型的實施例提供一種OLED顯示器,可改善OLED顯示器的視角窄、在不同觀察角度光的強度和顏色也會不同的問題。
      [0007]為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:
      [0008]一方面,提供一種OLED顯示器,包括多個子像素單元,每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第二電極;進一步所述子像素單元還包括:設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間的平坦層;其中,所述平坦層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀;所述第一電極包括不透明金屬層,所述第二電極為半透明金屬電極。
      [0009]優(yōu)選的,所述平坦層的厚度為2 μ m?5 μ m。
      [0010]優(yōu)選的,所述平坦層的材料包括聚酰亞胺膠。
      [0011]優(yōu)選的,所述第一電極包括不透明金屬層和設(shè)置在所述不透明金屬層兩層的氧化銦錫層。
      [0012]基于上述,優(yōu)選的,所述子像素單元還包括設(shè)置在所述襯底基板和所述平坦層之間的薄膜晶體管。
      [0013]進一步優(yōu)選的,所述第一電極通過設(shè)置在所述平坦層上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。[0014]優(yōu)選的,所述OLED顯示器還包括設(shè)置在所述襯底基板和所述薄膜晶體管之間的緩沖層,所述緩沖層與所述襯底基板接觸。
      [0015]本實用新型實施例提供了一種OLED顯示器,該OLED顯示器包括多個子像素單元,每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第二電極;進一步所述子像素單元還包括:設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間的平坦層;其中,所述平坦層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀;所述第一電極包括不透明金屬層,所述第二電極為半透明金屬電極。
      [0016]相對于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型實施例通過將所述平坦層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面設(shè)置成具有凹陷的弧形形狀,以使所述第一電極和第二電極的表面均形成具有凹陷的弧形形狀,這樣從有機材料功能層的發(fā)光層發(fā)出的光便可以在所述第一電極和第二電極之間形成多個方向的多光束干涉,使得不同角度的光的出射率增力口,從而增大了所述OLED顯示器的視角,在此基礎(chǔ)上,在不同觀察角度光的強度和顏色也均得到改善。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0017]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
      [0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019]圖2為本實用新型實施例提供的一種OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖一;
      [0020]圖3為本實用新型實施例提供的一種OLED顯示器形成多個方向的多光束干涉的示意圖;
      [0021]圖4為本實用新型實施例提供的一種OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖二 ;
      [0022]圖5為本實用新型實施例提供的一種包括薄膜晶體管的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0023]圖6為本實用新型實施例提供的一種包括緩沖層的OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0024]圖7為本實用新型實施例提供的一種制備OLED顯示器的流程示意圖;
      [0025]圖8-10為本實用新型實施例提供的一種形成表面具有凹陷的弧形形狀的平坦層的過程示意圖。
      [0026]附圖標記:
      [0027]01-0LED顯示器;10_襯底基板;11_反射陽極;12_半透明金屬陰極;20_第一電極;201-不透明金屬層;202_氧化銦錫層;30_有機材料功能層;40_第二電極;50_平坦層;50a-平坦層薄膜;60_薄膜晶體管;601_柵極;602_柵絕緣層;603_半導(dǎo)體有源層;604-源極;605_漏極;70_緩沖層;80_封裝層;90_掩模板;901_掩模板的開口。
      【具體實施方式】
      [0028]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
      [0029]本實用新型實施例提供了一種OLED顯示器01,如圖2和圖3所示,該OLED顯示器01包括多個子像素單元,每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板10上的第一電極20、有機材料功能層30、第二電極40 ;進一步所述子像素單元還包括:設(shè)置在所述襯底基板10和所述第一電極20之間的平坦層50 ;其中,所述平坦層50與所述第一電極20對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板10 —側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀;所述第一電極20包括不透明金屬層,所述第二電極40為半透明金屬電極。
      [0030]需要說明的是,第一,不對所述平坦層50的材料進行限定,只要能使其遠離所述襯底基板10的一側(cè)表面形成具有凹陷的弧形形狀即可。
      [0031]其中,當(dāng)所述平坦層50的材料為導(dǎo)電材料時,需在該平坦層50和第一電極20之間設(shè)置絕緣層,具體根據(jù)實際情況進行設(shè)定,在此不再贅述。
      [0032]第二,由于所述平坦層50位于所述第一電極20的下方,即:位于下方的平坦層50需先制備形成,位于上方的第一電極20后制備形成,因此,在平坦層50與所述第一電極20對應(yīng)部分的上表面具有凹陷的弧形形狀的情況下,在其上方形成第一電極20也具有凹陷的弧形形狀,同理位于所述第一電極20上方的有機材料功能層30和第二電極40也具有凹陷的弧形形狀。
      [0033]第三,第一電極20可以為陰極或陽極,第二電極40可以為陽極或陰極。即:若第一電極20為陰極,則第二電極40為陽極;若第一電極20為陽極,則第二電極40陰極。
      [0034]對于所述有機材料功能層30,其可以至少包括電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層,在此基礎(chǔ)上為了能夠提高電子和空穴注入發(fā)光層的效率,所述有機材料功能層30進一步還可以包括設(shè)置在陰極與所述電子傳輸層之間的電子注入層,以及設(shè)置在所述空穴傳輸層與陽極之間的空穴注入層。
      [0035]基于此,當(dāng)向陽極和陰極施加工作電壓時,陽極中的空穴和陰極中的電子均注入到所述發(fā)光層中;空穴和電子在所述發(fā)光層中相遇,二者復(fù)合在一起形成電子-空穴對、并釋放出能量;該能量以光的形式發(fā)出,經(jīng)過所述發(fā)光層中的不同發(fā)光分子而顯示為不同顏色的光,并從所述有機材料功能層30的兩側(cè)均勻的射出。
      [0036]其中,一個像素單元中的三個子像素單元的所述發(fā)光層可以分別包括紅光、綠光、藍光的發(fā)光分子;當(dāng)然,上述發(fā)光層也可以僅包括白光的發(fā)光分子,在此不做限定。
      [0037]第四,所述OLED顯示器01可以是無源矩陣型顯示器,也可以是有源矩陣型顯示器,在此不做限定。
      [0038]第五,本實用新型實施例中,相鄰的第一電極20之間可以通過像素隔離層進行隔離,在此不再贅述。
      [0039]第六,本實用新型所有實施例的附圖均示意性的繪示出與發(fā)明點有關(guān)的圖案層,對于與發(fā)明點無關(guān)的圖案層不進行繪示或僅繪示出部分。
      [0040]本實用新型實施例提供了一種OLED顯示器01,包括多個子像素單元,每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板10上的第一電極20、有機材料功能層30、第二電極40 ;進一步所述子像素單元還包括:設(shè)置在所述襯底基板10和所述第一電極20之間的平坦層50 ;其中,所述平坦層50與所述第一電極20對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板10 —側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀;所述第一電極20包括不透明金屬層,所述第二電極40為半透明金屬電極。
      [0041]相對于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型實施例通過將所述平坦層50與所述第一電極20對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板10 —側(cè)的表面設(shè)置成具有凹陷的弧形形狀,以使所述第一電極20和第二電極40的表面均形成具有凹陷的弧形形狀,這樣從有機材料功能層30的發(fā)光層發(fā)出的光便可以在所述第一電極20和第二電極40之間形成多個方向的多光束干涉,使得不同角度的光的出射率增加,從而增大了所述OLED顯示器01的視角,在此基礎(chǔ)上,在不同觀察角度光的強度和顏色也均得到改善。
      [0042]優(yōu)選的,如圖4所示,所述第一電極20可以包括不透明金屬層201和設(shè)置在所述不透明金屬層兩層的氧化銦錫(ITO)層202。這樣,可使所述第一電極20與所述有機材料功能層30的能級相匹配,有助于第一電極20的載流子注入有機材料功能層30的發(fā)光層中。
      [0043]所述第二電極40可以為厚度相對較薄的銀導(dǎo)電層。
      [0044]優(yōu)選的,所述平坦層50的厚度可以為2 μ m?5 μ m。
      [0045]這樣,即不會使所述OLED顯示器01太厚而無法滿足薄型化的市場需求,又不會由于太薄而無法制備形成具有凹陷的弧形形狀表面的所述平坦層50。
      [0046]優(yōu)選的,所述平坦層50的材料可以為聚酰亞胺膠(PI)。
      [0047]這是由于PI的結(jié)構(gòu)并不致密,當(dāng)通過例如干法刻蝕制備形成具有凹陷的弧形形狀表面的所述平坦層50時,可以很容易的將需要凹陷的那部分PI材料刻蝕掉,并且刻蝕出預(yù)期的效果。
      [0048]在上述基礎(chǔ)上,考慮到無源矩陣應(yīng)用于大尺寸顯示器時有其不足的一面,優(yōu)選的,本實用新型實施例提供的OLED顯示器01為有源矩陣型OLED顯示器,即,如圖5所示,所述OLED顯示器01的每個子像素單元還可以包括設(shè)置在所述襯底基板10和所述平坦層50之間的薄膜晶體管60。
      [0049]其中,所述薄膜晶體管60包括柵極601、柵絕緣層602、半導(dǎo)體有源層603、源極604和漏極605 ;且所述薄膜晶體管60可以是頂柵型,也可以是底柵型。
      [0050]當(dāng)然,所述OLED顯示器01還包括與所述柵極601電連接的柵線、柵線引線(圖中未標識出)等,與所述源極604電連接的數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)線引線(圖中未標識出)等。
      [0051]進一步的,考慮到若使漏極605與所述第二電極40電連接,勢必需要所述第二電極40穿過有機材料功能層30和第一電極20,來與漏極605電連接,這樣一方面可能導(dǎo)致第二電極40與第一電極20發(fā)生短路,另一方面由于有機材料功能層30材料的特殊性,制備工藝相對也復(fù)雜?;诖?,本實用新型實施例優(yōu)選為,將所述漏極605與所述第一電極20電連接,且所述第一電極20通過設(shè)置在所述平坦層50上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極605電連接。
      [0052]優(yōu)選的,如圖6所示,所述OLED顯示器01還包括設(shè)置在所述襯底基板10和所述薄膜晶體管60之間的緩沖層70,所述緩沖層70與所述襯底基板10接觸。
      [0053]所述緩沖層70可以是單層或多層結(jié)構(gòu),其材料例如可以是SiN(氮化硅)、Si0x(氧
      化硅)等。
      [0054]通過所述緩沖層70有助于改善所述襯底基板10的表面平整度和附著力,而且還有助于改善抗水氧滲透性。[0055]需要說明的是,由于有機材料功能層30材料的特殊性,本實用新型實施例中,OLED顯示器01還應(yīng)包括用于封裝有機材料的封裝層80 ;其中,所述封裝層80可以是薄膜封裝也可以是基板封裝,在此不做限定。
      [0056]本實用新型實施例還提供了一種OLED顯示器,所述OLED顯示器01包括多個子像素單元;在此基礎(chǔ)上,如圖7所示,該OLED顯示器可通過如下方法制備得到,所述方法包括如下步驟:
      [0057]S10、參考圖2所示,在襯底基板10上形成平坦層50 ;其中,在每個所述子像素單元中對應(yīng)第一電極20的區(qū)域,所述平坦層50遠離所述襯底基板10 —側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀。
      [0058]S11、參考圖2所示,在形成有所述平坦層50的基板上,在每個所述子像素單元的區(qū)域,依次形成所述第一電極20、有機材料功能層30、第二電極40。
      [0059]其中,所述第一電極20包括不透明金屬層,所述第二電極40為半透明金屬電極。
      [0060]需要說明的是,第一,此處不對表面具有凹陷的弧形形狀的平坦層50的形成方法進行限定。
      [0061]第二,由于先制備形成平坦層50,然后在所述平坦層50的上方制備形成第一電極20,因此,在平坦層50與所述第一電極20對應(yīng)部分的上表面具有凹陷的弧形形狀的情況下,在其上方形成第一電極20也具有凹陷的弧形形狀,同理位于所述第一電極20上方的有機材料功能層30和第二電極40也具有凹陷的弧形形狀。
      [0062]本實用新型實施例提供了一種包括多個子像素單元的OLED顯示器的制備方法,包括:在襯底基板10上形成平坦層50 ;其中,在每個所述子像素單元中對應(yīng)第一電極20的區(qū)域,所述平坦層50遠離所述襯底基板10—側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀;在形成有所述平坦層50的基板上,在每個所述子像素單元的區(qū)域,依次形成第一電極20、有機材料功能層30、第二電極40 ;其中,所述第一電極20包括不透明金屬層,所述第二電極40為半透明金屬電極。
      [0063]相對于現(xiàn)有技術(shù),本實用新型實施例通過將所述平坦層50與所述第一電極20對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板10 —側(cè)的表面形成為具有凹陷的弧形形狀,以使所述第一電極20和第二電極40的表面均形成具有凹陷的弧形形狀,這樣從有機材料功能層30的發(fā)光層發(fā)出的光便可以在所述第一電極20和第二電極40之間形成多個方向的多光束干涉,使得不同角度的光的出射率增加,從而增大了所述OLED顯示器01的視角,在此基礎(chǔ)上,在不同觀察角度光的強度和顏色也均得到改善。
      [0064]優(yōu)選的,上述步驟S10,具體可以包括如下過程:
      [0065]S101、如圖8所示,在襯底基板10上形成平坦層薄膜50a。
      [0066]由于PI的結(jié)構(gòu)并不致密,當(dāng)下述通過干法刻蝕制備形成具有凹陷的弧形形狀表面的所述平坦層50時,可以很容易的將需要凹陷的那部分PI材料刻蝕掉,并且刻蝕出預(yù)期的效果,所述平坦層薄膜50a的材料采用PI材料。
      [0067]S102、如圖9所示,利用圖形化的掩模板90的遮蔽作用,對未被所述掩模板90完全遮擋的所述平坦層薄膜50a進行干法刻蝕,形成如圖10所示的表面具有凹陷的弧形形狀的所述平坦層50。
      [0068]其中,所述掩模板的開口 901與所述子像素單元的預(yù)定區(qū)域?qū)?yīng),且所述開口 901的靠近所述平坦層薄膜50a —側(cè)的面積大于遠離所述平坦層薄膜50a —側(cè)的面積。
      [0069]需要說明的是,第一,干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù),基于此,本實用新型實施例中采用如圖9所示形狀的掩模板90作為屏蔽,即利用所述掩模板90的影子效應(yīng),被所述掩模板90豎直阻擋住的區(qū)域(該區(qū)域中掩模板90與所述平坦層薄膜50a具有間隙)等離子體的濃度小,所以越靠近所述掩模板90的邊緣,刻蝕的效果也就越不明顯,刻蝕出來的弧形結(jié)構(gòu)較淺;而正對所述掩模板的開口 901的區(qū)域,由于等離子體可以直接進入,因而其等離子體濃度較大,刻蝕的效果也越明顯,刻蝕的深度會更深。
      [0070]第二,預(yù)定區(qū)域為每個所述子像素單元的對應(yīng)第一電極20的區(qū)域中,大于一定凹陷深度的區(qū)域。
      [0071]第三,對未被所述掩模板90完全遮擋的所述平坦層薄膜50a進行干法刻蝕是指,對從所述開口 901處進入的等離子體,只要掩模板90和平坦層薄膜50a之間具有間隙,該等離子體可以到達,便可以對所述平坦層薄膜50a進行刻蝕。
      [0072]優(yōu)選的,參考圖4所示,所述第一電極20可以包括不透明金屬層201和設(shè)置在所述不透明金屬層兩層的氧化銦錫(ITO)層202。所述第二電極40可以為厚度相對較薄的銀導(dǎo)電層。
      [0073]優(yōu)選的,所述平坦層50的厚度可以為2 μ m?5 μ m。
      [0074]這樣,即不會使所述OLED顯示器01太厚而無法滿足薄型化的市場需求,又不會由于太薄而無法制備形成具有凹陷的弧形形狀表面的所述平坦層50。
      [0075]優(yōu)選的,所述平坦層50的材料可以為聚酰亞胺(PI)。
      [0076]在上述基礎(chǔ)上,考慮到無源矩陣應(yīng)用于大尺寸顯示器時有其不足的一面,優(yōu)選的,本實用新型實施例提供的OLED顯示器01為有源矩陣型OLED顯示器,即,參考圖5所示,在所述OLED顯示器01的每個子像素單元中,還形成位于所述襯底基板10和所述平坦層50之間的薄膜晶體管60。
      [0077]其中,所述薄膜晶體管60包括柵極601、柵絕緣層602、半導(dǎo)體有源層603、源極604和漏極605 ;且所述薄膜晶體管60可以是頂柵型,也可以是底柵型。
      [0078]進一步的,所述第一電極20通過形成在所述平坦層50上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極605電連接。
      [0079]優(yōu)選的,參考圖6所示,所述方法還包括:在所述襯底基板10和所述薄膜晶體管60之間形成緩沖層70,所述緩沖層70與所述襯底基板10接觸。通過所述緩沖層70有助于改善所述襯底基板10的表面平整度和附著力,而且還有助于改善抗水氧滲透性。
      [0080]以上所述,僅為本實用新型的【具體實施方式】,但本實用新型的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此,本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
      【權(quán)利要求】
      1.一種OLED顯示器,包括多個子像素單元,每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第二電極;其特征在于,所述子像素單元還包括:設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間的平坦層; 其中,所述平坦層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀; 所述第一電極包括不透明金屬層,所述第二電極為半透明金屬電極。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述平坦層的厚度為2μ m?5μ m0
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述平坦層的材料包括聚酰亞胺膠。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述第一電極包括不透明金屬層和設(shè)置在所述不透明金屬層兩層的氧化銦錫層。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的OLED顯示器,其特征在于,所述子像素單元還包括設(shè)置在所述襯底基板和所述平坦層之間的薄膜晶體管。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED顯示器,其特征在于,所述第一電極通過設(shè)置在所述平坦層上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED顯示器,其特征在于,所述OLED顯示器還包括設(shè)置在所述襯底基板和所述薄膜晶體管之間的緩沖層,所述緩沖層與所述襯底基板接觸。
      【文檔編號】H01L51/52GK203760520SQ201420148183
      【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
      【發(fā)明者】張鵬 申請人:京東方科技集團股份有限公司
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